JPH0342493B2 - - Google Patents
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- JPH0342493B2 JPH0342493B2 JP7119484A JP7119484A JPH0342493B2 JP H0342493 B2 JPH0342493 B2 JP H0342493B2 JP 7119484 A JP7119484 A JP 7119484A JP 7119484 A JP7119484 A JP 7119484A JP H0342493 B2 JPH0342493 B2 JP H0342493B2
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- film
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、ポリイミド系樹脂を使用した半導
体装置の製造方法に関するものである。
体装置の製造方法に関するものである。
半導体集積回路の製造において、従来は無機材
料を主として使用していたが、最近になつて層間
絶縁膜、パシベーシヨン膜またはソフトエラー防
止用コーテイング膜としてポリイミド系樹脂等の
有機材料が使用されるようになつてきた。有機材
料の中でポリイミド系樹脂が特に選ばれたのは耐
熱性に優れているためである。
料を主として使用していたが、最近になつて層間
絶縁膜、パシベーシヨン膜またはソフトエラー防
止用コーテイング膜としてポリイミド系樹脂等の
有機材料が使用されるようになつてきた。有機材
料の中でポリイミド系樹脂が特に選ばれたのは耐
熱性に優れているためである。
第１図ａ〜ｄは従来のポリイミド系樹脂膜パタ
ーン形成方法を示す工程図で、１はシリコン基
板、２は前記シリコン基板１の上面に埋設された
アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜（以下
単にアルミニウム膜という）、３はポリイミド系
樹脂膜、４はフオトレジストである。
ーン形成方法を示す工程図で、１はシリコン基
板、２は前記シリコン基板１の上面に埋設された
アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜（以下
単にアルミニウム膜という）、３はポリイミド系
樹脂膜、４はフオトレジストである。
PIX、PIQ（日立化成商品名）の如きポリイミ
ド系樹脂膜３のパターンを形成するのに、従来
は、ポリイミド酸重合体をＮ−メチル−２−ピロ
リドンの如き溶媒に溶解したものを第１図ａに示
すようにアルミニウム膜２が埋め込まれたシリコ
ン基板１に回転塗布した後、100℃〜150℃の温度
で１時間程セミキユアーした後、第１図ｂに示す
ようにフオトレジスト４のパターンを形成する。
その後、NMD（東京応化商品名）の如き有機ア
ミン系またはPIQエツチヤント（日立化成商品
名）の如きヒドラジン系のエツチング液にて第１
図ｃに示すようにエツチングし、第１図ｄに示す
ようにフオトレジスト４を除去した後、200℃お
よび350℃程度の高温度でそれぞれ１時間ずつ段
階的に熱処理することによつて完全にイミド化を
促進させてポリイミド系樹脂膜３のパターンを形
成し層間絶縁膜またはパシベーシヨン膜として使
つていた。
ド系樹脂膜３のパターンを形成するのに、従来
は、ポリイミド酸重合体をＮ−メチル−２−ピロ
リドンの如き溶媒に溶解したものを第１図ａに示
すようにアルミニウム膜２が埋め込まれたシリコ
ン基板１に回転塗布した後、100℃〜150℃の温度
で１時間程セミキユアーした後、第１図ｂに示す
ようにフオトレジスト４のパターンを形成する。
その後、NMD（東京応化商品名）の如き有機ア
ミン系またはPIQエツチヤント（日立化成商品
名）の如きヒドラジン系のエツチング液にて第１
図ｃに示すようにエツチングし、第１図ｄに示す
ようにフオトレジスト４を除去した後、200℃お
よび350℃程度の高温度でそれぞれ１時間ずつ段
階的に熱処理することによつて完全にイミド化を
促進させてポリイミド系樹脂膜３のパターンを形
成し層間絶縁膜またはパシベーシヨン膜として使
つていた。
しかしながら、第１図ｃに示すようにポリイミ
ド系樹脂膜３をエツチングした場所にアルミニウ
ム膜２が露出してくると有機アミン系またはヒド
ラジン系エツチング液ともアルミニウム膜２をエ
ツチングするため、しばしば半導体装置に欠陥を
生じ製品としての信頼性を損なう欠点があつた。
ド系樹脂膜３をエツチングした場所にアルミニウ
ム膜２が露出してくると有機アミン系またはヒド
ラジン系エツチング液ともアルミニウム膜２をエ
ツチングするため、しばしば半導体装置に欠陥を
生じ製品としての信頼性を損なう欠点があつた。
この発明は、上記の点にかんがみなされたもの
で、アルミニウム膜上に薄い保護膜を形成するこ
とによつて下地のアルミニウム膜をエツチングす
ることなしにポリイミド系樹脂膜をエツチングす
る方法を提供するものである。以下、この発明の
実施例について説明する。
で、アルミニウム膜上に薄い保護膜を形成するこ
とによつて下地のアルミニウム膜をエツチングす
ることなしにポリイミド系樹脂膜をエツチングす
る方法を提供するものである。以下、この発明の
実施例について説明する。
第２図ａ，ｂはこの発明の一実施例によるポリ
イミド系樹脂膜のパターン形成方法を示す工程図
である。ソフトエラー防止用のチツプコーテイン
グは完成したチツプ表面に膜厚が30〜70μｍ程度
のポリイミド系樹脂膜３をボンデイングパツドに
かからないように形成していたが、このような場
合、第２図ａに示す如く窒化シリコン膜等のパシ
ベーシヨン膜５にボンデイング・パツド用の穴を
形成した後、アルミニウム保護膜として化学気相
法等にてリンを１〜２モル％ドープした酸化シリ
コン膜（以下、単に酸化シリコン膜という）６を
500〜4000Å程度の膜厚となるように形成する。
その後、第１図ａ〜ｄに示した従来と同じ方法に
てポリイミド系樹脂膜３のパターンを形成し、フ
ツ酸と酢酸の混合液でポリイミド系樹脂膜３に覆
われていない部分の酸化シリコン膜６を除去す
る。最終的には第２図ｂに示す構造となる。
イミド系樹脂膜のパターン形成方法を示す工程図
である。ソフトエラー防止用のチツプコーテイン
グは完成したチツプ表面に膜厚が30〜70μｍ程度
のポリイミド系樹脂膜３をボンデイングパツドに
かからないように形成していたが、このような場
合、第２図ａに示す如く窒化シリコン膜等のパシ
ベーシヨン膜５にボンデイング・パツド用の穴を
形成した後、アルミニウム保護膜として化学気相
法等にてリンを１〜２モル％ドープした酸化シリ
コン膜（以下、単に酸化シリコン膜という）６を
500〜4000Å程度の膜厚となるように形成する。
その後、第１図ａ〜ｄに示した従来と同じ方法に
てポリイミド系樹脂膜３のパターンを形成し、フ
ツ酸と酢酸の混合液でポリイミド系樹脂膜３に覆
われていない部分の酸化シリコン膜６を除去す
る。最終的には第２図ｂに示す構造となる。
第３図ａ，ｂはこの発明の他の実施例を示す工
程図で、第２図ａ，ｂと同じくソフトエラー防止
用チツプコーテイングの形成方法であるが、この
場合は、第３図ａに示すようにアルミニウム膜２
のパターン形成後にアルミニウム保護膜としての
酸化シリコン膜６を、スパツタ法またはプラズマ
気相成長法等にて500〜4000Å程度の膜厚となる
ように形成する。その上にプラズマ気相成長法に
て窒化シリコン膜等のパシベーシヨン膜５を形成
した後、通常のフオトリソグラフイ技術にてボン
デイングパツド用の穴を形成する。その上に第１
図ａ〜ｄに示したのと同じ方法でポリイミド系樹
脂膜３のパターンを形成し第３図ａの構造とす
る。その後、フツ酸と酢酸の混合液でパシベーシ
ヨン膜５に覆われていない部分の酸化シリコン膜
６をエツチングする。最終的には第３図ｂに示し
た構造となる。
程図で、第２図ａ，ｂと同じくソフトエラー防止
用チツプコーテイングの形成方法であるが、この
場合は、第３図ａに示すようにアルミニウム膜２
のパターン形成後にアルミニウム保護膜としての
酸化シリコン膜６を、スパツタ法またはプラズマ
気相成長法等にて500〜4000Å程度の膜厚となる
ように形成する。その上にプラズマ気相成長法に
て窒化シリコン膜等のパシベーシヨン膜５を形成
した後、通常のフオトリソグラフイ技術にてボン
デイングパツド用の穴を形成する。その上に第１
図ａ〜ｄに示したのと同じ方法でポリイミド系樹
脂膜３のパターンを形成し第３図ａの構造とす
る。その後、フツ酸と酢酸の混合液でパシベーシ
ヨン膜５に覆われていない部分の酸化シリコン膜
６をエツチングする。最終的には第３図ｂに示し
た構造となる。
なお、上記実施例では、ソフトエラー防止用チ
ツプコーテイングを例にとつたが、ポリイミド系
樹脂膜３を層間絶縁膜またはパシベーシヨン膜５
として使用する場合にも全く同様にアルミニウム
膜２の上に保護膜を形成した後、ポリイミド系樹
脂膜３のエツチングを行い、その後この保護膜を
除去することによつてアルミニウム膜２に何の損
傷なしにポリイミド系樹脂膜３のパターンを形成
することができる。また、配線金属としてアルミ
ニウム膜２を例にとつたが、アルミニウム合金で
も適用できることはもちろんである。
ツプコーテイングを例にとつたが、ポリイミド系
樹脂膜３を層間絶縁膜またはパシベーシヨン膜５
として使用する場合にも全く同様にアルミニウム
膜２の上に保護膜を形成した後、ポリイミド系樹
脂膜３のエツチングを行い、その後この保護膜を
除去することによつてアルミニウム膜２に何の損
傷なしにポリイミド系樹脂膜３のパターンを形成
することができる。また、配線金属としてアルミ
ニウム膜２を例にとつたが、アルミニウム合金で
も適用できることはもちろんである。
以上説明したようにこの発明は、アルミニウム
膜またはアルミニウム合金膜の上にリンをドープ
した酸化シリコン膜からなる保護膜を形成した
後、ポリイミド系樹脂膜を塗布し、エツチングす
るようにしたので、下地のアルミニウム膜または
アルミニウム合金膜をなんら損なうことなしにポ
リイミド系樹脂膜のパターンを形成することが可
能となり、また、保護膜は酸化シリコン膜にリン
をドープさせてあるためクラツクが発生しにくく
なり、そのため半導体装置としての製品の信頼性
を向上することができる利点を有する。
膜またはアルミニウム合金膜の上にリンをドープ
した酸化シリコン膜からなる保護膜を形成した
後、ポリイミド系樹脂膜を塗布し、エツチングす
るようにしたので、下地のアルミニウム膜または
アルミニウム合金膜をなんら損なうことなしにポ
リイミド系樹脂膜のパターンを形成することが可
能となり、また、保護膜は酸化シリコン膜にリン
をドープさせてあるためクラツクが発生しにくく
なり、そのため半導体装置としての製品の信頼性
を向上することができる利点を有する。
第１図ａ〜ｄは従来のポリイミド系樹脂膜のパ
ターン形成方法を示す工程図、第２図ａ，ｂはこ
の発明の一実施例によるポリイミド系樹脂膜のパ
ターン形成方法を示す工程図、第３図ａ，ｂはこ
の発明の他の実施例を示す工程図である。 図中、１はシリコン基板、２はアルミニウム
膜、３はポリイミド系樹脂膜、４はフオトレジス
ト、５はパシベーシヨン膜、６は酸化シリコン膜
である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を
示す。
ターン形成方法を示す工程図、第２図ａ，ｂはこ
の発明の一実施例によるポリイミド系樹脂膜のパ
ターン形成方法を示す工程図、第３図ａ，ｂはこ
の発明の他の実施例を示す工程図である。 図中、１はシリコン基板、２はアルミニウム
膜、３はポリイミド系樹脂膜、４はフオトレジス
ト、５はパシベーシヨン膜、６は酸化シリコン膜
である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を
示す。
Claims (1)
- １ 表面にアルミニウム膜またはアルミニウム合
金膜を有する半導体素子の表面にポリイミド系樹
脂膜を形成し、レジストをマスクとしてアルカリ
系またはヒドラジン系エツチング液にてエツチン
グする工程において、前記アルミニウム膜または
アルミニウム合金膜上にリンをドープした酸化シ
リコン膜からなる保護膜を形成した後、前記ポリ
イミド系樹脂膜を形成し、前記エツチングを施す
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7119484A JPS60213027A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7119484A JPS60213027A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60213027A JPS60213027A (ja) | 1985-10-25 |
| JPH0342493B2 true JPH0342493B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=13453611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7119484A Granted JPS60213027A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60213027A (ja) |
-
1984
- 1984-04-09 JP JP7119484A patent/JPS60213027A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60213027A (ja) | 1985-10-25 |
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