JPH0340510A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPH0340510A JPH0340510A JP1174763A JP17476389A JPH0340510A JP H0340510 A JPH0340510 A JP H0340510A JP 1174763 A JP1174763 A JP 1174763A JP 17476389 A JP17476389 A JP 17476389A JP H0340510 A JPH0340510 A JP H0340510A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- acoustic wave
- aluminum
- surface acoustic
- wave device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 29
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005324 grain boundary diffusion Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000097 high energy electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02582—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of diamond substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、酸化亜鉛や窒化アルミニウム等の圧電薄膜を
用いた弾性表面波装置に関する。
用いた弾性表面波装置に関する。
［背景技術］
近年、弾性表面波（以下ＳＡＷと称する場合がある。〉
を用いたフィルタや共振子２発振子等の弾性表面波装置
が広く用いられるようになっている０弾性表面波装置は
、バルク波装置よりも高周波化に適しているが、より高
周波化をはがるためには、使用するすだれ状のインター
ディジタル電極のピッチを細かくするが、あるいは基板
を伝搬する弾性表面波の音速の速い基板（高音速基板）
を用いる必要がある。
を用いたフィルタや共振子２発振子等の弾性表面波装置
が広く用いられるようになっている０弾性表面波装置は
、バルク波装置よりも高周波化に適しているが、より高
周波化をはがるためには、使用するすだれ状のインター
ディジタル電極のピッチを細かくするが、あるいは基板
を伝搬する弾性表面波の音速の速い基板（高音速基板）
を用いる必要がある。
しかし、インターディジタル電極のピッチの微細化には
限度があるので、上記目的のためには高音速基板を用い
るのが望ましく、最近ではシリコン、サファイア、ダイ
アモンド等の単結晶誘電体上に酸化亜鉛や窒化アルミニ
ウム等の圧電薄膜を形成した基板が高音速基板として開
発されている。高音速基板の各圧電薄膜は、一般的には
高周波における伝搬損失を小さくするため、エピタキシ
ャル膜化する必要がある。一方、従来より用いられてい
るアルミニウム電極は、ランダム配向の多結晶膜である
。電極材料としてアルミニウムを用いるのは、フォトリ
ソグラフィが容易であり、比重が小さくてｔ８ｉ！負荷
質量効果が少なく、伝導率が高いなどの長所を備えてい
るためである。
限度があるので、上記目的のためには高音速基板を用い
るのが望ましく、最近ではシリコン、サファイア、ダイ
アモンド等の単結晶誘電体上に酸化亜鉛や窒化アルミニ
ウム等の圧電薄膜を形成した基板が高音速基板として開
発されている。高音速基板の各圧電薄膜は、一般的には
高周波における伝搬損失を小さくするため、エピタキシ
ャル膜化する必要がある。一方、従来より用いられてい
るアルミニウム電極は、ランダム配向の多結晶膜である
。電極材料としてアルミニウムを用いるのは、フォトリ
ソグラフィが容易であり、比重が小さくてｔ８ｉ！負荷
質量効果が少なく、伝導率が高いなどの長所を備えてい
るためである。
しかし、ランダム配向多結晶膜の上にはエピタキシャル
成長させることができないので、従来のアルミニウム電
極の上では圧電薄膜をエピタキシャル成長させることが
できず、このため従来の高音速基板を用いた弾性表面波
装置８としては、第２図に示すように、単結晶誘電体５
の上にスパッタやＣＶＤ等の方法により圧電薄ｒＩＡ６
を成膜して高音速基板を形成し、圧電薄膜６の表面にラ
ンダム配向した多結晶体のアルミニウム電極７を形成し
て構造となっていた。すなわち、アルミニウム電極３は
、弾性表面波装置８の表面にあり、大気に露出している
。
成長させることができないので、従来のアルミニウム電
極の上では圧電薄膜をエピタキシャル成長させることが
できず、このため従来の高音速基板を用いた弾性表面波
装置８としては、第２図に示すように、単結晶誘電体５
の上にスパッタやＣＶＤ等の方法により圧電薄ｒＩＡ６
を成膜して高音速基板を形成し、圧電薄膜６の表面にラ
ンダム配向した多結晶体のアルミニウム電極７を形成し
て構造となっていた。すなわち、アルミニウム電極３は
、弾性表面波装置８の表面にあり、大気に露出している
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、スパッタ、ＣＶＤ等により圧電薄膜を形
成する際には、圧電薄膜の表面にゴミ等の付着による突
起を生じ易く、このため圧電薄膜の上にアルミニウム膜
を形成した時に滑らかなアルミニウム電極を得にくくな
る恐れがあり、またエツチングによりアルミニウム膜を
部分的に除去してアルミニウム電極を形成する際、突起
に妨げられてフォトマスクとアルミニウムとの密着性を
得にくかったり、突起部分にフォトレジストが塗布され
にくかったりし、フォトリングラフィに支障をきたし、
これが原因となってショートなどの不良が発生していた
。
成する際には、圧電薄膜の表面にゴミ等の付着による突
起を生じ易く、このため圧電薄膜の上にアルミニウム膜
を形成した時に滑らかなアルミニウム電極を得にくくな
る恐れがあり、またエツチングによりアルミニウム膜を
部分的に除去してアルミニウム電極を形成する際、突起
に妨げられてフォトマスクとアルミニウムとの密着性を
得にくかったり、突起部分にフォトレジストが塗布され
にくかったりし、フォトリングラフィに支障をきたし、
これが原因となってショートなどの不良が発生していた
。
また、ＳＡＷフィルタやＳＡＷ共振子等に高圧レベルの
信号を印加すると、弾性表面波によってアルミニウム電
極が強い応力を受け、マイグレーションを起こすことが
わかった。これはストレスによるマイグレーションであ
るので、ストレスマイグレーションと呼ばれている。こ
れが発生すると、電気的短絡や挿入損失の増加、共振子
のＱ値の低下などの特性劣化が起こる。そして、このス
トレスマイグレーションは高周波になる程発生し易いの
で、弾性表面波装置の高周波化にあたり大きな問題とな
っていた。
信号を印加すると、弾性表面波によってアルミニウム電
極が強い応力を受け、マイグレーションを起こすことが
わかった。これはストレスによるマイグレーションであ
るので、ストレスマイグレーションと呼ばれている。こ
れが発生すると、電気的短絡や挿入損失の増加、共振子
のＱ値の低下などの特性劣化が起こる。そして、このス
トレスマイグレーションは高周波になる程発生し易いの
で、弾性表面波装置の高周波化にあたり大きな問題とな
っていた。
これに対する従来の対策としてはエレクトロマイグレー
ションの場合と同様に、電極材料のアルミニウムに微量
のＣｕ、 Ｔｉ、 Ｎｉ、 Ｍｇ、 Ｐｄ等を添加する
ことにより、耐ストレスマイグレーション特性の改善を
図っているが、未だ十分な特性改善は実現されていない
。
ションの場合と同様に、電極材料のアルミニウムに微量
のＣｕ、 Ｔｉ、 Ｎｉ、 Ｍｇ、 Ｐｄ等を添加する
ことにより、耐ストレスマイグレーション特性の改善を
図っているが、未だ十分な特性改善は実現されていない
。
そこで本発明の発明者らは、このストレスマイグレーシ
ョンの原因を追及した結果、従来のアルミニウム電極は
蒸着やスパッタ等により形成されているが、結晶学的に
はランダムに配向したアモルファス的な多結晶膜であり
、そのため粒界拡散によるマイグレーションに対して弱
い性質を示すと考えられた。
ョンの原因を追及した結果、従来のアルミニウム電極は
蒸着やスパッタ等により形成されているが、結晶学的に
はランダムに配向したアモルファス的な多結晶膜であり
、そのため粒界拡散によるマイグレーションに対して弱
い性質を示すと考えられた。
しかして、本発明は上記従来例の欠点と発明者らの到達
した知見に基づいてなされたものであり、その目的とす
るところは、アルミニウム電極形成時のフォトリングラ
フィを容易に行え、耐マイグレーション特性に優れたア
ルミニウム電極を備えた弾性表面波装置を提供すること
にある。
した知見に基づいてなされたものであり、その目的とす
るところは、アルミニウム電極形成時のフォトリングラ
フィを容易に行え、耐マイグレーション特性に優れたア
ルミニウム電極を備えた弾性表面波装置を提供すること
にある。
［課題を解決するための手段］
このため本発明の弾性表面波装置は、単結晶誘電体の表
面に圧電薄膜をエピタキシャル成長させた基板を用いた
弾性表面波装置において、結晶方位的に一定方向に配向
したアルミニウム膜により、前記誘電体と圧電薄膜との
境界面にマイグレーション防止機能を持つアルミニウム
電極を形成したことを特徴としている。
面に圧電薄膜をエピタキシャル成長させた基板を用いた
弾性表面波装置において、結晶方位的に一定方向に配向
したアルミニウム膜により、前記誘電体と圧電薄膜との
境界面にマイグレーション防止機能を持つアルミニウム
電極を形成したことを特徴としている。
前記単結晶誘電体としては、シリコン、サファイア、ダ
イアモンドもしくは水晶を用いることができ、また圧電
薄膜としては酸化亜鉛もしくは窒化アルミニウムを用い
ることができる。
イアモンドもしくは水晶を用いることができ、また圧電
薄膜としては酸化亜鉛もしくは窒化アルミニウムを用い
ることができる。
さらに前記アルミニウム膜には、Ｃｕ、 Ｔｉ、 Ｎｉ
。
。
Ｍｇ、 Ｐｄ等の耐マイグレーション特性に優れた添加
物を微量添加しておくと良い。特に、その添化量として
は、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の範囲が好ましい。
物を微量添加しておくと良い。特に、その添化量として
は、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の範囲が好ましい。
［作用］
本発明にあっては、単結晶誘電体上のアルミニウム電極
を結晶方位的に一定方向に配向（即ち、エピタキシャル
成長）させることにより、単結晶誘電体及びエピタキシ
ャルアルミニウム電極の上にさらに圧電薄膜をエピタキ
シャル成長させることができる。従って、高音速基板を
形成して弾性表面波装置の高周波化が可能となる。しか
も、鏡面研磨された単結晶誘電体上にアルミニウム電極
を形成できるので、滑らかなアルミニウム電極を得るこ
とができると共に５．ゴミ等の付着によってフォトマス
クとの密着性が損なわれる等の恐れがなく、フォトリソ
グラフィが容易になる。
を結晶方位的に一定方向に配向（即ち、エピタキシャル
成長）させることにより、単結晶誘電体及びエピタキシ
ャルアルミニウム電極の上にさらに圧電薄膜をエピタキ
シャル成長させることができる。従って、高音速基板を
形成して弾性表面波装置の高周波化が可能となる。しか
も、鏡面研磨された単結晶誘電体上にアルミニウム電極
を形成できるので、滑らかなアルミニウム電極を得るこ
とができると共に５．ゴミ等の付着によってフォトマス
クとの密着性が損なわれる等の恐れがなく、フォトリソ
グラフィが容易になる。
さらに、このアルミニウム膜はランダム配向の多結晶膜
と異なり、単結晶膜に近い性質を示すと考えられ、スト
レスマイグレーションに対して非常に強くなる。よって
、本発明の弾性表面波装置によれば、ストレスマイグレ
ーションの発生を抑制でき、ストレスマイグレーション
による電気的短絡や挿入損失の増加を避け、共振子のＱ
値を良好に維持することができる。特に、従来ストレス
マイグレーションは高周波になるほど顕著であったので
、本発明によれば、弾性表面波装置の高周波特性を良好
にでき、高音速基板たるＶ！徴を十分生かすことできる
。さらに、高レベル信号を印加した場合にもストレスマ
イグレーションの発生を抑制できるので、信号レベルの
大きな回路でも使用可能となり、また製品寿命も長くな
る。
と異なり、単結晶膜に近い性質を示すと考えられ、スト
レスマイグレーションに対して非常に強くなる。よって
、本発明の弾性表面波装置によれば、ストレスマイグレ
ーションの発生を抑制でき、ストレスマイグレーション
による電気的短絡や挿入損失の増加を避け、共振子のＱ
値を良好に維持することができる。特に、従来ストレス
マイグレーションは高周波になるほど顕著であったので
、本発明によれば、弾性表面波装置の高周波特性を良好
にでき、高音速基板たるＶ！徴を十分生かすことできる
。さらに、高レベル信号を印加した場合にもストレスマ
イグレーションの発生を抑制できるので、信号レベルの
大きな回路でも使用可能となり、また製品寿命も長くな
る。
［実施例コ
以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。
第１図に示すものは、ＺｎＯ／Ｒ面サファイア基板を用
いた弾性表面波フィルタ１である。高音速、高結合係数
の弾性表面波用基板としては、Ｒ面すファイア上の（１
１２０）配向ＺｎＯ薄膜はよく知られており、この実施
例でも、Ｒ面サファイアの単結晶誘電体２の表面に（１
１２０）配向ＺｎＯの圧電薄膜４を形成し、誘電体２と
圧電Ｆｌ［ＪＩＩ４との境界にすだれ状のアルミニウム
電極３を形成している。
いた弾性表面波フィルタ１である。高音速、高結合係数
の弾性表面波用基板としては、Ｒ面すファイア上の（１
１２０）配向ＺｎＯ薄膜はよく知られており、この実施
例でも、Ｒ面サファイアの単結晶誘電体２の表面に（１
１２０）配向ＺｎＯの圧電薄膜４を形成し、誘電体２と
圧電Ｆｌ［ＪＩＩ４との境界にすだれ状のアルミニウム
電極３を形成している。
この一実施例の弾性表面波フィルタ１の製造順序を次に
説明する。まず、表面を鏡面研磨されたＲ面サファイア
板の上に薄いアルミニウム膜を蒸着により底膜した。こ
のとき、蒸着条件を制御することにより、Ｒ面サファイ
ア板の上にアルミニウム膜をエピタキシャル成長させる
ことができた。アルミニウム膜の膜厚は５００人とした
。ついで、アルミニウム膜をフォトエツチングし、Ｒ面
サファイア基板の表面に１−の指幅と指間間隔を持つイ
ンターディジタル型のアルミニウム電極を形成した後、
プレーナ・マグネトロン・スパッタによりアルミニウム
電極の上からＲ面サファイア板の表面に圧電薄膜として
ＺｎＯ膜をエピタキシャル成長させた。このアルミニウ
ム電極は、いわゆるスプリット電極であり、弾性表面波
の波長は８−である。この弾性表面波フィルタでは、Ｚ
ｎＯ／Ｒ面サファイア基板上を伝搬する、いわゆるセザ
ワ波を利用するため、ＺｎＯｗＡ厚をセザワ波の電気機
械結合係数が比較的大きな波長の０．２５倍〈すなわち
、２−）とした。
説明する。まず、表面を鏡面研磨されたＲ面サファイア
板の上に薄いアルミニウム膜を蒸着により底膜した。こ
のとき、蒸着条件を制御することにより、Ｒ面サファイ
ア板の上にアルミニウム膜をエピタキシャル成長させる
ことができた。アルミニウム膜の膜厚は５００人とした
。ついで、アルミニウム膜をフォトエツチングし、Ｒ面
サファイア基板の表面に１−の指幅と指間間隔を持つイ
ンターディジタル型のアルミニウム電極を形成した後、
プレーナ・マグネトロン・スパッタによりアルミニウム
電極の上からＲ面サファイア板の表面に圧電薄膜として
ＺｎＯ膜をエピタキシャル成長させた。このアルミニウ
ム電極は、いわゆるスプリット電極であり、弾性表面波
の波長は８−である。この弾性表面波フィルタでは、Ｚ
ｎＯ／Ｒ面サファイア基板上を伝搬する、いわゆるセザ
ワ波を利用するため、ＺｎＯｗＡ厚をセザワ波の電気機
械結合係数が比較的大きな波長の０．２５倍〈すなわち
、２−）とした。
このようにして弾性表面波フィルタを形成したところ、
アルミニウム膜は鏡面研磨されたサファイア板の表面に
形成されたので、平滑なアルミニウム膜を得ることがで
き、フォトリングラフィ時の不良を防止できた。これに
対して第２図に示すような従来のｆｌｌ造では、Ｒ面す
ファイア板上にＺｎＯｗｉ４をエピタキシャル成長させ
た後、ＺｎＯ膜の上にアルミニウム膜を形成し、フォト
エツチングを行うのでＺｎ０ｌｌｉに発生した突起のた
め、約３０％のショート不良が発生していた。
アルミニウム膜は鏡面研磨されたサファイア板の表面に
形成されたので、平滑なアルミニウム膜を得ることがで
き、フォトリングラフィ時の不良を防止できた。これに
対して第２図に示すような従来のｆｌｌ造では、Ｒ面す
ファイア板上にＺｎＯｗｉ４をエピタキシャル成長させ
た後、ＺｎＯ膜の上にアルミニウム膜を形成し、フォト
エツチングを行うのでＺｎ０ｌｌｉに発生した突起のた
め、約３０％のショート不良が発生していた。
なお、第３図に比較例として示すように、Ｒ面サフアイ
ア板９の上に形成したアルミニウム電極ｌＯが従来のよ
うにランダム配向の多結晶アルミニウム膜である場合に
は、当然ながらそのアルミニウム電極１０の上の領域α
に形成されたＺｎＯ膜１１はエピタキシャル成長できず
に多結晶膜となり、本発明の実施例の場合と較べて伝搬
損失が１０倍以上大きくなった。
ア板９の上に形成したアルミニウム電極ｌＯが従来のよ
うにランダム配向の多結晶アルミニウム膜である場合に
は、当然ながらそのアルミニウム電極１０の上の領域α
に形成されたＺｎＯ膜１１はエピタキシャル成長できず
に多結晶膜となり、本発明の実施例の場合と較べて伝搬
損失が１０倍以上大きくなった。
また、エピタキシャル成長のアルミニウム膜の場合、多
結晶アルミニウム膜の場合のような粒界拡散によるマイ
グレーション発生がなく、耐電力特性が向上する。また
、本発明では、アルミニウム電極が、誘電体と圧電薄膜
の境界に形成された内部電極となっているので、酸化に
対しても強くなる。
結晶アルミニウム膜の場合のような粒界拡散によるマイ
グレーション発生がなく、耐電力特性が向上する。また
、本発明では、アルミニウム電極が、誘電体と圧電薄膜
の境界に形成された内部電極となっているので、酸化に
対しても強くなる。
さらに、アルミニウムに耐マイグレーション特性の良い
Ｃｕ、 Ｔｉ、 Ｎｉ、 Ｍｇ、 Ｐｄなどの添加物を
加えれば、−層大きな耐マイグレーション効果が望める
。この添加物の添加量は少ないと効果がなく、また多過
ぎると抵抗率が大きくなるので、０．１ｗｔ％〜１０ｗ
ｔ％の範囲が望ましい。
Ｃｕ、 Ｔｉ、 Ｎｉ、 Ｍｇ、 Ｐｄなどの添加物を
加えれば、−層大きな耐マイグレーション効果が望める
。この添加物の添加量は少ないと効果がなく、また多過
ぎると抵抗率が大きくなるので、０．１ｗｔ％〜１０ｗ
ｔ％の範囲が望ましい。
［発明の効果］
従来にあっては、アルミニウム電極が多結晶のため、や
むをえず圧電薄膜の上にアルミニウム膜を形成し、その
後フォトエツチングしていたので、圧電薄膜の突起物に
より約３０％のフォトエツチング不良が発生していたが
、本発明によれば、鏡面研磨された単結晶誘電体の表面
にアルミニウム電極を形成し、平滑な誘電体表面でアル
ミニウム膜のフォトエツチングを行えるので、圧電薄膜
の突起物によるフォトエツチング不良がゼロになるとい
う効果がある。さらに、アルミニウム電極のストレスマ
イグレーションを向上させることができる。特に、高レ
ベル信号を印加した場合にも、ストレスマイグレーショ
ンの発生を抑制することができる。こうして耐スＩ〜レ
スマイグレーション特性が向上することにより、電気的
短絡や挿入損失の劣化を低減でき、より高周波に適した
弾性表面波装置が得られる。また、信号１／ベルの大き
い回路（たとえば送信段〉で使用できるようになる。さ
らに、一定信号レベルにおける寿命も長くなり、高信頼
性が得られる。
むをえず圧電薄膜の上にアルミニウム膜を形成し、その
後フォトエツチングしていたので、圧電薄膜の突起物に
より約３０％のフォトエツチング不良が発生していたが
、本発明によれば、鏡面研磨された単結晶誘電体の表面
にアルミニウム電極を形成し、平滑な誘電体表面でアル
ミニウム膜のフォトエツチングを行えるので、圧電薄膜
の突起物によるフォトエツチング不良がゼロになるとい
う効果がある。さらに、アルミニウム電極のストレスマ
イグレーションを向上させることができる。特に、高レ
ベル信号を印加した場合にも、ストレスマイグレーショ
ンの発生を抑制することができる。こうして耐スＩ〜レ
スマイグレーション特性が向上することにより、電気的
短絡や挿入損失の劣化を低減でき、より高周波に適した
弾性表面波装置が得られる。また、信号１／ベルの大き
い回路（たとえば送信段〉で使用できるようになる。さ
らに、一定信号レベルにおける寿命も長くなり、高信頼
性が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
の多結晶アルミニウム膜を用いた弾性表面波装置の断面
図、第３図は比較例を示す断面図である。 ２・・・単結晶誘電体 ３・・・アルミニウム電極 ４・・・圧電薄膜 第 図 第 図 手続補正書 （自発） 平成２年 ４月１９日 平成１年特許願第１７４７６３号 ２、発明の名称 弾性表面波装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 京都府長岡京市天神二丁目２６番１０号
名 称（６２３）株式会社 村田製作所代表者 村
１）昭 ４、代 理 人 郵便番号 ５３０住 所
大阪市北区天神橋２丁目３番９号Ｓ、補正命令の
日付 自 発６、補正により増加する
請求項の数 １７、補正の対象 （１） 明細書の特許請求の範囲の欄（２〉 明細
書の発明の詳細な説明の欄（１）特許請求の範囲を別紙
の通り補正します。 （２）明細書第３頁第１７行目の「第２図」を「第４図
」に訂正します。 （３）同上第４頁第１行目の「形成して」を「形成した
」に訂正します。 （４）同上第６頁第４行目の「フォトリングラフィ」を
「フォトリングラフィ」に訂正します。 （５）同上第７頁の第２行目と第３行目の間に、下記の
文を挿入します。 「 また、単結晶誘電体としてサファイアを用い、圧電
薄膜として酸化亜鉛を用い、アルくニウム膜を（３１１
）面配向とすることも好ましい。」（６）同上第９頁第
９行〜第１０行の「ついで、」を削除し、下記の文を挿
入します。 「こうして得たＲ面サファイア板の上のアルミニウム膜
について、ＲＨＥＥＤ （反射高速電子線回折、）法に
より解析を行なった。 ＲＨＥＥＤ像とは、第３図に示すように、高速の電子ビ
ームを測定試料の表面に対してごく小さな視射角で入射
させ、その反射状況でもって測定試料のごく表面の結晶
構造を解析する方法であり、第３図のイは電子ビーム、
口は記録用のフィルム、ハは電子ビームのダイレクトス
ポット、二が試料表面で反射した電子ビームによるＲＨ
ＥＥＤ像（反射回折パターン）、ホが試料（アルミニウ
ム膜）表面である。ＲＨＥＥＤ像では、測定試料表面が
周期構造を有している場合には、ＲＨＥＥＤ像はスポッ
ト状になり、多結晶構造の場合にはリング状のＲＨＥＥ
Ｄ像となり、アモルファス構造の場合にはハロー状のＲ
ＨＥＥＤ像となる。 第２図（ａ）は、上記のようにしてＲ面サファイア板の
上に成長させられたアルミニウム膜のＲＨＥＥＤ写真（
電子の波長０．０２５１Ａ） 、第２図（ｂ）は、第２
図（ａ）の写真の説明図であり、第３図と同様ハが電子
ビームのダイレクトスポット、二がＲＨＥ Ｅ Ｄ 像
、ホが試料（アルミニウム膜）表面である。第２図（ａ
）のＲＨＥＥＤ写真には、スポット状のＲＨＥＥＤ像！
が写っているので、アルミニウム膜がエピタキシャル成
長していることが確認される。さらに、Ｒ面サファイア
板（α−Ａ！ＱｓＯａ）の表面力（０１■２） ？［、
当該（０１Ｉ ２） ｍｌｉにおける表面波の伝播方向
が［ＯＩ １１ｍ方向であるのに対して、ＲＨＥＥＤ解
析によれば、アルミニウム膜は（３１１）面でエピタキ
シャル成長しており、当該（３１１）配向面における表
面波の伝播方向が［１０１１１であることが分かった。 ついで、」 （７）同上第１０頁第７行目の「第２図」を「第４図」
に訂正します。 （８〉同上同頁第１３行目の「第３図」を「第５図」に
訂正します。 （９）同上第１２頁第１６行〜第１８行の「第２図は・
・・・・・（中略）・・・・・・第３図は」を削除し、
「第２図（ａ） （ｂ）は本発明のＲ面サファイア板上
のアルくニウムエビタ２キシャル膜のＸ線写真及びその
説明図、第３図は第２図（ａ）のＸ線写真を得るための
方法を説明する図、第４図は従来の多結晶アルよニウム
膜を用いた弾性表面波装置の断面図、第５図Ｃよ」を挿
入します。 （ｌＯ）添付図面の第２図及び第３図を削除し、別紙第
２図（ａ） （ｂ）、 第８図、 第４図及び第５図を 添付図面として提出します。
の多結晶アルミニウム膜を用いた弾性表面波装置の断面
図、第３図は比較例を示す断面図である。 ２・・・単結晶誘電体 ３・・・アルミニウム電極 ４・・・圧電薄膜 第 図 第 図 手続補正書 （自発） 平成２年 ４月１９日 平成１年特許願第１７４７６３号 ２、発明の名称 弾性表面波装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 京都府長岡京市天神二丁目２６番１０号
名 称（６２３）株式会社 村田製作所代表者 村
１）昭 ４、代 理 人 郵便番号 ５３０住 所
大阪市北区天神橋２丁目３番９号Ｓ、補正命令の
日付 自 発６、補正により増加する
請求項の数 １７、補正の対象 （１） 明細書の特許請求の範囲の欄（２〉 明細
書の発明の詳細な説明の欄（１）特許請求の範囲を別紙
の通り補正します。 （２）明細書第３頁第１７行目の「第２図」を「第４図
」に訂正します。 （３）同上第４頁第１行目の「形成して」を「形成した
」に訂正します。 （４）同上第６頁第４行目の「フォトリングラフィ」を
「フォトリングラフィ」に訂正します。 （５）同上第７頁の第２行目と第３行目の間に、下記の
文を挿入します。 「 また、単結晶誘電体としてサファイアを用い、圧電
薄膜として酸化亜鉛を用い、アルくニウム膜を（３１１
）面配向とすることも好ましい。」（６）同上第９頁第
９行〜第１０行の「ついで、」を削除し、下記の文を挿
入します。 「こうして得たＲ面サファイア板の上のアルミニウム膜
について、ＲＨＥＥＤ （反射高速電子線回折、）法に
より解析を行なった。 ＲＨＥＥＤ像とは、第３図に示すように、高速の電子ビ
ームを測定試料の表面に対してごく小さな視射角で入射
させ、その反射状況でもって測定試料のごく表面の結晶
構造を解析する方法であり、第３図のイは電子ビーム、
口は記録用のフィルム、ハは電子ビームのダイレクトス
ポット、二が試料表面で反射した電子ビームによるＲＨ
ＥＥＤ像（反射回折パターン）、ホが試料（アルミニウ
ム膜）表面である。ＲＨＥＥＤ像では、測定試料表面が
周期構造を有している場合には、ＲＨＥＥＤ像はスポッ
ト状になり、多結晶構造の場合にはリング状のＲＨＥＥ
Ｄ像となり、アモルファス構造の場合にはハロー状のＲ
ＨＥＥＤ像となる。 第２図（ａ）は、上記のようにしてＲ面サファイア板の
上に成長させられたアルミニウム膜のＲＨＥＥＤ写真（
電子の波長０．０２５１Ａ） 、第２図（ｂ）は、第２
図（ａ）の写真の説明図であり、第３図と同様ハが電子
ビームのダイレクトスポット、二がＲＨＥ Ｅ Ｄ 像
、ホが試料（アルミニウム膜）表面である。第２図（ａ
）のＲＨＥＥＤ写真には、スポット状のＲＨＥＥＤ像！
が写っているので、アルミニウム膜がエピタキシャル成
長していることが確認される。さらに、Ｒ面サファイア
板（α−Ａ！ＱｓＯａ）の表面力（０１■２） ？［、
当該（０１Ｉ ２） ｍｌｉにおける表面波の伝播方向
が［ＯＩ １１ｍ方向であるのに対して、ＲＨＥＥＤ解
析によれば、アルミニウム膜は（３１１）面でエピタキ
シャル成長しており、当該（３１１）配向面における表
面波の伝播方向が［１０１１１であることが分かった。 ついで、」 （７）同上第１０頁第７行目の「第２図」を「第４図」
に訂正します。 （８〉同上同頁第１３行目の「第３図」を「第５図」に
訂正します。 （９）同上第１２頁第１６行〜第１８行の「第２図は・
・・・・・（中略）・・・・・・第３図は」を削除し、
「第２図（ａ） （ｂ）は本発明のＲ面サファイア板上
のアルくニウムエビタ２キシャル膜のＸ線写真及びその
説明図、第３図は第２図（ａ）のＸ線写真を得るための
方法を説明する図、第４図は従来の多結晶アルよニウム
膜を用いた弾性表面波装置の断面図、第５図Ｃよ」を挿
入します。 （ｌＯ）添付図面の第２図及び第３図を削除し、別紙第
２図（ａ） （ｂ）、 第８図、 第４図及び第５図を 添付図面として提出します。
Claims (4)
- （１）単結晶誘電体の表面に圧電薄膜をエピタキシャル
成長させた基板を用いた弾性表面波装置において、 結晶方位的に一定方向に配向したアルミニウム膜により
、前記誘電体と圧電薄膜との境界面にマイグレーション
防止機能を持つアルミニウム電極を形成したことを特徴
とする弾性表面波装置。 - （２）前記単結晶誘電体がシリコン，サファイア，ダイ
アモンドもしくは水晶からなり、前記圧電薄膜が酸化亜
鉛もしくは窒化アルミニウムであることを特徴とする請
求項１に記載の弾性表面波装置。 - （３）前記アルミニウム膜にＣｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｍｇ，
Ｐｄ等の耐マイグレーション特性に優れた添加物を微量
添加したことを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波
装置。 - （４）前記添加物の添加量が０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％
の範囲であることを特徴とする請求項３に記載の弾性表
面波装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174763A JPH0340510A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 弾性表面波装置 |
| EP90307292A EP0407163B1 (en) | 1989-07-06 | 1990-07-04 | Surface acoustic wave device |
| DE69023707T DE69023707T2 (de) | 1989-07-06 | 1990-07-04 | Akustische Oberflächenwellenanordnung. |
| CA002020411A CA2020411C (en) | 1989-07-06 | 1990-07-04 | Surface acoustic wave device |
| KR1019900010128A KR930007797B1 (ko) | 1989-07-06 | 1990-07-05 | 탄성 표면파 장치 |
| CN90103485A CN1015041B (zh) | 1989-07-06 | 1990-07-06 | 弹性表面波装置 |
| US07/549,214 US5061870A (en) | 1989-07-06 | 1990-07-06 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174763A JPH0340510A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340510A true JPH0340510A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=15984245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1174763A Pending JPH0340510A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 弾性表面波装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5061870A (ja) |
| EP (1) | EP0407163B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0340510A (ja) |
| KR (1) | KR930007797B1 (ja) |
| CN (1) | CN1015041B (ja) |
| CA (1) | CA2020411C (ja) |
| DE (1) | DE69023707T2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5343107A (en) * | 1992-09-11 | 1994-08-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave element and method of manufacturing the same |
| US5666091A (en) * | 1995-03-20 | 1997-09-09 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Structure of surface acoustic wave filter |
| US6822371B2 (en) | 2001-12-27 | 2004-11-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor |
| JP2011139214A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
| JP2015023483A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電膜製造方法、振動片、振動子、発振器、電子機器及び移動体 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162690A (en) * | 1989-04-14 | 1992-11-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JPH04358410A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子及びその製造方法 |
| EP0534354A1 (en) * | 1991-09-25 | 1993-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
| JPH0590871A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
| US5440189A (en) * | 1991-09-30 | 1995-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JP3198691B2 (ja) * | 1993-01-14 | 2001-08-13 | 株式会社村田製作所 | 酸化亜鉛圧電結晶膜 |
| DE59405686D1 (de) * | 1993-07-20 | 1998-05-20 | Avl List Gmbh | Piezoelektrisches Kristallelement |
| JP3085043B2 (ja) * | 1993-08-05 | 2000-09-04 | 株式会社村田製作所 | サファイア面上の酸化亜鉛圧電結晶膜 |
| KR0171921B1 (ko) * | 1993-09-13 | 1999-03-30 | 모리시타 요이찌 | 전자부품과 그 제조방법 |
| JP3295921B2 (ja) * | 1994-06-20 | 2002-06-24 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子用ダイヤモンド基材及び素子 |
| US5633616A (en) * | 1994-10-07 | 1997-05-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film saw filter including doped electrodes |
| US5576589A (en) * | 1994-10-13 | 1996-11-19 | Kobe Steel Usa, Inc. | Diamond surface acoustic wave devices |
| US5815900A (en) * | 1995-03-06 | 1998-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave module |
| WO1997008761A1 (en) * | 1995-08-28 | 1997-03-06 | Accuweb, Inc. | Ultrasonic transducer units for web edge detection |
| JPH09223943A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-08-26 | Nec Corp | 弾性表面波デバイス |
| JP3800959B2 (ja) * | 1998-10-16 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波素子 |
| JP4502553B2 (ja) * | 2000-12-05 | 2010-07-14 | 日本碍子株式会社 | 弾性表面波デバイス用基板の製造方法 |
| JP2003037467A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JP3646116B2 (ja) | 2003-07-17 | 2005-05-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 |
| KR101644165B1 (ko) * | 2009-09-25 | 2016-07-29 | 삼성전자주식회사 | 표면탄성파 디바이스 및 바이오센서 |
| JP2020092321A (ja) | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5549014A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-08 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electrode for vibrating element |
| JPS6298812A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748820A (en) * | 1980-09-05 | 1982-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | Surface acoustic wave element |
| JPS57145419A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-08 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave element |
| GB2120037B (en) * | 1982-03-11 | 1987-11-18 | Nobuo Mikoshiba | Surface acoustic wave device |
| GB2181917B (en) * | 1982-03-11 | 1987-11-18 | Nobuo Mikoshiba | Surface acoustic wave device |
| JPS59231911A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-26 | Clarion Co Ltd | 表面弾性波素子 |
| JPS6046108A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
| JPS6192022A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波フイルタ |
| JPS62272610A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-26 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP2577363B2 (ja) * | 1986-10-31 | 1997-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63314906A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面弾性波装置の製造方法 |
| US4935658A (en) * | 1987-10-02 | 1990-06-19 | Quartztronics, Inc. | Crystal resonator with low acceleration sensitivity and method of manufacture thereof |
| JPH01303910A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Hitachi Ltd | 固体電子素子、その製造方法、及びそれを利用した装置 |
| US4968954A (en) * | 1988-09-30 | 1990-11-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epitaxial layer-bearing wafer of rare earth gallium garnet for MSW device |
-
1989
- 1989-07-06 JP JP1174763A patent/JPH0340510A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-04 EP EP90307292A patent/EP0407163B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-04 DE DE69023707T patent/DE69023707T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-04 CA CA002020411A patent/CA2020411C/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-05 KR KR1019900010128A patent/KR930007797B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-07-06 US US07/549,214 patent/US5061870A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-06 CN CN90103485A patent/CN1015041B/zh not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5549014A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-08 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electrode for vibrating element |
| JPS6298812A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5343107A (en) * | 1992-09-11 | 1994-08-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave element and method of manufacturing the same |
| US5497726A (en) * | 1992-09-11 | 1996-03-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave element |
| US5666091A (en) * | 1995-03-20 | 1997-09-09 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Structure of surface acoustic wave filter |
| US6822371B2 (en) | 2001-12-27 | 2004-11-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor |
| US7146695B2 (en) | 2001-12-27 | 2006-12-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a surface acoustic wave device with a piezoelectric substrate |
| JP2011139214A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
| JP2015023483A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電膜製造方法、振動片、振動子、発振器、電子機器及び移動体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0407163B1 (en) | 1995-11-22 |
| CA2020411C (en) | 1994-05-03 |
| DE69023707T2 (de) | 1996-05-09 |
| CA2020411A1 (en) | 1991-01-07 |
| EP0407163A3 (en) | 1991-07-17 |
| DE69023707D1 (de) | 1996-01-04 |
| EP0407163A2 (en) | 1991-01-09 |
| CN1048636A (zh) | 1991-01-16 |
| US5061870A (en) | 1991-10-29 |
| KR930007797B1 (ko) | 1993-08-19 |
| KR910003921A (ko) | 1991-02-28 |
| CN1015041B (zh) | 1991-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0340510A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| EP0392879B1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| CA2197829C (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPS62272610A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| EP0657998B1 (en) | Electrode forming method for surface acoustic wave device | |
| US5719538A (en) | Surface acoustic wave device having negative temperature coefficient of decay | |
| JPH0314305A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP4019693B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP2545983B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH05183373A (ja) | 弾性表面波素子の電極材料 | |
| US6452306B1 (en) | Surface acoustic wave device and piezoelectric substrate used therefor | |
| JPH11163661A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2936228B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JPH07135443A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS60212018A (ja) | 弾性表面波基板及びその製造方法 | |
| US6700300B2 (en) | Surface acoustic wave device and piezoelectric substrate used therefor | |
| JP2936229B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2004040636A (ja) | 表面波装置 | |
| JP3308749B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法、および、これを用いて製造された弾性表面波装置 | |
| JPS62163408A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH1093368A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP3438360B2 (ja) | 弾性表面波素子の電極形成方法 | |
| JPH025331B2 (ja) | ||
| KR930007796B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 | |
| JPH07122960A (ja) | 弾性表面波素子 |