JPH0340510A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH0340510A JPH0340510A JP1174763A JP17476389A JPH0340510A JP H0340510 A JPH0340510 A JP H0340510A JP 1174763 A JP1174763 A JP 1174763A JP 17476389 A JP17476389 A JP 17476389A JP H0340510 A JPH0340510 A JP H0340510A
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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- H—ELECTRICITY
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、酸化亜鉛や窒化アルミニウム等の圧電薄膜を
用いた弾性表面波装置に関する。
用いた弾性表面波装置に関する。
[背景技術]
近年、弾性表面波(以下SAWと称する場合がある。〉
を用いたフィルタや共振子2発振子等の弾性表面波装置
が広く用いられるようになっている0弾性表面波装置は
、バルク波装置よりも高周波化に適しているが、より高
周波化をはがるためには、使用するすだれ状のインター
ディジタル電極のピッチを細かくするが、あるいは基板
を伝搬する弾性表面波の音速の速い基板(高音速基板)
を用いる必要がある。
を用いたフィルタや共振子2発振子等の弾性表面波装置
が広く用いられるようになっている0弾性表面波装置は
、バルク波装置よりも高周波化に適しているが、より高
周波化をはがるためには、使用するすだれ状のインター
ディジタル電極のピッチを細かくするが、あるいは基板
を伝搬する弾性表面波の音速の速い基板(高音速基板)
を用いる必要がある。
しかし、インターディジタル電極のピッチの微細化には
限度があるので、上記目的のためには高音速基板を用い
るのが望ましく、最近ではシリコン、サファイア、ダイ
アモンド等の単結晶誘電体上に酸化亜鉛や窒化アルミニ
ウム等の圧電薄膜を形成した基板が高音速基板として開
発されている。高音速基板の各圧電薄膜は、一般的には
高周波における伝搬損失を小さくするため、エピタキシ
ャル膜化する必要がある。一方、従来より用いられてい
るアルミニウム電極は、ランダム配向の多結晶膜である
。電極材料としてアルミニウムを用いるのは、フォトリ
ソグラフィが容易であり、比重が小さくてt8i!負荷
質量効果が少なく、伝導率が高いなどの長所を備えてい
るためである。
限度があるので、上記目的のためには高音速基板を用い
るのが望ましく、最近ではシリコン、サファイア、ダイ
アモンド等の単結晶誘電体上に酸化亜鉛や窒化アルミニ
ウム等の圧電薄膜を形成した基板が高音速基板として開
発されている。高音速基板の各圧電薄膜は、一般的には
高周波における伝搬損失を小さくするため、エピタキシ
ャル膜化する必要がある。一方、従来より用いられてい
るアルミニウム電極は、ランダム配向の多結晶膜である
。電極材料としてアルミニウムを用いるのは、フォトリ
ソグラフィが容易であり、比重が小さくてt8i!負荷
質量効果が少なく、伝導率が高いなどの長所を備えてい
るためである。
しかし、ランダム配向多結晶膜の上にはエピタキシャル
成長させることができないので、従来のアルミニウム電
極の上では圧電薄膜をエピタキシャル成長させることが
できず、このため従来の高音速基板を用いた弾性表面波
装置8としては、第2図に示すように、単結晶誘電体5
の上にスパッタやCVD等の方法により圧電薄rIA6
を成膜して高音速基板を形成し、圧電薄膜6の表面にラ
ンダム配向した多結晶体のアルミニウム電極7を形成し
て構造となっていた。すなわち、アルミニウム電極3は
、弾性表面波装置8の表面にあり、大気に露出している
。
成長させることができないので、従来のアルミニウム電
極の上では圧電薄膜をエピタキシャル成長させることが
できず、このため従来の高音速基板を用いた弾性表面波
装置8としては、第2図に示すように、単結晶誘電体5
の上にスパッタやCVD等の方法により圧電薄rIA6
を成膜して高音速基板を形成し、圧電薄膜6の表面にラ
ンダム配向した多結晶体のアルミニウム電極7を形成し
て構造となっていた。すなわち、アルミニウム電極3は
、弾性表面波装置8の表面にあり、大気に露出している
。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、スパッタ、CVD等により圧電薄膜を形
成する際には、圧電薄膜の表面にゴミ等の付着による突
起を生じ易く、このため圧電薄膜の上にアルミニウム膜
を形成した時に滑らかなアルミニウム電極を得にくくな
る恐れがあり、またエツチングによりアルミニウム膜を
部分的に除去してアルミニウム電極を形成する際、突起
に妨げられてフォトマスクとアルミニウムとの密着性を
得にくかったり、突起部分にフォトレジストが塗布され
にくかったりし、フォトリングラフィに支障をきたし、
これが原因となってショートなどの不良が発生していた
。
成する際には、圧電薄膜の表面にゴミ等の付着による突
起を生じ易く、このため圧電薄膜の上にアルミニウム膜
を形成した時に滑らかなアルミニウム電極を得にくくな
る恐れがあり、またエツチングによりアルミニウム膜を
部分的に除去してアルミニウム電極を形成する際、突起
に妨げられてフォトマスクとアルミニウムとの密着性を
得にくかったり、突起部分にフォトレジストが塗布され
にくかったりし、フォトリングラフィに支障をきたし、
これが原因となってショートなどの不良が発生していた
。
また、SAWフィルタやSAW共振子等に高圧レベルの
信号を印加すると、弾性表面波によってアルミニウム電
極が強い応力を受け、マイグレーションを起こすことが
わかった。これはストレスによるマイグレーションであ
るので、ストレスマイグレーションと呼ばれている。こ
れが発生すると、電気的短絡や挿入損失の増加、共振子
のQ値の低下などの特性劣化が起こる。そして、このス
トレスマイグレーションは高周波になる程発生し易いの
で、弾性表面波装置の高周波化にあたり大きな問題とな
っていた。
信号を印加すると、弾性表面波によってアルミニウム電
極が強い応力を受け、マイグレーションを起こすことが
わかった。これはストレスによるマイグレーションであ
るので、ストレスマイグレーションと呼ばれている。こ
れが発生すると、電気的短絡や挿入損失の増加、共振子
のQ値の低下などの特性劣化が起こる。そして、このス
トレスマイグレーションは高周波になる程発生し易いの
で、弾性表面波装置の高周波化にあたり大きな問題とな
っていた。
これに対する従来の対策としてはエレクトロマイグレー
ションの場合と同様に、電極材料のアルミニウムに微量
のCu、 Ti、 Ni、 Mg、 Pd等を添加する
ことにより、耐ストレスマイグレーション特性の改善を
図っているが、未だ十分な特性改善は実現されていない
。
ションの場合と同様に、電極材料のアルミニウムに微量
のCu、 Ti、 Ni、 Mg、 Pd等を添加する
ことにより、耐ストレスマイグレーション特性の改善を
図っているが、未だ十分な特性改善は実現されていない
。
そこで本発明の発明者らは、このストレスマイグレーシ
ョンの原因を追及した結果、従来のアルミニウム電極は
蒸着やスパッタ等により形成されているが、結晶学的に
はランダムに配向したアモルファス的な多結晶膜であり
、そのため粒界拡散によるマイグレーションに対して弱
い性質を示すと考えられた。
ョンの原因を追及した結果、従来のアルミニウム電極は
蒸着やスパッタ等により形成されているが、結晶学的に
はランダムに配向したアモルファス的な多結晶膜であり
、そのため粒界拡散によるマイグレーションに対して弱
い性質を示すと考えられた。
しかして、本発明は上記従来例の欠点と発明者らの到達
した知見に基づいてなされたものであり、その目的とす
るところは、アルミニウム電極形成時のフォトリングラ
フィを容易に行え、耐マイグレーション特性に優れたア
ルミニウム電極を備えた弾性表面波装置を提供すること
にある。
した知見に基づいてなされたものであり、その目的とす
るところは、アルミニウム電極形成時のフォトリングラ
フィを容易に行え、耐マイグレーション特性に優れたア
ルミニウム電極を備えた弾性表面波装置を提供すること
にある。
[課題を解決するための手段]
このため本発明の弾性表面波装置は、単結晶誘電体の表
面に圧電薄膜をエピタキシャル成長させた基板を用いた
弾性表面波装置において、結晶方位的に一定方向に配向
したアルミニウム膜により、前記誘電体と圧電薄膜との
境界面にマイグレーション防止機能を持つアルミニウム
電極を形成したことを特徴としている。
面に圧電薄膜をエピタキシャル成長させた基板を用いた
弾性表面波装置において、結晶方位的に一定方向に配向
したアルミニウム膜により、前記誘電体と圧電薄膜との
境界面にマイグレーション防止機能を持つアルミニウム
電極を形成したことを特徴としている。
前記単結晶誘電体としては、シリコン、サファイア、ダ
イアモンドもしくは水晶を用いることができ、また圧電
薄膜としては酸化亜鉛もしくは窒化アルミニウムを用い
ることができる。
イアモンドもしくは水晶を用いることができ、また圧電
薄膜としては酸化亜鉛もしくは窒化アルミニウムを用い
ることができる。
さらに前記アルミニウム膜には、Cu、 Ti、 Ni
。
。
Mg、 Pd等の耐マイグレーション特性に優れた添加
物を微量添加しておくと良い。特に、その添化量として
は、0.1wt%〜10wt%の範囲が好ましい。
物を微量添加しておくと良い。特に、その添化量として
は、0.1wt%〜10wt%の範囲が好ましい。
[作用]
本発明にあっては、単結晶誘電体上のアルミニウム電極
を結晶方位的に一定方向に配向(即ち、エピタキシャル
成長)させることにより、単結晶誘電体及びエピタキシ
ャルアルミニウム電極の上にさらに圧電薄膜をエピタキ
シャル成長させることができる。従って、高音速基板を
形成して弾性表面波装置の高周波化が可能となる。しか
も、鏡面研磨された単結晶誘電体上にアルミニウム電極
を形成できるので、滑らかなアルミニウム電極を得るこ
とができると共に5.ゴミ等の付着によってフォトマス
クとの密着性が損なわれる等の恐れがなく、フォトリソ
グラフィが容易になる。
を結晶方位的に一定方向に配向(即ち、エピタキシャル
成長)させることにより、単結晶誘電体及びエピタキシ
ャルアルミニウム電極の上にさらに圧電薄膜をエピタキ
シャル成長させることができる。従って、高音速基板を
形成して弾性表面波装置の高周波化が可能となる。しか
も、鏡面研磨された単結晶誘電体上にアルミニウム電極
を形成できるので、滑らかなアルミニウム電極を得るこ
とができると共に5.ゴミ等の付着によってフォトマス
クとの密着性が損なわれる等の恐れがなく、フォトリソ
グラフィが容易になる。
さらに、このアルミニウム膜はランダム配向の多結晶膜
と異なり、単結晶膜に近い性質を示すと考えられ、スト
レスマイグレーションに対して非常に強くなる。よって
、本発明の弾性表面波装置によれば、ストレスマイグレ
ーションの発生を抑制でき、ストレスマイグレーション
による電気的短絡や挿入損失の増加を避け、共振子のQ
値を良好に維持することができる。特に、従来ストレス
マイグレーションは高周波になるほど顕著であったので
、本発明によれば、弾性表面波装置の高周波特性を良好
にでき、高音速基板たるV!徴を十分生かすことできる
。さらに、高レベル信号を印加した場合にもストレスマ
イグレーションの発生を抑制できるので、信号レベルの
大きな回路でも使用可能となり、また製品寿命も長くな
る。
と異なり、単結晶膜に近い性質を示すと考えられ、スト
レスマイグレーションに対して非常に強くなる。よって
、本発明の弾性表面波装置によれば、ストレスマイグレ
ーションの発生を抑制でき、ストレスマイグレーション
による電気的短絡や挿入損失の増加を避け、共振子のQ
値を良好に維持することができる。特に、従来ストレス
マイグレーションは高周波になるほど顕著であったので
、本発明によれば、弾性表面波装置の高周波特性を良好
にでき、高音速基板たるV!徴を十分生かすことできる
。さらに、高レベル信号を印加した場合にもストレスマ
イグレーションの発生を抑制できるので、信号レベルの
大きな回路でも使用可能となり、また製品寿命も長くな
る。
[実施例コ
以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。
第1図に示すものは、ZnO/R面サファイア基板を用
いた弾性表面波フィルタ1である。高音速、高結合係数
の弾性表面波用基板としては、R面すファイア上の(1
120)配向ZnO薄膜はよく知られており、この実施
例でも、R面サファイアの単結晶誘電体2の表面に(1
120)配向ZnOの圧電薄膜4を形成し、誘電体2と
圧電Fl[JII4との境界にすだれ状のアルミニウム
電極3を形成している。
いた弾性表面波フィルタ1である。高音速、高結合係数
の弾性表面波用基板としては、R面すファイア上の(1
120)配向ZnO薄膜はよく知られており、この実施
例でも、R面サファイアの単結晶誘電体2の表面に(1
120)配向ZnOの圧電薄膜4を形成し、誘電体2と
圧電Fl[JII4との境界にすだれ状のアルミニウム
電極3を形成している。
この一実施例の弾性表面波フィルタ1の製造順序を次に
説明する。まず、表面を鏡面研磨されたR面サファイア
板の上に薄いアルミニウム膜を蒸着により底膜した。こ
のとき、蒸着条件を制御することにより、R面サファイ
ア板の上にアルミニウム膜をエピタキシャル成長させる
ことができた。アルミニウム膜の膜厚は500人とした
。ついで、アルミニウム膜をフォトエツチングし、R面
サファイア基板の表面に1−の指幅と指間間隔を持つイ
ンターディジタル型のアルミニウム電極を形成した後、
プレーナ・マグネトロン・スパッタによりアルミニウム
電極の上からR面サファイア板の表面に圧電薄膜として
ZnO膜をエピタキシャル成長させた。このアルミニウ
ム電極は、いわゆるスプリット電極であり、弾性表面波
の波長は8−である。この弾性表面波フィルタでは、Z
nO/R面サファイア基板上を伝搬する、いわゆるセザ
ワ波を利用するため、ZnOwA厚をセザワ波の電気機
械結合係数が比較的大きな波長の0.25倍〈すなわち
、2−)とした。
説明する。まず、表面を鏡面研磨されたR面サファイア
板の上に薄いアルミニウム膜を蒸着により底膜した。こ
のとき、蒸着条件を制御することにより、R面サファイ
ア板の上にアルミニウム膜をエピタキシャル成長させる
ことができた。アルミニウム膜の膜厚は500人とした
。ついで、アルミニウム膜をフォトエツチングし、R面
サファイア基板の表面に1−の指幅と指間間隔を持つイ
ンターディジタル型のアルミニウム電極を形成した後、
プレーナ・マグネトロン・スパッタによりアルミニウム
電極の上からR面サファイア板の表面に圧電薄膜として
ZnO膜をエピタキシャル成長させた。このアルミニウ
ム電極は、いわゆるスプリット電極であり、弾性表面波
の波長は8−である。この弾性表面波フィルタでは、Z
nO/R面サファイア基板上を伝搬する、いわゆるセザ
ワ波を利用するため、ZnOwA厚をセザワ波の電気機
械結合係数が比較的大きな波長の0.25倍〈すなわち
、2−)とした。
このようにして弾性表面波フィルタを形成したところ、
アルミニウム膜は鏡面研磨されたサファイア板の表面に
形成されたので、平滑なアルミニウム膜を得ることがで
き、フォトリングラフィ時の不良を防止できた。これに
対して第2図に示すような従来のfll造では、R面す
ファイア板上にZnOwi4をエピタキシャル成長させ
た後、ZnO膜の上にアルミニウム膜を形成し、フォト
エツチングを行うのでZn0lliに発生した突起のた
め、約30%のショート不良が発生していた。
アルミニウム膜は鏡面研磨されたサファイア板の表面に
形成されたので、平滑なアルミニウム膜を得ることがで
き、フォトリングラフィ時の不良を防止できた。これに
対して第2図に示すような従来のfll造では、R面す
ファイア板上にZnOwi4をエピタキシャル成長させ
た後、ZnO膜の上にアルミニウム膜を形成し、フォト
エツチングを行うのでZn0lliに発生した突起のた
め、約30%のショート不良が発生していた。
なお、第3図に比較例として示すように、R面サフアイ
ア板9の上に形成したアルミニウム電極lOが従来のよ
うにランダム配向の多結晶アルミニウム膜である場合に
は、当然ながらそのアルミニウム電極10の上の領域α
に形成されたZnO膜11はエピタキシャル成長できず
に多結晶膜となり、本発明の実施例の場合と較べて伝搬
損失が10倍以上大きくなった。
ア板9の上に形成したアルミニウム電極lOが従来のよ
うにランダム配向の多結晶アルミニウム膜である場合に
は、当然ながらそのアルミニウム電極10の上の領域α
に形成されたZnO膜11はエピタキシャル成長できず
に多結晶膜となり、本発明の実施例の場合と較べて伝搬
損失が10倍以上大きくなった。
また、エピタキシャル成長のアルミニウム膜の場合、多
結晶アルミニウム膜の場合のような粒界拡散によるマイ
グレーション発生がなく、耐電力特性が向上する。また
、本発明では、アルミニウム電極が、誘電体と圧電薄膜
の境界に形成された内部電極となっているので、酸化に
対しても強くなる。
結晶アルミニウム膜の場合のような粒界拡散によるマイ
グレーション発生がなく、耐電力特性が向上する。また
、本発明では、アルミニウム電極が、誘電体と圧電薄膜
の境界に形成された内部電極となっているので、酸化に
対しても強くなる。
さらに、アルミニウムに耐マイグレーション特性の良い
Cu、 Ti、 Ni、 Mg、 Pdなどの添加物を
加えれば、−層大きな耐マイグレーション効果が望める
。この添加物の添加量は少ないと効果がなく、また多過
ぎると抵抗率が大きくなるので、0.1wt%〜10w
t%の範囲が望ましい。
Cu、 Ti、 Ni、 Mg、 Pdなどの添加物を
加えれば、−層大きな耐マイグレーション効果が望める
。この添加物の添加量は少ないと効果がなく、また多過
ぎると抵抗率が大きくなるので、0.1wt%〜10w
t%の範囲が望ましい。
[発明の効果]
従来にあっては、アルミニウム電極が多結晶のため、や
むをえず圧電薄膜の上にアルミニウム膜を形成し、その
後フォトエツチングしていたので、圧電薄膜の突起物に
より約30%のフォトエツチング不良が発生していたが
、本発明によれば、鏡面研磨された単結晶誘電体の表面
にアルミニウム電極を形成し、平滑な誘電体表面でアル
ミニウム膜のフォトエツチングを行えるので、圧電薄膜
の突起物によるフォトエツチング不良がゼロになるとい
う効果がある。さらに、アルミニウム電極のストレスマ
イグレーションを向上させることができる。特に、高レ
ベル信号を印加した場合にも、ストレスマイグレーショ
ンの発生を抑制することができる。こうして耐スI〜レ
スマイグレーション特性が向上することにより、電気的
短絡や挿入損失の劣化を低減でき、より高周波に適した
弾性表面波装置が得られる。また、信号1/ベルの大き
い回路(たとえば送信段〉で使用できるようになる。さ
らに、一定信号レベルにおける寿命も長くなり、高信頼
性が得られる。
むをえず圧電薄膜の上にアルミニウム膜を形成し、その
後フォトエツチングしていたので、圧電薄膜の突起物に
より約30%のフォトエツチング不良が発生していたが
、本発明によれば、鏡面研磨された単結晶誘電体の表面
にアルミニウム電極を形成し、平滑な誘電体表面でアル
ミニウム膜のフォトエツチングを行えるので、圧電薄膜
の突起物によるフォトエツチング不良がゼロになるとい
う効果がある。さらに、アルミニウム電極のストレスマ
イグレーションを向上させることができる。特に、高レ
ベル信号を印加した場合にも、ストレスマイグレーショ
ンの発生を抑制することができる。こうして耐スI〜レ
スマイグレーション特性が向上することにより、電気的
短絡や挿入損失の劣化を低減でき、より高周波に適した
弾性表面波装置が得られる。また、信号1/ベルの大き
い回路(たとえば送信段〉で使用できるようになる。さ
らに、一定信号レベルにおける寿命も長くなり、高信頼
性が得られる。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は従来
の多結晶アルミニウム膜を用いた弾性表面波装置の断面
図、第3図は比較例を示す断面図である。 2・・・単結晶誘電体 3・・・アルミニウム電極 4・・・圧電薄膜 第 図 第 図 手続補正書 (自発) 平成2年 4月19日 平成1年特許願第174763号 2、発明の名称 弾性表面波装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 京都府長岡京市天神二丁目26番10号
名 称(623)株式会社 村田製作所代表者 村
1)昭 4、代 理 人 郵便番号 530住 所
大阪市北区天神橋2丁目3番9号S、補正命令の
日付 自 発6、補正により増加する
請求項の数 17、補正の対象 (1) 明細書の特許請求の範囲の欄(2〉 明細
書の発明の詳細な説明の欄(1)特許請求の範囲を別紙
の通り補正します。 (2)明細書第3頁第17行目の「第2図」を「第4図
」に訂正します。 (3)同上第4頁第1行目の「形成して」を「形成した
」に訂正します。 (4)同上第6頁第4行目の「フォトリングラフィ」を
「フォトリングラフィ」に訂正します。 (5)同上第7頁の第2行目と第3行目の間に、下記の
文を挿入します。 「 また、単結晶誘電体としてサファイアを用い、圧電
薄膜として酸化亜鉛を用い、アルくニウム膜を(311
)面配向とすることも好ましい。」(6)同上第9頁第
9行〜第10行の「ついで、」を削除し、下記の文を挿
入します。 「こうして得たR面サファイア板の上のアルミニウム膜
について、RHEED (反射高速電子線回折、)法に
より解析を行なった。 RHEED像とは、第3図に示すように、高速の電子ビ
ームを測定試料の表面に対してごく小さな視射角で入射
させ、その反射状況でもって測定試料のごく表面の結晶
構造を解析する方法であり、第3図のイは電子ビーム、
口は記録用のフィルム、ハは電子ビームのダイレクトス
ポット、二が試料表面で反射した電子ビームによるRH
EED像(反射回折パターン)、ホが試料(アルミニウ
ム膜)表面である。RHEED像では、測定試料表面が
周期構造を有している場合には、RHEED像はスポッ
ト状になり、多結晶構造の場合にはリング状のRHEE
D像となり、アモルファス構造の場合にはハロー状のR
HEED像となる。 第2図(a)は、上記のようにしてR面サファイア板の
上に成長させられたアルミニウム膜のRHEED写真(
電子の波長0.0251A) 、第2図(b)は、第2
図(a)の写真の説明図であり、第3図と同様ハが電子
ビームのダイレクトスポット、二がRHE E D 像
、ホが試料(アルミニウム膜)表面である。第2図(a
)のRHEED写真には、スポット状のRHEED像!
が写っているので、アルミニウム膜がエピタキシャル成
長していることが確認される。さらに、R面サファイア
板(α−A!QsOa)の表面力(01■2) ?[、
当該(01I 2) mliにおける表面波の伝播方向
が[OI 11m方向であるのに対して、RHEED解
析によれば、アルミニウム膜は(311)面でエピタキ
シャル成長しており、当該(311)配向面における表
面波の伝播方向が[10111であることが分かった。 ついで、」 (7)同上第10頁第7行目の「第2図」を「第4図」
に訂正します。 (8〉同上同頁第13行目の「第3図」を「第5図」に
訂正します。 (9)同上第12頁第16行〜第18行の「第2図は・
・・・・・(中略)・・・・・・第3図は」を削除し、
「第2図(a) (b)は本発明のR面サファイア板上
のアルくニウムエビタ2キシャル膜のX線写真及びその
説明図、第3図は第2図(a)のX線写真を得るための
方法を説明する図、第4図は従来の多結晶アルよニウム
膜を用いた弾性表面波装置の断面図、第5図Cよ」を挿
入します。 (lO)添付図面の第2図及び第3図を削除し、別紙第
2図(a) (b)、 第8図、 第4図及び第5図を 添付図面として提出します。
の多結晶アルミニウム膜を用いた弾性表面波装置の断面
図、第3図は比較例を示す断面図である。 2・・・単結晶誘電体 3・・・アルミニウム電極 4・・・圧電薄膜 第 図 第 図 手続補正書 (自発) 平成2年 4月19日 平成1年特許願第174763号 2、発明の名称 弾性表面波装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 京都府長岡京市天神二丁目26番10号
名 称(623)株式会社 村田製作所代表者 村
1)昭 4、代 理 人 郵便番号 530住 所
大阪市北区天神橋2丁目3番9号S、補正命令の
日付 自 発6、補正により増加する
請求項の数 17、補正の対象 (1) 明細書の特許請求の範囲の欄(2〉 明細
書の発明の詳細な説明の欄(1)特許請求の範囲を別紙
の通り補正します。 (2)明細書第3頁第17行目の「第2図」を「第4図
」に訂正します。 (3)同上第4頁第1行目の「形成して」を「形成した
」に訂正します。 (4)同上第6頁第4行目の「フォトリングラフィ」を
「フォトリングラフィ」に訂正します。 (5)同上第7頁の第2行目と第3行目の間に、下記の
文を挿入します。 「 また、単結晶誘電体としてサファイアを用い、圧電
薄膜として酸化亜鉛を用い、アルくニウム膜を(311
)面配向とすることも好ましい。」(6)同上第9頁第
9行〜第10行の「ついで、」を削除し、下記の文を挿
入します。 「こうして得たR面サファイア板の上のアルミニウム膜
について、RHEED (反射高速電子線回折、)法に
より解析を行なった。 RHEED像とは、第3図に示すように、高速の電子ビ
ームを測定試料の表面に対してごく小さな視射角で入射
させ、その反射状況でもって測定試料のごく表面の結晶
構造を解析する方法であり、第3図のイは電子ビーム、
口は記録用のフィルム、ハは電子ビームのダイレクトス
ポット、二が試料表面で反射した電子ビームによるRH
EED像(反射回折パターン)、ホが試料(アルミニウ
ム膜)表面である。RHEED像では、測定試料表面が
周期構造を有している場合には、RHEED像はスポッ
ト状になり、多結晶構造の場合にはリング状のRHEE
D像となり、アモルファス構造の場合にはハロー状のR
HEED像となる。 第2図(a)は、上記のようにしてR面サファイア板の
上に成長させられたアルミニウム膜のRHEED写真(
電子の波長0.0251A) 、第2図(b)は、第2
図(a)の写真の説明図であり、第3図と同様ハが電子
ビームのダイレクトスポット、二がRHE E D 像
、ホが試料(アルミニウム膜)表面である。第2図(a
)のRHEED写真には、スポット状のRHEED像!
が写っているので、アルミニウム膜がエピタキシャル成
長していることが確認される。さらに、R面サファイア
板(α−A!QsOa)の表面力(01■2) ?[、
当該(01I 2) mliにおける表面波の伝播方向
が[OI 11m方向であるのに対して、RHEED解
析によれば、アルミニウム膜は(311)面でエピタキ
シャル成長しており、当該(311)配向面における表
面波の伝播方向が[10111であることが分かった。 ついで、」 (7)同上第10頁第7行目の「第2図」を「第4図」
に訂正します。 (8〉同上同頁第13行目の「第3図」を「第5図」に
訂正します。 (9)同上第12頁第16行〜第18行の「第2図は・
・・・・・(中略)・・・・・・第3図は」を削除し、
「第2図(a) (b)は本発明のR面サファイア板上
のアルくニウムエビタ2キシャル膜のX線写真及びその
説明図、第3図は第2図(a)のX線写真を得るための
方法を説明する図、第4図は従来の多結晶アルよニウム
膜を用いた弾性表面波装置の断面図、第5図Cよ」を挿
入します。 (lO)添付図面の第2図及び第3図を削除し、別紙第
2図(a) (b)、 第8図、 第4図及び第5図を 添付図面として提出します。
Claims (4)
- (1)単結晶誘電体の表面に圧電薄膜をエピタキシャル
成長させた基板を用いた弾性表面波装置において、 結晶方位的に一定方向に配向したアルミニウム膜により
、前記誘電体と圧電薄膜との境界面にマイグレーション
防止機能を持つアルミニウム電極を形成したことを特徴
とする弾性表面波装置。 - (2)前記単結晶誘電体がシリコン,サファイア,ダイ
アモンドもしくは水晶からなり、前記圧電薄膜が酸化亜
鉛もしくは窒化アルミニウムであることを特徴とする請
求項1に記載の弾性表面波装置。 - (3)前記アルミニウム膜にCu,Ti,Ni,Mg,
Pd等の耐マイグレーション特性に優れた添加物を微量
添加したことを特徴とする請求項2に記載の弾性表面波
装置。 - (4)前記添加物の添加量が0.1wt%〜10wt%
の範囲であることを特徴とする請求項3に記載の弾性表
面波装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1174763A JPH0340510A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 弾性表面波装置 |
EP90307292A EP0407163B1 (en) | 1989-07-06 | 1990-07-04 | Surface acoustic wave device |
DE69023707T DE69023707T2 (de) | 1989-07-06 | 1990-07-04 | Akustische Oberflächenwellenanordnung. |
CA002020411A CA2020411C (en) | 1989-07-06 | 1990-07-04 | Surface acoustic wave device |
KR1019900010128A KR930007797B1 (ko) | 1989-07-06 | 1990-07-05 | 탄성 표면파 장치 |
CN90103485A CN1015041B (zh) | 1989-07-06 | 1990-07-06 | 弹性表面波装置 |
US07/549,214 US5061870A (en) | 1989-07-06 | 1990-07-06 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1174763A JPH0340510A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0340510A true JPH0340510A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=15984245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1174763A Pending JPH0340510A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 弾性表面波装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5061870A (ja) |
EP (1) | EP0407163B1 (ja) |
JP (1) | JPH0340510A (ja) |
KR (1) | KR930007797B1 (ja) |
CN (1) | CN1015041B (ja) |
CA (1) | CA2020411C (ja) |
DE (1) | DE69023707T2 (ja) |
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- 1990-07-04 DE DE69023707T patent/DE69023707T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-04 CA CA002020411A patent/CA2020411C/en not_active Expired - Lifetime
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- 1990-07-06 US US07/549,214 patent/US5061870A/en not_active Expired - Lifetime
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