JPH0337186A - 化合物半導体薄膜の形成方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の形成方法Info
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- JPH0337186A JPH0337186A JP16959189A JP16959189A JPH0337186A JP H0337186 A JPH0337186 A JP H0337186A JP 16959189 A JP16959189 A JP 16959189A JP 16959189 A JP16959189 A JP 16959189A JP H0337186 A JPH0337186 A JP H0337186A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶ Ｄ法）を用
いて化合物半導体薄膜を形成する方性に関し、特に導電
型がｐ型であるＧａＡｓ又はＡρＧａＡｓ層を成長する
化合物半導体薄膜の形成方法に係わる。
いて化合物半導体薄膜を形成する方性に関し、特に導電
型がｐ型であるＧａＡｓ又はＡρＧａＡｓ層を成長する
化合物半導体薄膜の形成方法に係わる。
（従来の技術）
例えば、超高速電子デバイスにおいては、１０”ｅｌｌ
−’程度のキャリア濃度を有するｐ型のｍ−Ｖ族化合物
半導、体薄膜が必要である。かかるｐ型の■−■族化合
物半導体をＭＯＣＶＤ法で成長するには、従来よりｐ型
のドーパントとしてＢｅ。
−’程度のキャリア濃度を有するｐ型のｍ−Ｖ族化合物
半導、体薄膜が必要である。かかるｐ型の■−■族化合
物半導体をＭＯＣＶＤ法で成長するには、従来よりｐ型
のドーパントとしてＢｅ。
Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ等が使用されている。これらのうち、
Ｂｅは１０”ｃＩ＋＋−３以上の高濃度ドーピングが可
能であるが、極めて強い毒性を有する。Ｚｎ、Ｍｇ及び
Ｃｄは蒸気圧が高く、高温成長でドーピング効率が低下
したり、配管壁や反応容器に付着した原料ガスが遅れて
取り込まれるメモリー効果があり、急峻なドーピングプ
ロファイルが得られない問題がある。
Ｂｅは１０”ｃＩ＋＋−３以上の高濃度ドーピングが可
能であるが、極めて強い毒性を有する。Ｚｎ、Ｍｇ及び
Ｃｄは蒸気圧が高く、高温成長でドーピング効率が低下
したり、配管壁や反応容器に付着した原料ガスが遅れて
取り込まれるメモリー効果があり、急峻なドーピングプ
ロファイルが得られない問題がある。
一方、炭素（Ｃ）は化合物半導体中での拡散係数が非常
に大きく、しかもアクセプタレベルを形成するため、高
濃度のｐ型化合物半導体薄膜のドーパントとして期待さ
れている。かかるドーパント原料としはで、Ｃ２Ｈ２な
どが知られている。
に大きく、しかもアクセプタレベルを形成するため、高
濃度のｐ型化合物半導体薄膜のドーパントとして期待さ
れている。かかるドーパント原料としはで、Ｃ２Ｈ２な
どが知られている。
しかしながら、Ｃ２Ｈ２は熱的に安定であり、分解し難
いため、■族及びＶ族の有機金属原料ガスと共にＣ２Ｈ
２を供給して熱分解により基板上に■−ｖ族化合物半導
体薄膜を成長する際、該半導体薄膜中に炭素が効率よく
取り込まれないと問題があった。従って、これらの方法
では、変化させた原料ガスの供給量又は成長温度が安定
するまでに時間がかかり、所望のキャリアプロファイル
を有する■−Ｖ族化合物半導体を成長させることが極め
て困難であった。
いため、■族及びＶ族の有機金属原料ガスと共にＣ２Ｈ
２を供給して熱分解により基板上に■−ｖ族化合物半導
体薄膜を成長する際、該半導体薄膜中に炭素が効率よく
取り込まれないと問題があった。従って、これらの方法
では、変化させた原料ガスの供給量又は成長温度が安定
するまでに時間がかかり、所望のキャリアプロファイル
を有する■−Ｖ族化合物半導体を成長させることが極め
て困難であった。
（発明が解決しようとするｙＡ題）
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、■族及びＶ族の有機金属原料ガスと共に供給され
たＣ２Ｈ２などの有機化合物からなるｐ型ドーパント用
原理料を効率よく分解して、高キャリア濃度のｐ型化合
物半導体薄膜を再現性よく形成し得る方法を提供しよう
とするものである。
ので、■族及びＶ族の有機金属原料ガスと共に供給され
たＣ２Ｈ２などの有機化合物からなるｐ型ドーパント用
原理料を効率よく分解して、高キャリア濃度のｐ型化合
物半導体薄膜を再現性よく形成し得る方法を提供しよう
とするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明に係わる化合物半導体薄膜の形成方法は、■族及
びＶ族の原料ガスを反応容器内に供給し、加熱によりそ
れら原料ガスを分解して前記容器内に配置した化合物半
導体基板上にｐ型のｍ−Ｖ族化合物半導体薄膜を成長さ
せるに際し、前記反応容器内に前記各原料ガスと共にＣ
及びＨからなる有機化合物をｐ型ドーパント用原料とし
て供給し、前記各原料ガスを加熱により分解すると共に
前記基板及び前記ドーパント用原料の少なくとも一方に
光を照射することを特徴とするものである。
びＶ族の原料ガスを反応容器内に供給し、加熱によりそ
れら原料ガスを分解して前記容器内に配置した化合物半
導体基板上にｐ型のｍ−Ｖ族化合物半導体薄膜を成長さ
せるに際し、前記反応容器内に前記各原料ガスと共にＣ
及びＨからなる有機化合物をｐ型ドーパント用原料とし
て供給し、前記各原料ガスを加熱により分解すると共に
前記基板及び前記ドーパント用原料の少なくとも一方に
光を照射することを特徴とするものである。
上記■族元素の原料ガスとしては、例えばトリメチルガ
リウム（ＴＭＧ）及びトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ
）等を挙げることができ、上記Ｖ族元素の原料ガスとし
ては例えばアルシン（ＡｓＨ３）、トリメチル砒＄（Ｔ
ＭＡｓ）′３＝を挙げることができる。
リウム（ＴＭＧ）及びトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ
）等を挙げることができ、上記Ｖ族元素の原料ガスとし
ては例えばアルシン（ＡｓＨ３）、トリメチル砒＄（Ｔ
ＭＡｓ）′３＝を挙げることができる。
上記■族及び■族の原料ガスを熱分解する手段としては
、例えば抵抗加熱、高周波加熱等を採用し得る。
、例えば抵抗加熱、高周波加熱等を採用し得る。
上記ｐ型ドーパント用原料であるＣ及びＨからなる有機
化合物としては、例えばＣ，Ｈからなる脂肪族炭化水素
、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等を挙げることかで
き、特にＣ２Ｈ２Ｃ２Ｈ，、、ＣＪ Ｈ８などの鎖状脂
肪族炭化水素が好ましい。
化合物としては、例えばＣ，Ｈからなる脂肪族炭化水素
、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等を挙げることかで
き、特にＣ２Ｈ２Ｃ２Ｈ，、、ＣＪ Ｈ８などの鎖状脂
肪族炭化水素が好ましい。
上記基板及び前記ドーパント用原料の少なくとも一方に
照射する光としては、例えばレーザ光、水銀ランプ光、
Ｘｅランプ光、マイクロ波等を挙げることができる。
照射する光としては、例えばレーザ光、水銀ランプ光、
Ｘｅランプ光、マイクロ波等を挙げることができる。
本発明に係わる別の化合物半導体薄膜の形成方法は、■
族及びＶ族の原料ガスとｐ型ドーパント用原料とを反応
容器内の化合物半導体基板上に交互に供給することを特
徴とするものである。
族及びＶ族の原料ガスとｐ型ドーパント用原料とを反応
容器内の化合物半導体基板上に交互に供給することを特
徴とするものである。
（作用）
本発明によれば、化合物半導体基板が配置された反応容
器内に■族及びＶ族の原料ガスと共にＣ及びＨからなる
有機化合物をｐ型ドーパント用原料として供給し、前記
各原料ガスを加熱により分解すると共に前記基板及び前
記ドーパント用原料の少なくとも一方に光を照射するこ
とによって、前記Ｃ及びＨからなる有機化合物が光化学
反応により分解が促進されて活性炭素を生成し、その炭
素は前記各原料ガスの熱分解反応により成膜される成長
層に取り込まれ、アクセプタ準位が形成される。その結
果、前記化合物半導体基板上に高いキャリア濃度を有す
るｐ型のＧａＡｓ ＡｌＧａＡｓなどの化合物半導体薄膜を再現性よく形成
できる。炭素（Ｃ）は、■−■族化合物半導体薄膜中で
の拡散係数が小さく、かつメモリ効果もないため、極め
て急峻なドーピングプロファイルを実現でき、更に高濃
度ドーピングした場合、格子歪が小さいことから半導体
装置を製造する上で極めて有益である。
器内に■族及びＶ族の原料ガスと共にＣ及びＨからなる
有機化合物をｐ型ドーパント用原料として供給し、前記
各原料ガスを加熱により分解すると共に前記基板及び前
記ドーパント用原料の少なくとも一方に光を照射するこ
とによって、前記Ｃ及びＨからなる有機化合物が光化学
反応により分解が促進されて活性炭素を生成し、その炭
素は前記各原料ガスの熱分解反応により成膜される成長
層に取り込まれ、アクセプタ準位が形成される。その結
果、前記化合物半導体基板上に高いキャリア濃度を有す
るｐ型のＧａＡｓ ＡｌＧａＡｓなどの化合物半導体薄膜を再現性よく形成
できる。炭素（Ｃ）は、■−■族化合物半導体薄膜中で
の拡散係数が小さく、かつメモリ効果もないため、極め
て急峻なドーピングプロファイルを実現でき、更に高濃
度ドーピングした場合、格子歪が小さいことから半導体
装置を製造する上で極めて有益である。
また、本発明の別の方法によれば■族及びＶ族の原料ガ
スとｐ型ドーパント用原料とを反応容器内の化合物半導
体基板上に交互に供給し、前記■族及びＶ族の原料ガス
の熱分解と共に、光を照射することによって、基板上に
単原子厚さの精度で高キャリリア濃度のｐ型■−Ｖ族化
合物半導体薄膜を形成することができる。
スとｐ型ドーパント用原料とを反応容器内の化合物半導
体基板上に交互に供給し、前記■族及びＶ族の原料ガス
の熱分解と共に、光を照射することによって、基板上に
単原子厚さの精度で高キャリリア濃度のｐ型■−Ｖ族化
合物半導体薄膜を形成することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の実施例に使用したＭ ＯＣＶ Ｄ装置
を示す概略構成図である。反応容器ｌは、上部側壁に第
１、第２のガス導入管２．３が連結され、かつ下部側壁
にはガス排気管４が連結されている。油拡散ポンプ等の
真空排気系（図示せず）は、前記排気管４に連結されて
いる。グラファイト製サセプタ５は、前記反応容器ｌ内
に設けられ、該容器１外周に配置された高周波加熱コイ
ル６により加熱される。エキシマレーザ７は、エキシマ
レーザ光８を発振し、このエキシマレーザ光８は反射ミ
ラー９、前記反応容器ｌ上部に設けた光透過窓１０を通
して前記サセプタ５に設置される基板に照射される。
を示す概略構成図である。反応容器ｌは、上部側壁に第
１、第２のガス導入管２．３が連結され、かつ下部側壁
にはガス排気管４が連結されている。油拡散ポンプ等の
真空排気系（図示せず）は、前記排気管４に連結されて
いる。グラファイト製サセプタ５は、前記反応容器ｌ内
に設けられ、該容器１外周に配置された高周波加熱コイ
ル６により加熱される。エキシマレーザ７は、エキシマ
レーザ光８を発振し、このエキシマレーザ光８は反射ミ
ラー９、前記反応容器ｌ上部に設けた光透過窓１０を通
して前記サセプタ５に設置される基板に照射される。
実施例１
まず、反応容器ｌ内のサセプタ ５上に面方位（１００
）の半絶縁性ＧａＡｓ基板１１を載置した後、図示しな
い真空排気系を作動してガス排気管４を通して反応容器
ｌ内のガスを排気しながら、第１のガス導入管２よりＨ
２、第２のガス導入管３よりＡｓＨｔとＨ２を容器Ｉ内
に導入し、高周波加熱コイル６によりサセプタ ５を７
００℃に加熱し、基板１１の表面処理を行った。つづい
て、第１のガス導入管２よりＨ２を容器１内に導入した
状態で、第２のガス導入管３よりＴＭＧ、Ａｓ Ｈ３、
Ｈ２及びＣ２Ｈ２を導入し、同時にエキシマレーザ７よ
りＫｒＦエキシマレーザ光８を反射ミラー９、光透過窓
ＩＯを経由して前記サセプタ５に設置される基板１１に
対し垂直に照射し、該基板１上に厚さ１．０μｍのＧａ
Ａｓ薄膜を成長した。なお、成長条件は温度５５０℃、
圧カフ６ｊＯｒｒｑ レーザ光の照射強度１５ｍ Ｊ
／ｅ１、繰返周波数８０１）ｌ）Ｓとした。
）の半絶縁性ＧａＡｓ基板１１を載置した後、図示しな
い真空排気系を作動してガス排気管４を通して反応容器
ｌ内のガスを排気しながら、第１のガス導入管２よりＨ
２、第２のガス導入管３よりＡｓＨｔとＨ２を容器Ｉ内
に導入し、高周波加熱コイル６によりサセプタ ５を７
００℃に加熱し、基板１１の表面処理を行った。つづい
て、第１のガス導入管２よりＨ２を容器１内に導入した
状態で、第２のガス導入管３よりＴＭＧ、Ａｓ Ｈ３、
Ｈ２及びＣ２Ｈ２を導入し、同時にエキシマレーザ７よ
りＫｒＦエキシマレーザ光８を反射ミラー９、光透過窓
ＩＯを経由して前記サセプタ５に設置される基板１１に
対し垂直に照射し、該基板１上に厚さ１．０μｍのＧａ
Ａｓ薄膜を成長した。なお、成長条件は温度５５０℃、
圧カフ６ｊＯｒｒｑ レーザ光の照射強度１５ｍ Ｊ
／ｅ１、繰返周波数８０１）ｌ）Ｓとした。
本実施例１により半絶縁性ＧａＡｓ基板上に成長された
ＧａＡｓ薄膜のキャリア濃度をホール測定により調べた
ところ、Ｃ２Ｈ２の導入量の増加によりホール濃度が単
調に増加した。
ＧａＡｓ薄膜のキャリア濃度をホール測定により調べた
ところ、Ｃ２Ｈ２の導入量の増加によりホール濃度が単
調に増加した。
実施例２
まず、反応容器ｉ内のサセプタ ５上に面方位（１００
）の半絶縁性ＧａＡｓ基板１１を載置した後、実施例１
と同様な方法により基板１１の表面処理を行った。つづ
いて、第１のガス導入管２よりＨ２を容器ｌ内に導入し
た状態で、第２のガス導入管３よりＴＭＧ十Ｈ２の導入
、Ｈ２の導入、Ｃ２Ｈ２＋Ｈ２の導入、Ａｓ Ｈ，＋Ｈ
２の導入、Ｈ２の導入、を１サイクルとして、４０００
サイクルのガス導入を行い、各ガスの導入と同時にエキ
シマレーザ７よりＫｒＦエキシマレーザ光８を反射ミラ
ー９、光透過窓ｌＯを経由して前記サセプタ ５に設置
される基板１１に対し垂直に照射し、ＧａＡｓ薄膜を基
板１１上に成長させた。なお、成長条件は温度５５０℃
、圧力１０ｔＯｒｒ、レーザ光の照射強度１５ｍ Ｊ
／ ｃｒｐ２、繰返周波数８０ ｐｐｓとした。
）の半絶縁性ＧａＡｓ基板１１を載置した後、実施例１
と同様な方法により基板１１の表面処理を行った。つづ
いて、第１のガス導入管２よりＨ２を容器ｌ内に導入し
た状態で、第２のガス導入管３よりＴＭＧ十Ｈ２の導入
、Ｈ２の導入、Ｃ２Ｈ２＋Ｈ２の導入、Ａｓ Ｈ，＋Ｈ
２の導入、Ｈ２の導入、を１サイクルとして、４０００
サイクルのガス導入を行い、各ガスの導入と同時にエキ
シマレーザ７よりＫｒＦエキシマレーザ光８を反射ミラ
ー９、光透過窓ｌＯを経由して前記サセプタ ５に設置
される基板１１に対し垂直に照射し、ＧａＡｓ薄膜を基
板１１上に成長させた。なお、成長条件は温度５５０℃
、圧力１０ｔＯｒｒ、レーザ光の照射強度１５ｍ Ｊ
／ ｃｒｐ２、繰返周波数８０ ｐｐｓとした。
ここで、炭素をｐ型不純物原子としてＧａＡｓ又はＡρ
ＧａＡｓにドーピングする場合、炭素はＶ族であるＡｓ
サイト入ることが゛望ましい。そのためには、ＴＭＧの
導入後にＣ２Ｈ２を導入し、しかる後にＡｓＨ３を導入
するることか望ましいと考えられる。
ＧａＡｓにドーピングする場合、炭素はＶ族であるＡｓ
サイト入ることが゛望ましい。そのためには、ＴＭＧの
導入後にＣ２Ｈ２を導入し、しかる後にＡｓＨ３を導入
するることか望ましいと考えられる。
本実施例２により半絶縁性ＱａＡｓ基板上に成長された
ＧａＡｓ薄膜の膜厚は、約１．３μｍであり、１サイク
ルあたりの成長膜厚はＧａＡｓ １分子層（２，８３大
）であった。また、ホール測定をおこなったところ、Ｃ
２Ｈ２の導入量を変えることにより ＬＸ １０Ｉ８１
０ｌ８〜ＬＸ １０２０ｃｍ−３のホール濃度を再現性
よく制御できることがわかった。
ＧａＡｓ薄膜の膜厚は、約１．３μｍであり、１サイク
ルあたりの成長膜厚はＧａＡｓ １分子層（２，８３大
）であった。また、ホール測定をおこなったところ、Ｃ
２Ｈ２の導入量を変えることにより ＬＸ １０Ｉ８１
０ｌ８〜ＬＸ １０２０ｃｍ−３のホール濃度を再現性
よく制御できることがわかった。
実施例３
上述した実施例２の方法を用いて、第２図に示すヘテロ
バイポーラトランジスタを製造した。なお、図中２１は
半絶縁性ＧａＡｓ基板、２２はアンドープＧａＡｓバッ
ファ層、２３はｎ−−ＧａＡｓコレクタ層、２４はｐ”
−ＧａＡｓベース層、２５はアンドープＧａＡｓスペー
サ層、２６は ｎ Ａｎ Ｏ，３Ｇ ａ Ｑ、７ Ａ ｓエミツタ層
、２７はｎ”−ＧａＡｓ層、２８はｎ”−１ｎＧａＡｓ
オ一ミツクコンタクト層を示している。
バイポーラトランジスタを製造した。なお、図中２１は
半絶縁性ＧａＡｓ基板、２２はアンドープＧａＡｓバッ
ファ層、２３はｎ−−ＧａＡｓコレクタ層、２４はｐ”
−ＧａＡｓベース層、２５はアンドープＧａＡｓスペー
サ層、２６は ｎ Ａｎ Ｏ，３Ｇ ａ Ｑ、７ Ａ ｓエミツタ層
、２７はｎ”−ＧａＡｓ層、２８はｎ”−１ｎＧａＡｓ
オ一ミツクコンタクト層を示している。
第２図において、ＧａＡｓベース層以外のＩｎＧａＡｓ
５ＡＪ７ ＧａＡｓ、ＧａＡｓ層は、成長温度６５０℃
、原料ガス及び不純物ガスを反応容器内に同時に導入し
て成長した。ｐ’４２ＧａＡｓベース層は、成長温度５
５０℃で成長じた。ｐ型Ｇａｓベース層のホール濃度は
５Ｘ １０１９ｃ＋ｎ−３とした。かかる第２図に示す
ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、良好なりＣ特性
を示した。
５ＡＪ７ ＧａＡｓ、ＧａＡｓ層は、成長温度６５０℃
、原料ガス及び不純物ガスを反応容器内に同時に導入し
て成長した。ｐ’４２ＧａＡｓベース層は、成長温度５
５０℃で成長じた。ｐ型Ｇａｓベース層のホール濃度は
５Ｘ １０１９ｃ＋ｎ−３とした。かかる第２図に示す
ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、良好なりＣ特性
を示した。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ以外に
も、ｐ型■−ｖ族化合物半導体を含む半導体レーザ、ホ
ットエレクトロントランジスタ等、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で、各種半導体素子の製造に適用することが
できる。
い。例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ以外に
も、ｐ型■−ｖ族化合物半導体を含む半導体レーザ、ホ
ットエレクトロントランジスタ等、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で、各種半導体素子の製造に適用することが
できる。
［発明の効果コ
以上詳述した如く本発明の化合物半導体薄膜の形成方法
によれば、気相成長法により拡散係数の非常に小さいｐ
型ドーパントであるＣを■−Ｖ族化合物半導体薄膜に高
濃度、かつ制御性よくドーピングでき、ひいては高キャ
リア濃度のｐ型化合物半導体薄膜又は数百穴の以下の非
常に薄い膜厚で高キャリア濃度のｐ型化合物半導体薄膜
を用いる半導体装置の製造に有効に利用できる等顕著な
効果を奏する。
によれば、気相成長法により拡散係数の非常に小さいｐ
型ドーパントであるＣを■−Ｖ族化合物半導体薄膜に高
濃度、かつ制御性よくドーピングでき、ひいては高キャ
リア濃度のｐ型化合物半導体薄膜又は数百穴の以下の非
常に薄い膜厚で高キャリア濃度のｐ型化合物半導体薄膜
を用いる半導体装置の製造に有効に利用できる等顕著な
効果を奏する。
第１図は本発明の実施例で使用した
ＭＯＣＶＤ装置を示す概略構成図、第２図は同実施例方
法により製造したヘテロ接合形バイポーラトランジスタ
を示す断面図である。 １・・・反応容器、２．３・・・ガス導入管、４・・・
ガス排気管、５・・・サセプタ、６・・・高周波加熱コ
イル、７・・・エキシマレーザ、８・・・ＫｒＦエキシ
マレーザ光、１１．２１・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、
２４・・・ｐ” −ＧａＡｓベース層Ｐ０ 層外 ０’ＪｔＮ ＜Ｄ ０ （ＮＣ’Ｊ 吊 同 則
法により製造したヘテロ接合形バイポーラトランジスタ
を示す断面図である。 １・・・反応容器、２．３・・・ガス導入管、４・・・
ガス排気管、５・・・サセプタ、６・・・高周波加熱コ
イル、７・・・エキシマレーザ、８・・・ＫｒＦエキシ
マレーザ光、１１．２１・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、
２４・・・ｐ” −ＧａＡｓベース層Ｐ０ 層外 ０’ＪｔＮ ＜Ｄ ０ （ＮＣ’Ｊ 吊 同 則
Claims (2)
- （１）III族及びＶ族の原料ガスを反応容器内に供給し
、加熱によりそれら原料ガスを分解して前記容器内に配
置した化合物半導体基板上にｐ型のIII−Ｖ族化合物半
導体薄膜を成長させるに際し、前記反応容器内に前記各
原料ガスと共にＣ及びＨからなる有機化合物をｐ型ドー
パント用原料として供給し、前記各原料ガスを加熱によ
り分解すると共に前記基板及び前記ドーパント用原料の
少なくとも一方に光を照射することを特徴とする化合物
半導体薄膜の形成方法。 - （２）III族及びＶ族の原料ガスとｐ型ドーパント用原
料とを反応容器内の化合物半導体基板上に交互に供給す
ることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体薄膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16959189A JPH0337186A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 化合物半導体薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16959189A JPH0337186A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 化合物半導体薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337186A true JPH0337186A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15889327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16959189A Pending JPH0337186A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 化合物半導体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0337186A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008140022A1 (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Tokyo Electron Limited | 化合物半導体の熱処理方法及びその装置 |
| JP2012246195A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Hitachi Cable Ltd | 半絶縁性窒化物半導体ウエハ、半絶縁性窒化物半導体自立基板及びトランジスタ、並びに半絶縁性窒化物半導体層の成長方法及び成長装置 |
| JP2014107335A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Sharp Corp | 窒化物半導体結晶の製造方法 |
| JP2014146733A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Sharp Corp | 窒化物半導体結晶の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP16959189A patent/JPH0337186A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008140022A1 (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Tokyo Electron Limited | 化合物半導体の熱処理方法及びその装置 |
| JP2008306176A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Ltd | 化合物半導体の熱処理方法及びその装置 |
| JP2012246195A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Hitachi Cable Ltd | 半絶縁性窒化物半導体ウエハ、半絶縁性窒化物半導体自立基板及びトランジスタ、並びに半絶縁性窒化物半導体層の成長方法及び成長装置 |
| JP2014107335A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Sharp Corp | 窒化物半導体結晶の製造方法 |
| JP2014146733A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Sharp Corp | 窒化物半導体結晶の製造方法 |
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