JPH1154528A - ｐ型化合物半導体薄膜成長法 - Google Patents
ｐ型化合物半導体薄膜成長法Info
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- JPH1154528A JPH1154528A JP22746597A JP22746597A JPH1154528A JP H1154528 A JPH1154528 A JP H1154528A JP 22746597 A JP22746597 A JP 22746597A JP 22746597 A JP22746597 A JP 22746597A JP H1154528 A JPH1154528 A JP H1154528A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドーパントとして四臭素化炭素（ＣＢｒ4 ）
を用いても高温度で薄膜を成長させることができ、高品
質なｐ型化合物半導体薄膜を形成する。 【解決手段】 III −Ｖ族化合物半導体薄膜の成長方法
において、電子素子の構成元素の原料のドーパントとし
て四臭素化炭素（ＣＢｒ4 ）を用い、これを予め低分子
に分解して基板へ供給する構成とした。
を用いても高温度で薄膜を成長させることができ、高品
質なｐ型化合物半導体薄膜を形成する。 【解決手段】 III −Ｖ族化合物半導体薄膜の成長方法
において、電子素子の構成元素の原料のドーパントとし
て四臭素化炭素（ＣＢｒ4 ）を用い、これを予め低分子
に分解して基板へ供給する構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は電子素子や光素子
等に用いられる高濃度のｐ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜の成長法に関する。
等に用いられる高濃度のｐ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜の成長法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は高
速で動作可能な電子素子の構成材料として数多く使用さ
れている。主なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてＧａＡ
ｓ、ＩｎＰ、および多元化合物であるＩｎＧａＡｓ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰなどが挙げられる。
速で動作可能な電子素子の構成材料として数多く使用さ
れている。主なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてＧａＡ
ｓ、ＩｎＰ、および多元化合物であるＩｎＧａＡｓ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰなどが挙げられる。
【０００３】これらの薄膜は、有機金属熱分解法（ＭＯ
ＣＶＤ）、分子線エピタキシ法（ＭＢＥ）、有機金属分
子線エピタキシ法（ＭＯＭＢＥ）法などで作製される。
素子の性能は、素子構造と薄膜中の濃度に大きく左右さ
れる。特に、ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）
では、ベースのホール濃度が高いほど高周波特性が向上
する。多くのドーパントがテストされた結果、現在では
ＧａＡｓにはトリメチル砒素、ＩｎＧａＡｓには四臭素
化炭素（ＣＢｒ4 ）がもっとも広く使われている。その
理由は、第１に、ドーピング効率が高いこと、第２にド
ーパントによって炭素がドープされ、その炭素は多量に
ドープしてもほとんど拡散しないという利点があるから
である。
ＣＶＤ）、分子線エピタキシ法（ＭＢＥ）、有機金属分
子線エピタキシ法（ＭＯＭＢＥ）法などで作製される。
素子の性能は、素子構造と薄膜中の濃度に大きく左右さ
れる。特に、ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）
では、ベースのホール濃度が高いほど高周波特性が向上
する。多くのドーパントがテストされた結果、現在では
ＧａＡｓにはトリメチル砒素、ＩｎＧａＡｓには四臭素
化炭素（ＣＢｒ4 ）がもっとも広く使われている。その
理由は、第１に、ドーピング効率が高いこと、第２にド
ーパントによって炭素がドープされ、その炭素は多量に
ドープしてもほとんど拡散しないという利点があるから
である。
【０００４】ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＭＯＭＢＥ法で、四
臭素化炭素（ＣＢｒ4 ）を用いて１０19ｃｍ-3以上のホ
ール濃度を有するｐ型ＩｎＧａＡｓが作製されている。
但し、このうちＭＯＣＶＤでは水素によるパッシベーシ
ョンすなわちホール濃度が１桁以上減少するという欠点
がある。
臭素化炭素（ＣＢｒ4 ）を用いて１０19ｃｍ-3以上のホ
ール濃度を有するｐ型ＩｎＧａＡｓが作製されている。
但し、このうちＭＯＣＶＤでは水素によるパッシベーシ
ョンすなわちホール濃度が１桁以上減少するという欠点
がある。
【０００５】一方、ＭＢＥ、ＣＢＥでは成長が真空中で
行われるため水素によるパッシベーションはほとんどな
い。
行われるため水素によるパッシベーションはほとんどな
い。
【０００６】いずれの成長法においても、ホール濃度は
ＣＢｒ4 の供給量、成長温度、成長時のＡｓ供給量の３
つのパラメータによって大きく変化する。これまでの研
究（例えば、R. A. Hamm et al. Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １４８巻（１９９６
年）ページ３６２〜３７０）から、ホール濃度はＣＢｒ
4 の供給量の増加に比例し、Ａｓ供給量の増加に反比例
することが知られている。
ＣＢｒ4 の供給量、成長温度、成長時のＡｓ供給量の３
つのパラメータによって大きく変化する。これまでの研
究（例えば、R. A. Hamm et al. Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １４８巻（１９９６
年）ページ３６２〜３７０）から、ホール濃度はＣＢｒ
4 の供給量の増加に比例し、Ａｓ供給量の増加に反比例
することが知られている。
【０００７】３つのうちでもっとも大きな影響を与える
パラメータが成長温度である。すなわち、成長温度が低
下すると、特に５００度以下になると、ホール濃度が１
桁程度急激に増加する。具体的には、アンドープＩｎＧ
ａＡｓの最適成長温度はＭＯＣＶＤでは６２０度、ＭＢ
ＥやＭＯＭＢＥでは５２０度であるが、いずれの成長法
においても４５０度という低温成長したとき、１０19ｃ
ｍ-3以上の濃度が得られる。ＣＢｒ4 のドーピング機構
は基板上でのＣＢｒ4 の熱分解と基板上からのＣＢｒ4
の再蒸発が同時に生じており、成長温度を下げることに
より再蒸発が抑制され、高濃度ドープが達成されると考
えられている。
パラメータが成長温度である。すなわち、成長温度が低
下すると、特に５００度以下になると、ホール濃度が１
桁程度急激に増加する。具体的には、アンドープＩｎＧ
ａＡｓの最適成長温度はＭＯＣＶＤでは６２０度、ＭＢ
ＥやＭＯＭＢＥでは５２０度であるが、いずれの成長法
においても４５０度という低温成長したとき、１０19ｃ
ｍ-3以上の濃度が得られる。ＣＢｒ4 のドーピング機構
は基板上でのＣＢｒ4 の熱分解と基板上からのＣＢｒ4
の再蒸発が同時に生じており、成長温度を下げることに
より再蒸発が抑制され、高濃度ドープが達成されると考
えられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、高濃度
ドープするにはＣＢｒ4 の再蒸発を抑えるために低い成
長温度にせざるをえなく、その結果、ＩｎＧａＡｓの結
晶性が劣化するという課題があった。
ドープするにはＣＢｒ4 の再蒸発を抑えるために低い成
長温度にせざるをえなく、その結果、ＩｎＧａＡｓの結
晶性が劣化するという課題があった。
【０００９】この発明は上記のことに鑑み提案されたも
ので、その目的とするところは、高品質の半導体薄膜を
作製できるｐ型化合物半導体薄膜成長法を提供すること
にある。
ので、その目的とするところは、高品質の半導体薄膜を
作製できるｐ型化合物半導体薄膜成長法を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体の薄膜成長において、構成元素の原料のド
ーパントとして４臭素化炭素（ＣＢｒ4 ）を用い、その
一部を予めＣＢｒx （ｘ≦３）の低分子に分解して基板
９へ供給するようにし、上記目的を達成している。
化合物半導体の薄膜成長において、構成元素の原料のド
ーパントとして４臭素化炭素（ＣＢｒ4 ）を用い、その
一部を予めＣＢｒx （ｘ≦３）の低分子に分解して基板
９へ供給するようにし、上記目的を達成している。
【００１１】また、上記において、ＣＢｒ4 の一部を分
解する手段は熱分解であり、かつその温度は４０℃乃至
１１０℃の範囲とし、上記目的を達成している。
解する手段は熱分解であり、かつその温度は４０℃乃至
１１０℃の範囲とし、上記目的を達成している。
【００１２】また、本発明では、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体はＩｎＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓＰであることを
特徴としている。
導体はＩｎＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓＰであることを
特徴としている。
【００１３】また、本発明での薄膜は、有機金属分子線
エピタキシ法（ＭＯＭＢＥ）を用いて作製することを構
成としている。
エピタキシ法（ＭＯＭＢＥ）を用いて作製することを構
成としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明では、要するに、構成元素
の原料のドーパントとして４臭素化炭素（ＣＢｒ4 ）を
用い、その一部を加熱手段にてＣＢｒx （ｘ≦３）の低
分子の形とし、基板へ供給する点に主たる特徴を有して
いる。
の原料のドーパントとして４臭素化炭素（ＣＢｒ4 ）を
用い、その一部を加熱手段にてＣＢｒx （ｘ≦３）の低
分子の形とし、基板へ供給する点に主たる特徴を有して
いる。
【００１５】すなわち、ＣＢｒ4 は通常室温で使用され
る。しかし、ＣＢｒ4 は６０度以上に加熱すると分解
し、その際生成されたＢｒ2 によって金属が腐食される
ことが知られている。したがって、ＣＢｒ4 を室温以上
に加熱することによって一部のＢｒがはずれ、ＣＢｒx
（ｘ≦３）分子を生成できる。ＣＢｒ4 に比べＣＢｒx
（ｘ≦３）はＢｒの数が少ないので、基板上での分解効
率が高くなる。この結果、高い成長温度においても高濃
度のドープをできるようにしている。
る。しかし、ＣＢｒ4 は６０度以上に加熱すると分解
し、その際生成されたＢｒ2 によって金属が腐食される
ことが知られている。したがって、ＣＢｒ4 を室温以上
に加熱することによって一部のＢｒがはずれ、ＣＢｒx
（ｘ≦３）分子を生成できる。ＣＢｒ4 に比べＣＢｒx
（ｘ≦３）はＢｒの数が少ないので、基板上での分解効
率が高くなる。この結果、高い成長温度においても高濃
度のドープをできるようにしている。
【００１６】以下、図１ないし図３を参照しつつ本発明
の実施例を具体的に説明する。
の実施例を具体的に説明する。
【００１７】図１は本発明で用いた成長装置の模式図を
示す。図中１〜３は薄膜成長の原料、４はボトル、５は
それを加熱する加熱器、６は配管、７は圧力制御コント
ローラー、８は真空容器、９は真空容器８内に置かれた
基板である。
示す。図中１〜３は薄膜成長の原料、４はボトル、５は
それを加熱する加熱器、６は配管、７は圧力制御コント
ローラー、８は真空容器、９は真空容器８内に置かれた
基板である。
【００１８】
【実施例１】本発明では薄膜成長法としてＭＯＭＢＥを
用いた。薄膜成長の原料にはトリメチルインジウム１、
トリエチルガリウム２、それにアルシン３を使用した。
ＣＢｒ4 を予め一部分解するため、ＣＢｒ4 を装填した
ボトル４を包むように加熱器５を設置し約４０度に、さ
らに配管６を６０度に加熱した。
用いた。薄膜成長の原料にはトリメチルインジウム１、
トリエチルガリウム２、それにアルシン３を使用した。
ＣＢｒ4 を予め一部分解するため、ＣＢｒ4 を装填した
ボトル４を包むように加熱器５を設置し約４０度に、さ
らに配管６を６０度に加熱した。
【００１９】これら３種のガスをそれぞれ圧力制御コン
トローラー７を用いて供給量を精密に制御して、真空容
器８内に導入し、加熱した基板９上で化学反応させるこ
とによりＩｎＧａＡｓを成長した。使用した基板はＩｎ
Ｐで、成長温度は５２０度とした。
トローラー７を用いて供給量を精密に制御して、真空容
器８内に導入し、加熱した基板９上で化学反応させるこ
とによりＩｎＧａＡｓを成長した。使用した基板はＩｎ
Ｐで、成長温度は５２０度とした。
【００２０】図２はＣＢｒ4 の供給量とＩｎＧａＡｓの
ホール濃度の関係を示している。横軸のＣＢｒ4 の供給
量は基板付近で測定したＣＢｒ4 の分子線強度を示す。
ＣＢｒ4 の供給量に比例して、ホール濃度が増加してい
ることがわかる。最大ドープ量は１．６×１０20ｃｍ-3
であった。この値はＳＩＭＳによる炭素濃度測定によっ
ても確認された。
ホール濃度の関係を示している。横軸のＣＢｒ4 の供給
量は基板付近で測定したＣＢｒ4 の分子線強度を示す。
ＣＢｒ4 の供給量に比例して、ホール濃度が増加してい
ることがわかる。最大ドープ量は１．６×１０20ｃｍ-3
であった。この値はＳＩＭＳによる炭素濃度測定によっ
ても確認された。
【００２１】ＣＢｒ4 ボトルを５０度に加熱した場合
は、同じＣＢｒ4 供給量に対して、ホール濃度は図２に
比べ増加し、ＣＢｒ4 ボトルを室温に保った場合、ホー
ル濃度は図２に比べ減少した。
は、同じＣＢｒ4 供給量に対して、ホール濃度は図２に
比べ増加し、ＣＢｒ4 ボトルを室温に保った場合、ホー
ル濃度は図２に比べ減少した。
【００２２】このように、本実施例においては、ボトル
４の温度がドーピング効率向上に重要である。ボトル４
の温度としては、４０℃以上であれば原料分解の効果が
有効に現れることがわかった。また、温度の上限として
はＣＢｒ4 が分解してステンレス等の腐食が激しくなる
１１０℃以下とする必要がある。また、配管６の温度
は、原料の配管内壁の再付着を防止するためにボトル４
よりも高い温度とするのが望ましい。
４の温度がドーピング効率向上に重要である。ボトル４
の温度としては、４０℃以上であれば原料分解の効果が
有効に現れることがわかった。また、温度の上限として
はＣＢｒ4 が分解してステンレス等の腐食が激しくなる
１１０℃以下とする必要がある。また、配管６の温度
は、原料の配管内壁の再付着を防止するためにボトル４
よりも高い温度とするのが望ましい。
【００２３】図３はホール濃度と成長温度との関係を示
したものである。成長温度が５１８度では６．６×１０
19ｃｍ-3、５０６度では７．０×１０19ｃｍ-3、４９８
度では７．２×１０19ｃｍ-3である。すなわち、成長温
度を２０度下げても、ホール濃度は約１０％増加するに
過ぎない。
したものである。成長温度が５１８度では６．６×１０
19ｃｍ-3、５０６度では７．０×１０19ｃｍ-3、４９８
度では７．２×１０19ｃｍ-3である。すなわち、成長温
度を２０度下げても、ホール濃度は約１０％増加するに
過ぎない。
【００２４】このように、ホール濃度の成長温度依存性
が少ないということは、すなわちＣＢｒ4 の分解が基板
９上だけでなく加熱部においても効果的に生じているこ
とを意味している。
が少ないということは、すなわちＣＢｒ4 の分解が基板
９上だけでなく加熱部においても効果的に生じているこ
とを意味している。
【００２５】上述のように、本方法によれば、最適成長
温度である５２０度付近でＩｎＧａＡｓを成長できるた
め、結晶性の劣化がない。また、他の文献（R. A. Hamm
etal. １４８巻（１９９５年）ページ３６２〜３７
０）と比較してみると、供給量を同じとした場合、成長
温度５００℃において本実施例では約２．５倍のホール
濃度が得られている。つまり、ＣＢｒ4 に比べＣＢｒx
の分解効率が高いことがわかる。
温度である５２０度付近でＩｎＧａＡｓを成長できるた
め、結晶性の劣化がない。また、他の文献（R. A. Hamm
etal. １４８巻（１９９５年）ページ３６２〜３７
０）と比較してみると、供給量を同じとした場合、成長
温度５００℃において本実施例では約２．５倍のホール
濃度が得られている。つまり、ＣＢｒ4 に比べＣＢｒx
の分解効率が高いことがわかる。
【００２６】
【実施例２】この実施例２でも薄膜成長法にはＭＯＭＢ
Ｅを用いた。原料１〜３としてはトリメチルインジウ
ム、トリエチルガリウム、それにアルシンとフォスフィ
ンをそれぞれ使用して、ＩｎＧａＡｓＰ膜を作製した。
ＣＢｒ4 を一部分解するため、ＣＢｒ4 を装填したボト
ル４を約４０度に、配管６を６０度に加熱した。膜成長
温度は５２０度とした。その結果、１．５μｍ組成のＩ
ｎＧａＡｓＰにおいてホール濃度１．５×１０19ｃｍ-3
が得られた。
Ｅを用いた。原料１〜３としてはトリメチルインジウ
ム、トリエチルガリウム、それにアルシンとフォスフィ
ンをそれぞれ使用して、ＩｎＧａＡｓＰ膜を作製した。
ＣＢｒ4 を一部分解するため、ＣＢｒ4 を装填したボト
ル４を約４０度に、配管６を６０度に加熱した。膜成長
温度は５２０度とした。その結果、１．５μｍ組成のＩ
ｎＧａＡｓＰにおいてホール濃度１．５×１０19ｃｍ-3
が得られた。
【００２７】なお、上記実施例において、ＩｎＰ基板に
格子整合するＩｎＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓＰの結果
を述べたが、本発明をＧａＡｓにも適用できることは言
うまでもない。
格子整合するＩｎＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓＰの結果
を述べたが、本発明をＧａＡｓにも適用できることは言
うまでもない。
【００２８】また、ガスドーパントは一般的に融点が低
いので、他のガスドーパントを用いる場合でも同様に本
方法のように供給前に一部を分解しておけば、本実施例
のようにドーピング効率を高めることができる。
いので、他のガスドーパントを用いる場合でも同様に本
方法のように供給前に一部を分解しておけば、本実施例
のようにドーピング効率を高めることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体の薄膜成長において、ドーパントとし
てＣＢｒ4 を用い、その一部を低分子に分解して基板へ
供給するようにしたため、高濃度のｐ型化合物半導体の
薄膜を形成することができ、かつ高い成長温度にて薄膜
を成長させることができるため、薄膜の結晶性の劣化を
抑え高品質の薄膜を得ることができる利点がある。
Ｖ族化合物半導体の薄膜成長において、ドーパントとし
てＣＢｒ4 を用い、その一部を低分子に分解して基板へ
供給するようにしたため、高濃度のｐ型化合物半導体の
薄膜を形成することができ、かつ高い成長温度にて薄膜
を成長させることができるため、薄膜の結晶性の劣化を
抑え高品質の薄膜を得ることができる利点がある。
【００３０】最近、電子素子ばかりでなく光素子にもノ
ンアロイオーミックコンタクトとして高濃度ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓの需要が高まりつつある。従来、光素子にはＭＯ
ＣＶＤではＺｎ、ＭＢＥやＣＢＥではＢｅがドーパント
として使用されてきたが、濃度の最大限界は２×１０19
ｃｍ-3であった。光素子では高品質の光学特性が要求さ
れる。本発明は高温で成長するため、高品質の光学特性
を有する薄膜が作製でき、光素子にも適用できる。
ンアロイオーミックコンタクトとして高濃度ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓの需要が高まりつつある。従来、光素子にはＭＯ
ＣＶＤではＺｎ、ＭＢＥやＣＢＥではＢｅがドーパント
として使用されてきたが、濃度の最大限界は２×１０19
ｃｍ-3であった。光素子では高品質の光学特性が要求さ
れる。本発明は高温で成長するため、高品質の光学特性
を有する薄膜が作製でき、光素子にも適用できる。
【図１】本発明に用いられる薄膜成長装置の模式図を示
す。
す。
【図２】ＣＢｒ4 の供給量とＩｎＧａＡｓのホール濃度
の関係を示す。
の関係を示す。
【図３】ホール濃度と成長温度の関係を示す。
１ トリメチルインジウム ２ トリエチルガリウム ３ アルシン ４ ボトル ５ 加熱器 ６ 配管 ７ 圧力制御コントローラー ８ 真空容器 ９ 基板
Claims (5)
- 【請求項１】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の薄膜成長に
おいて、構成元素の原料のドーパントとして４臭素化炭
素（ＣＢｒ4 ）を用い、その一部を予めＣＢｒx （ｘ≦
３）の低分子に分解して基板（９）へ供給し、高濃度の
ｐ型化合物半導体の薄膜を形成することを特徴としたｐ
型化合物半導体薄膜成長法。 - 【請求項２】 請求項１記載のｐ型化合物半導体薄膜成
長法において、ＣＢｒ4 の一部を分解する手段は熱分解
であり、かつその温度は４０℃乃至１１０℃の範囲であ
るｐ型化合物半導体薄膜成長法。 - 【請求項３】 請求項１記載のｐ型化合物半導体薄膜成
長法において、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体がＩｎＧａＡ
ｓおよびＩｎＧａＡｓＰであることを特徴とするｐ型化
合物半導体薄膜成長法。 - 【請求項４】 請求項１記載のｐ型化合物半導体薄膜成
長法において、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体がＧａＡｓで
あることを特徴とするｐ型化合物半導体薄膜成長法。 - 【請求項５】 請求項１記載のｐ型化合物半導体薄膜成
長法において、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の膜成長が有
機金属分子線エピタキシ法（ＭＯＭＢＥ）であることを
特徴とするｐ型化合物半導体薄膜成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22746597A JPH1154528A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | ｐ型化合物半導体薄膜成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22746597A JPH1154528A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | ｐ型化合物半導体薄膜成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154528A true JPH1154528A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16861310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22746597A Pending JPH1154528A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | ｐ型化合物半導体薄膜成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154528A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105355545A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-02-24 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 提高p型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法、薄膜的制备方法及其应用 |
| WO2022190352A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-08-07 JP JP22746597A patent/JPH1154528A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105355545A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-02-24 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 提高p型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法、薄膜的制备方法及其应用 |
| WO2022190352A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置 |
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