JPH04280897A - 化合物半導体の気相成長法 - Google Patents
化合物半導体の気相成長法Info
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、有機金属気相成長法
によりＧａＡｓ等の化合物半導体基板上へＡｌＧａＡｓ
混晶を形成する気相成長法に関するもので、特に高抵抗
のＡｌＧａＡｓ混晶成長する方法に関するものである。
によりＧａＡｓ等の化合物半導体基板上へＡｌＧａＡｓ
混晶を形成する気相成長法に関するもので、特に高抵抗
のＡｌＧａＡｓ混晶成長する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＡｓ混晶材料は、高移動度電子
デバイス（ＨＥＭＴ）やダブルヘテロレーザなどへの幅
広い応用分野において不可欠の材料になっている。Ａｌ
ＧａＡｓ混晶材料では、デバイスの性能を左右する点で
、特に結晶の純度の指標であるキャリア濃度の制御が重
要となる。
デバイス（ＨＥＭＴ）やダブルヘテロレーザなどへの幅
広い応用分野において不可欠の材料になっている。Ａｌ
ＧａＡｓ混晶材料では、デバイスの性能を左右する点で
、特に結晶の純度の指標であるキャリア濃度の制御が重
要となる。
【０００３】ＡｌＧａＡｓ混晶のエピタキシャル層を作
製する方法としては、有機金属気相成長法、分子線エピ
タキシー法、液相成長法などがある。近年、実用化へ向
けて量産性、均一性において優位な特徴を有する有機金
属気相成長法が着目されている。有機金属気相成長法で
ＡｌＧａＡｓ混晶をエピタキシャル成長する場合、一般
にＧａ、Ａｌ原料にはトリメチルガリウム〔Ｇａ（ＣＨ
３）３：以下ＴＭＧと記す〕，トリメチルアルミニウム
〔Ａｌ（ＣＨ３）３：以下ＴＭＡと記す〕を、Ａｓ原料
にはアルシン（ＡｓＨ３）を用いて基板上に輸送し、熱
分解によりエピタキシャル層を成長させる。
製する方法としては、有機金属気相成長法、分子線エピ
タキシー法、液相成長法などがある。近年、実用化へ向
けて量産性、均一性において優位な特徴を有する有機金
属気相成長法が着目されている。有機金属気相成長法で
ＡｌＧａＡｓ混晶をエピタキシャル成長する場合、一般
にＧａ、Ａｌ原料にはトリメチルガリウム〔Ｇａ（ＣＨ
３）３：以下ＴＭＧと記す〕，トリメチルアルミニウム
〔Ａｌ（ＣＨ３）３：以下ＴＭＡと記す〕を、Ａｓ原料
にはアルシン（ＡｓＨ３）を用いて基板上に輸送し、熱
分解によりエピタキシャル層を成長させる。
【０００４】上記の方法で高抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶エ
ピタキシャル層を成長する場合、次のような方法が知ら
れていた。 （１）Ｖ族原料（アルシン）とＩＩＩ族原料（ＴＭＧ、
ＴＭＡ）のモル比（以下、これをＶ／ＩＩＩ比と記す）
を制御する。例えば、Ｋ．ＴＡＭＡＲＵＲＡらがＡｐｐ
ｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ ５０ （１
９８７） １１４９で報告しているように、低Ｖ／ＩＩ
Ｉ比側で成長するとＡｌＧａＡｓはｐ型伝導性を示し、
高Ｖ／ＩＩＩ比側で成長するとｎ型伝導性を示す。図２
にその性質の１例を示す。この図からはＶ／ＩＩＩ比＝
１００程度において成長すれば、高抵抗のＡｌＧａＡｓ
が得られることがわかる。ただし成長装置の構造等によ
りこのＶ／ＩＩＩ比の範囲は異なることがある。 （２）ＡｌＧａＡｓ混晶に酸素を添加する。（例えば、
特開平２−２８３１４号公報の第２図に記載。）
ピタキシャル層を成長する場合、次のような方法が知ら
れていた。 （１）Ｖ族原料（アルシン）とＩＩＩ族原料（ＴＭＧ、
ＴＭＡ）のモル比（以下、これをＶ／ＩＩＩ比と記す）
を制御する。例えば、Ｋ．ＴＡＭＡＲＵＲＡらがＡｐｐ
ｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ ５０ （１
９８７） １１４９で報告しているように、低Ｖ／ＩＩ
Ｉ比側で成長するとＡｌＧａＡｓはｐ型伝導性を示し、
高Ｖ／ＩＩＩ比側で成長するとｎ型伝導性を示す。図２
にその性質の１例を示す。この図からはＶ／ＩＩＩ比＝
１００程度において成長すれば、高抵抗のＡｌＧａＡｓ
が得られることがわかる。ただし成長装置の構造等によ
りこのＶ／ＩＩＩ比の範囲は異なることがある。 （２）ＡｌＧａＡｓ混晶に酸素を添加する。（例えば、
特開平２−２８３１４号公報の第２図に記載。）
【００
０５】しかし、上記の（１）の方法を用いた場合、図２
から明らかなようにＶ／ＩＩＩ比の変化に対して、キャ
リア濃度が急峻に変化するために所望の高抵抗のＡｌＧ
ａＡｓ混晶を再現性良く得ることが極めて難しかった。 また、ＩＩＩ族原料に比べて多量のＶ族原料（ＡｓＨ３
）を供給する必要があり、材料の無駄および成長炉下流
部への余剰原料の堆積などの問題を生じていた。 （２）の方法では、デバイスの作製上必要とされる例え
ば１０７Ω・ｃｍ以上の高い比抵抗を得るには、成長時
に２ｐｐｍ以上の酸素の添加を必要とした。このような
高い濃度の酸素を添加すると、成長したＡｌＧａＡｓ混
晶中に微小な結晶欠陥が多発し、特性の良いデバイスが
得られ難いという問題があった。
０５】しかし、上記の（１）の方法を用いた場合、図２
から明らかなようにＶ／ＩＩＩ比の変化に対して、キャ
リア濃度が急峻に変化するために所望の高抵抗のＡｌＧ
ａＡｓ混晶を再現性良く得ることが極めて難しかった。 また、ＩＩＩ族原料に比べて多量のＶ族原料（ＡｓＨ３
）を供給する必要があり、材料の無駄および成長炉下流
部への余剰原料の堆積などの問題を生じていた。 （２）の方法では、デバイスの作製上必要とされる例え
ば１０７Ω・ｃｍ以上の高い比抵抗を得るには、成長時
に２ｐｐｍ以上の酸素の添加を必要とした。このような
高い濃度の酸素を添加すると、成長したＡｌＧａＡｓ混
晶中に微小な結晶欠陥が多発し、特性の良いデバイスが
得られ難いという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、有機金属
気相成長法によりＡｌＧａＡｓ混晶を化合物半導体基板
上へ成長する気相成長法において、微量の酸素を添加す
ることによって、高抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶を再現性良
く成長する方法を提供することである。
気相成長法によりＡｌＧａＡｓ混晶を化合物半導体基板
上へ成長する気相成長法において、微量の酸素を添加す
ることによって、高抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶を再現性良
く成長する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、ＡｌとＧａ
とのそれぞれの有機化合物とＡｓＨ３とを原料とする有
機金属気相成長法によりＡｌＧａＡｓ混晶を基板上へ成
長する気相成長法において、キャリアガス中にモル分率
として１０ｐｐｂ〜５００ｐｐｂの範囲の酸素を添加す
ることにより、高抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャ
ル層を得ることを特徴とする化合物半導体の気相成長法
である。また意図的には酸素を添加しないで成長したＡ
ｌＧａＡｓ混晶のｐ型キャリア濃度がｐ＝１×１０１５
ｃｍ−３以上でかつｐ＝１×１０１８ｃｍ−３以下であ
る場合に、キャリアガス中にモル分率として１０ｐｐｂ
〜５００ｐｐｂの範囲の酸素を添加することにより、高
抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層を得ることを
特徴とする化合物半導体の気相成長法である。
とのそれぞれの有機化合物とＡｓＨ３とを原料とする有
機金属気相成長法によりＡｌＧａＡｓ混晶を基板上へ成
長する気相成長法において、キャリアガス中にモル分率
として１０ｐｐｂ〜５００ｐｐｂの範囲の酸素を添加す
ることにより、高抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャ
ル層を得ることを特徴とする化合物半導体の気相成長法
である。また意図的には酸素を添加しないで成長したＡ
ｌＧａＡｓ混晶のｐ型キャリア濃度がｐ＝１×１０１５
ｃｍ−３以上でかつｐ＝１×１０１８ｃｍ−３以下であ
る場合に、キャリアガス中にモル分率として１０ｐｐｂ
〜５００ｐｐｂの範囲の酸素を添加することにより、高
抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層を得ることを
特徴とする化合物半導体の気相成長法である。
【０００８】
【作用】有機金属気相成長法によりＡｌＧａＡｓ混晶エ
ピタキシャル層を形成する上で、気相中に全ガス流量に
対して１０ｐｐｂ〜５００ｐｐｂの範囲の極微量の酸素
を添加することにより高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキ
シャル層を得ることができる。気相中に添加された酸素
は、ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層の中にドープさ
れて深いドナー準位を形成する。この深いドナー準位が
ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層の中に残留するカー
ボン（Ｃ）に起因する浅いアクセプタ準位を電気的に補
償し、ＡｌＧａＡｓ混晶を高抵抗化するのである。
ピタキシャル層を形成する上で、気相中に全ガス流量に
対して１０ｐｐｂ〜５００ｐｐｂの範囲の極微量の酸素
を添加することにより高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキ
シャル層を得ることができる。気相中に添加された酸素
は、ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層の中にドープさ
れて深いドナー準位を形成する。この深いドナー準位が
ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層の中に残留するカー
ボン（Ｃ）に起因する浅いアクセプタ準位を電気的に補
償し、ＡｌＧａＡｓ混晶を高抵抗化するのである。
【０００９】このことは、従来ＡｌＧａＡｓ混晶中の酸
素不純物の挙動に関し説明されていた事とはことなり、
新たな知見である。本発明者はＡｌＧａＡｓ混晶中にド
ープされた酸素は、ある条件においては深いドナー準位
を形成することを見いだした。すなわち、特定の条件に
おいてＡｌＧａＡｓ混晶中に酸素をドープすると、酸素
はドナーとして働き、カーボンのような浅いアクセプタ
準位を電気的に補償して、高抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶が
得られる。
素不純物の挙動に関し説明されていた事とはことなり、
新たな知見である。本発明者はＡｌＧａＡｓ混晶中にド
ープされた酸素は、ある条件においては深いドナー準位
を形成することを見いだした。すなわち、特定の条件に
おいてＡｌＧａＡｓ混晶中に酸素をドープすると、酸素
はドナーとして働き、カーボンのような浅いアクセプタ
準位を電気的に補償して、高抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶が
得られる。
【００１０】この発明の気相成長法では、装置内部に存
在する酸素ガスおよび酸素を含有する残留ガスの分圧の
合計が１×１０−５Ｐａ以下であるような有機金属気相
成長装置を用いる。このような気相成長装置を用いて、
意図的には不純物を添加しないＡｌＧａＡｓ混晶を成長
すると、その残留不純物濃度はｐ＝１×１０１５ｃｍ−
３ないしｐ＝１×１０１６ｃｍ−３程度の低い値になる
。本発明者は、この気相成長装置によりＡｌＧａＡｓ混
晶を成長する際に、キャリアガス中に全ガス流量に対す
るモル分率として１０ｐｐｂ〜５００ｐｐｂの範囲の酸
素を添加すると、ＡｌＧａＡｓ混晶が高抵抗化すること
を見いだした。この発明の気相成長法では上記のように
残留不純物濃度が低いために、極微量の酸素の添加によ
って高抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶を再現性良く成長するこ
とができるのである。
在する酸素ガスおよび酸素を含有する残留ガスの分圧の
合計が１×１０−５Ｐａ以下であるような有機金属気相
成長装置を用いる。このような気相成長装置を用いて、
意図的には不純物を添加しないＡｌＧａＡｓ混晶を成長
すると、その残留不純物濃度はｐ＝１×１０１５ｃｍ−
３ないしｐ＝１×１０１６ｃｍ−３程度の低い値になる
。本発明者は、この気相成長装置によりＡｌＧａＡｓ混
晶を成長する際に、キャリアガス中に全ガス流量に対す
るモル分率として１０ｐｐｂ〜５００ｐｐｂの範囲の酸
素を添加すると、ＡｌＧａＡｓ混晶が高抵抗化すること
を見いだした。この発明の気相成長法では上記のように
残留不純物濃度が低いために、極微量の酸素の添加によ
って高抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶を再現性良く成長するこ
とができるのである。
【００１１】
【実施例】装置内部に存在する酸素ガスおよび酸素を含
有する残留ガスの分圧の合計が１×１０−５Ｐａ以下で
あるような有機金属気相成長装置を用いて、まずアンド
ープＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層の特性を確認す
るための成長を行なった。ＩＩＩ族の原料にはＴＭＧ、
ＴＭＡを、Ｖ族の原料にはアルシンを使用した。ＴＭＧ
原料は恒温槽中０℃に保持し、水素キャリアガス１０Ｓ
ＣＣＭで成長室へ輸送した。ＴＭＡ原料は恒温槽中に２
０℃に保持し、水素キャリアガス２０ＳＣＣＭで成長室
へ輸送した。アルシン原料は水素ベース１０％希釈のシ
リンダーを使用し、流量を３００ＳＣＣＭとした。全ガ
ス流量は２ＳＬＭとした。成長圧力は２．７×１０３Ｐ
ａ、成長温度７００℃のもとでＡｌ組成約２０％のＡｌ
ＧａＡｓ混晶エピタキシャル層を半絶縁性ＧａＡｓ基板
上へ形成した。
有する残留ガスの分圧の合計が１×１０−５Ｐａ以下で
あるような有機金属気相成長装置を用いて、まずアンド
ープＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層の特性を確認す
るための成長を行なった。ＩＩＩ族の原料にはＴＭＧ、
ＴＭＡを、Ｖ族の原料にはアルシンを使用した。ＴＭＧ
原料は恒温槽中０℃に保持し、水素キャリアガス１０Ｓ
ＣＣＭで成長室へ輸送した。ＴＭＡ原料は恒温槽中に２
０℃に保持し、水素キャリアガス２０ＳＣＣＭで成長室
へ輸送した。アルシン原料は水素ベース１０％希釈のシ
リンダーを使用し、流量を３００ＳＣＣＭとした。全ガ
ス流量は２ＳＬＭとした。成長圧力は２．７×１０３Ｐ
ａ、成長温度７００℃のもとでＡｌ組成約２０％のＡｌ
ＧａＡｓ混晶エピタキシャル層を半絶縁性ＧａＡｓ基板
上へ形成した。
【００１２】このアンドープＡｌＧａＡｓ混晶エピタキ
シャル層を約５μｍ成長し、ホール測定にてエピタキシ
ャル層の電気的特性を評価したところ、ｐ型伝導性を示
し、そのキャリア濃度はｐ＝２×１０１６ｃｍ−３であ
り、比抵抗はρ＝２Ω・ｃｍであった。Ａｌ組成が異な
ると、アンドープのキャリア濃度は異なる。Ａｌ組成が
２８％の場合、６．６×１０１６ｃｍ−３程度、Ａｌ組
成が３０％以上では５×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１
８ｃｍ−３であった。
シャル層を約５μｍ成長し、ホール測定にてエピタキシ
ャル層の電気的特性を評価したところ、ｐ型伝導性を示
し、そのキャリア濃度はｐ＝２×１０１６ｃｍ−３であ
り、比抵抗はρ＝２Ω・ｃｍであった。Ａｌ組成が異な
ると、アンドープのキャリア濃度は異なる。Ａｌ組成が
２８％の場合、６．６×１０１６ｃｍ−３程度、Ａｌ組
成が３０％以上では５×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１
８ｃｍ−３であった。
【００１３】アンドープＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャ
ル層がｐ型伝導性を示すことを確認した上で、極微量の
酸素ガスを成長時に添加しキャリア濃度の変化を調べた
。酸素は、ヘリウムで希釈されたシリンダーを使用した
。希釈用のガスはヘリウムに限らず窒素、アルゴン等他
の不活性ガスでもよい。全ガス流量に対する酸素の濃度
を５ｐｐｂから１０００ｐｐｂ（１ｐｐｍ）の範囲とし
た。このようにして、各酸素添加量で、厚み約５μｍに
成長したＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層の特性を、
リーク電流の測定により評価した。
ル層がｐ型伝導性を示すことを確認した上で、極微量の
酸素ガスを成長時に添加しキャリア濃度の変化を調べた
。酸素は、ヘリウムで希釈されたシリンダーを使用した
。希釈用のガスはヘリウムに限らず窒素、アルゴン等他
の不活性ガスでもよい。全ガス流量に対する酸素の濃度
を５ｐｐｂから１０００ｐｐｂ（１ｐｐｍ）の範囲とし
た。このようにして、各酸素添加量で、厚み約５μｍに
成長したＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層の特性を、
リーク電流の測定により評価した。
【００１４】酸素添加量とＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシ
ャル層のリーク電流との関係をプロットしたものを図１
に示す。図から明らかなように、気相中への酸素無添加
の場合、リーク電流はＩ〜５×１０−６Ａ（アンペア）
であったものが、気相中へ酸素を添加するにつれてリー
ク電流がオーダー的に減少していくことがわかる。添加
量が２０ｐｐｂ以上では、リーク電流はＩ＝１×１０−
９Ａ以下となり、測定系の電流検出限界以下になること
がわかる。十分に高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶になっている
ことを示している。
ャル層のリーク電流との関係をプロットしたものを図１
に示す。図から明らかなように、気相中への酸素無添加
の場合、リーク電流はＩ〜５×１０−６Ａ（アンペア）
であったものが、気相中へ酸素を添加するにつれてリー
ク電流がオーダー的に減少していくことがわかる。添加
量が２０ｐｐｂ以上では、リーク電流はＩ＝１×１０−
９Ａ以下となり、測定系の電流検出限界以下になること
がわかる。十分に高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶になっている
ことを示している。
【００１５】このように、アンドープ層でｐ型伝導性を
示すＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャルに極微量の酸素を
ドープすることによって、高抵抗層を得ることが可能で
あることが示された。本実施例ではアンドープのキャリ
ア濃度がｐ＝２×１０１６ｃｍ−３であったが、ｐ型キ
ャリア濃度としては１×１０１８ｃｍ−３以下の場合、
本発明を適用できる。出発点となるアンドープＡｌＧａ
Ａｓ混晶のキャリア濃度レベルに応じて、高抵抗化する
ための気相中への酸素添加量の最適値は異なる。
示すＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャルに極微量の酸素を
ドープすることによって、高抵抗層を得ることが可能で
あることが示された。本実施例ではアンドープのキャリ
ア濃度がｐ＝２×１０１６ｃｍ−３であったが、ｐ型キ
ャリア濃度としては１×１０１８ｃｍ−３以下の場合、
本発明を適用できる。出発点となるアンドープＡｌＧａ
Ａｓ混晶のキャリア濃度レベルに応じて、高抵抗化する
ための気相中への酸素添加量の最適値は異なる。
【００１６】すなわち、アンドープＡｌＧａＡｓ混晶の
キャリア濃度が１×１０１６ｃｍ−３付近である場合は
、１０ｐｐｂ以上の酸素を添加すると高抵抗化したが、
４×１０１７ｃｍ−３程度の場合は、３０〜２８０ｐｐ
ｂの酸素を添加すると高抵抗化した。アンドープＡｌＧ
ａＡｓ混晶のキャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上
の場合、５００ｐｐｂの酸素を添加すると、高抵抗化す
る。
キャリア濃度が１×１０１６ｃｍ−３付近である場合は
、１０ｐｐｂ以上の酸素を添加すると高抵抗化したが、
４×１０１７ｃｍ−３程度の場合は、３０〜２８０ｐｐ
ｂの酸素を添加すると高抵抗化した。アンドープＡｌＧ
ａＡｓ混晶のキャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上
の場合、５００ｐｐｂの酸素を添加すると、高抵抗化す
る。
【００１７】なお、アンドープ層でＶ／ＩＩＩ比の制御
のみで高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層を得よ
うとし場合、アルシン流量は３ＳＬＭ以上の流量を必要
とする事がわかった。これは、本発明を採用しない場合
と比べるとアルシン原料を１０倍以上必要とすることに
なり、本発明の有用性がアルシン原料の消費量からも実
証された。
のみで高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層を得よ
うとし場合、アルシン流量は３ＳＬＭ以上の流量を必要
とする事がわかった。これは、本発明を採用しない場合
と比べるとアルシン原料を１０倍以上必要とすることに
なり、本発明の有用性がアルシン原料の消費量からも実
証された。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層中に、成長中に
気相中へ極微量の酸素を添加することによって、酸素を
ドープすることにより酸素が深いドナー準位を形成し、
ｐ型伝導性を司る浅いアクセプタ準位を電気的に補償し
、高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層を容易に作
製できる。高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層を
得るために、従来方法では高いＶ／ＩＩＩ比条件を必要
していたのに対して、本発明では低いＶ／ＩＩＩ比で達
成可能であり効果的である。
ｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層中に、成長中に
気相中へ極微量の酸素を添加することによって、酸素を
ドープすることにより酸素が深いドナー準位を形成し、
ｐ型伝導性を司る浅いアクセプタ準位を電気的に補償し
、高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層を容易に作
製できる。高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層を
得るために、従来方法では高いＶ／ＩＩＩ比条件を必要
していたのに対して、本発明では低いＶ／ＩＩＩ比で達
成可能であり効果的である。
【図１】本発明の方法により成長したＡｌＧａＡｓ混晶
の、酸素添加量とリーク電流の関係を示すグラフである
。
の、酸素添加量とリーク電流の関係を示すグラフである
。
【図２】ＡｌＧａＡｓ混晶のキャリア濃度と、Ｖ／ＩＩ
Ｉ比の関係を示すグラフである。
Ｉ比の関係を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】ＡｌとＧａとのそれぞれの有機化合物とＡ
ｓＨ３とを原料とする有機金属気相成長法によりＡｌＧ
ａＡｓ混晶を基板上へ成長する気相成長法において、キ
ャリアガス中にモル分率として１０ｐｐｂ〜５００ｐｐ
ｂの範囲の酸素を添加することにより、高抵抗のＡｌＧ
ａＡｓ混晶エピタキシャル層を得ることを特徴とする化
合物半導体の気相成長法。 - 【請求項２】意図的には酸素を添加しないで成長したＡ
ｌＧａＡｓ混晶のｐ型キャリア濃度がｐ＝１×１０１５
ｃｍ−３以上でかつｐ＝１×１０１８ｃｍ−３以下であ
る場合に、キャリアガス中にモル分率として１０ｐｐｂ
〜５００ｐｐｂの範囲の酸素を添加することにより、高
抵抗のＡｌＧａＡｓ混晶エピタキシャル層を得ることを
特徴とする請求項１記載の化合物半導体の気相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3044846A JP2725462B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 化合物半導体の気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3044846A JP2725462B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 化合物半導体の気相成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280897A true JPH04280897A (ja) | 1992-10-06 |
| JP2725462B2 JP2725462B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=12702845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3044846A Expired - Fee Related JP2725462B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 化合物半導体の気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2725462B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199568A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-09-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板の製造方法および半導体基板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01115191A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Nec Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-11 JP JP3044846A patent/JP2725462B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01115191A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Nec Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199568A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-09-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板の製造方法および半導体基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2725462B2 (ja) | 1998-03-11 |
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