JPH0335377B2 - - Google Patents
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- JPH0335377B2 JPH0335377B2 JP13108286A JP13108286A JPH0335377B2 JP H0335377 B2 JPH0335377 B2 JP H0335377B2 JP 13108286 A JP13108286 A JP 13108286A JP 13108286 A JP13108286 A JP 13108286A JP H0335377 B2 JPH0335377 B2 JP H0335377B2
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- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 20
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 3
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005261 decarburization Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、超低鉄損一方向性けい素鋼板に関
し、とくに一方向性けい素鋼板の電気・磁気的特
性の改善中でも鉄損の有利な低減を図つたもので
ある。
し、とくに一方向性けい素鋼板の電気・磁気的特
性の改善中でも鉄損の有利な低減を図つたもので
ある。
一方向性けい素鋼板は、主として変圧器その他
の電気機機の鉄心として使用され、電気・磁気的
特性として製品の磁束密度(B10値で代表され
る)が高く、鉄損(W17/50値で代表される)が低
いことが要求される。特に最近では省エネルギー
の見地から電力損失の低減を至上とする要請が著
しく強まり、欧米では損失の少ない変圧器を作る
場合に鉄損の減少分を金額に換算して変圧器価格
に上積みする「ロス・エバーリユーシヨン」(鉄
損評価)制度が普及している。
の電気機機の鉄心として使用され、電気・磁気的
特性として製品の磁束密度(B10値で代表され
る)が高く、鉄損(W17/50値で代表される)が低
いことが要求される。特に最近では省エネルギー
の見地から電力損失の低減を至上とする要請が著
しく強まり、欧米では損失の少ない変圧器を作る
場合に鉄損の減少分を金額に換算して変圧器価格
に上積みする「ロス・エバーリユーシヨン」(鉄
損評価)制度が普及している。
(従来の技術)
このような状況下において最近、一方向性けい
素鋼板の仕上げ焼鈍後の鋼板表面に、圧延方向に
ほぼ直角方向でのレーザー照射により局部微小ひ
ずみを導入して磁区を細分化し、もつて鉄損を低
下させる方法が提案された(特公昭57−2252号、
特公昭57−53419号、特公昭58−26405号及び特公
昭58−26406号各公報参照)。
素鋼板の仕上げ焼鈍後の鋼板表面に、圧延方向に
ほぼ直角方向でのレーザー照射により局部微小ひ
ずみを導入して磁区を細分化し、もつて鉄損を低
下させる方法が提案された(特公昭57−2252号、
特公昭57−53419号、特公昭58−26405号及び特公
昭58−26406号各公報参照)。
この磁区細分化技術はひずみ取り焼鈍を施さな
い、積鉄心向けトランス材料としては効果的であ
るが、ひずみ取り焼鈍を施す、主として巻鉄心ト
ランス材料にあつては、レーザー照射によつて折
角導入された局部微小ひずみが焼鈍処理により解
放されて磁区幅が広くなるため、レーザー効果が
失われるという欠点があつた。
い、積鉄心向けトランス材料としては効果的であ
るが、ひずみ取り焼鈍を施す、主として巻鉄心ト
ランス材料にあつては、レーザー照射によつて折
角導入された局部微小ひずみが焼鈍処理により解
放されて磁区幅が広くなるため、レーザー効果が
失われるという欠点があつた。
一方これより先に特公昭52−2499号公報におい
ては、一方向性けい素鋼板の仕上げ焼鈍の鋼板表
面を鏡面仕上げするか、又はその鏡面仕上げ面上
に金属薄めつきやさらにはその上に絶縁被膜を塗
布焼付けすることによる超低鉄損一方向性けい素
鋼板の製造方法が提案されている。
ては、一方向性けい素鋼板の仕上げ焼鈍の鋼板表
面を鏡面仕上げするか、又はその鏡面仕上げ面上
に金属薄めつきやさらにはその上に絶縁被膜を塗
布焼付けすることによる超低鉄損一方向性けい素
鋼板の製造方法が提案されている。
しかしながらこの鏡面仕上げによる鉄損低減法
は、鏡面仕上げ後に不可欠な絶縁被膜を塗布焼付
した後の密着性に問題があるため、現在の製造工
程において採用されるまでに至つてはいない。
は、鏡面仕上げ後に不可欠な絶縁被膜を塗布焼付
した後の密着性に問題があるため、現在の製造工
程において採用されるまでに至つてはいない。
(発明が解決しようとする問題点)
この発明は、仕上げ焼鈍後、鏡面状態に仕上げ
た一方向性けい素鋼板の表面に、PVD、CVDさ
らにはイオンプレーテイング法などのドライプレ
ーテイングによつてTiN被膜を被成する際、該
TiN被膜の結晶配向性を制御することによつて
鉄損の効果的な低減を可能ならしめた鉄損特性に
優れる一方向性けい素鋼板を提案することを目的
とする。
た一方向性けい素鋼板の表面に、PVD、CVDさ
らにはイオンプレーテイング法などのドライプレ
ーテイングによつてTiN被膜を被成する際、該
TiN被膜の結晶配向性を制御することによつて
鉄損の効果的な低減を可能ならしめた鉄損特性に
優れる一方向性けい素鋼板を提案することを目的
とする。
(問題点を解決するための手段)
すなわちこの発明は、中心線平均粗さRaで
0.4μm以下に仕上げた鏡面仕上げ表面上に、ドラ
イプレーテイングによつて被成したTiN被膜を
そなえる一方向性けい素鋼板であつて、該TiN
被膜が、(200)および/または(111)面にのみ
結晶配向性を有することから成る超低鉄損一方向
性けい素鋼板である。
0.4μm以下に仕上げた鏡面仕上げ表面上に、ドラ
イプレーテイングによつて被成したTiN被膜を
そなえる一方向性けい素鋼板であつて、該TiN
被膜が、(200)および/または(111)面にのみ
結晶配向性を有することから成る超低鉄損一方向
性けい素鋼板である。
まずこの発明の解明経緯について説明する。
けい素鋼板の鉄損は、一般にヒステリシス損と
渦電流損とに分けられる。
渦電流損とに分けられる。
ところで窒化チタン(TiN)のような表面被
膜を形成した場合に、この被膜形成によつてけい
素鋼には張力が働き、それによつて渦電流損が減
少するが、同時にTiN被膜形成によつて、鏡面
状態に比べてヒステリシス損が増加することが判
明した。
膜を形成した場合に、この被膜形成によつてけい
素鋼には張力が働き、それによつて渦電流損が減
少するが、同時にTiN被膜形成によつて、鏡面
状態に比べてヒステリシス損が増加することが判
明した。
したがつてその張力が有効に働き、かつ被膜形
成に伴うヒステリシス損の劣化が極力抑えられる
ようなTiN被膜の形成が要請されるようになつ
たのである。
成に伴うヒステリシス損の劣化が極力抑えられる
ようなTiN被膜の形成が要請されるようになつ
たのである。
そこで発明者らは、上記の観点に立つて種々の
実験並びに考察を重ねた結果、コーテイングされ
たTiNの結晶配向性がけい素鋼の磁気特性に強
い影響を与えることの知見を得た。
実験並びに考察を重ねた結果、コーテイングされ
たTiNの結晶配向性がけい素鋼の磁気特性に強
い影響を与えることの知見を得た。
すなわち表面に被成したTiN被膜が、(200)
および/または(111)面にのみ結晶配向性を有
し、上記結晶面以外の面については結晶配置向性
をもたない状態とすることによつて、方向性けい
素鋼板の磁気特性が著しく向上することが究明さ
れたのである。
および/または(111)面にのみ結晶配向性を有
し、上記結晶面以外の面については結晶配置向性
をもたない状態とすることによつて、方向性けい
素鋼板の磁気特性が著しく向上することが究明さ
れたのである。
以下この発明を由来するに至つた実験結果につ
いて説明する。
いて説明する。
まずドライプレーテイング法として高周波励起
イオンプレーテイングを用いて、鏡面状態に仕上
げた一方向性けい素鋼板の表面に1.0μm厚のTiN
被膜を施した。
イオンプレーテイングを用いて、鏡面状態に仕上
げた一方向性けい素鋼板の表面に1.0μm厚のTiN
被膜を施した。
第1図に、上記のイオンプレーテイング処理に
おいて、バイアス電圧Vb=1.0kV、高周波出力
Pf=600Wと一定とし、反応時における窒素ガス
圧力PN2を0.75〜3.25×10-4torrの範囲にわたつて
種々に変化させた場合における、反応時窒素ガス
圧力PN2と鉄損W17/50との関係について調べた結
果を示す。
おいて、バイアス電圧Vb=1.0kV、高周波出力
Pf=600Wと一定とし、反応時における窒素ガス
圧力PN2を0.75〜3.25×10-4torrの範囲にわたつて
種々に変化させた場合における、反応時窒素ガス
圧力PN2と鉄損W17/50との関係について調べた結
果を示す。
なお第1図には、X線回折により、TiN被膜
の結晶配向性について調べた結果も併せて示し
た。
の結晶配向性について調べた結果も併せて示し
た。
同図より明らかなように、反応時における窒素
ガス圧力PN2が1〜2×10-4torrの範囲において
W17/50<0.70W/Kgという優れた鉄損特性が得ら
れた。そしてこの条件下に被成されたTiN被膜
は(200)および(111)面の結晶配向性しか存在
していなかつた。
ガス圧力PN2が1〜2×10-4torrの範囲において
W17/50<0.70W/Kgという優れた鉄損特性が得ら
れた。そしてこの条件下に被成されたTiN被膜
は(200)および(111)面の結晶配向性しか存在
していなかつた。
この点PN2が上記の範囲をはずれた条件の下で
得られた被膜の結晶配向性は、(220)および
(111)面のほか(220)や(311)面を含み、しか
もW17/50>0.80W/Kgと鉄損の低減効果は小さか
つた。
得られた被膜の結晶配向性は、(220)および
(111)面のほか(220)や(311)面を含み、しか
もW17/50>0.80W/Kgと鉄損の低減効果は小さか
つた。
次に第2図に、同じく高周波イオンプレーテイ
ング法によつてTiNの表面被膜を被成した場合
における、鉄損特性の高周波出力Pf依存性につ
いて調べた結果を示す。なおこの実験において、
バイアス電圧Vbは1.0kV、また反応時窒素ガス
圧力PN2は1.6×10-4torrと一定値に設定した。
ング法によつてTiNの表面被膜を被成した場合
における、鉄損特性の高周波出力Pf依存性につ
いて調べた結果を示す。なおこの実験において、
バイアス電圧Vbは1.0kV、また反応時窒素ガス
圧力PN2は1.6×10-4torrと一定値に設定した。
同図より明らかなように、高周波出力Pfが
400W以上のときに鉄損特性の著しい向上が実現
され、W17/50<0.70W/Kgに達した。なおかかる
良好な鉄損値をもたらしたTiN被膜では、やは
り(200)および(111)面にしか結晶配向性は認
められず、他の異なつた面についても結晶配向性
が認められたものは、W17/50>0.80W/Kgと鉄損
値はあまり低減しなかつた。
400W以上のときに鉄損特性の著しい向上が実現
され、W17/50<0.70W/Kgに達した。なおかかる
良好な鉄損値をもたらしたTiN被膜では、やは
り(200)および(111)面にしか結晶配向性は認
められず、他の異なつた面についても結晶配向性
が認められたものは、W17/50>0.80W/Kgと鉄損
値はあまり低減しなかつた。
さらに第3図には、プラズマCVD法によつて
一方向性けい素鋼板の鏡面仕上げ表面上に、
TiN被膜を被成した場合における、高周波出力
Pfと鉄損特性および被膜の結晶配向性との関係
について調べた結果を示す。なお上記の実験にお
いては、基板温度:500℃、ベーパソース:
TiCl4、雰囲気ガス組成H2:NH3=1:1、ガス
流速:2c.c./minに設定した。
一方向性けい素鋼板の鏡面仕上げ表面上に、
TiN被膜を被成した場合における、高周波出力
Pfと鉄損特性および被膜の結晶配向性との関係
について調べた結果を示す。なお上記の実験にお
いては、基板温度:500℃、ベーパソース:
TiCl4、雰囲気ガス組成H2:NH3=1:1、ガス
流速:2c.c./minに設定した。
同図より明らかなように、高周波出力Pfが
600W以上においてW17/50<0.70W/Kgの優れた鉄
損特性が得られた。そしてこのときのTiN被膜
では、(200)および/または(111)面しか結晶
配向性を示さなかつた。
600W以上においてW17/50<0.70W/Kgの優れた鉄
損特性が得られた。そしてこのときのTiN被膜
では、(200)および/または(111)面しか結晶
配向性を示さなかつた。
以上第1〜3図に示した実験結果から、表面に
TiN被膜を被成して方向性けい素鋼板の鉄損特
性を向上させるためには、TiN被膜が(200)お
よび/または(111)面しか結晶配向性をもたな
いようにすることが肝要であることが突止められ
たのである。
TiN被膜を被成して方向性けい素鋼板の鉄損特
性を向上させるためには、TiN被膜が(200)お
よび/または(111)面しか結晶配向性をもたな
いようにすることが肝要であることが突止められ
たのである。
このように一方向性けい素鋼板の表面に被成す
るTiN被膜につき、その結晶配向性を特定の面
に限ることによつて製品板の鉄損特性が有利に改
善される理由は、母材けい素鋼板とTiN被膜と
の界面における結晶の整合性がより好適な状態に
なるためと推察される。
るTiN被膜につき、その結晶配向性を特定の面
に限ることによつて製品板の鉄損特性が有利に改
善される理由は、母材けい素鋼板とTiN被膜と
の界面における結晶の整合性がより好適な状態に
なるためと推察される。
(作用)
次にこの発明による、一方向性けい素鋼板の製
造工程について説明する。
造工程について説明する。
出発素材は従来公知の一方向性けい素鋼素材成
分、例えば C:0.01〜0.05%、Si:2.50〜4.0%、Mn:
0.01〜0.2%、Mo:0.003〜0.1%、Sb:0.005〜
0.2%、S又はSeの1種あるいは2種合計で、
0.005〜0.05%を含有する組成 C:0.01〜0.08%、Si:2.0〜4.0%、S:
0.005〜0.05%、N:0.001〜0.01%、Sol Al:
0.01〜0.06%、 Sn:0.01〜0.5%、Cu:0.01〜0.3%、Mn:0.01
〜0.2%を含有する組成 C:0.01〜0.06%、Si:2.0〜4.0%、S:
0.005〜0.05%、B:0.0003〜0.0004%、N:
0.001〜0.01%、Mn:0.01〜0.2%を含有する組
成 C:0.01〜0.06%、Si:2.0〜4.0%、Mn0.01
〜0.2%、 S又はSeの1種あるいは2種合計で0.005〜
0.05%を含有する組成 の如きにおいて適用可能である 次に熱延板は800〜1100℃の均一化焼鈍を経て
1回の冷間圧延で最終板厚とする1回冷延法か又
は、通常850℃から1050℃の中間焼鈍をはさんで
さらに冷延する2回冷延法にて、後者の場合最初
の圧下率は50%から80%程度、最終の圧下率は50
%から85%程度で0.15mmから0.35mm厚の最終冷延
板厚とする。
分、例えば C:0.01〜0.05%、Si:2.50〜4.0%、Mn:
0.01〜0.2%、Mo:0.003〜0.1%、Sb:0.005〜
0.2%、S又はSeの1種あるいは2種合計で、
0.005〜0.05%を含有する組成 C:0.01〜0.08%、Si:2.0〜4.0%、S:
0.005〜0.05%、N:0.001〜0.01%、Sol Al:
0.01〜0.06%、 Sn:0.01〜0.5%、Cu:0.01〜0.3%、Mn:0.01
〜0.2%を含有する組成 C:0.01〜0.06%、Si:2.0〜4.0%、S:
0.005〜0.05%、B:0.0003〜0.0004%、N:
0.001〜0.01%、Mn:0.01〜0.2%を含有する組
成 C:0.01〜0.06%、Si:2.0〜4.0%、Mn0.01
〜0.2%、 S又はSeの1種あるいは2種合計で0.005〜
0.05%を含有する組成 の如きにおいて適用可能である 次に熱延板は800〜1100℃の均一化焼鈍を経て
1回の冷間圧延で最終板厚とする1回冷延法か又
は、通常850℃から1050℃の中間焼鈍をはさんで
さらに冷延する2回冷延法にて、後者の場合最初
の圧下率は50%から80%程度、最終の圧下率は50
%から85%程度で0.15mmから0.35mm厚の最終冷延
板厚とする。
最終冷延を終わり製品板厚に仕上げた鋼板は、
表面脱脂後750℃から850℃の湿水素中で脱炭・1
次再結晶焼鈍処理を施す。
表面脱脂後750℃から850℃の湿水素中で脱炭・1
次再結晶焼鈍処理を施す。
その後鋼板表面に、Al2O3、ZrO2あるいは
TiO2、MgO等を主成分とする焼鈍分離剤を塗布
する。この発明の場合は、フオルステライトが形
成される場合であつても形成されない場合であつ
ても適用可能である。仕上げ焼鈍後のフオルステ
ライト被膜を形成させないためにはAl2O3等の不
活性焼鈍分離剤の含有率を高めることが必要であ
る。
TiO2、MgO等を主成分とする焼鈍分離剤を塗布
する。この発明の場合は、フオルステライトが形
成される場合であつても形成されない場合であつ
ても適用可能である。仕上げ焼鈍後のフオルステ
ライト被膜を形成させないためにはAl2O3等の不
活性焼鈍分離剤の含有率を高めることが必要であ
る。
その後2次再結晶焼鈍を行うが、この工程は
{110}〈001〉方位の2次再結晶粒を充分発達させ
るために施されるもので、通常箱焼鈍によつて直
ちに1000℃以上に昇温し、その温度に保持するこ
とによつて行われる。
{110}〈001〉方位の2次再結晶粒を充分発達させ
るために施されるもので、通常箱焼鈍によつて直
ちに1000℃以上に昇温し、その温度に保持するこ
とによつて行われる。
この場合{110}〈001〉方位に、高度に揃つた
2次再結晶粒組織を発達させるためには820℃か
ら900℃の低温で保定焼鈍する方が有利であり、
そのほか例えば0.5〜15℃/hの昇温速度の徐熱
焼鈍でもよい。
2次再結晶粒組織を発達させるためには820℃か
ら900℃の低温で保定焼鈍する方が有利であり、
そのほか例えば0.5〜15℃/hの昇温速度の徐熱
焼鈍でもよい。
2次再結晶焼鈍後の純化焼鈍は、乾水素中で
1100℃以上で1〜20時間焼鈍を行つて、鋼板の純
化を達成することが必要である。
1100℃以上で1〜20時間焼鈍を行つて、鋼板の純
化を達成することが必要である。
次にこの発明では、純化焼鈍後に鋼板表面の酸
化物被膜を硫酸、硝酸又は弗酸などの強酸により
除去する。またこの酸化物除去は機械研削により
行つてもよい。
化物被膜を硫酸、硝酸又は弗酸などの強酸により
除去する。またこの酸化物除去は機械研削により
行つてもよい。
この酸化物除去処理の後、化学研磨あるいは電
解研磨、あるいはバフ研磨による機械的研磨等従
来の手法により鋼板表面を鏡面状態つまり中心線
平均粗さRaで0.4μm以下に仕上げる ここにRaを0.4μm以下に限定したのは、Raが
0.4μmを超えると表面が粗いために、充分な鉄損
の低減が期待できないからである。
解研磨、あるいはバフ研磨による機械的研磨等従
来の手法により鋼板表面を鏡面状態つまり中心線
平均粗さRaで0.4μm以下に仕上げる ここにRaを0.4μm以下に限定したのは、Raが
0.4μmを超えると表面が粗いために、充分な鉄損
の低減が期待できないからである。
その後、ドライプレーテイング法によつて、鏡
面仕上げ表面にTiNの被覆を施すわけであるが、
このとき前述したように処理条件を適切に設定し
て、得られるTiN被膜が(200)および/または
(111)面についてのみ結晶配向性をもつように制
御することが肝要である。
面仕上げ表面にTiNの被覆を施すわけであるが、
このとき前述したように処理条件を適切に設定し
て、得られるTiN被膜が(200)および/または
(111)面についてのみ結晶配向性をもつように制
御することが肝要である。
かかるTiN被膜を被成したのち、これに重ね
て、コロイダルシリカとを主成分とする絶縁被膜
の塗布焼付を行うことが、100万KVAにも上る大
容量トランスの使途においてとくに必要であり、
この絶縁性塗布焼付層の形成の如きは、従来公知
の手法を用いて良い。
て、コロイダルシリカとを主成分とする絶縁被膜
の塗布焼付を行うことが、100万KVAにも上る大
容量トランスの使途においてとくに必要であり、
この絶縁性塗布焼付層の形成の如きは、従来公知
の手法を用いて良い。
上記のように処理されたけい素鋼板は平たん化
熱処理を行なうことができる。
熱処理を行なうことができる。
(実施例)
実施例 1
C:0.044%、Si:3.42%、Mn:0.068%、
Mo:0.025%、Se:0.024%およびSb:0.020%を
含有する組成になる熱延板を、900℃で3分間の
均一化焼鈍後、950℃の中間焼鈍をはさんで2回
の冷間圧延を行なつて0.23mm厚の最終冷延板とし
た。
Mo:0.025%、Se:0.024%およびSb:0.020%を
含有する組成になる熱延板を、900℃で3分間の
均一化焼鈍後、950℃の中間焼鈍をはさんで2回
の冷間圧延を行なつて0.23mm厚の最終冷延板とし
た。
その後820℃の湿水素中で脱炭焼鈍後、鋼板表
面にAl2O3(70%)、MgO(30%)を主成分とする
焼鈍分離剤を塗布した後、850℃で50時間の2次
再結晶焼鈍ついで乾水素中で1200℃、8時間の純
化焼鈍を行つた。
面にAl2O3(70%)、MgO(30%)を主成分とする
焼鈍分離剤を塗布した後、850℃で50時間の2次
再結晶焼鈍ついで乾水素中で1200℃、8時間の純
化焼鈍を行つた。
その後酸洗により酸化被膜を除去後、電解研磨
によつて中心線平均粗さRaで0.3μmの鏡面に仕
上げた。
によつて中心線平均粗さRaで0.3μmの鏡面に仕
上げた。
ついで電子ビーム蒸発・高周波励起イオンプレ
ーテイング法により、基板温度:300℃、高周波
出力P:600W、バイアス電圧Vb:1.0kVおよび
反応時N2ガス圧PN2:1.6×10-4torrの条件下に、
0.8μm厚のTiNを被成した。
ーテイング法により、基板温度:300℃、高周波
出力P:600W、バイアス電圧Vb:1.0kVおよび
反応時N2ガス圧PN2:1.6×10-4torrの条件下に、
0.8μm厚のTiNを被成した。
かくして得られたTiN被膜は、(200)および
(111)面にのみ結晶配向性を有していた。
(111)面にのみ結晶配向性を有していた。
またかかるTiN被膜付き一方向性けい素鋼板
の磁気特性は、 B10=1.92(T)、W17/50=0.68(W/Kg) と極めて良好であつた。
の磁気特性は、 B10=1.92(T)、W17/50=0.68(W/Kg) と極めて良好であつた。
実施例 2
C:0.063%、Si:3.36%、Mn:0.086%、Al:
0.024%、S:0.028%、N:0.0068%、Cu:0.1%
およびSn:0.05%を含有する組成になる熱延板
を、1150℃で3分間の均一化焼鈍後急冷処理を行
い、その後300℃の温間圧延を施して0.20mm厚の
最終冷延板とした。
0.024%、S:0.028%、N:0.0068%、Cu:0.1%
およびSn:0.05%を含有する組成になる熱延板
を、1150℃で3分間の均一化焼鈍後急冷処理を行
い、その後300℃の温間圧延を施して0.20mm厚の
最終冷延板とした。
その後850℃の湿水素中で脱炭焼鈍後、鋼板表
面にAl2O3(80%)、MgO(20%)を主成分とする
焼鈍分離剤を塗布した後、850℃から1150℃まで
8℃/hで昇温して2次再結晶させた後、乾水素
中で1200℃、8時間の純化焼鈍を行なつた。
面にAl2O3(80%)、MgO(20%)を主成分とする
焼鈍分離剤を塗布した後、850℃から1150℃まで
8℃/hで昇温して2次再結晶させた後、乾水素
中で1200℃、8時間の純化焼鈍を行なつた。
その後酸洗により酸化被膜を除去し、ついで化
学研磨によつて中心線平均粗さRaで0.2μmの鏡
面に仕上げた。
学研磨によつて中心線平均粗さRaで0.2μmの鏡
面に仕上げた。
ついで連続プラズマCVD法により、基板温
度:500℃、高周波出力Pf:600W、ガス組成
比:H2(TiCl4)/NH3=1、ガス流速:2c.c./
minの条件下に、TiNを1.0μm厚に被成した。得
られたTiN被膜は(200)面にのみ結晶配向性を
有していた。
度:500℃、高周波出力Pf:600W、ガス組成
比:H2(TiCl4)/NH3=1、ガス流速:2c.c./
minの条件下に、TiNを1.0μm厚に被成した。得
られたTiN被膜は(200)面にのみ結晶配向性を
有していた。
その後、りん酸塩とコロイダルシリカとを主成
分とする絶縁被膜を被覆した。
分とする絶縁被膜を被覆した。
かくして得られた製品板の磁気特性は、
B10=1.90(T)、W17/50=0.70(W/Kg)
と極めて良好であつた。
また密着性についても、15mmφの180°曲げを行
つてもはく離を生ぜず良好であつた。
つてもはく離を生ぜず良好であつた。
(発明の効果)
かくしてこの発明によれば、超低鉄損のみなら
ず、被膜密着性に富み、しかもたとえひずみ取り
焼鈍の如き高温処理を施した場合であつても特性
の劣化を伴うことがない一方向性けい素鋼板を得
ることができる。
ず、被膜密着性に富み、しかもたとえひずみ取り
焼鈍の如き高温処理を施した場合であつても特性
の劣化を伴うことがない一方向性けい素鋼板を得
ることができる。
第1図は、高周波励起イオンプレーテイング法
によつて一方向性けい素鋼板の表面にTiN被膜
を被成した場合における、製品板の鉄損W17/50と
反応時N2ガス圧PN2との関係を示したグラフ、第
2図は、同じく鉄損特性に及ぼす高周波出力Pf
の影響を示したグラフ、第3図は、プラズマ
CVD法によつて一方向性けい素鋼板の表面に
TiN被膜を被成した場合における、製品板の鉄
損W17/50と高周波出力Pfとの関係を示したグラフ
である。
によつて一方向性けい素鋼板の表面にTiN被膜
を被成した場合における、製品板の鉄損W17/50と
反応時N2ガス圧PN2との関係を示したグラフ、第
2図は、同じく鉄損特性に及ぼす高周波出力Pf
の影響を示したグラフ、第3図は、プラズマ
CVD法によつて一方向性けい素鋼板の表面に
TiN被膜を被成した場合における、製品板の鉄
損W17/50と高周波出力Pfとの関係を示したグラフ
である。
Claims (1)
- 1 中心線平均粗さRaで0.4μm以下に仕上げた
鏡面仕上げ表面上に、ドライプレーテイングによ
つて被成したTiN被膜をそなえる一方向性けい
素鋼板であつて、該TiN被膜が、(200)およ
び/または(111)面にのみ結晶配向性を有する
ことを特徴とする超低鉄損一方向性けい素鋼板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13108286A JPS62290844A (ja) | 1986-06-07 | 1986-06-07 | 超低鉄損一方向性けい素鋼板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13108286A JPS62290844A (ja) | 1986-06-07 | 1986-06-07 | 超低鉄損一方向性けい素鋼板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62290844A JPS62290844A (ja) | 1987-12-17 |
JPH0335377B2 true JPH0335377B2 (ja) | 1991-05-28 |
Family
ID=15049568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13108286A Granted JPS62290844A (ja) | 1986-06-07 | 1986-06-07 | 超低鉄損一方向性けい素鋼板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62290844A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2592740B2 (ja) * | 1992-01-27 | 1997-03-19 | 新日本製鐵株式会社 | 超低鉄損一方向性電磁鋼板およびその製造方法 |
KR102218446B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2021-02-22 | 주식회사 포스코 | 초저철손 방향성 전기강판 제조방법 |
KR20190078059A (ko) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 주식회사 포스코 | 초저철손 방향성 전기강판 제조방법 |
-
1986
- 1986-06-07 JP JP13108286A patent/JPS62290844A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62290844A (ja) | 1987-12-17 |
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