JPH03290983A - Ｌｅｄ表示素子の製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄ表示素子の製造方法Info
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- JPH03290983A JPH03290983A JP2091730A JP9173090A JPH03290983A JP H03290983 A JPH03290983 A JP H03290983A JP 2091730 A JP2091730 A JP 2091730A JP 9173090 A JP9173090 A JP 9173090A JP H03290983 A JPH03290983 A JP H03290983A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガラス製品（眼鏡、窓ガラス、ビューファイ
ンダーなど）に取付けるＬＥＤ表示素子の製造方法に関
するものである。
ンダーなど）に取付けるＬＥＤ表示素子の製造方法に関
するものである。
ガラス製品にＬＥＤ （発光ダイオード）表示素子を取
付ける場合には、ガラスの透明性を損なわないために、
基板に透明なガラス板を用いており、その−例を第２図
に示す。
付ける場合には、ガラスの透明性を損なわないために、
基板に透明なガラス板を用いており、その−例を第２図
に示す。
図中、２１はガラス基板、２２はこの基板２１上に所定
パターンとなるように形成したメタライズ膜、２３はこ
のメタライズ膜２２の所定箇所に装着したＬＥＤチップ
、２４はこのＬＥＤチップ２３と前記メタライズ膜２２
を接続するＡρワイヤー、２５は前記ＬＥＤチップ２３
とＡ（ワイヤー２４の部分を覆っているジャンクション
コーティング剤である。
パターンとなるように形成したメタライズ膜、２３はこ
のメタライズ膜２２の所定箇所に装着したＬＥＤチップ
、２４はこのＬＥＤチップ２３と前記メタライズ膜２２
を接続するＡρワイヤー、２５は前記ＬＥＤチップ２３
とＡ（ワイヤー２４の部分を覆っているジャンクション
コーティング剤である。
しかし、このような構造では、ＬＥＤチップ２３とメタ
ライズｗＡ２２の間の接続にＡｆＪワイヤー２４を用い
ているため、熱ストレスに弱く断線の恐れがある。また
、ジャンクションコーティング剤２５を平らなガラス基
板２１上に厚くコーティングすることが難しいので、耐
湿性に劣るといった欠点がある。
ライズｗＡ２２の間の接続にＡｆＪワイヤー２４を用い
ているため、熱ストレスに弱く断線の恐れがある。また
、ジャンクションコーティング剤２５を平らなガラス基
板２１上に厚くコーティングすることが難しいので、耐
湿性に劣るといった欠点がある。
本発明の目的は、熱ストレスに強く、かつ耐湿性に優れ
たＬＥＤ表示素子の製造方法を提供することにある。
たＬＥＤ表示素子の製造方法を提供することにある。
本発明は、ガラス基板上に所定パターンのメタライズ膜
を形成する工程と、ガラス基板のメタライズ股上に導電
性接着剤を塗布する工程と、導電性接着剤塗布面に一方
の電極面にＡｕバンプが形成されたＬＥＤチップをその
他方の電極面が接着側塗布面と接合するようにマウント
する工程と、前記ＬＥＤチップのＡＵバンプ上にＵＶ硬
化樹脂を塗布する工程と、メタライズ膜が形成された他
のガラス基板を前記ＬＥＤチップに載せ、加圧しながら
ＵＶ光を照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させた後、加圧状
態に保ちながら導電性接着剤を加熱硬化させる工程とを
含むことを特徴とするものである。
を形成する工程と、ガラス基板のメタライズ股上に導電
性接着剤を塗布する工程と、導電性接着剤塗布面に一方
の電極面にＡｕバンプが形成されたＬＥＤチップをその
他方の電極面が接着側塗布面と接合するようにマウント
する工程と、前記ＬＥＤチップのＡＵバンプ上にＵＶ硬
化樹脂を塗布する工程と、メタライズ膜が形成された他
のガラス基板を前記ＬＥＤチップに載せ、加圧しながら
ＵＶ光を照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させた後、加圧状
態に保ちながら導電性接着剤を加熱硬化させる工程とを
含むことを特徴とするものである。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第１図（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の一実施例を示すもので
、まず第１図（Ａ）のようにガラス基板１上に所定パタ
ーンのメタライズ膜２を形成する。
、まず第１図（Ａ）のようにガラス基板１上に所定パタ
ーンのメタライズ膜２を形成する。
メタライズ膜２には、ＩＴＯ，ＩＴＯ＋Ｎ＋ ・Ｐ。
■ＴＯ＋Ｎｉ −Ｐ十Ａｕなどを用いる。
次に、第１図（Ｂ）のように所定の位置に導電性接着剤
（Ａ＋Ｉｔペーストなど）３を塗布し、この塗布面上に
第１図（Ｃ）のようにＬＥＤチップ４をダイボンディン
グなどによりマウントする。この場合、ＬＥＤチップ４
の一方の電極面にはＡｌｌバンプ５を形成しておき、他
方の電極面が導電性接着剤３と接合するようにマウント
する。そして、第１図（Ｄ＞のようにＬＥＤチップ４の
周囲にスペーサー６を設置する。スペーサー６の寸法精
度は、ＬＥＤチップ４の厚みに対して＋０％、−２０％
とする。スペーサー６の周りには、デイスペンサーを用
いてエポキシ樹脂などのシール剤７を塗布し、１００℃
、 ３０ｍ１ｎ程度の熱処理を行う。
（Ａ＋Ｉｔペーストなど）３を塗布し、この塗布面上に
第１図（Ｃ）のようにＬＥＤチップ４をダイボンディン
グなどによりマウントする。この場合、ＬＥＤチップ４
の一方の電極面にはＡｌｌバンプ５を形成しておき、他
方の電極面が導電性接着剤３と接合するようにマウント
する。そして、第１図（Ｄ＞のようにＬＥＤチップ４の
周囲にスペーサー６を設置する。スペーサー６の寸法精
度は、ＬＥＤチップ４の厚みに対して＋０％、−２０％
とする。スペーサー６の周りには、デイスペンサーを用
いてエポキシ樹脂などのシール剤７を塗布し、１００℃
、 ３０ｍ１ｎ程度の熱処理を行う。
この後、第１図（Ｅ）のようにＬＥＤチップ４のＡｌｌ
バンプ５上にＵＶ硬化樹脂８を塗布し、その上にメタラ
イズ８２’が形成された他のガラス基板１′を前記ＬＥ
Ｄチップ４、スペーサー６などを挟むようにガラス基板
１に重ね、第１図（Ｆ）のように２枚のガラス基板１，
１′を上下から加圧しなからＵＶ光を照射してＵＶ硬化
樹脂８を硬化させる。この時、硬化収縮によりＡｕバン
プ５とメタライズＭ２’が密着する。続いて、加圧状態
のまま導電性接着剤３及びシール剤７を加熱硬化５せる
。加熱温度は２００℃、加熱時間は４ｈｒ程度とする。
バンプ５上にＵＶ硬化樹脂８を塗布し、その上にメタラ
イズ８２’が形成された他のガラス基板１′を前記ＬＥ
Ｄチップ４、スペーサー６などを挟むようにガラス基板
１に重ね、第１図（Ｆ）のように２枚のガラス基板１，
１′を上下から加圧しなからＵＶ光を照射してＵＶ硬化
樹脂８を硬化させる。この時、硬化収縮によりＡｕバン
プ５とメタライズＭ２’が密着する。続いて、加圧状態
のまま導電性接着剤３及びシール剤７を加熱硬化５せる
。加熱温度は２００℃、加熱時間は４ｈｒ程度とする。
上記各工程での処理が完了すると、ＬＥＤチップ４が一
対のガラス基板１．１′に電気的に直接接続されるよう
に挟持され、かつ封止状態となっているＬＥＤ表示素子
が得られる。
対のガラス基板１．１′に電気的に直接接続されるよう
に挟持され、かつ封止状態となっているＬＥＤ表示素子
が得られる。
なお、上記工程でＬＥＤチップのマウント工程とスペー
サーの設置・シール処理工程の順序を入替えてもよい。
サーの設置・シール処理工程の順序を入替えてもよい。
以上のように本発明によれば、ＬＥＤチップを２枚のガ
ラス基板で挟むとともに、ＵＶ硬化樹脂などによって封
止状態とするので、耐湿性に優れ、かつ熱ストレスに強
いＬＥＤ表示素子を得ることができる。しかも、ＵＶ硬
化樹脂を用いるため、光を効率よく取出すことができる
。
ラス基板で挟むとともに、ＵＶ硬化樹脂などによって封
止状態とするので、耐湿性に優れ、かつ熱ストレスに強
いＬＥＤ表示素子を得ることができる。しかも、ＵＶ硬
化樹脂を用いるため、光を効率よく取出すことができる
。
第１図（Ａ）〜（Ｆ）は本発明に係るＬＥＤ表示素子の
製造方法の一実施例を示す工程説明図、第２図はＬＥＤ
表示素子の従来の構造例を示す断面図である。 １及び１′・・・ガラス基板 ２及び２′・・・メタライズ膜
製造方法の一実施例を示す工程説明図、第２図はＬＥＤ
表示素子の従来の構造例を示す断面図である。 １及び１′・・・ガラス基板 ２及び２′・・・メタライズ膜
Claims (1)
- ガラス基板上に所定パターンのメタライズ膜を形成す
る工程と、ガラス基板のメタライズ膜上に導電性接着剤
を塗布する工程と、導電性接着剤塗布面に一方の電極面
にＡｕバンプが形成されたＬＥＤチップをその他方の電
極面が接着剤塗布面と接合するようにマウントする工程
と、前記ＬＥＤチップのＡｕバンプ上にＵＶ硬化樹脂を
塗布する工程と、メタライズ膜が形成された他のガラス
基板を前記ＬＥＤチップに載せ、加圧しながらＵＶ光を
照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させた後、加圧状態に保ち
ながら導電性接着剤を加熱硬化させる工程とを含むこと
を特徴とするＬＥＤ表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9173090A JPH081966B2 (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | Ｌｅｄ表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9173090A JPH081966B2 (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | Ｌｅｄ表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03290983A true JPH03290983A (ja) | 1991-12-20 |
| JPH081966B2 JPH081966B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=14034631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9173090A Expired - Lifetime JPH081966B2 (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | Ｌｅｄ表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081966B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996003776A1 (fr) * | 1994-07-21 | 1996-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteur emettant de la lumiere et procede de production de celui-ci |
| US5583350A (en) * | 1995-11-02 | 1996-12-10 | Motorola | Full color light emitting diode display assembly |
| US6136626A (en) * | 1994-06-09 | 2000-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP9173090A patent/JPH081966B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136626A (en) * | 1994-06-09 | 2000-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| WO1996003776A1 (fr) * | 1994-07-21 | 1996-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteur emettant de la lumiere et procede de production de celui-ci |
| US5751013A (en) * | 1994-07-21 | 1998-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US5895225A (en) * | 1994-07-21 | 1999-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US6133058A (en) * | 1994-07-21 | 2000-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fabrication of semiconductor light-emitting device |
| KR100290076B1 (ko) * | 1994-07-21 | 2001-06-01 | 모리시타 요이찌 | 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
| EP1473781A2 (en) * | 1994-07-21 | 2004-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| EP1473781A3 (en) * | 1994-07-21 | 2007-02-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US5583350A (en) * | 1995-11-02 | 1996-12-10 | Motorola | Full color light emitting diode display assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH081966B2 (ja) | 1996-01-10 |
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