JPH03288475A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03288475A JPH03288475A JP9125290A JP9125290A JPH03288475A JP H03288475 A JPH03288475 A JP H03288475A JP 9125290 A JP9125290 A JP 9125290A JP 9125290 A JP9125290 A JP 9125290A JP H03288475 A JPH03288475 A JP H03288475A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/785—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate having a channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
-
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子機器などに用いる半導体装置の製造方
法に関する。
法に関する。
この発明は、半導体装置の製造方法において、半導体を
エピ成長させて、直方体を形威し、酸化し、多結晶シリ
コンをパターニングし、拡散層を形成することにより、
半導体装置（ＭＯＳ）ランジスタ）の能力を向上させる
ようにしたものである。
エピ成長させて、直方体を形威し、酸化し、多結晶シリ
コンをパターニングし、拡散層を形成することにより、
半導体装置（ＭＯＳ）ランジスタ）の能力を向上させる
ようにしたものである。
従来、第４図に示すように、半導体基板１の上に熱酸化
膜５を形威し、その上に多結晶シリコン６をパターニン
グし、自己整合的に拡散層７を形成するようにした半導
体装置の製造方法が知られていた。
膜５を形威し、その上に多結晶シリコン６をパターニン
グし、自己整合的に拡散層７を形成するようにした半導
体装置の製造方法が知られていた。
しかし、従来の半導体装置の構造では、チャネル幅方向
が大きくとれないため、電流駆動能力が小さいという欠
点があった。
が大きくとれないため、電流駆動能力が小さいという欠
点があった。
そこで、この発明は従来のこのような欠点を解決するた
め、チャネル幅を大きくとれるようにして、電流駆動能
力を大きくとれる半導体装置の製造方法を得ることを目
的としている。
め、チャネル幅を大きくとれるようにして、電流駆動能
力を大きくとれる半導体装置の製造方法を得ることを目
的としている。
上記問題点を解決するために、この発明は、半導体基板
１に絶縁膜２を成膜し穴３をあけ、その穴３に半導体４
をエピ成長させ、この半導体４に酸化膜５を形成し、多
結晶シリコン６をパターンニングし、拡散層７を設けた
構成とし、半導体装置の電流駆動能力を大きくするよう
にした。
１に絶縁膜２を成膜し穴３をあけ、その穴３に半導体４
をエピ成長させ、この半導体４に酸化膜５を形成し、多
結晶シリコン６をパターンニングし、拡散層７を設けた
構成とし、半導体装置の電流駆動能力を大きくするよう
にした。
上記のように構成された半導体装置の製造方法にすると
、チャネル幅を大きくとれるため、電流駆動能力を大き
くすることができるのである。
、チャネル幅を大きくとれるため、電流駆動能力を大き
くすることができるのである。
以下に、この発明の実施例を、図面にもとづいて説明す
る。第１図において、半導体基板１の上に絶縁膜２を形
成し、絶縁膜２にエツチングにより穴３を形成する（第
１図（ａ））。エピ成長により穴３に半導体４を形成す
る（第１図（ｂ））。
る。第１図において、半導体基板１の上に絶縁膜２を形
成し、絶縁膜２にエツチングにより穴３を形成する（第
１図（ａ））。エピ成長により穴３に半導体４を形成す
る（第１図（ｂ））。
絶縁膜２を除去する（第１図（Ｃ））。半導体４を酸化
し、酸化膜５を形成する（第１図（ｄ））。
し、酸化膜５を形成する（第１図（ｄ））。
この半導体４をおおうように、多結晶シリコン６を形成
する（第１図（ｅ））。そして、第３図において、ホウ
素またはリン、またはヒ素を用いて拡散層７を形成する
。
する（第１図（ｅ））。そして、第３図において、ホウ
素またはリン、またはヒ素を用いて拡散層７を形成する
。
このような構造にした場合は、チャネル幅を大きくとれ
る他、容量を小さくすることができるため、電流駆動能
力を大きくとることができる。
る他、容量を小さくすることができるため、電流駆動能
力を大きくとることができる。
この発明は、以上説明したように、チャネル幅を大きく
し、容量を小さくしたことで、電流駆動能力を大きくす
る効果がある。
し、容量を小さくしたことで、電流駆動能力を大きくす
る効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は、この発明にかかる半導体装置
の製造方法の工程順横断面図、第２図は、この発明にか
かる半導体装置の製造方法の斜視図、第３図は、この発
明にかかる半導体装置の製造方法の縦断面図、第４図は
、従来の半導体装置の製造方法の横断面図である。 １・・・半導体基板 ２・・・絶縁膜 ・穴 ・半導体 ・酸化膜 ・多結晶シリコン ・拡散層 （ｃＬ） 以上
の製造方法の工程順横断面図、第２図は、この発明にか
かる半導体装置の製造方法の斜視図、第３図は、この発
明にかかる半導体装置の製造方法の縦断面図、第４図は
、従来の半導体装置の製造方法の横断面図である。 １・・・半導体基板 ２・・・絶縁膜 ・穴 ・半導体 ・酸化膜 ・多結晶シリコン ・拡散層 （ｃＬ） 以上
Claims (1)
- 半導体基板の上に絶縁膜を堆積し、前記絶縁膜に穴を
あける工程と、前記穴に半導体をエピ成長させる工程と
、前記絶縁膜を除去する工程と、前記半導体を酸化する
工程と、前記半導体の上に多結晶シリコンをパターニン
グする工程と、前記半導体にホウ素またはリン、または
ヒ素を拡散することで自己整合的に拡散層を形成する工
程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9125290A JPH03288475A (ja) | 1990-04-04 | 1990-04-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9125290A JPH03288475A (ja) | 1990-04-04 | 1990-04-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03288475A true JPH03288475A (ja) | 1991-12-18 |
Family
ID=14021234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9125290A Pending JPH03288475A (ja) | 1990-04-04 | 1990-04-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03288475A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7737506B2 (en) | 2002-01-28 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7749818B2 (en) | 2002-01-28 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7795734B2 (en) | 2002-01-28 | 2010-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-04-04 JP JP9125290A patent/JPH03288475A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7737506B2 (en) | 2002-01-28 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7749818B2 (en) | 2002-01-28 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7795734B2 (en) | 2002-01-28 | 2010-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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