JPH03282481A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH03282481A JPH03282481A JP8108990A JP8108990A JPH03282481A JP H03282481 A JPH03282481 A JP H03282481A JP 8108990 A JP8108990 A JP 8108990A JP 8108990 A JP8108990 A JP 8108990A JP H03282481 A JPH03282481 A JP H03282481A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真プロセスにおいて使用される電子写
真用感光体に関する。更に詳しく言えば、本発明は一般
式+I)で示されるスクェアリウム顔料を含有する電子
写真用感光体に関するものである。
真用感光体に関する。更に詳しく言えば、本発明は一般
式+I)で示されるスクェアリウム顔料を含有する電子
写真用感光体に関するものである。
従来、電子写真用感光体の材料として、無定型セレン、
硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機系感光材料や、アゾ
化合物、スクェアリウム顔料等に代表される有機系感光
材料が広(知られている。
硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機系感光材料や、アゾ
化合物、スクェアリウム顔料等に代表される有機系感光
材料が広(知られている。
無定型セレン等は電子写真用感光体の材料として優れた
特性を有し、実用化されていることは周知の通りである
。しかし、この電子写真用感光体は毒性を有するため廃
棄が困難であった。酸化亜鉛を樹脂中に分散させた電子
写真用感光体は機械的強度に難点があり、繰り返し使用
に耐えない。
特性を有し、実用化されていることは周知の通りである
。しかし、この電子写真用感光体は毒性を有するため廃
棄が困難であった。酸化亜鉛を樹脂中に分散させた電子
写真用感光体は機械的強度に難点があり、繰り返し使用
に耐えない。
有機系感光材料は破膜形成等の加工性に優れているもの
の電子写真用感光体として十分な感度を有するものは得
られていない。
の電子写真用感光体として十分な感度を有するものは得
られていない。
本発明の目的はこのような従来の課題を解決し、現在用
いられている電子写真プロセスすべてに使用可能な電子
写真用感光体であって、可視領域から近赤外領域の広波
長領域において十分な分光感度を有する電子写真用感光
体を提供することである。
いられている電子写真プロセスすべてに使用可能な電子
写真用感光体であって、可視領域から近赤外領域の広波
長領域において十分な分光感度を有する電子写真用感光
体を提供することである。
本発明に用いられるスクェアリウム顔料は一般式(I)
で示されるものである。
で示されるものである。
(但し、式中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R
7、R8、R9は水素原子、)曳ロゲン原子、置換もし
くは未置換の脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アミノ
基、アリール基、複素環基または水酸基を表す。) ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、よう素が挙
げられる。脂肪族炭化水素基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、タ
ーシャリ−ブチル基、5−メチルドデシル基、トリフル
オロメチル基、3−フェニルオクチル基、シクロプロピ
ル基、シクロペンチル基、ビニル基、1−プロペニル基
、インプロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基
、2−ペンテニル基、1−シクロへキセニル基、エチニ
ル基等が挙げられる。アルコキシ基としてはメトキシ基
、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブト
キシ基、ペンチルオキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げ
られる。アミノ基としてはメチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、プロヒルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ブチ
ルアミノ基、インブチルアミノ基、ターシャリ−ブチル
アミノ基、3−フェニルオクチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイ
ソプロピルアミノ基、エチルフェニルアミノ基、ジー3
−フェニルオクチルアミン基等が挙げられる。アリール
基としてはフェニル基、p−ジメチルアミノフェニル基
、p−エチルメチルアミノフェニル基、0−エチルフェ
ニル基、3.5−ジクロロフェニル基、3−メチルアゾ
−4−ジメチルアミノフェニル基、1−ナフチル基、1
−メチル−2−ナフチル基等があげられる。複素環基と
してはN−メチル−2−ピロリル基、1.5−ジメチル
−2−ピロリル基、2−チエニル基、2−セニル基、2
−フリル基、フルフリル基、2−ピリジル基、2−キノ
リル基、N−メチル−4−ピペリジル基、ピペリジノ基
等が挙げられる。
7、R8、R9は水素原子、)曳ロゲン原子、置換もし
くは未置換の脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アミノ
基、アリール基、複素環基または水酸基を表す。) ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、よう素が挙
げられる。脂肪族炭化水素基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、タ
ーシャリ−ブチル基、5−メチルドデシル基、トリフル
オロメチル基、3−フェニルオクチル基、シクロプロピ
ル基、シクロペンチル基、ビニル基、1−プロペニル基
、インプロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基
、2−ペンテニル基、1−シクロへキセニル基、エチニ
ル基等が挙げられる。アルコキシ基としてはメトキシ基
、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブト
キシ基、ペンチルオキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げ
られる。アミノ基としてはメチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、プロヒルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ブチ
ルアミノ基、インブチルアミノ基、ターシャリ−ブチル
アミノ基、3−フェニルオクチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイ
ソプロピルアミノ基、エチルフェニルアミノ基、ジー3
−フェニルオクチルアミン基等が挙げられる。アリール
基としてはフェニル基、p−ジメチルアミノフェニル基
、p−エチルメチルアミノフェニル基、0−エチルフェ
ニル基、3.5−ジクロロフェニル基、3−メチルアゾ
−4−ジメチルアミノフェニル基、1−ナフチル基、1
−メチル−2−ナフチル基等があげられる。複素環基と
してはN−メチル−2−ピロリル基、1.5−ジメチル
−2−ピロリル基、2−チエニル基、2−セニル基、2
−フリル基、フルフリル基、2−ピリジル基、2−キノ
リル基、N−メチル−4−ピペリジル基、ピペリジノ基
等が挙げられる。
このスクェアリウム顔料は下記構造式(社)で示される
3、4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン−1,2−ジ
オンと、下記−数式@)で示されるアゾ化合物を溶媒中
で反応させることにより得られる。溶媒としては脂肪族
アルコール、例えばメタノール、エタノール、プロパツ
ール、ブタノール、アミルアルコール等が挙げられる。
3、4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン−1,2−ジ
オンと、下記−数式@)で示されるアゾ化合物を溶媒中
で反応させることにより得られる。溶媒としては脂肪族
アルコール、例えばメタノール、エタノール、プロパツ
ール、ブタノール、アミルアルコール等が挙げられる。
(但し、式中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R
7、R8、R9は水素原子、ハロゲン原子、置換もしく
は未置換の脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アミノ基
、アリール基、複素環基または水酸基を表す。) 本発明の電子写真用感光体の断面図を第1図から第3図
に示す。
7、R8、R9は水素原子、ハロゲン原子、置換もしく
は未置換の脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アミノ基
、アリール基、複素環基または水酸基を表す。) 本発明の電子写真用感光体の断面図を第1図から第3図
に示す。
第1図は、導電性支持体101上に電荷発生層102を
形成し、その電荷発生層102上に電荷輸送層106を
形成した積層型電子写真用感光体の断面図である。第2
図は、導電性支持体101上に電荷輸送層106を形成
し、その電荷輸送層106上に電荷発生層102を形成
した積層型電子写真用感光体の断面図である。第1図お
よび第2図に示した積層型電子写真用感光体では、電荷
発生層102と電荷輸送層106とで感光層104をな
す。第3図は、導電性支持体101上に感光層104を
形成した単層型電子写真用感光体の断面図である。
形成し、その電荷発生層102上に電荷輸送層106を
形成した積層型電子写真用感光体の断面図である。第2
図は、導電性支持体101上に電荷輸送層106を形成
し、その電荷輸送層106上に電荷発生層102を形成
した積層型電子写真用感光体の断面図である。第1図お
よび第2図に示した積層型電子写真用感光体では、電荷
発生層102と電荷輸送層106とで感光層104をな
す。第3図は、導電性支持体101上に感光層104を
形成した単層型電子写真用感光体の断面図である。
電荷発生層102は、導電゛性支持体101上あるいは
電荷輸送層106上に設けられ、その膜厚は0.1μm
からl、Qμm、特にQ、34mから1.0μmが好ま
しい。電荷発生層102を形成するのには、−数式(I
)で示されるスクェアリウム顔料を単独で用いるか、あ
るいはこのスクェアリウム顔料をバインダ樹脂に分散さ
せたものを用いる。スクェアリウム顔料を単独で用いる
場合には、溶剤散布や真空蒸着により電荷発生層102
を形成する。スクェアリウム顔料をバインダ樹脂に分散
させたものを用いる場合、スクェアリウム顔料のノ々イ
ンダ樹脂に対する比は10重量%から90重量%、好ま
しくは25重量%から30重量%である。
電荷輸送層106上に設けられ、その膜厚は0.1μm
からl、Qμm、特にQ、34mから1.0μmが好ま
しい。電荷発生層102を形成するのには、−数式(I
)で示されるスクェアリウム顔料を単独で用いるか、あ
るいはこのスクェアリウム顔料をバインダ樹脂に分散さ
せたものを用いる。スクェアリウム顔料を単独で用いる
場合には、溶剤散布や真空蒸着により電荷発生層102
を形成する。スクェアリウム顔料をバインダ樹脂に分散
させたものを用いる場合、スクェアリウム顔料のノ々イ
ンダ樹脂に対する比は10重量%から90重量%、好ま
しくは25重量%から30重量%である。
この場合、スクェアリウム顔料をボールミルやペイント
コンディショナで十分に粉砕してノくインダ樹脂に分散
する。バインダ樹脂としては、例えばポリビニルカルバ
ゾール、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリビニルナ
フタレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン
等の光導電性ポリマやその他の電荷輸送能を有する有機
マトリックス材料などが使用できる。また、光導電性を
示さない絶縁性樹脂、例えばポリスチレン、ポリエステ
ル、ポリカーボネートやこれらの誘導体等も使用できる
。この際感光体の強度を向上させるため一般の高分子材
料と同様に可塑剤を用いることができる。可塑剤として
は、塩素化パラフィン、塩化ヒフェニル、フォスフェー
ト系可塑剤等を用いることができる。可塑剤はバインダ
樹脂に対して20重量%以下で感光体のもつ特性をそこ
なわない範囲で用いられる。スクェアリウム顔料をバイ
ンダ樹脂に分散させたものを用いる場合には、スプレ法
、バーコーダ法等の方法で電荷発生層102を形成する
。
コンディショナで十分に粉砕してノくインダ樹脂に分散
する。バインダ樹脂としては、例えばポリビニルカルバ
ゾール、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリビニルナ
フタレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン
等の光導電性ポリマやその他の電荷輸送能を有する有機
マトリックス材料などが使用できる。また、光導電性を
示さない絶縁性樹脂、例えばポリスチレン、ポリエステ
ル、ポリカーボネートやこれらの誘導体等も使用できる
。この際感光体の強度を向上させるため一般の高分子材
料と同様に可塑剤を用いることができる。可塑剤として
は、塩素化パラフィン、塩化ヒフェニル、フォスフェー
ト系可塑剤等を用いることができる。可塑剤はバインダ
樹脂に対して20重量%以下で感光体のもつ特性をそこ
なわない範囲で用いられる。スクェアリウム顔料をバイ
ンダ樹脂に分散させたものを用いる場合には、スプレ法
、バーコーダ法等の方法で電荷発生層102を形成する
。
導電性支持体101の材料としては例えばアルミニウム
、ニッケル、亜鉛、白金、金、ステンレス鋼、真鍮、鉄
、パラジウム等を用いることができる。
、ニッケル、亜鉛、白金、金、ステンレス鋼、真鍮、鉄
、パラジウム等を用いることができる。
電荷輸送層106は、電荷発生層102または導電性支
持体101上に設げられる。電荷輸送物質としては、カ
ルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、トリフェニルア
ミン、ヒドラゾン誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルアントラセン、ポリビニルアクリジン等が挙げられる
。これらの電荷輸送物質は単独あるいは2種類以上混合
して用いることもできる。電荷輸送層103に使用され
るバインダ樹脂としてはアクリル系樹脂、ポリスチレン
、ポリエステル、ボリアリレート、ポリサルフォン、ポ
リカーボネート等のポリマを用いることができる。この
際電荷輸送物質のバインダ樹脂に対する比は150重量
%以下である。
持体101上に設げられる。電荷輸送物質としては、カ
ルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、トリフェニルア
ミン、ヒドラゾン誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルアントラセン、ポリビニルアクリジン等が挙げられる
。これらの電荷輸送物質は単独あるいは2種類以上混合
して用いることもできる。電荷輸送層103に使用され
るバインダ樹脂としてはアクリル系樹脂、ポリスチレン
、ポリエステル、ボリアリレート、ポリサルフォン、ポ
リカーボネート等のポリマを用いることができる。この
際電荷輸送物質のバインダ樹脂に対する比は150重量
%以下である。
以下、実施例を基に本発明の電子写真用感光体について
更に詳しく説明する。
更に詳しく説明する。
実施例1
一般式@)でR1、R2、R3、R4、R5、R6、R
7、R8が水素原子、R9がメチル基で表されるアゾ化
合物1をl mm01と3,4−ジヒドロキシ−3−シ
クロブテン−1,2−ジオンQ、 5 mmol をベ
ンゼンIQ+++l、n−ブタノール20m1中で12
0°Cから125℃で15時間反応させ、反応中生成す
る水を共沸的に留去した。生成した沈澱物をろ取し、下
記構造式で示されるスクェアリウム顔料を収率31.5
%で得た。この生成物の元素分析の結果を表1に示すっ 実施例2〜25 アゾ化合物を変えたほかは実施例1と同様に反応を行い
、表2で示されるスクェアリウム顔料2〜25を合成し
た。
7、R8が水素原子、R9がメチル基で表されるアゾ化
合物1をl mm01と3,4−ジヒドロキシ−3−シ
クロブテン−1,2−ジオンQ、 5 mmol をベ
ンゼンIQ+++l、n−ブタノール20m1中で12
0°Cから125℃で15時間反応させ、反応中生成す
る水を共沸的に留去した。生成した沈澱物をろ取し、下
記構造式で示されるスクェアリウム顔料を収率31.5
%で得た。この生成物の元素分析の結果を表1に示すっ 実施例2〜25 アゾ化合物を変えたほかは実施例1と同様に反応を行い
、表2で示されるスクェアリウム顔料2〜25を合成し
た。
スクェアリウム顔料2〜
5の収率を表3に、
元素分析の結果を表4に示
す。
表
3
表
(その2)
表
(その1)
表
(その3)
実施例26
ポリエステル樹脂のシクロヘキサノン溶液5重量%、2
0m1に、実施例1で合成したスクェアリウム顔料をQ
、 4 f3 mm07j’加え、これをペイントコン
ディショナを用いて1時間粉砕しながら分散させた。次
にこれをアルミ基板上にアプリケータで塗布し、膜厚0
3μmから1.0μmの電荷発生層102を形成した。
0m1に、実施例1で合成したスクェアリウム顔料をQ
、 4 f3 mm07j’加え、これをペイントコン
ディショナを用いて1時間粉砕しながら分散させた。次
にこれをアルミ基板上にアプリケータで塗布し、膜厚0
3μmから1.0μmの電荷発生層102を形成した。
パラジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラ
ゾンをポリカーボネート樹脂に100tIL量%加え、
これを電荷発生層102上に塗布し、膜厚20μmの電
荷輸送層103を形成し、積層型電子写真用感光体を作
製した。
ゾンをポリカーボネート樹脂に100tIL量%加え、
これを電荷発生層102上に塗布し、膜厚20μmの電
荷輸送層103を形成し、積層型電子写真用感光体を作
製した。
この感光体にペーパーアナライザで−6kVのコロナ放
電を2秒間行い、その後暗所に2秒間放置し、そのとき
の表面電位Voを測定した。次にタングステン−ハロゲ
ンランプで照度57IuxO元を感光層104に照射し
、その表面電位が■。の1/2になるまでに要する時間
を測定し、半減露光量E1/2を求めた。その結果表面
電位V。は−650Vであり、半減露光量E1/2は3
,41ux・秒でありた。
電を2秒間行い、その後暗所に2秒間放置し、そのとき
の表面電位Voを測定した。次にタングステン−ハロゲ
ンランプで照度57IuxO元を感光層104に照射し
、その表面電位が■。の1/2になるまでに要する時間
を測定し、半減露光量E1/2を求めた。その結果表面
電位V。は−650Vであり、半減露光量E1/2は3
,41ux・秒でありた。
実施例27〜50
実施例2から25で合成したスクェアリウム顔料を用い
、実施例26と同様の方法で積層型電子写真用感光体を
作製し、その電気的特性を測定した。結果を表5に示す
。
、実施例26と同様の方法で積層型電子写真用感光体を
作製し、その電気的特性を測定した。結果を表5に示す
。
表 5 (その1)
表 5 (その2)
実施例51〜75
パラジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラ
ゾンをポリカーボネート樹脂に100重量%加え、これ
をアルミ基板上に塗布し、膜厚20μmの電荷輸送層を
形成した。
ゾンをポリカーボネート樹脂に100重量%加え、これ
をアルミ基板上に塗布し、膜厚20μmの電荷輸送層を
形成した。
ポリエステル樹脂のシクロヘキサノン溶液5重量%、2
0m1に、実施例1で合成したスクェアリウム顔料を0
.48 mmol加え、これをペイントコンディショナ
を用いて1時間粉砕しながら分散させた1次にこれを電
荷輸送層上にアプリケータで塗布し、膜厚0.3μmが
ら1.oltmの電荷発生層を形成し、積層型電子写真
用感光体を作製した。
0m1に、実施例1で合成したスクェアリウム顔料を0
.48 mmol加え、これをペイントコンディショナ
を用いて1時間粉砕しながら分散させた1次にこれを電
荷輸送層上にアプリケータで塗布し、膜厚0.3μmが
ら1.oltmの電荷発生層を形成し、積層型電子写真
用感光体を作製した。
次にこの感光体の電気的特性を実施例26 と同様にし
て測定した。結果を表6に示す。
て測定した。結果を表6に示す。
次に実施例2から25で合成したスクェアリウム顔料を
用い、実施例5工と同様の方法で積層型電子写真用感光
体を作製し、その電気的特性を測定した。結果な表6に
示す。
用い、実施例5工と同様の方法で積層型電子写真用感光
体を作製し、その電気的特性を測定した。結果な表6に
示す。
表 6
(その1)
表 6
(その2)
実施例76
実施例26で炸裂した感光体に波長450nm、550
、nm、650nm、750nm。
、nm、650nm、750nm。
85 Q nmの単色光を1μW/dで照射し、半減露
光量E1/2を求めたところ表7に示したような結果が
得られた。表7かられかるように本発明の電子写真用感
光体は、幅広い波長領域において十分な分光感度を有す
るものである。
光量E1/2を求めたところ表7に示したような結果が
得られた。表7かられかるように本発明の電子写真用感
光体は、幅広い波長領域において十分な分光感度を有す
るものである。
表 7
かつ可視領域から近赤外領域の広波長領域において十分
な分光感度を有する。
な分光感度を有する。
第1図ないし第3図は本発明の電子写真用感光体の断面
図である。 101・・・・・・導電性支持体、 102・・・・・・電荷発生層、 103・・・・・・電荷輸送層、 104・・・・・・感光層。 〔発明の効果〕
図である。 101・・・・・・導電性支持体、 102・・・・・・電荷発生層、 103・・・・・・電荷輸送層、 104・・・・・・感光層。 〔発明の効果〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式( I )で示されるスクエアリウム顔料を含有
することを特徴とする電子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・( I
) (但し、式中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R
7、R8、R9は水素原子、ハロゲン原子、置換もしく
は未置換の脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アミノ基
、アリール基、複素環基または水酸基を表す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8108990A JPH03282481A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8108990A JPH03282481A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03282481A true JPH03282481A (ja) | 1991-12-12 |
Family
ID=13736667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8108990A Pending JPH03282481A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03282481A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3381983A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Squarylium compounds and infrared cut films, infrared cut filters and electronic devices including the same |
JP2019001947A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 国立大学法人山形大学 | 近赤外吸収スクアリリウム誘導体、及びそれを含む有機電子デバイス |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8108990A patent/JPH03282481A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3381983A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Squarylium compounds and infrared cut films, infrared cut filters and electronic devices including the same |
US11261172B2 (en) | 2017-03-31 | 2022-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Squarylium compounds and infrared cut films, infrared cut filters and electronic devices including the same |
US11858911B2 (en) | 2017-03-31 | 2024-01-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Squarylium compounds and infrared cut films, infrared cut filters and electronic devices including the same |
JP2019001947A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 国立大学法人山形大学 | 近赤外吸収スクアリリウム誘導体、及びそれを含む有機電子デバイス |
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