JPH0416852A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH0416852A JPH0416852A JP11987890A JP11987890A JPH0416852A JP H0416852 A JPH0416852 A JP H0416852A JP 11987890 A JP11987890 A JP 11987890A JP 11987890 A JP11987890 A JP 11987890A JP H0416852 A JPH0416852 A JP H0416852A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真プロセスにおいて使用される電子写
真用感光体に関する。更に許しく言えば、本発明は一般
式(I)で示されるスクェアリウム顔料を含有する電子
写真用感光体に関するものである。
真用感光体に関する。更に許しく言えば、本発明は一般
式(I)で示されるスクェアリウム顔料を含有する電子
写真用感光体に関するものである。
従来、電子写真用感光体の材料として、無定型セレン、
硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機系感光材料や、アゾ
化合物、スクェアリウム顔料等に代表される有機系感光
材料が広く知られている。
硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機系感光材料や、アゾ
化合物、スクェアリウム顔料等に代表される有機系感光
材料が広く知られている。
無定型セレン等は電子写真用感光体の材料として優れた
特性を有し、実用化されていることば周仰の通りである
。しかし、この電子写真用感光体は毒性を有するため廃
棄が困難であった。酸化亜鉛を樹脂中に分散させた電子
写真用感光体は機械的強度に難点があり、繰り返し使用
に耐えない。
特性を有し、実用化されていることば周仰の通りである
。しかし、この電子写真用感光体は毒性を有するため廃
棄が困難であった。酸化亜鉛を樹脂中に分散させた電子
写真用感光体は機械的強度に難点があり、繰り返し使用
に耐えない。
有機系感光材料は被膜形成等の加工性に優れているもの
の、電子写真用感光体として十分な感度を有するものは
得られていない。
の、電子写真用感光体として十分な感度を有するものは
得られていない。
本発明の目的はこのような従来の課題を解決し、現在用
いられている電子写真プロセスすべてに使用可能な電子
写真用感光体であって、可視領域から近赤外領域の広波
長領域において十分な分光感度を有する電子写真用感光
体を提供することである。
いられている電子写真プロセスすべてに使用可能な電子
写真用感光体であって、可視領域から近赤外領域の広波
長領域において十分な分光感度を有する電子写真用感光
体を提供することである。
本発明に用いられるスクェアリウム顔料は一般式(I)
で示されるものである。
で示されるものである。
(但し、式中R1、R2、R3、R4、R5、R6は水
素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の脂肪族炭
化水素基、アルコキン基、アミン基、アリール基、複素
環基または水酸基を表し、R7は置換もしくは未置換の
脂肪族炭化水素基、アリール基、または複素環基を表し
、Zlは置換もしくは未置換の環式炭化水素残基、また
は複素環残基を表す。) R1,R2、R3、R4、R5、R6で表されるハロゲ
ン原子としてはフッ素、塩素、臭素、よう素が挙げられ
る。アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、インプロポキシ基、メトキシ基、ペンチル
オキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられる。アミノ基
としてはメチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルア
ミン基、イソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソ
フチルアミノ基、ターシャリ−ブチルアミノ基、3−フ
ェニルオクチルアミノ基、エチルフェニルアミノ基、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ
基、ジインプロピルアミノ基、ジー3−フェニルオクチ
ルアミノ基等が挙げられる。
素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の脂肪族炭
化水素基、アルコキン基、アミン基、アリール基、複素
環基または水酸基を表し、R7は置換もしくは未置換の
脂肪族炭化水素基、アリール基、または複素環基を表し
、Zlは置換もしくは未置換の環式炭化水素残基、また
は複素環残基を表す。) R1,R2、R3、R4、R5、R6で表されるハロゲ
ン原子としてはフッ素、塩素、臭素、よう素が挙げられ
る。アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、インプロポキシ基、メトキシ基、ペンチル
オキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられる。アミノ基
としてはメチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルア
ミン基、イソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソ
フチルアミノ基、ターシャリ−ブチルアミノ基、3−フ
ェニルオクチルアミノ基、エチルフェニルアミノ基、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ
基、ジインプロピルアミノ基、ジー3−フェニルオクチ
ルアミノ基等が挙げられる。
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7で表される
脂肪族炭化水素基としてはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、ターシャリ−
ブチル基、5−メチルドデシル基、トリフルオロメチル
基、3−フェニルオクチル基、シクロプロピル基、シク
ロペンチル基、ビニル基、1−プロペニル基、インプロ
ペニル基、1−フf=ル基、2−ブテニル基、2−ペン
テニルi、1−7クロヘキセニル基、エチニル基等カ挙
げられる。アリール基としてはフェニル基、p−ジメチ
ルアミノフェニル基、p−エチルメチルアミノフェニル
基、3−メチルアゾ−4−ジメチルアミノフェニル基、
0−エチルフェニル基、3.5−ジクロロフェニル基、
1−ナフチル基、l−メチル−2−ナフチル基等が挙げ
られる。複素環基としてはN−メチル−2−ピロリル基
、1.5−ジメチル−2−ピロリル基、2−チエニル基
、2−セニル基、2−フリル基、フルフリル基、2−ピ
リジル基、2−キノリル基、N−メチル−4−ピペリジ
ル基、ピペリジノ基等が挙げられる。Zl、Z2で表さ
れる環式炭化水素残基としては表1に示したもの等が挙
げられる。複素環残基としては表2に示したもの等が挙
げられる。
脂肪族炭化水素基としてはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、ターシャリ−
ブチル基、5−メチルドデシル基、トリフルオロメチル
基、3−フェニルオクチル基、シクロプロピル基、シク
ロペンチル基、ビニル基、1−プロペニル基、インプロ
ペニル基、1−フf=ル基、2−ブテニル基、2−ペン
テニルi、1−7クロヘキセニル基、エチニル基等カ挙
げられる。アリール基としてはフェニル基、p−ジメチ
ルアミノフェニル基、p−エチルメチルアミノフェニル
基、3−メチルアゾ−4−ジメチルアミノフェニル基、
0−エチルフェニル基、3.5−ジクロロフェニル基、
1−ナフチル基、l−メチル−2−ナフチル基等が挙げ
られる。複素環基としてはN−メチル−2−ピロリル基
、1.5−ジメチル−2−ピロリル基、2−チエニル基
、2−セニル基、2−フリル基、フルフリル基、2−ピ
リジル基、2−キノリル基、N−メチル−4−ピペリジ
ル基、ピペリジノ基等が挙げられる。Zl、Z2で表さ
れる環式炭化水素残基としては表1に示したもの等が挙
げられる。複素環残基としては表2に示したもの等が挙
げられる。
表 1
(その1)
表
(その2
表
(その4)
表
(その5
表
(その1
表
(その3)
表
(その2
表
(その4)
表
(その5)
表
(その7
表
(その6)
表
(その8
二のスクェアリウム顔料は下記構造式旺で示される3、
4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン1.2−ジオンと
、下記一般弐@)で示されるアゾ化合物を溶媒中で反応
させることにより得られる。溶媒としては脂肪族アルコ
ール、例えばメタノール、エタノール、フロノ(ノール
、フタノール、アミルアルコール等が挙げられる。
4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン1.2−ジオンと
、下記一般弐@)で示されるアゾ化合物を溶媒中で反応
させることにより得られる。溶媒としては脂肪族アルコ
ール、例えばメタノール、エタノール、フロノ(ノール
、フタノール、アミルアルコール等が挙げられる。
(但し、式中R1,R2、R3、R4、R5、R6は水
素原子、〕・ロゲン原子、置換もしくは未置換の脂肪族
炭化“水素基、アルコキシ基、アミン基、アリール基、
複素環基または水酸基を表し、R7は置換もしくは未置
換の脂肪族炭化水素基、アリール基、または複素環基を
表し、Zlは置換もしくは未置換の環式炭化水素残基、
または複素環残基を表す。) 本発明の電子写真用感光体の断面図を第1図から第3図
に示す。
素原子、〕・ロゲン原子、置換もしくは未置換の脂肪族
炭化“水素基、アルコキシ基、アミン基、アリール基、
複素環基または水酸基を表し、R7は置換もしくは未置
換の脂肪族炭化水素基、アリール基、または複素環基を
表し、Zlは置換もしくは未置換の環式炭化水素残基、
または複素環残基を表す。) 本発明の電子写真用感光体の断面図を第1図から第3図
に示す。
第10は、導電性支持体101上に電荷発生層102を
形成し、その電荷発生層102上に電荷輸送層103を
形成した積層型電子写真用感光体の断面図である。第2
図は、導電性支持体101上に電荷輸送層103を形成
し、その電荷輸送層106上に電荷発生層102を形成
した積層型電子写真用感光体の断面図である。第1図お
よび第2図に示した積層型電子写真用感光体では、電荷
発生層102と電荷輸送層103とで感光層104をな
す。第3図は、導電性支持体101上に感光層104を
形成した単層型電子写真用感光体の断面図である。
形成し、その電荷発生層102上に電荷輸送層103を
形成した積層型電子写真用感光体の断面図である。第2
図は、導電性支持体101上に電荷輸送層103を形成
し、その電荷輸送層106上に電荷発生層102を形成
した積層型電子写真用感光体の断面図である。第1図お
よび第2図に示した積層型電子写真用感光体では、電荷
発生層102と電荷輸送層103とで感光層104をな
す。第3図は、導電性支持体101上に感光層104を
形成した単層型電子写真用感光体の断面図である。
電荷発生層は、導電性支持体上あるいは電荷輸送層上膜
げられ、その膜厚は01μmから1.0μm5特に03
μmから1,0μmが好ましく・。電荷発生層を形成す
るのには、一般弐(I)で示されるスクェアリウム顔料
を単独で用いるか、あるいはこのスクェアリウム顔料を
バインダ樹脂に分散させたものを用いる。スクェアリウ
ム顔料を単独で用いる場合には、溶剤散布や真空蒸着に
より電荷発生層を形成する。スクェアリウム顔料を7(
インダ樹脂に分散させたものを用し・る場合、スクェア
リウム顔料のバインダ樹脂に対する比は10重量%から
90重量%、好ましくは25重量%から3o重量%であ
る。この場合、スクェアリウム顔料ヲホールミルやペイ
ントコンデインヨナで十分に粉砕してバインダ樹脂に分
散する。)(インダ樹脂としては、例えばポリビニルカ
ル リビニルカルバゾール誘導体、ポリビニルナフタレン、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の光導電
性ポリマやその他の電荷輸送能を有する有機マトリック
ス材料などが使用できる。また、光導電性を示さない絶
縁性樹脂、例えばポリスチンン、ポリエステル、ポリカ
ーボネートやこれらの誘導体等も使用できる。この際感
光体の強度を向上させるため一般の高分子材料と同様に
可塑剤を用いることができる。可塑剤としては、塩素化
パラフィン、塩化ビフェニル、フォスフェート系可塑剤
等を用いることができる。可塑剤はバインダ樹脂に対し
て20重量%以下で感光体のもつ特性をそこなわない範
囲で用いられる。スクェアリウム顔料をバインダ樹脂に
分散させたものを用いる場合には、スプレ法、バーコー
ダ法等の方法で電荷発生層を形成する。
げられ、その膜厚は01μmから1.0μm5特に03
μmから1,0μmが好ましく・。電荷発生層を形成す
るのには、一般弐(I)で示されるスクェアリウム顔料
を単独で用いるか、あるいはこのスクェアリウム顔料を
バインダ樹脂に分散させたものを用いる。スクェアリウ
ム顔料を単独で用いる場合には、溶剤散布や真空蒸着に
より電荷発生層を形成する。スクェアリウム顔料を7(
インダ樹脂に分散させたものを用し・る場合、スクェア
リウム顔料のバインダ樹脂に対する比は10重量%から
90重量%、好ましくは25重量%から3o重量%であ
る。この場合、スクェアリウム顔料ヲホールミルやペイ
ントコンデインヨナで十分に粉砕してバインダ樹脂に分
散する。)(インダ樹脂としては、例えばポリビニルカ
ル リビニルカルバゾール誘導体、ポリビニルナフタレン、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の光導電
性ポリマやその他の電荷輸送能を有する有機マトリック
ス材料などが使用できる。また、光導電性を示さない絶
縁性樹脂、例えばポリスチンン、ポリエステル、ポリカ
ーボネートやこれらの誘導体等も使用できる。この際感
光体の強度を向上させるため一般の高分子材料と同様に
可塑剤を用いることができる。可塑剤としては、塩素化
パラフィン、塩化ビフェニル、フォスフェート系可塑剤
等を用いることができる。可塑剤はバインダ樹脂に対し
て20重量%以下で感光体のもつ特性をそこなわない範
囲で用いられる。スクェアリウム顔料をバインダ樹脂に
分散させたものを用いる場合には、スプレ法、バーコー
ダ法等の方法で電荷発生層を形成する。
導電性支持体の材料としては例えばアルミニウム、ニッ
ケル、亜鉛、白金、金、ステンレス鋼、真鍮、鉄、パラ
ジウム等を用(・ることができる。
ケル、亜鉛、白金、金、ステンレス鋼、真鍮、鉄、パラ
ジウム等を用(・ることができる。
電荷輸送層は、電荷発生層または導電性支持体上に設げ
られる。電荷輸送物質としては、カルバゾール誘導体、
ピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、ヒドラゾン誘
導体、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポ
リビニルアクリジン等が挙げられる。これらの電荷輸送
物質は単独あるいは2種類以上混合して用いることもで
きる。
られる。電荷輸送物質としては、カルバゾール誘導体、
ピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、ヒドラゾン誘
導体、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポ
リビニルアクリジン等が挙げられる。これらの電荷輸送
物質は単独あるいは2種類以上混合して用いることもで
きる。
電荷輸送層に使用されるバインダ樹脂としてはアクリル
系樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ボリアリレート
、ポリサルフォン、ポリカーボネート等のポリマを用い
ることができる。この際電荷輸送物質のバインダ樹脂に
対する比は150重量%以下である。
系樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ボリアリレート
、ポリサルフォン、ポリカーボネート等のポリマを用い
ることができる。この際電荷輸送物質のバインダ樹脂に
対する比は150重量%以下である。
以下、実施例を基に本発明の電子写真用感光体について
更に詳しく説明する。
更に詳しく説明する。
実施例1
一般式(III)でR1,R2、R3、R4、R5、R
6が水素原子、R’7がメチル基、Zlが環式炭化水素
残基10で表されるアゾ化合物をl mmolと3,4
−ジヒドロキシ−3−シクロブテン−1゜2−ジオン0
.5 mmol をべyセン10ml、n −7タノ
ール、20が中で120℃から125℃で反応中生成す
る水を共沸的に留去しながら15時間反応させた。生成
した沈澱物をろ取し、下記構造式で示されるスクェアリ
ウム顔料1を収率356%で得た。この生成物の元素分
析の結果を表3に示す。
6が水素原子、R’7がメチル基、Zlが環式炭化水素
残基10で表されるアゾ化合物をl mmolと3,4
−ジヒドロキシ−3−シクロブテン−1゜2−ジオン0
.5 mmol をべyセン10ml、n −7タノ
ール、20が中で120℃から125℃で反応中生成す
る水を共沸的に留去しながら15時間反応させた。生成
した沈澱物をろ取し、下記構造式で示されるスクェアリ
ウム顔料1を収率356%で得た。この生成物の元素分
析の結果を表3に示す。
表
実施例2〜25
アゾ化合物を変えたほかは実施例1と同様に反応を行い
、表4に示されるスクェアリウム顔料2〜25を合成し
た。このスクェアリウム顔料2〜25の収率を表5に、
元素分析の結果を表6に示す。
、表4に示されるスクェアリウム顔料2〜25を合成し
た。このスクェアリウム顔料2〜25の収率を表5に、
元素分析の結果を表6に示す。
表
表
(その1
表 6
(その2)
表 6
(その3)
実施例26
ポリエステル樹脂の7クロヘキサノン溶WL5重量%、
20m1に、実施例1で合成したスクェアリウム顔料1
をQ、 48mm□l 加え、これをペイントコンディ
ショナを用いて1時間粉砕しながら分散させた。次にこ
れをアルミ基板上にアプリケータで塗布し、膜厚03μ
mから10μmの電荷発生層を形成した。
20m1に、実施例1で合成したスクェアリウム顔料1
をQ、 48mm□l 加え、これをペイントコンディ
ショナを用いて1時間粉砕しながら分散させた。次にこ
れをアルミ基板上にアプリケータで塗布し、膜厚03μ
mから10μmの電荷発生層を形成した。
パラジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラ
ゾンをポリカーボネート樹脂に100重量%加え、これ
を電荷発生層上に塗布し、膜厚20μmの電荷輸送層を
形成し、積層型電子写真用感光体を作製した。
ゾンをポリカーボネート樹脂に100重量%加え、これ
を電荷発生層上に塗布し、膜厚20μmの電荷輸送層を
形成し、積層型電子写真用感光体を作製した。
この感光体にペーパーアナライザで−(、kVのコロナ
放電を2秒間行い、その後暗所に2秒間放置し、そのと
きの表面電位■oを測定した。次にタングステン−・・
ロゲンランプで照度5 jtuxの光を感光層に照射し
、その表面電位がV。の1/2になるまでに要する時間
を測定し、半減露光量El/2を求めた。その結果表面
電位■。は−650Vであり、半減露光量E1/2は3
5eux・秒であった。
放電を2秒間行い、その後暗所に2秒間放置し、そのと
きの表面電位■oを測定した。次にタングステン−・・
ロゲンランプで照度5 jtuxの光を感光層に照射し
、その表面電位がV。の1/2になるまでに要する時間
を測定し、半減露光量El/2を求めた。その結果表面
電位■。は−650Vであり、半減露光量E1/2は3
5eux・秒であった。
実施例27〜50
実施例2から25で合成したスクェアリウム顔料2〜2
5を用い、実施例26と同様の方法で積層型電子写真用
感光体を作製し、その電気的特性を測定した。結果を表
7に示す。
5を用い、実施例26と同様の方法で積層型電子写真用
感光体を作製し、その電気的特性を測定した。結果を表
7に示す。
表
(その1
(その2)
実施例51〜75
バラジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラ
ゾンをポリカーボネート樹脂に100重量%加え、これ
をアルミ基板上に塗布し、膜厚20μmの電荷輸送層を
形成した。
ゾンをポリカーボネート樹脂に100重量%加え、これ
をアルミ基板上に塗布し、膜厚20μmの電荷輸送層を
形成した。
ポリエステル樹脂のシクロヘキサノン溶液5重量%、2
0m1に、実施例1で合成したスクェアリウム顔料1を
0.48 mmol加え、これをペイントコンディンヨ
ナを用いて1時間粉砕しながら分散させた。次にこれを
電荷輸送層上にアプリケータで塗布し、膜厚03μmか
ら1.0μmの電荷発生層を形成し、積層型電子写真用
感光体を作↓した。
0m1に、実施例1で合成したスクェアリウム顔料1を
0.48 mmol加え、これをペイントコンディンヨ
ナを用いて1時間粉砕しながら分散させた。次にこれを
電荷輸送層上にアプリケータで塗布し、膜厚03μmか
ら1.0μmの電荷発生層を形成し、積層型電子写真用
感光体を作↓した。
次にこの感光体にペーパーアナライザで6 kVのコロ
ナ放電を2秒間行い、その後暗所で2秒間放置し、その
ときの表面電位■。を測定した。つづ℃・てタングステ
ン−ハロゲンランプで照度5 luxの光を感光層に照
射し、その表面電位が■。の1/2になるまでに要する
時間を測定し、半減露光量E1/2を求めた。結果を表
8に示す。
ナ放電を2秒間行い、その後暗所で2秒間放置し、その
ときの表面電位■。を測定した。つづ℃・てタングステ
ン−ハロゲンランプで照度5 luxの光を感光層に照
射し、その表面電位が■。の1/2になるまでに要する
時間を測定し、半減露光量E1/2を求めた。結果を表
8に示す。
スクェアリウム顔料2〜25についても実施例51と同
様に電子写真用感光体を作製し、その電気的特性を測定
した。結果を表8に示す。
様に電子写真用感光体を作製し、その電気的特性を測定
した。結果を表8に示す。
表 8
(その1)
表 8
(その2)
実施例76
実施例26で作製した感光体に波長45Qnm、550
nm、650nm、750nm、850nmの単色光を
それぞれ1μW/fflで照射し、半減露光量El/2
を求めたところ表9に示したような結果が得られた。表
9かられかるように本発明の電子写真用感光体は、幅広
い波長領域において十分な分光感度を有するものである
。
nm、650nm、750nm、850nmの単色光を
それぞれ1μW/fflで照射し、半減露光量El/2
を求めたところ表9に示したような結果が得られた。表
9かられかるように本発明の電子写真用感光体は、幅広
い波長領域において十分な分光感度を有するものである
。
て十分な分光感度を有する。
第1図ないし第3図は本発明の電子写真用感光体の断面
図である。 101・・・・・・導電性支持体、 102・・・・・・電荷発生層、 103・・・・・・電荷輸送層、 104・・・・・・感光層。 〔発明の効果〕
図である。 101・・・・・・導電性支持体、 102・・・・・・電荷発生層、 103・・・・・・電荷輸送層、 104・・・・・・感光層。 〔発明の効果〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式( I )で示されるスクエアリウム顔料を含有す
ることを特徴とする電子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) (但し、式中R1、R2、R3、R4、R5、R6は水
素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換の脂肪族炭
化水素基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基、複素
環基または水酸基を表し、R7は置換もしくは未置換の
脂肪族炭化水素基、アリール基、または複素環基を表し
、Z1は置換もしくは未置換の環式炭化水素残基、また
は複素環残基を表す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11987890A JPH0416852A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11987890A JPH0416852A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0416852A true JPH0416852A (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=14772483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11987890A Pending JPH0416852A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0416852A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019001947A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 国立大学法人山形大学 | 近赤外吸収スクアリリウム誘導体、及びそれを含む有機電子デバイス |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP11987890A patent/JPH0416852A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019001947A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 国立大学法人山形大学 | 近赤外吸収スクアリリウム誘導体、及びそれを含む有機電子デバイス |
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