JPH03276159A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子写真プロセスにおいて使用される電子写
真用感光体に関する。更に説しく言えば、本発明は一般
式（Ｉ）で示されるスクェアリウム顔料を含有する電子
写真用感光体に関するものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来、電子写真用感光体の材料として、無定型セレン、
硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機系感光材料やアゾ化
合物、スクェアリウム顔料等に代表される有機系感光材
料が広く知られている。

無定型セレン等は電子写真用感光体の材料として優れた
特性な有し、実用化されていることは周知の通りである
。しかし、この電子写真用感光体は毒性な有するため廃
棄が困難であった。酸化亜鉛を樹脂中に分散させた電子
写真用感光体は機械的強度に難点があり、繰り返し使用
に耐えない。

有機系感光材料は被膜形成等の加工性に優れているもの
の、電子写真用感光体として十分な感度を有するものは
得られていない。

本発明の目的はこのような従来のｖｌ、題を解決し、現
在用いられている電子写真プロセスすべてに使用可能な
電子写真用感光体であって、可視領域から近赤外領域の
広波長領域において十分な分光感度を有する電子写真用
感光体を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の電子写真用感光体に用いられるスクェアリウム
顔料は一般式（Ｉ）で示されるものである。

（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原
子、置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素基、アルコキ
シ基、アミノ基、アリール基、複素環基または水酸基を
表し、Ｚｌは置換もしくは未置換の環式炭化水素残基、
または複素環残基？表わす。

式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３で表わされるハロゲン原子と
してはフッ素、塩素、臭素、よう素が挙げられる。また
、脂肪族炭化水素基としてはメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ノルマルブチル基、インブチル基、ターシャリ
−ブチル基、５−メチルドデシル基、トリフルオロメチ
ル基、３−フェニルオクチル基、１−シクロへキセニル
基、ビニル基、１−−ｊロペニル基、インプロペニル基
、１−ブテニルｉ、２−ブテニル基、２−ペンテニル基
、エチニル基等が挙げられる。アルコキシ基としてはメ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、インプロポキシ
基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ベンジルオキシ基
等が挙げられる。アミノ基としてはメチルアミン基、エ
チルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ
基、ブチルアミノ基、インブチルアミノ基、ターシャリ
−ブチルアミノ基、３−フェニルオクチルアミン基、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ
基、ジイソプロピルアミノ基、エチルフェニルアミノ基
、ジー３−フェニルオクチルアミン基等が挙げられる。

アリール基としてはフェニル基、ｐ−ジメチルアミノフ
ェニル基、ｐ−エチルメチルアミノフェニル基、０−エ
チルフェニル基、３．５−ジクロロフェニル基、３−メ
チルアゾ−４−ジメチルアミノフェニル基、１−ナフチ
ル基、１−メチル−２−ナフチル基等が挙げられる。複
素環基としてはＮ−メチル−２−ピロリル基、１．５−
ジメチ）ｖ−２−ピロリル基、２−チヱニ／Ｌ４，２−
フリル基、フルフリル基、２−ピリジル基、２−キノリ
ル基、Ｎ−メチル−４−ピペリジル基、ピペリジノ基等
が挙げられる。式中Ｚｌで表わされる環式炭化水素残基
としては表１に示したもの等が挙げられる。また、複素
環残基としては表２に示したもの等があげられる。

表　１　（その１） 表　１　（その２） 表 １ （その３ ） 表 （その５） 表 （その ） 表 （その６ ） 表 ２ （その３ ） 害 ？ （その２） 表 ２ （その５ ） 表 （その７ ） 表 （その６ ） このスクェアリウム顔料は下記構造式口で示される３、
４−ジヒドロキシ−３−シクロブテン−１，２−ジオン
と、下記一般式＠）で示されるアゾ化合物を溶媒中で反
応させることにより得られる。溶媒としては脂肪族アル
コール、例えばメタノール、エタノール、プロパツール
、ブタノール、アミルアルコール等が挙げられる。

１ （但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原
子、置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素基、アルコキ
シ基、アミノ基、アリール基、複素環基または水酸基を
表わし、Ｚｌは置換もしくは未置換の環式炭化水素残基
、または複素環残基を表わす。） 本発明の電子写真用感光体の断面図を第１図から第３図
に示す。

第１図は、導電性支持体１０１上に電荷発生層１０２を
形成し、その電荷発生層１０２上に電荷輸送層１０３を
形成した積層型電子写真用感光体の断面図である。第２
図は、導電性支持体１０１上に電荷輸送層１０３を形成
し、その電荷輸送層１０６上に電荷発生層１０２を形成
した積層型電子写真用感光体の断面図である。第１図お
よび第２図に示した積層型電子写真用感光体では、電荷
発生層１０２と電荷輸送層１０６とで感光層１０４をな
す。第３図は、導電性支持体１０１上に感光層１０４を
形成した単層型電子写真用感光体の断面図である。

電荷発生層１０２は、導電性支持体１０１上あるいは電
荷輸送層１０３上に設けられ、その膜厚は０，１μｍか
ら１．０μｍ、特に０．３μｍから１．０μｍが好まし
い。電荷発生層１０２を形成するのには、一般式（Ｉ）
で示されるスクェアリウム顔料を単独で用いるか、ある
いはこのスクェアリウム顔料をバインダ樹脂に分散させ
たものを用いる。スクェアリウム顔料を単独で用いる場
合には、溶剤散布や真空蒸着により電荷発生層１０２を
形成する。スクェアリウム顔料をバインダ樹脂に分散さ
せたものを用いる場合、スクェアリウム顔料のバインダ
樹脂に対する比は１０重量％から９０重量％、好ましく
は２５重量％から３０重量％である。

この場合、スクェアリウム顔料をボールミルやペイント
コンディショナで十分に粉砕してバインダ樹脂に分散す
る。バインダ樹脂としては、例えばポリビニルカルバゾ
ール　ポリビニルカルバソール誘導体、ポリビニルナフ
タレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等
の光導電性ポリマやその他の電荷輸送能を有する有機マ
トリックス材料などが使用できる。また、光導電性を示
さない絶縁性樹脂、例えばポリスチレン、ポリエステル
、ポリカーボネートやこれらの誘導体等も使用できる。

この際感光体の強度を向上させるため一般の高分子材料
と同様に可塑剤を用いることができる。可塑剤としては
、塩素化パラフィン、塩化ピフェニル、フォスフェート
系可塑剤等を用いることができる。可塑剤はバインダ樹
脂に対して２０重量％以下で、感光体のもつ特性をそこ
なわない範囲で用いられる。スクェアリウム顔料ナハイ
ンダ樹脂に分散させたものを用いる場合には、スプレ法
、バーコーダ法等の方法で電荷発生層１０２を形成する
。

導電性支持体１０１の材料としては例えばアルミニウム
、ニッケル、亜鉛、白金、金、ステンレス鋼、真鍮、鉄
、パラジウム等を用いることができる。

電荷輸送層１０３は、電荷発生層１０２または導電性支
持体１０１上に設けられる。電荷輸送物質としては、カ
ルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、トリフェニルア
ミン、ヒ下うゾン誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルアントラセン、ポリビニルアクリジン等が挙げられる
。これらの電荷輸送物質は単独あるいは２種類以上混合
して用いることもできる。電荷輸送層１０３に使用され
るバインダ樹脂としてはアクリル系樹脂、ポリスチレン
、ポリエステル、ボリアリレート、ポリサルフォン、ポ
リカーボネート等のポリマを用いることができる。この
際電荷輸送物質のバインダ樹脂に対する比は１５０重量
％以下である。

〔実施例〕

以下、実施例を基に本発明の電子写真用感光体について
更に詳しく説明する。

実施例１ 一般式Ｏｎ）でＲ１、Ｒ２が水素原子、Ｒ３がメチル基
、Ｚｌが環式炭化水素残基１０で表わされるアゾ化合物
な１ｒｒ′１ｒｒ１ｏｌ　と３，４−ジヒドロキシ−３
−シクロブチ７−１．２−ジオ７　Ｑ、　５　ｍｍｏｌ
ｆ　ヘ：／　セ：／　１０　ｍｌ　−ｎ−ブタノ−／ｌ
／　２Ｑ　ｍｌ中で１２０℃から１２５℃で１５時間反
応させ、反応中生成する水な共沸的に留去した。生成し
た沈澱物をろ取し、下記構造式で示されるスクェアリウ
ム顔料を収率３７．２％で得た。この生成物の元素分析
の結果を表３に示す。

実施例２〜２５ アゾ化合物を変えた他は実施例１と同様に反応を行い、
一般式（Ｉ）でＲ１、Ｒ２、Ｒ３、ｚｌが表４で示され
るスクェアリウム顔料２から２５を合成した。これらの
スクェアリウム顔料の収率を表５に、元素分析の結果を
表６にそれぞれ示す。

表　４　（そのｌ） 表　　４ （その２） 表 ４ （その３ ） 表 （そのｌ ） 表 （その２） 表 ６ （その３） 実施例２６ ポリエステル樹脂のシクロヘキサノン溶液５重量％、２
０ゴに、実施例１で合成したスクェアリウム顔料を０．
４８　ｍｍｏｌ加え、これをペイントコンディジ璽すで
１時間粉砕しながら分散させた。

次にこれをアルミ基板上にアプリケータで塗布し、膜厚
０．３μｍから１．０μｍの電荷発生層を形成した。

パラジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラ
ゾンをポリカーボネート樹脂に１００重量％加え、これ
を電荷発生層上に塗布し、膜厚２０μｍの電荷輸送層を
形成し、積層型電子写真用感光体を作製した。

この感光体にペーパーアナライザで−６ｋＶのコロナ放
電を２秒間行い、その後暗所に２秒間放置し、そのとき
の表面電位ｖ０を測定した。次にタングステン−ハロゲ
ンランプで照度５　ｌｕｘの光を感光層に照射し、その
表面電位がＶ。の１／２になるまでに要する時間（秒）
を測定し、半減露光量Ｅ１／２を求めた。その結果表面
電位ｖｏは−６５０Ｖであり、半減露光量Ｅ１／２は３
．５１ｕｘ・秒であった。

実施例２７〜５０ 実施例２から２５で合成したスクェアリウム顔料を用い
実施例２６と同様の方法で積層型電子写真用感光体を作
製し、その電気的特性を測定した。

結果を表７に示す。

表 （その２ ） 実施例５１〜７５ パラジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラ
ゾンをポリカーボネート樹脂に１００重量％加え、これ
を導電性基板上に塗布し、膜厚２０μｍの電荷輸送層を
形成した。

ポリエステル樹脂のシクロヘキサノン溶液５重量％、２
０ｍ１に、実施例１で合成したスクェアリウム顔料を０
．４８　ｍｍｏｌ加え、これをペイントコンディジｌす
で１時間粉砕しながら分散させた。

次にこれを電荷輸送層上にアプリケータで塗布し、膜厚
０．３μｍから１，０μｍの電荷発生層を形成し、積層
型電子写真用感光体を作製した。

次にこの感光体の電気的特性を実施例２６と同様にして
測定した。結果を表８に示す。

また、実施例２〜２５で合成したスクェアリウム顔料２
〜２５についても実施例５１と同様に電子写真用感光体
を作製し、その電気的特性を測定した。結果を表８に示
す。

表 （その１ ） 表 （その２ ） 実施例７６ 実施例２６で作製した電子写真用感光体に波長４５０ｎ
ｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍ、７５０ｎｍ、３５Ｑｎｍ
の単色光をそれぞれ１μＷ／Ｃ♂で照射し、半減露光量
Ｅ１／２を求めたところ表９に示したような結果が得ら
れた。表９かられかるように本発明の電子写真用感光体
は、幅広い波長領域において十分な分光感度を有するも
のである。

〔発明の効果〕

本発明の電子写真用感光体は、現在用（・られている電
子写真プロセスすべてに使用可能であって、かつ可視領
域から近赤外領域の広波長領域において十分な分光感度
を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の電子写真用感光体の断面
図である。 １０１・・・・・・導電性支持体、 １０２・・・・・・電荷発生層、 １０３・・・・・・電荷輸送層、 １０４・・・・・・感光層。 第１図 第２図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　一般式（ I ）で示されるスクエアリウム顔料を含有
   することを特徴とする電子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（ I
   ） （但し、式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３は水素原子、ハロ
   ゲン原子、置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素基、ア
   ルコキシ基、アミノ基、アリール基、複素環基または水
   酸基を表し、Ｚ１は置換もしくは未置換の環式炭化水素
   残基、または複素環残基を表わす。）