JP3185476B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JP3185476B2 JP3185476B2 JP13692793A JP13692793A JP3185476B2 JP 3185476 B2 JP3185476 B2 JP 3185476B2 JP 13692793 A JP13692793 A JP 13692793A JP 13692793 A JP13692793 A JP 13692793A JP 3185476 B2 JP3185476 B2 JP 3185476B2
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- crystal
- phthalocyanine
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なトリアリールア
ミン化合物を電荷輸送材料として用いた電子写真感光体
に関し、特に、新規なトリアリールアミン化合物と特定
の新規な結晶型を有するフタロシアニン化合物結晶を用
いた電子写真感光体に関する。
ミン化合物を電荷輸送材料として用いた電子写真感光体
に関し、特に、新規なトリアリールアミン化合物と特定
の新規な結晶型を有するフタロシアニン化合物結晶を用
いた電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】トリアリールアミン化合物を電子写真用
感光体の光導電材料として用いることは、よく知られて
いる。例えば、米国特許第３，１８０，７３０号明細書
にはトリフェニルアミンおよびその置換体が、また、米
国特許第３，７０６，５５４号明細書には、トリ−ｐ−
トリルアミン化合物を光導電材料として用いることが提
案されている。また、特開昭５７−１９５２５４号公報
には、種々のトリアリールアミン化合物を積層型電子写
真用感光体の電荷輸送層に用いることが、さらに特開昭
６１−１３２９５３号公報には、トリスアゾ顔料とトリ
アリールアミン化合物を用いた電子写真感光体が提案さ
れている。また、米国特許第４，９４６，７５４号明細
書には、ジアリールビフェニルアミンと種々の電荷発生
材料を用いた電子写真感光体が提案されている。また、
近年、種々の置換基を有するトリアリールアミン化合物
が提案されており、例えば、特開平１−２８０７６３、
特開平２−３６１５６、特開平３−２８２４７８、特開
平３−７８７５５、特開平３−７８７５６、特開平３−
７８７５７、特開平２−２３０２５５、特開平２−１９
０８６２、特開平２−１９０８６３、特開平２−１７８
６７０、特開平２−１７８６６８、特開平２−１７８６
６７、特開平２−１７８６６６、特開平２−１５６２４
７、特開平２−１３４６４２、特開平４−１９３８５
２、特開平４−１３３０６４、特開平４−１１８６５
８、特開平３−２８５９６０、特開平３−２４９７５
９、特開平３−２２３７６４、特開平３−１１４０５
８、特開平３−１２７９６５、特開平３−１０１７３
９、特開平３−１０２３６１、特開平３−５８０５４、
特開平３−５６９６７、特開平３−７９４６、特開平３
−７２４８、特開平３−５４４３、特開平３−２１７
４、特開平２−２４３６５７、特開平２−１７８６６
９、特開平３−２１３８６６、特開平３−１６３４５８
号の各公報等にそれらが開示されている。
感光体の光導電材料として用いることは、よく知られて
いる。例えば、米国特許第３，１８０，７３０号明細書
にはトリフェニルアミンおよびその置換体が、また、米
国特許第３，７０６，５５４号明細書には、トリ−ｐ−
トリルアミン化合物を光導電材料として用いることが提
案されている。また、特開昭５７−１９５２５４号公報
には、種々のトリアリールアミン化合物を積層型電子写
真用感光体の電荷輸送層に用いることが、さらに特開昭
６１−１３２９５３号公報には、トリスアゾ顔料とトリ
アリールアミン化合物を用いた電子写真感光体が提案さ
れている。また、米国特許第４，９４６，７５４号明細
書には、ジアリールビフェニルアミンと種々の電荷発生
材料を用いた電子写真感光体が提案されている。また、
近年、種々の置換基を有するトリアリールアミン化合物
が提案されており、例えば、特開平１−２８０７６３、
特開平２−３６１５６、特開平３−２８２４７８、特開
平３−７８７５５、特開平３−７８７５６、特開平３−
７８７５７、特開平２−２３０２５５、特開平２−１９
０８６２、特開平２−１９０８６３、特開平２−１７８
６７０、特開平２−１７８６６８、特開平２−１７８６
６７、特開平２−１７８６６６、特開平２−１５６２４
７、特開平２−１３４６４２、特開平４−１９３８５
２、特開平４−１３３０６４、特開平４−１１８６５
８、特開平３−２８５９６０、特開平３−２４９７５
９、特開平３−２２３７６４、特開平３−１１４０５
８、特開平３−１２７９６５、特開平３−１０１７３
９、特開平３−１０２３６１、特開平３−５８０５４、
特開平３−５６９６７、特開平３−７９４６、特開平３
−７２４８、特開平３−５４４３、特開平３−２１７
４、特開平２−２４３６５７、特開平２−１７８６６
９、特開平３−２１３８６６、特開平３−１６３４５８
号の各公報等にそれらが開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】トリアリールアミン化
合物として最も代表的なものとしては、トリフェニルア
ミン、トリ−ｐ−トリルアミンがあり、これらは、電子
写真感光体の光導電材料として有効ではあるが、分子量
が小さく、融点が低いために、それを電荷輸送層に用い
た電子写真感光体を繰り返し使用した際に、電荷輸送層
中でマイグレーションが起こり、ブリードしやすく、経
時変化を引き起こすという欠点があった。分子量を大き
くするために、スチリル構造のものにすることも考えら
れるが、その場合には、合成が多段階となって繁雑であ
り、コスト的に非常に高くなると言う欠点があった。ト
リアリールアミン化合物の電荷輸送層中でのマイグレー
ションおよびブリードによる電子写真感光体の経時変化
という欠点を改良するために、一般的手法として、置換
基を導入して分子量を増加させることが考えられるが、
電荷移動に有効でない置換基を導入した場合には、単に
分子間距離（ホッピングサイト間距離）を増大させ、電
荷の移動度を低下させてしまう。また、本発明者等は、
既に電子写真学会誌３０，１６（１９９０）に記載した
ように、アルキル基が電荷移動に有効な置換基であるこ
とを報告したが、エチル基以上の長鎖のアルキル基を導
入した場合には、アルキル基の立体障害のためスタッキ
ングしにくく、かえって融点の低下を招き、よりマイグ
レーションを起こしやすくなり、安定した電子写真感光
体が得られにくくなる。したがって、本発明の目的は、
新規なトリアリールアミン化合物を電荷輸送材料として
用いた高感度で、繰り返し安定性に優れた電子写真感光
体を提供することにある。
合物として最も代表的なものとしては、トリフェニルア
ミン、トリ−ｐ−トリルアミンがあり、これらは、電子
写真感光体の光導電材料として有効ではあるが、分子量
が小さく、融点が低いために、それを電荷輸送層に用い
た電子写真感光体を繰り返し使用した際に、電荷輸送層
中でマイグレーションが起こり、ブリードしやすく、経
時変化を引き起こすという欠点があった。分子量を大き
くするために、スチリル構造のものにすることも考えら
れるが、その場合には、合成が多段階となって繁雑であ
り、コスト的に非常に高くなると言う欠点があった。ト
リアリールアミン化合物の電荷輸送層中でのマイグレー
ションおよびブリードによる電子写真感光体の経時変化
という欠点を改良するために、一般的手法として、置換
基を導入して分子量を増加させることが考えられるが、
電荷移動に有効でない置換基を導入した場合には、単に
分子間距離（ホッピングサイト間距離）を増大させ、電
荷の移動度を低下させてしまう。また、本発明者等は、
既に電子写真学会誌３０，１６（１９９０）に記載した
ように、アルキル基が電荷移動に有効な置換基であるこ
とを報告したが、エチル基以上の長鎖のアルキル基を導
入した場合には、アルキル基の立体障害のためスタッキ
ングしにくく、かえって融点の低下を招き、よりマイグ
レーションを起こしやすくなり、安定した電子写真感光
体が得られにくくなる。したがって、本発明の目的は、
新規なトリアリールアミン化合物を電荷輸送材料として
用いた高感度で、繰り返し安定性に優れた電子写真感光
体を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意検討
した結果、フェニル基に２つのメチル基を同時に導入す
ることにより長鎖アルキル基を導入した場合のような融
点の低下を起こすことなく、効果的にマイグレーション
を防ぐことができること、また、その導入位置がフェニ
ル基の３，４−位である場合には、電子写真感光体の電
荷輸送層において、高い電荷の移動度が得られることを
見出し、さらにまた、このトリアリールアミン化合物
を、特定の新規な結晶型を有するフタロシアニン化合物
結晶と組み合わせることによって優れた特性を有する電
子写真感光体が得られることを見出だし、本発明を完成
するに至った。
した結果、フェニル基に２つのメチル基を同時に導入す
ることにより長鎖アルキル基を導入した場合のような融
点の低下を起こすことなく、効果的にマイグレーション
を防ぐことができること、また、その導入位置がフェニ
ル基の３，４−位である場合には、電子写真感光体の電
荷輸送層において、高い電荷の移動度が得られることを
見出し、さらにまた、このトリアリールアミン化合物
を、特定の新規な結晶型を有するフタロシアニン化合物
結晶と組み合わせることによって優れた特性を有する電
子写真感光体が得られることを見出だし、本発明を完成
するに至った。
【０００５】本発明の電子写真感光体は、感光層中に、
電荷輸送材料として、下記一般式（Ｉ）で示されトリア
リールアミン化合物の少なくとも１種を含有することを
特徴とする。
電荷輸送材料として、下記一般式（Ｉ）で示されトリア
リールアミン化合物の少なくとも１種を含有することを
特徴とする。
【化３】 （式中、Ａｒ1 およびＡｒ2 は、それぞれアルキル、ア
ルコキシ、フェニル、またはアルキル置換フェニルで置
換されてもよいフェニル基、またはアルキル基で置換さ
れてもよい縮合環基を表す。）本発明の好ましい電子写
真感光体は、感光層中に、電荷輸送材料として、上記一
般式（Ｉ）で示されるトリアリールアミン化合物の少な
くとも１種を含有し、電荷発生材料として、ハロゲン化
ガリウムフタロシアニン結晶、ハロゲン化スズフタロシ
アニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶お
よびチタニルフタロシアニン結晶から選択された少なく
とも１種を含有することを特徴とする。
ルコキシ、フェニル、またはアルキル置換フェニルで置
換されてもよいフェニル基、またはアルキル基で置換さ
れてもよい縮合環基を表す。）本発明の好ましい電子写
真感光体は、感光層中に、電荷輸送材料として、上記一
般式（Ｉ）で示されるトリアリールアミン化合物の少な
くとも１種を含有し、電荷発生材料として、ハロゲン化
ガリウムフタロシアニン結晶、ハロゲン化スズフタロシ
アニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶お
よびチタニルフタロシアニン結晶から選択された少なく
とも１種を含有することを特徴とする。
【０００６】本発明において、電荷輸送材料として用い
られる上記一般式（Ｉ）で示されるトリアリールアミン
化合物は、新規な物質であって、一般によく知られてい
る方法であるアミン類とハロゲン化アリール化合物との
銅触媒を用いた縮合反応によって合成することができ
る。縮合反応時に用いる銅触媒としては、金属銅粉、硫
酸銅、酸化第１銅、よう化銅、硝酸銅等があげられる。
また、縮合反応の際に生じるハロゲン化水素は、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム等の塩基を加えることによって中和すればよい。
反応の際に生成する水を効果的に反応系外に追い出すた
めに、ニトロベンゼンやトリデカリン等の高沸点炭化水
素化合物を加えて反応を行なうのが好ましい。
られる上記一般式（Ｉ）で示されるトリアリールアミン
化合物は、新規な物質であって、一般によく知られてい
る方法であるアミン類とハロゲン化アリール化合物との
銅触媒を用いた縮合反応によって合成することができ
る。縮合反応時に用いる銅触媒としては、金属銅粉、硫
酸銅、酸化第１銅、よう化銅、硝酸銅等があげられる。
また、縮合反応の際に生じるハロゲン化水素は、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム等の塩基を加えることによって中和すればよい。
反応の際に生成する水を効果的に反応系外に追い出すた
めに、ニトロベンゼンやトリデカリン等の高沸点炭化水
素化合物を加えて反応を行なうのが好ましい。
【０００７】上記一般式（Ｉ）におけるＡｒ1 およびＡ
ｒ2 がフェニル基を表す場合、フェニル基は、アルキ
ル、アルコキシ、フェニル、またはアルキル置換フェニ
ル基で置換されていてもよい。これら置換基は、フェニ
ル基に複数個存在していてもよい。また、Ａｒ1 および
Ａｒ2 が縮合環基を表す場合の具体例としては、例え
ば、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、フル
オレニル基等があげられる。これらの基は、さらにアル
キル基で置換されていてもよい。上記一般式（Ｉ）で示
されるトリアリールアミン化合物の具体例としては、Ａ
ｒ1 およびＡｒ2 が下記表１〜表４に示されるものを例
示することができる。これらは単独でも、また２種以上
を混合して用いてもよい。また、公知の電荷輸送材料と
混合して用いることもできる。
ｒ2 がフェニル基を表す場合、フェニル基は、アルキ
ル、アルコキシ、フェニル、またはアルキル置換フェニ
ル基で置換されていてもよい。これら置換基は、フェニ
ル基に複数個存在していてもよい。また、Ａｒ1 および
Ａｒ2 が縮合環基を表す場合の具体例としては、例え
ば、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、フル
オレニル基等があげられる。これらの基は、さらにアル
キル基で置換されていてもよい。上記一般式（Ｉ）で示
されるトリアリールアミン化合物の具体例としては、Ａ
ｒ1 およびＡｒ2 が下記表１〜表４に示されるものを例
示することができる。これらは単独でも、また２種以上
を混合して用いてもよい。また、公知の電荷輸送材料と
混合して用いることもできる。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】
【表３】
【００１１】
【表４】 （上記表１〜表４中、Ｍｅ、Ｅｔ、ＰｒおよびＢｕは、
それぞれ、メチル基、エチル基、プロピル基およびブチ
ル基を表わす。）
それぞれ、メチル基、エチル基、プロピル基およびブチ
ル基を表わす。）
【００１２】一方、本発明においては、電荷発生材料と
して、ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶、ハロゲ
ン化スズフタロシアニン結晶、ヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶およびチタニルフタロシアニン結晶を使
用するのが好ましい。具体的には、次の新規な結晶型の
ものをあげることができる。ハロゲン化ガリウムフタロ
シアニン結晶としては、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折
スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）
の少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５°および
２８．３°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフ
タロシアニン結晶、６．８°、１７．３°、２３．６°
および２６．９°に強い回折ピークを有するクロロガリ
ウムフタロシアニン結晶、８．７〜９．２°、１７．６
°、２４．０°、２７．４°および２８．８°に強い回
折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶が
あげられる。ハロゲン化スズフタロシアニン結晶として
は、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の８．
５°、１１．２°、１４．５°および２７．２°に強い
回折ピークを有するジクロロスズフタロシアニン結晶、
８．７°、９．９°、１０．９°、１３．１°、１５．
２°、１６．３°、１７．４°、２１．９°および２
５．５°に強い回折ピークを有するジクロロスズフタロ
シアニン結晶、９．２°、１２．２°、１３．４°、１
４．６°、１７．０°および２５．３°に強い回折ピー
クを有するジクロロスズフタロシアニン結晶があげられ
る。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶としては、
ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、少
なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．７°、
１６．５°、２５．１°および２６．６°に強い回折ピ
ークを有するもの、７．９°、１６．５°、２４．４°
および２７．６°に強い回折ピークを有するもの、７．
０°、７．５°、１０．５°、１１．７°、１２．７
°、１７．３°、１８．１°、２４．５°、２６．２°
および２７．１°に強い回折ピークを有するもの、７．
５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６
°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピークを有
するもの、６．８°、１２．８°、１５．８°および２
６．０°に強い回折ピークを有するもの、７．４°、
９．９°、２５．０°、２６．２°および２８．２°に
強い回折ピークを有するもの、８．２°、１２．４°、
１６．５°および２６．３°に強い回折ピークを有する
もの、６．８°、１２．５°および２６．４°に強い回
折ピークを有するものがあげられる。また、チタニルフ
タロシアニン結晶としては、ＣｕＫαを線源とするＸ線
回折スペクトルにおいて、少なくともブラッグ角度（２
θ±０．２°）の２７．３°に強い回折ピークを有し、
１００℃、０．１ｍｍＨｇで８時間減圧乾燥し、１２時
間常圧の空気雰囲気下に放置した後の構造式がＴｉＯＰ
ｃ（Ｈ2 Ｏ）n （ただし、Ｐｃはフタロシアニン残基を
表わし、ｎは０．１５〜１の数を意味する。）で示さ
れ、かつ、Ｃ、ＨおよびＮの元素分析値が、Ｃ：６５．
０〜６６．３％、Ｈ：２．５〜３．１％、Ｎ：１８．５
〜１９．３％であるもの、ＣｕＫαを線源とするＸ線回
折スペクトルにおいて、少なくともブラッグ角度（２θ
±０．２°）の９．２°、１３．１°、２０．７°、２
６．２°および２７．１°に強い回折ピークを有するも
の、および７．６°、１２．３°、１６．３°、２５．
３°および２８．７°に強い回折ピークを有するものを
あげることができる。
して、ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶、ハロゲ
ン化スズフタロシアニン結晶、ヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶およびチタニルフタロシアニン結晶を使
用するのが好ましい。具体的には、次の新規な結晶型の
ものをあげることができる。ハロゲン化ガリウムフタロ
シアニン結晶としては、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折
スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）
の少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５°および
２８．３°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフ
タロシアニン結晶、６．８°、１７．３°、２３．６°
および２６．９°に強い回折ピークを有するクロロガリ
ウムフタロシアニン結晶、８．７〜９．２°、１７．６
°、２４．０°、２７．４°および２８．８°に強い回
折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶が
あげられる。ハロゲン化スズフタロシアニン結晶として
は、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の８．
５°、１１．２°、１４．５°および２７．２°に強い
回折ピークを有するジクロロスズフタロシアニン結晶、
８．７°、９．９°、１０．９°、１３．１°、１５．
２°、１６．３°、１７．４°、２１．９°および２
５．５°に強い回折ピークを有するジクロロスズフタロ
シアニン結晶、９．２°、１２．２°、１３．４°、１
４．６°、１７．０°および２５．３°に強い回折ピー
クを有するジクロロスズフタロシアニン結晶があげられ
る。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶としては、
ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、少
なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．７°、
１６．５°、２５．１°および２６．６°に強い回折ピ
ークを有するもの、７．９°、１６．５°、２４．４°
および２７．６°に強い回折ピークを有するもの、７．
０°、７．５°、１０．５°、１１．７°、１２．７
°、１７．３°、１８．１°、２４．５°、２６．２°
および２７．１°に強い回折ピークを有するもの、７．
５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６
°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピークを有
するもの、６．８°、１２．８°、１５．８°および２
６．０°に強い回折ピークを有するもの、７．４°、
９．９°、２５．０°、２６．２°および２８．２°に
強い回折ピークを有するもの、８．２°、１２．４°、
１６．５°および２６．３°に強い回折ピークを有する
もの、６．８°、１２．５°および２６．４°に強い回
折ピークを有するものがあげられる。また、チタニルフ
タロシアニン結晶としては、ＣｕＫαを線源とするＸ線
回折スペクトルにおいて、少なくともブラッグ角度（２
θ±０．２°）の２７．３°に強い回折ピークを有し、
１００℃、０．１ｍｍＨｇで８時間減圧乾燥し、１２時
間常圧の空気雰囲気下に放置した後の構造式がＴｉＯＰ
ｃ（Ｈ2 Ｏ）n （ただし、Ｐｃはフタロシアニン残基を
表わし、ｎは０．１５〜１の数を意味する。）で示さ
れ、かつ、Ｃ、ＨおよびＮの元素分析値が、Ｃ：６５．
０〜６６．３％、Ｈ：２．５〜３．１％、Ｎ：１８．５
〜１９．３％であるもの、ＣｕＫαを線源とするＸ線回
折スペクトルにおいて、少なくともブラッグ角度（２θ
±０．２°）の９．２°、１３．１°、２０．７°、２
６．２°および２７．１°に強い回折ピークを有するも
の、および７．６°、１２．３°、１６．３°、２５．
３°および２８．７°に強い回折ピークを有するものを
あげることができる。
【００１３】本発明において、これらのフタロシアニン
化合物結晶は、次のようにして製造することができる。
すなわち、上記新規結晶型を有するクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶は、公知の方法によって製造されたクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶を、自動乳鉢、遊星ミ
ル、振動ミル、ＣＦミル、ロールミル、サンドミル、ニ
ーダー等を用いて湿式粉砕処理を行うことによって製造
することができる。この湿式粉砕処理において使用され
る溶剤としては、芳香族類（トルエン、モノクロルベン
ゼン等）、アミド類（ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドン等）、脂肪族アルコール類（メタノール、
エタノール、ブタノール等）、脂肪族多価アルコール類
（エチレングリコール、グリセリン、ポリエチレングリ
コール等）、芳香族アルコール類（ベンジルアルコー
ル、フェネチルアルコール等）、エステル類（酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等）、ケトン類（アセトン、メチルエチ
ルケトン等）、ジメチルスルホキサイド、エーテル類
（ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等）等があげ
られ、さらに、これら数種の混合系、水とこれら有機溶
剤の混合系等が使用できる。これらの溶剤は、クロロガ
リウムフタロシアニンに対して１〜２００部、好ましく
は１０〜１００部の範囲で使用する。処理温度は、０℃
〜溶剤の沸点以下、好ましくは１０〜６０℃の範囲で行
う。また、粉砕の際に食塩、ぼう硝等の磨砕助剤を用い
ることもできる。磨砕助剤を用いる場合は、顔料に対し
て０．５〜２０倍、好ましくは１〜１０倍用いればよ
い。
化合物結晶は、次のようにして製造することができる。
すなわち、上記新規結晶型を有するクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶は、公知の方法によって製造されたクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶を、自動乳鉢、遊星ミ
ル、振動ミル、ＣＦミル、ロールミル、サンドミル、ニ
ーダー等を用いて湿式粉砕処理を行うことによって製造
することができる。この湿式粉砕処理において使用され
る溶剤としては、芳香族類（トルエン、モノクロルベン
ゼン等）、アミド類（ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドン等）、脂肪族アルコール類（メタノール、
エタノール、ブタノール等）、脂肪族多価アルコール類
（エチレングリコール、グリセリン、ポリエチレングリ
コール等）、芳香族アルコール類（ベンジルアルコー
ル、フェネチルアルコール等）、エステル類（酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等）、ケトン類（アセトン、メチルエチ
ルケトン等）、ジメチルスルホキサイド、エーテル類
（ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等）等があげ
られ、さらに、これら数種の混合系、水とこれら有機溶
剤の混合系等が使用できる。これらの溶剤は、クロロガ
リウムフタロシアニンに対して１〜２００部、好ましく
は１０〜１００部の範囲で使用する。処理温度は、０℃
〜溶剤の沸点以下、好ましくは１０〜６０℃の範囲で行
う。また、粉砕の際に食塩、ぼう硝等の磨砕助剤を用い
ることもできる。磨砕助剤を用いる場合は、顔料に対し
て０．５〜２０倍、好ましくは１〜１０倍用いればよ
い。
【００１４】上記新規結晶型を有するジクロロスズフタ
ロシアニン結晶は、公知の方法で製造したジクロロスズ
フタロシアニン結晶を、上記クロロガリウムフタロシア
ニン結晶におけると同様の方法で粉砕、溶剤処理を行う
ことにより得ることができる。
ロシアニン結晶は、公知の方法で製造したジクロロスズ
フタロシアニン結晶を、上記クロロガリウムフタロシア
ニン結晶におけると同様の方法で粉砕、溶剤処理を行う
ことにより得ることができる。
【００１５】また、上記新規結晶型を有するヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンは、公知の方法で製造したクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶を、酸またはアルカリ性
溶液中で加水分解またはアシッドペースティングを行っ
てヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を合成し、そ
れを直接溶剤処理するか、或いは合成によって得られた
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を溶剤と共にボ
ールミル、乳鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式
粉砕処理を行うか、溶剤を用いずに乾式粉砕処理を行っ
た後に溶剤処理することによって製造することができ
る。この溶剤処理に使用される溶剤としては、芳香族類
（トルエン、モノクロルベンゼン等）、アミド類（ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等）、脂肪族
アルコール類（メタノール、エタノール、ブタノール
等）、脂肪族多価アルコール類（エチレングリコール、
グリセリン、ポリエチレングリコール等）、芳香族アル
コール類（ベンジルアルコール、フェネチルアルコール
等）、エステル類（酢酸エチル、酢酸ブチル等）、ケト
ン類（アセトン、メチルエチルケトン等）、ジメチルス
ルホキサイド、エーテル類（ジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン等）等があげられ、さらに、これら数種の
混合系、水とこれら有機溶剤の混合系等が使用できる。
これらの溶剤は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン１
部（重量部、以下、同様）に対して１〜２００部、好ま
しくは１０〜１００部の範囲で使用する。処理温度は、
０℃〜１５０℃、好ましくは室温〜１００℃の範囲で行
う。また、粉砕の際に、食塩、ぼう硝等の磨砕助剤を用
いることもできる。磨砕助剤を用いる場合は、顔料に対
して０．５〜２０倍、好ましくは１〜１０倍用いればよ
い。
ガリウムフタロシアニンは、公知の方法で製造したクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶を、酸またはアルカリ性
溶液中で加水分解またはアシッドペースティングを行っ
てヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を合成し、そ
れを直接溶剤処理するか、或いは合成によって得られた
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を溶剤と共にボ
ールミル、乳鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式
粉砕処理を行うか、溶剤を用いずに乾式粉砕処理を行っ
た後に溶剤処理することによって製造することができ
る。この溶剤処理に使用される溶剤としては、芳香族類
（トルエン、モノクロルベンゼン等）、アミド類（ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等）、脂肪族
アルコール類（メタノール、エタノール、ブタノール
等）、脂肪族多価アルコール類（エチレングリコール、
グリセリン、ポリエチレングリコール等）、芳香族アル
コール類（ベンジルアルコール、フェネチルアルコール
等）、エステル類（酢酸エチル、酢酸ブチル等）、ケト
ン類（アセトン、メチルエチルケトン等）、ジメチルス
ルホキサイド、エーテル類（ジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン等）等があげられ、さらに、これら数種の
混合系、水とこれら有機溶剤の混合系等が使用できる。
これらの溶剤は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン１
部（重量部、以下、同様）に対して１〜２００部、好ま
しくは１０〜１００部の範囲で使用する。処理温度は、
０℃〜１５０℃、好ましくは室温〜１００℃の範囲で行
う。また、粉砕の際に、食塩、ぼう硝等の磨砕助剤を用
いることもできる。磨砕助剤を用いる場合は、顔料に対
して０．５〜２０倍、好ましくは１〜１０倍用いればよ
い。
【００１６】さらにまた、上記新規結晶型を有するチタ
ニルフタロシアニン結晶は、公知の方法で製造されるチ
タニルフタロシアニン結晶を、アシッドペースティング
するか、またはボールミル、乳鉢、サンドミル、ニーダ
ー等を用いて無機塩と共にソルトミリングを行って、結
晶性の低いオキシチタニルフタロシアニン結晶とした
後、直接溶剤処理を行うか、または、溶剤と共にボール
ミル、乳鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式粉砕
処理を行うことによって製造することができる。アシッ
ドペースティングに用いる酸としては、硫酸が好まし
く、濃度７０〜１００％、好ましくは９５〜１００％の
ものが使用される。溶解処理は−２０〜１００℃、好ま
しくは０〜６０℃の範囲で行われる。濃硫酸の量は、チ
タニルフタロシアニン結晶の重量に対して、１〜１００
倍、好ましくは３〜５０倍の範囲に設定される。析出さ
せる溶剤としては、水、或いは水と有機溶剤の混合溶剤
が任意の量で用いられる。特に、水とメタノール、エタ
ノール等のアルコール系溶剤、或いは水とベンゼン、ト
ルエン等の芳香族系溶剤の混合溶剤が好ましい。析出さ
せる温度については、特に制限はないが、発熱を防ぐた
めに、氷等で冷却することが好ましい。また、無機塩と
共にソルトミリングを行う場合、チタニルフタロシアニ
ン結晶と無機塩との比率は、重量比で１／０．１〜１／
２０の範囲、好ましくは１／０．５〜１／５の範囲であ
る。また、溶剤処理において使用される溶剤としては、
芳香族類（トルエン、モノクロルベンゼン等）、脂肪族
アルコール類（メタノール、エタノール、ブタノール
等）、ハロゲン化炭化水素類（ジクロロメタン、クロロ
ホルム、トリクロロエタン等）、さらにはこれらの数種
の混合系、水とこれらの有機溶剤の混合系等があげられ
る。これらの溶剤は、チタニルフタロシアニン１部に対
して、１〜１００部、好ましくは５〜５０部の範囲で使
用される。溶剤処理温度は、室温〜１００℃、好ましく
は５０〜１００℃の範囲である。磨砕助剤は顔料に対し
て０．５〜２０倍、好ましくは１〜１０倍用いればよ
い。
ニルフタロシアニン結晶は、公知の方法で製造されるチ
タニルフタロシアニン結晶を、アシッドペースティング
するか、またはボールミル、乳鉢、サンドミル、ニーダ
ー等を用いて無機塩と共にソルトミリングを行って、結
晶性の低いオキシチタニルフタロシアニン結晶とした
後、直接溶剤処理を行うか、または、溶剤と共にボール
ミル、乳鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式粉砕
処理を行うことによって製造することができる。アシッ
ドペースティングに用いる酸としては、硫酸が好まし
く、濃度７０〜１００％、好ましくは９５〜１００％の
ものが使用される。溶解処理は−２０〜１００℃、好ま
しくは０〜６０℃の範囲で行われる。濃硫酸の量は、チ
タニルフタロシアニン結晶の重量に対して、１〜１００
倍、好ましくは３〜５０倍の範囲に設定される。析出さ
せる溶剤としては、水、或いは水と有機溶剤の混合溶剤
が任意の量で用いられる。特に、水とメタノール、エタ
ノール等のアルコール系溶剤、或いは水とベンゼン、ト
ルエン等の芳香族系溶剤の混合溶剤が好ましい。析出さ
せる温度については、特に制限はないが、発熱を防ぐた
めに、氷等で冷却することが好ましい。また、無機塩と
共にソルトミリングを行う場合、チタニルフタロシアニ
ン結晶と無機塩との比率は、重量比で１／０．１〜１／
２０の範囲、好ましくは１／０．５〜１／５の範囲であ
る。また、溶剤処理において使用される溶剤としては、
芳香族類（トルエン、モノクロルベンゼン等）、脂肪族
アルコール類（メタノール、エタノール、ブタノール
等）、ハロゲン化炭化水素類（ジクロロメタン、クロロ
ホルム、トリクロロエタン等）、さらにはこれらの数種
の混合系、水とこれらの有機溶剤の混合系等があげられ
る。これらの溶剤は、チタニルフタロシアニン１部に対
して、１〜１００部、好ましくは５〜５０部の範囲で使
用される。溶剤処理温度は、室温〜１００℃、好ましく
は５０〜１００℃の範囲である。磨砕助剤は顔料に対し
て０．５〜２０倍、好ましくは１〜１０倍用いればよ
い。
【００１７】本発明の電子写真感光体における感光層
は、単層構造でもよいが、電荷発生層と電荷輸送層とに
機能分離した積層構造のものが好ましい。単層構造の場
合には、上記一般式で示されるトリアリールアミン化合
物を電荷発生材料と共に、結着樹脂中に含有させて構成
されるが、以下、積層構造の場合について主として説明
する。電荷輸送層は、上記一般式で示されるトリアリー
ルアミン化合物を電荷輸送材料として結着樹脂中に含有
させて構成される。結着樹脂としては、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、
ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレ
ン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニ
トリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイ
ン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹
脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−ア
ルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシ
ラン等の公知の樹脂を用いることができる。結着樹脂
は、これらに限定されるものではないが、下記構造式
（II）〜（VII ）で示される単量体単位よりなるポリカ
ーボネート樹脂またはそれ等を含有する共重合ポリカー
ボネート樹脂を用いた場合に、相溶性がよく、均一な膜
が得られるので、良好な特性を示すので、特に好まし
い。
は、単層構造でもよいが、電荷発生層と電荷輸送層とに
機能分離した積層構造のものが好ましい。単層構造の場
合には、上記一般式で示されるトリアリールアミン化合
物を電荷発生材料と共に、結着樹脂中に含有させて構成
されるが、以下、積層構造の場合について主として説明
する。電荷輸送層は、上記一般式で示されるトリアリー
ルアミン化合物を電荷輸送材料として結着樹脂中に含有
させて構成される。結着樹脂としては、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、
ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレ
ン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニ
トリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイ
ン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹
脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−ア
ルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシ
ラン等の公知の樹脂を用いることができる。結着樹脂
は、これらに限定されるものではないが、下記構造式
（II）〜（VII ）で示される単量体単位よりなるポリカ
ーボネート樹脂またはそれ等を含有する共重合ポリカー
ボネート樹脂を用いた場合に、相溶性がよく、均一な膜
が得られるので、良好な特性を示すので、特に好まし
い。
【００１８】
【化３】
【化４】 上記した結着樹脂は、単独或いは２種以上混合して用い
ることができる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比
（重量比）は、１０：１〜１：５が好ましい。
ることができる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比
（重量比）は、１０：１〜１：５が好ましい。
【００１９】一方、電荷発生層は、電荷発生材料を適当
な結着樹脂中に分散させて構成されるが、本発明におい
ては、電荷発生材料として上記したフタロシアニン化合
物結晶が好ましく用いられる。また、結着樹脂として
は、公知の絶縁性樹脂から選択することができるが、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセ
ン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポ
リマーから選択することもできる。好ましい結着樹脂と
しては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹
脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹
脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニ
ルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポ
キシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂をあげることができ
る。これらの結着樹脂は、単独或いは２種以上混合して
用いることができる。また、電荷発生材料と結着樹脂と
の配合比（重量比）は、１０：１〜１：１０の範囲が好
ましい。
な結着樹脂中に分散させて構成されるが、本発明におい
ては、電荷発生材料として上記したフタロシアニン化合
物結晶が好ましく用いられる。また、結着樹脂として
は、公知の絶縁性樹脂から選択することができるが、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセ
ン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポ
リマーから選択することもできる。好ましい結着樹脂と
しては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹
脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹
脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニ
ルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポ
キシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂をあげることができ
る。これらの結着樹脂は、単独或いは２種以上混合して
用いることができる。また、電荷発生材料と結着樹脂と
の配合比（重量比）は、１０：１〜１：１０の範囲が好
ましい。
【００２０】これらの電荷輸送材料を分散させる方法と
しては、ボールミル分散法、アトライター分散法、サン
ドミル分散法等の通常使用される方法を用いることがで
きるが、その際、分散によって前記ヒドロキシガリウム
フタロシアニンの結晶型が変化しない条件が必要であ
る。因みに、本発明で実施する前記の分散法のいずれに
ついても、分散前と分散後では結晶型が変化していない
ことが確認されている。さらに、この分散の際に、粒子
を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、さらに
好ましくは０．１５μｍ以下の粒子サイズにすることが
有効である。また、これらの分散に用いる溶剤として
は、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−
ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン、メチレンクロリド、クロロ
ホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常使用される
有機溶剤を単独或いは２種以上混合して用いることがで
きる。
しては、ボールミル分散法、アトライター分散法、サン
ドミル分散法等の通常使用される方法を用いることがで
きるが、その際、分散によって前記ヒドロキシガリウム
フタロシアニンの結晶型が変化しない条件が必要であ
る。因みに、本発明で実施する前記の分散法のいずれに
ついても、分散前と分散後では結晶型が変化していない
ことが確認されている。さらに、この分散の際に、粒子
を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、さらに
好ましくは０．１５μｍ以下の粒子サイズにすることが
有効である。また、これらの分散に用いる溶剤として
は、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−
ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン、メチレンクロリド、クロロ
ホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常使用される
有機溶剤を単独或いは２種以上混合して用いることがで
きる。
【００２１】
【実施例】以下、実施例によって本発明を説明するが、
先ず、電荷輸送材料および電荷発生材料の合成方法につ
いて合成例を示す。 合成例１ （３，４，４′，４″−テトラメチルトリフェニルアミ
ン（ＣＴ−３）の合成） ３，４，４′−トリメチルジフェニルアミン５０ｇ、ｐ
−ヨードトルエン６２ｇ、無水炭酸カリウム３３ｇ、硫
酸銅５水和物２ｇおよびｎ−トリデカン１０ｍｌを１リ
ットルの３ツ口フラスコに入れ、窒素気流下、２００℃
で１２０時間反応した後、室温に冷却した。反応混合物
を、活性アルミナでカラム精製し（溶剤：ｎ−ヘキサン
／トルエン＝１０／１）、溶剤を減圧留去した。残さを
酢酸エチル／エタノールの混合溶剤で再結晶して、３，
４，４′，４″−テトラメチルトリフェニルアミン５２
ｇを得た。（融点１０７〜１０９℃、無色結晶）
先ず、電荷輸送材料および電荷発生材料の合成方法につ
いて合成例を示す。 合成例１ （３，４，４′，４″−テトラメチルトリフェニルアミ
ン（ＣＴ−３）の合成） ３，４，４′−トリメチルジフェニルアミン５０ｇ、ｐ
−ヨードトルエン６２ｇ、無水炭酸カリウム３３ｇ、硫
酸銅５水和物２ｇおよびｎ−トリデカン１０ｍｌを１リ
ットルの３ツ口フラスコに入れ、窒素気流下、２００℃
で１２０時間反応した後、室温に冷却した。反応混合物
を、活性アルミナでカラム精製し（溶剤：ｎ−ヘキサン
／トルエン＝１０／１）、溶剤を減圧留去した。残さを
酢酸エチル／エタノールの混合溶剤で再結晶して、３，
４，４′，４″−テトラメチルトリフェニルアミン５２
ｇを得た。（融点１０７〜１０９℃、無色結晶）
【００２２】合成例２〜６ 合成例１と同様にしてＮ−（４−メチルフェニル）−Ｎ
−（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミ
ン（ＣＴ−４）（融点：１２８〜１２９．５℃、無色結
晶）、３，３′，４，４′，４″−ペンタメチルトリフ
ェニルアミン（ＣＴ−１３）（融点：１１５〜１１７．
５℃、無色結晶）、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフ
ェニル）ビフェニル−４−アミン（ＣＴ−１４）（融
点：１１９〜１２０．５℃、無色結晶）、Ｎ，Ｎ−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）ナフタレン−１−アミン
（ＣＴ−１９）（融点：１２５〜１２７℃、淡黄色結
晶）、３，３′３″，４，４′，４″−ヘキサメチルト
リフェニルアミン（ＣＴ−２５）（融点１３７〜１３９
℃、無色結晶）を合成した。
−（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミ
ン（ＣＴ−４）（融点：１２８〜１２９．５℃、無色結
晶）、３，３′，４，４′，４″−ペンタメチルトリフ
ェニルアミン（ＣＴ−１３）（融点：１１５〜１１７．
５℃、無色結晶）、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフ
ェニル）ビフェニル−４−アミン（ＣＴ−１４）（融
点：１１９〜１２０．５℃、無色結晶）、Ｎ，Ｎ−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）ナフタレン−１−アミン
（ＣＴ−１９）（融点：１２５〜１２７℃、淡黄色結
晶）、３，３′３″，４，４′，４″−ヘキサメチルト
リフェニルアミン（ＣＴ−２５）（融点１３７〜１３９
℃、無色結晶）を合成した。
【００２３】合成例７ １，３−ジイミノイソインドリン３０部、３塩化ガリウ
ム９．１部をキノリン２３０部中に入れ、２００℃にお
いて３時間反応させた後、生成物を濾別し、アセトン、
メタノールで洗浄し、次いで、湿ケーキを乾燥した後、
クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部を得た。得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶３部を、自動乳
鉢（商品名：Ｌａｂ−Ｍｉｌｌ ＵＴ−２１型、ヤマト
科学社製）で３時間乾式粉砕し、０．５部をガラスビー
ズ（（１ｍｍφ）６０部と共に、室温下、ベンジルアル
コール２０部中で２４時間ミリング処理した後、ガラス
ビーズを濾別し、メタノール１０部で洗浄し、乾燥し
て、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．
４°、１６．６°、２５．５°および２８．３°に強い
回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶
（ＣＧ−１）を得た。処理溶剤を塩化メチレンまたはメ
タノールに代えて、上記と同様に処理することによっ
て、６．８°、１７．３°、２３．６°および２６．９
°に強い回折ピークを有するもの（ＣＧ−２）、および
８．７〜９．２°、１７．６°、２４．０°、２７．４
°および２８．８°に強い回折ピークを有するもの（Ｃ
Ｇ−３）を得た。
ム９．１部をキノリン２３０部中に入れ、２００℃にお
いて３時間反応させた後、生成物を濾別し、アセトン、
メタノールで洗浄し、次いで、湿ケーキを乾燥した後、
クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部を得た。得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶３部を、自動乳
鉢（商品名：Ｌａｂ−Ｍｉｌｌ ＵＴ−２１型、ヤマト
科学社製）で３時間乾式粉砕し、０．５部をガラスビー
ズ（（１ｍｍφ）６０部と共に、室温下、ベンジルアル
コール２０部中で２４時間ミリング処理した後、ガラス
ビーズを濾別し、メタノール１０部で洗浄し、乾燥し
て、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．
４°、１６．６°、２５．５°および２８．３°に強い
回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶
（ＣＧ−１）を得た。処理溶剤を塩化メチレンまたはメ
タノールに代えて、上記と同様に処理することによっ
て、６．８°、１７．３°、２３．６°および２６．９
°に強い回折ピークを有するもの（ＣＧ−２）、および
８．７〜９．２°、１７．６°、２４．０°、２７．４
°および２８．８°に強い回折ピークを有するもの（Ｃ
Ｇ−３）を得た。
【００２４】合成例８ フタロニトリル５０ｇおよび無水塩化第２スズ２７ｇ
を、１−クロルナフタレン３５０ｍｌ中に加え、１９５
℃において５時間反応させた後、生成物を濾別し、１−
クロルナフタレン、アセトン、メタノール、次いで水で
洗浄した後、減圧乾燥して、ジクロロスズフタロシアニ
ン結晶１８．３ｇを得た。得られたジクロロスズフタロ
シアニン結晶５ｇを、食塩１０ｇ、メノウボール（２０
ｍｍφ）５００ｇと共にメノウ製ポットに入れ、遊星ボ
ールミル（Ｐ−５型、フリッチュ社製）にて４００ｒｐ
ｍで１０時間粉砕した後、十分に水洗し、乾燥した。そ
の０．５ｇをテトラヒドロフラン１５ｇ、ガラスビーズ
（１ｍｍφ）３０ｇと共に、室温で２４時間ミリング処
理した後、ガラスビーズを濾別し、メタノールで洗浄
し、乾燥して、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクト
ルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）の８．５
°、１１．２°、１４．５°および２７．２°に強い回
折ピークを有するジクロロスズフタロシアニン結晶（Ｃ
Ｇ−４）を得た。処理溶剤をモノクロロベンゼンまたは
テトラヒドロフランに代えて、上記と同様に処理するこ
とによって、８．７°、９．９°、１０．９°、１３．
１°、１５．２°、１６．３°、１７．４°、２１．９
°および２５．５°に強い回折ピークを有するもの（Ｃ
Ｇ−５）、および９．２°、１２．２°、１３．４°、
１４．６°、１７．０°および２５．３°に強い回折ピ
ークを有するもの（ＣＧ−６）を得た。
を、１−クロルナフタレン３５０ｍｌ中に加え、１９５
℃において５時間反応させた後、生成物を濾別し、１−
クロルナフタレン、アセトン、メタノール、次いで水で
洗浄した後、減圧乾燥して、ジクロロスズフタロシアニ
ン結晶１８．３ｇを得た。得られたジクロロスズフタロ
シアニン結晶５ｇを、食塩１０ｇ、メノウボール（２０
ｍｍφ）５００ｇと共にメノウ製ポットに入れ、遊星ボ
ールミル（Ｐ−５型、フリッチュ社製）にて４００ｒｐ
ｍで１０時間粉砕した後、十分に水洗し、乾燥した。そ
の０．５ｇをテトラヒドロフラン１５ｇ、ガラスビーズ
（１ｍｍφ）３０ｇと共に、室温で２４時間ミリング処
理した後、ガラスビーズを濾別し、メタノールで洗浄
し、乾燥して、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクト
ルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）の８．５
°、１１．２°、１４．５°および２７．２°に強い回
折ピークを有するジクロロスズフタロシアニン結晶（Ｃ
Ｇ−４）を得た。処理溶剤をモノクロロベンゼンまたは
テトラヒドロフランに代えて、上記と同様に処理するこ
とによって、８．７°、９．９°、１０．９°、１３．
１°、１５．２°、１６．３°、１７．４°、２１．９
°および２５．５°に強い回折ピークを有するもの（Ｃ
Ｇ−５）、および９．２°、１２．２°、１３．４°、
１４．６°、１７．０°および２５．３°に強い回折ピ
ークを有するもの（ＣＧ−６）を得た。
【００２５】合成例９ 合成例７で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
３部を濃硫酸６０部に０℃にて溶解した後、５℃の蒸留
水４５０部に上記溶液を滴下し、結晶を再析出させた。
蒸留水、希アンモニア水で洗浄した後、乾燥し、２．５
８部のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。
この結晶を自動乳鉢にて５．５時間粉砕した後、その
０．５部を、ジメチルホルムアミド１５部、直径１ｍｍ
のガラスビーズ３０部と共に２４時間ミリングした後、
結晶を分離した。メタノールで洗浄した後乾燥して、Ｃ
ｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、ブラ
ッグ角度（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１
２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および
２８．３°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶（ＣＧ−１０）を得た。また、自
動乳鉢で粉砕を行わずにジメチルホルムアミドで処理し
て、７．４°、９．９°、２５．０°、２６．２°およ
び２８．２°に強い回折ピークを有するもの（ＣＧ−１
２）を得た。また、処理溶剤を塩化メチレン、ジメチル
スルホキシド、ベンジルアルコールまたはエチレングリ
コールに代えて、上記と同様に処理することによって、
７．７°、１６．５°、２５．１°および２６．６°に
強い回折ピークを有するもの（ＣＧ−７）、７．９°、
１６．５°、２４．４°および２７．６°に強い回折ピ
ークを有するもの（ＣＧ−８）、および７．０°、７．
５°、１０．５°、１１．７°、１２．７°、１７．３
°、１８．１°、２４．５°、２６．２°および２７．
１°に強い回折ピークを有するもの（ＣＧ−９）、６．
８°、１２．８°、１５．８°および２６．０°に強い
回折ピークを有するもの（ＣＧ−１１）を得た。また、
希アンモニア水で洗浄しないで乾燥し、溶剤として、ジ
メチルホルムアミドまたはエチレングリコールを用いて
上記と同様に溶剤処理して、８．２°、１２．４°、１
６．５°および２６．３°に強い回折ピークを有するも
の（ＣＧ−１３）、および６．８°、１２．５°および
２６．４°に強い回折ピークを有するもの（ＣＧ−１
４）を得た。
３部を濃硫酸６０部に０℃にて溶解した後、５℃の蒸留
水４５０部に上記溶液を滴下し、結晶を再析出させた。
蒸留水、希アンモニア水で洗浄した後、乾燥し、２．５
８部のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。
この結晶を自動乳鉢にて５．５時間粉砕した後、その
０．５部を、ジメチルホルムアミド１５部、直径１ｍｍ
のガラスビーズ３０部と共に２４時間ミリングした後、
結晶を分離した。メタノールで洗浄した後乾燥して、Ｃ
ｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、ブラ
ッグ角度（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１
２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および
２８．３°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶（ＣＧ−１０）を得た。また、自
動乳鉢で粉砕を行わずにジメチルホルムアミドで処理し
て、７．４°、９．９°、２５．０°、２６．２°およ
び２８．２°に強い回折ピークを有するもの（ＣＧ−１
２）を得た。また、処理溶剤を塩化メチレン、ジメチル
スルホキシド、ベンジルアルコールまたはエチレングリ
コールに代えて、上記と同様に処理することによって、
７．７°、１６．５°、２５．１°および２６．６°に
強い回折ピークを有するもの（ＣＧ−７）、７．９°、
１６．５°、２４．４°および２７．６°に強い回折ピ
ークを有するもの（ＣＧ−８）、および７．０°、７．
５°、１０．５°、１１．７°、１２．７°、１７．３
°、１８．１°、２４．５°、２６．２°および２７．
１°に強い回折ピークを有するもの（ＣＧ−９）、６．
８°、１２．８°、１５．８°および２６．０°に強い
回折ピークを有するもの（ＣＧ−１１）を得た。また、
希アンモニア水で洗浄しないで乾燥し、溶剤として、ジ
メチルホルムアミドまたはエチレングリコールを用いて
上記と同様に溶剤処理して、８．２°、１２．４°、１
６．５°および２６．３°に強い回折ピークを有するも
の（ＣＧ−１３）、および６．８°、１２．５°および
２６．４°に強い回折ピークを有するもの（ＣＧ−１
４）を得た。
【００２６】合成例１０ １，３−ジイミノイソインドリン３０部、チタニウムテ
トラブトキシド１７部、を１−クロルナフタレン２００
部中に入れ、窒素気流下１９０℃において５時間反応さ
せた後、生成物を濾過し、アンモニア水、水、アセトン
で洗浄し、チタニルフタロシアニン４０部を得た。得ら
れたチタニルフタロシアニン結晶５部と塩化ナトリウム
１０部を自動乳鉢（ＬＡＢＯ−ＭＩＬＬ ＵＴ−２１、
ヤマト科学社製）を用いて３時間粉砕した。その後、蒸
留水で十分に洗浄し、乾燥して４．８部のチタニルフタ
ロシアニン結晶を得た。得られたチタニルフタロシアニ
ン結晶はＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにお
いて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）の２７．３°に
明確な回折ピークを示すものであった。得られたチタニ
ルフタロシアニン結晶２部を蒸留水２０部、モノクロル
ベンゼン２部の混合溶剤中で、５０℃において１時間攪
拌した後、濾過し、メタノールで十分洗浄し、乾燥し
て、２７．３°に強い回折ピークを有するチタニルフタ
ロシアニン水和物結晶（ＣＧ−１５）を得た。このもの
は、０．１ｍｍＨｇで８時間減圧乾燥し、１２時間常圧
の空気雰囲気下に放置した後の構造式がＴｉＯＰｃ（Ｈ
2 Ｏ）n（ただし、Ｐｃはフタロシアニン残基を表わ
し、ｎは０．４９である。）で示され、かつ、Ｃ、Ｈお
よびＮの元素分析値は、Ｃ：６５．９０％、Ｈ：２．８
０％、Ｎ：１８．７０％であった。
トラブトキシド１７部、を１−クロルナフタレン２００
部中に入れ、窒素気流下１９０℃において５時間反応さ
せた後、生成物を濾過し、アンモニア水、水、アセトン
で洗浄し、チタニルフタロシアニン４０部を得た。得ら
れたチタニルフタロシアニン結晶５部と塩化ナトリウム
１０部を自動乳鉢（ＬＡＢＯ−ＭＩＬＬ ＵＴ−２１、
ヤマト科学社製）を用いて３時間粉砕した。その後、蒸
留水で十分に洗浄し、乾燥して４．８部のチタニルフタ
ロシアニン結晶を得た。得られたチタニルフタロシアニ
ン結晶はＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにお
いて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）の２７．３°に
明確な回折ピークを示すものであった。得られたチタニ
ルフタロシアニン結晶２部を蒸留水２０部、モノクロル
ベンゼン２部の混合溶剤中で、５０℃において１時間攪
拌した後、濾過し、メタノールで十分洗浄し、乾燥し
て、２７．３°に強い回折ピークを有するチタニルフタ
ロシアニン水和物結晶（ＣＧ−１５）を得た。このもの
は、０．１ｍｍＨｇで８時間減圧乾燥し、１２時間常圧
の空気雰囲気下に放置した後の構造式がＴｉＯＰｃ（Ｈ
2 Ｏ）n（ただし、Ｐｃはフタロシアニン残基を表わ
し、ｎは０．４９である。）で示され、かつ、Ｃ、Ｈお
よびＮの元素分析値は、Ｃ：６５．９０％、Ｈ：２．８
０％、Ｎ：１８．７０％であった。
【００２７】また、合成反応後のチタニルフタロシアニ
ン２０部を９７％硫酸１０００部に５℃で溶解した後、
氷水１３０００部に注ぎ、析出した結晶を十分に水洗し
た後乾燥した。得られたオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶０．５部を酢酸エチル１５部と１ｍｍφガラスビ
ーズ３０部と共に２４時間ミリングした後、結晶を分離
し、乾燥して、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクト
ルにおいて、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２
°）の９．２°、１３．１°、２０．７°、２６．２°
および２７．１°に強い回折ピークを有するもの（ＣＧ
−１６）を得た。溶剤をジメチルホルムアミドに代えて
同様に処理することにより、少なくともブラッグ角度
（２θ±０．２°）の７．６°、１２．３°、１６．３
°、２５．３°および２８．７°に強い回折ピークを有
するもの（ＣＧ−１７）を得た。
ン２０部を９７％硫酸１０００部に５℃で溶解した後、
氷水１３０００部に注ぎ、析出した結晶を十分に水洗し
た後乾燥した。得られたオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶０．５部を酢酸エチル１５部と１ｍｍφガラスビ
ーズ３０部と共に２４時間ミリングした後、結晶を分離
し、乾燥して、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクト
ルにおいて、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２
°）の９．２°、１３．１°、２０．７°、２６．２°
および２７．１°に強い回折ピークを有するもの（ＣＧ
−１６）を得た。溶剤をジメチルホルムアミドに代えて
同様に処理することにより、少なくともブラッグ角度
（２θ±０．２°）の７．６°、１２．３°、１６．３
°、２５．３°および２８．７°に強い回折ピークを有
するもの（ＣＧ−１７）を得た。
【００２８】実施例１〜２８ アルミニウム基板上にジルコニウム化合物（商品名：オ
ルガチックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）１０部お
よびシラン化合物（商品名：Ａ１１１０、日本ユンカー
社製）１部とｉ−プロパノール４０部およびブタノール
２０部からなる溶液を浸漬コーティング法で塗布し、１
５０℃において１０分間加熱して膜厚０．５μｍの下引
き層を形成した。ＣＧ−１の１部を、ポリビニルブチラ
ール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社
製）１部および酢酸ｎ−ブチル１００部と混合し、得ら
れた塗布液を上記下引き層上に浸漬コーティング法で塗
布し、１００℃において１０分間加熱乾燥して、電荷発
生層を形成した。次に上記例示化合物ＣＴ−４の２部と
下記式で示される単量体単位よりなるポリカートネート
樹脂３部を、モノクロルベンゼン２０部に溶解し、得ら
れた塗布液を、上記電荷発生層の上に浸漬コーティング
法で塗布し、１２０℃において１時間加熱乾燥して、膜
厚２０μｍの電荷輸送層を形成した。
ルガチックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）１０部お
よびシラン化合物（商品名：Ａ１１１０、日本ユンカー
社製）１部とｉ−プロパノール４０部およびブタノール
２０部からなる溶液を浸漬コーティング法で塗布し、１
５０℃において１０分間加熱して膜厚０．５μｍの下引
き層を形成した。ＣＧ−１の１部を、ポリビニルブチラ
ール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社
製）１部および酢酸ｎ−ブチル１００部と混合し、得ら
れた塗布液を上記下引き層上に浸漬コーティング法で塗
布し、１００℃において１０分間加熱乾燥して、電荷発
生層を形成した。次に上記例示化合物ＣＴ−４の２部と
下記式で示される単量体単位よりなるポリカートネート
樹脂３部を、モノクロルベンゼン２０部に溶解し、得ら
れた塗布液を、上記電荷発生層の上に浸漬コーティング
法で塗布し、１２０℃において１時間加熱乾燥して、膜
厚２０μｍの電荷輸送層を形成した。
【化５】
【００２９】上記のようにして得られた電子写真用感光
体の電子写真特性を、静電複写紙試験装置（川口電気社
製：エレクトロスタティックアナライザーＥＰＡ−８１
００）を用いて、常温常湿（２０℃、４０％ＲＨ）の環
境下、−６ｋＶのコロナ放電を行って帯電させた後、タ
ングステンランプに光を、モノクロメーターを用いて８
００ｎｍの単色光にし、感光体表面上で１μＷ／ｃｍ2
になるように調整し、照射した。そしてその表面電位Ｖ
0 （ボルト）、半減露光量Ｅ1/2 （ｅｒｇ／ｃｍ2 ）を
測定し、その後１０ルックスの白色光を１秒間照射し、
残留電位ＶRP（ボルト）を測定した。さらに上記の帯
電、露光を１０００回繰り返した後のＶ0、Ｅ1/2 、ＶR
Pを測定し、また、その変動量をΔＶ0 、ΔＥ1/2 、Δ
ＶRPで表わし、その結果を表５および６に示す。同様に
して、表５および６に示された電荷発生材料および電荷
輸送材料を組み合わせて得られた電子写真感光体につい
て、同様に評価を行った。その結果を表５および６に示
す。
体の電子写真特性を、静電複写紙試験装置（川口電気社
製：エレクトロスタティックアナライザーＥＰＡ−８１
００）を用いて、常温常湿（２０℃、４０％ＲＨ）の環
境下、−６ｋＶのコロナ放電を行って帯電させた後、タ
ングステンランプに光を、モノクロメーターを用いて８
００ｎｍの単色光にし、感光体表面上で１μＷ／ｃｍ2
になるように調整し、照射した。そしてその表面電位Ｖ
0 （ボルト）、半減露光量Ｅ1/2 （ｅｒｇ／ｃｍ2 ）を
測定し、その後１０ルックスの白色光を１秒間照射し、
残留電位ＶRP（ボルト）を測定した。さらに上記の帯
電、露光を１０００回繰り返した後のＶ0、Ｅ1/2 、ＶR
Pを測定し、また、その変動量をΔＶ0 、ΔＥ1/2 、Δ
ＶRPで表わし、その結果を表５および６に示す。同様に
して、表５および６に示された電荷発生材料および電荷
輸送材料を組み合わせて得られた電子写真感光体につい
て、同様に評価を行った。その結果を表５および６に示
す。
【００３０】比較例１〜１２ 実施例１における電荷発生材料および電荷輸送材料の組
み合わせを表７に示すものに変更した以外は、同様にし
て電子写真感光体を作製し、同様に評価を行った。その
結果を表７に示す。なお、表７中、ＣＴ−３５は、４，
４′，４″−トリメチルトリフェニルアミン、ＣＴ−３
６は４−エチル−４′，４″−ジメチルトリフェニルア
ミン、ＣＴ−３７はＮ，Ｎ−ジフェニルビフェニル−４
−アミン意味し、また、ｘ−Ｈ2 Ｐｃはｘ−型無金属フ
タロシアニンを意味する。
み合わせを表７に示すものに変更した以外は、同様にし
て電子写真感光体を作製し、同様に評価を行った。その
結果を表７に示す。なお、表７中、ＣＴ−３５は、４，
４′，４″−トリメチルトリフェニルアミン、ＣＴ−３
６は４−エチル−４′，４″−ジメチルトリフェニルア
ミン、ＣＴ−３７はＮ，Ｎ−ジフェニルビフェニル−４
−アミン意味し、また、ｘ−Ｈ2 Ｐｃはｘ−型無金属フ
タロシアニンを意味する。
【００３１】
【表５】
【００３２】
【表６】
【００３３】
【表７】
【００３４】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、上記一般式
（Ｉ）で示される新規なトリアリールアミン化合物を電
荷輸送材料として用いたから、高い光感度と優れた繰り
返し安定性を有するという優れた効果を奏する。
（Ｉ）で示される新規なトリアリールアミン化合物を電
荷輸送材料として用いたから、高い光感度と優れた繰り
返し安定性を有するという優れた効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 五十嵐 良作 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−107605（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−89039（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−211757（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−329600（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−313386（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−11868（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−250421（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03G 5/00 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (21)
- 【請求項１】 感光層中に、電荷輸送材料として、下記
一般式（Ｉ′）で示されるトリアリールアミン化合物の
少なくとも１種を含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化１】 （式中、Ａｒ1 ′およびＡｒ2 ′は、それぞれアルキ
ル、アルコキシ、フェニル、またはアルキル置換フェニ
ルで置換されてもよいフェニル基、またはアルキル基で
置換されてもよい縮合環基を表す。ただし、Ａｒ1 ′お
よびＡｒ2 ′の一方が置換または非置換フルオレニル基
を表し、他方がフェニル基またはモノ置換フェニル基を
表す場合を除く。） - 【請求項２】 感光層中に、電荷輸送材料として、下記
一般式（Ｉ）で示されるトリアリールアミン化合物の少
なくとも１種を含有し、電荷発生材料として、ハロゲン
化ガリウムフタロシアニン結晶、ハロゲン化スズフタロ
シアニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
およびチタニルフタロシアニン結晶から選択された少な
くとも１種を含有することを特徴とする電子写真感光
体。 【化２】 （式中、Ａｒ1 およびＡｒ2 は、それぞれアルキル、ア
ルコキシ、フェニル、またはアルキル置換フェニルで置
換されてもよいフェニル基、またはアルキル基で置換さ
れてもよい縮合環基を表す。） - 【請求項３】 上記一般式（Ｉ）中、Ａｒ1 が３，４−
ジメチルフェニル基である請求項２に記載の電子写真感
光体。 - 【請求項４】 上記一般式（Ｉ）中、Ａｒ1 およびＡｒ
2 が共に３，４−ジメチルフェニル基であることを特徴
とする請求項２に記載の電子写真感光体。 - 【請求項５】 ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶
がＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、
少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．４
°、１６．６°、２５．５°および２８．３°に強い回
折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶で
ある請求項２ないし４のいずれかに記載の電子写真感光
体。 - 【請求項６】 ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶
がＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、
少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の６．８
°、１７．３°、２３．６°および２６．９°に強い回
折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶で
ある請求項２ないし４のいずれかに記載の電子写真感光
体。 - 【請求項７】 ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶
がＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、
少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の８．７〜
９．２°、１７．６°、２４．０°、２７．４°および
２８．８°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフ
タロシアニン結晶である請求項２ないし４のいずれかに
記載の電子写真感光体。 - 【請求項８】 ハロゲン化スズフタロシアニン結晶が、
ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、少
なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の８．５°、
１１．２°、１４．５°および２７．２°に強い回折ピ
ークを有するジクロロスズフタロシアニン結晶である請
求項２ないし４のいずれかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項９】 ハロゲン化スズフタロシアニン結晶が、
ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、少
なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の８．７°、
９．９°、１０．９°、１３．１°、１５．２°、１
６．３°、１７．４°、２１．９°および２５．５°に
強い回折ピークを有するジクロロスズフタロシアニン結
晶である請求項２ないし４のいずれかに記載の電子写真
感光体。 - 【請求項１０】 ハロゲン化スズフタロシアニン結晶
が、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の９．
２°、１２．２°、１３．４°、１４．６°、１７．０
°および２５．３°に強い回折ピークを有するジクロロ
スズフタロシアニン結晶である請求項２ないし４のいず
れかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項１１】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶が、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．
７°、１６．５°、２５．１°および２６．６°に強い
回折ピークを有するものである請求項２ないし４のいず
れかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項１２】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶が、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．
９°、１６．５°、２４．４°および２７．６°に強い
回折ピークを有するものである請求項２ないし４のいず
れかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項１３】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶が、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．
０°、７．５°、１０．５°、１１．７°、１２．７
°、１７．３°、１８．１°、２４．５°、２６．２°
および２７．１°に強い回折ピークを有するものである
請求項２ないし４のいずれかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項１４】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶が、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．
５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６
°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピークを有
するものである請求項２ないし４のいずれかに記載の電
子写真感光体。 - 【請求項１５】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶が、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の６．
８°、１２．８°、１５．８°および２６．０°に強い
回折ピークを有するものである請求項２ないし４のいず
れかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項１６】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶が、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．
４°、９．９°、２５．０°、２６．２°および２８．
２°に強い回折ピークを有するものである請求項２ない
し４のいずれかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項１７】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶が、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の８．
２°、１２．４°、１６．５°および２６．３°に強い
回折ピークを有するものである請求項２ないし４のいず
れかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項１８】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶が、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、少なくともブラッグ角度（２θ±０．２°）の６．
８°、１２．５°および２６．４°に強い回折ピークを
有するものである請求項２ないし４のいずれかに記載の
電子写真感光体。 - 【請求項１９】 チタニルフタロシアニン結晶が、Ｃｕ
Ｋαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、少なく
ともブラッグ角度（２θ±０．２°）の２７．３°に強
い回折ピークを有し、１００℃、０．１ｍｍＨｇで８時
間減圧乾燥し、１２時間常圧の空気雰囲気下に放置した
後の構造式がＴｉＯＰｃ（Ｈ2 Ｏ）n（ただし、Ｐｃは
フタロシアニン残基を表わし、ｎは０．１５〜１の数を
意味する。）で示され、かつ、Ｃ、ＨおよびＮの元素分
析値が、Ｃ：６５．０〜６６．３％、Ｈ：２．５〜３．
１％、Ｎ：１８．５〜１９．３％である請求項２ないし
４のいずれかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項２０】 チタニルフタロシアニン結晶が、Ｃｕ
Ｋαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、少なく
ともブラッグ角度（２θ±０．２°）の９．２°、１
３．１°、２０．７°、２６．２°および２７．１°に
強い回折ピークを有するものである請求項２ないし４の
いずれかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項２１】 チタニルフタロシアニン結晶が、Ｃｕ
Ｋαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、少なく
ともブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．６°、１
２．３°、１６．３°、２５．３°および２８．７°に
強い回折ピークを有するものである請求項２ないし４の
いずれかに記載の電子写真感光体。
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|---|---|---|---|
| JP13692793A JP3185476B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 電子写真感光体 |
| DE69427419T DE69427419T2 (de) | 1993-03-22 | 1994-03-22 | Triarylaminverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und elektrophotographische Photorezeptoren die diese Triarylaminverbindungen enthalten |
| EP94104499A EP0617005B1 (en) | 1993-03-22 | 1994-03-22 | Triarylamine compound, process for producing the same and electrophotographic photoreceptor using the same |
| US08/215,582 US5495049A (en) | 1993-03-22 | 1994-03-22 | Triarylamine compounds useful in electrophotographic photoreceptors |
| US08/444,274 US5587263A (en) | 1993-03-22 | 1995-05-18 | Electrophotographic photoreceptor using triarylamine compounds |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP13692793A JP3185476B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 電子写真感光体 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH06324502A JPH06324502A (ja) | 1994-11-25 |
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-
1993
- 1993-05-17 JP JP13692793A patent/JP3185476B2/ja not_active Expired - Fee Related
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