JPH03270057A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
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- JPH03270057A JPH03270057A JP9070115A JP7011590A JPH03270057A JP H03270057 A JPH03270057 A JP H03270057A JP 9070115 A JP9070115 A JP 9070115A JP 7011590 A JP7011590 A JP 7011590A JP H03270057 A JPH03270057 A JP H03270057A
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子をリードフレームのアイランド上
に搭載し、樹脂封止した集積回路装置に関する。
に搭載し、樹脂封止した集積回路装置に関する。
従来この種の集積回路装置は第４図の断面図のように、
金属のリードフレームのアイランド１の上に回路基板４
を接着剤を用いて接着し、回路基板４の上に半導体素子
５を搭載した後、または第５図の断面図のように、アイ
ランド１の上に半導体素子５を直接搭載したのち、所定
箇所を金属細線６で電気的に接続し、リードフレームの
り一ド２の内端な含めてモールド樹脂（封止樹脂）７で
樹脂封止して作られていた。
金属のリードフレームのアイランド１の上に回路基板４
を接着剤を用いて接着し、回路基板４の上に半導体素子
５を搭載した後、または第５図の断面図のように、アイ
ランド１の上に半導体素子５を直接搭載したのち、所定
箇所を金属細線６で電気的に接続し、リードフレームの
り一ド２の内端な含めてモールド樹脂（封止樹脂）７で
樹脂封止して作られていた。
上述した従来の集積回路装置は、アイランドの面積がモ
ールド樹脂の上下の平らな面の面積に対し５０〜８０％
と大きく占めているため、半導体素子搭載時の外部熱ス
トレス（例、半田デイツプ、赤外線リフロー、ＶＰＳ等
）によりモールド樹脂７が吸水している水分が瞬間的に
気化し、アイランドｌとモールド樹脂７間に大きな応力
が加わり、界面側りが生じ樹脂クラック不良となる。
ールド樹脂の上下の平らな面の面積に対し５０〜８０％
と大きく占めているため、半導体素子搭載時の外部熱ス
トレス（例、半田デイツプ、赤外線リフロー、ＶＰＳ等
）によりモールド樹脂７が吸水している水分が瞬間的に
気化し、アイランドｌとモールド樹脂７間に大きな応力
が加わり、界面側りが生じ樹脂クラック不良となる。
よって剥り対策として、予じめ１２５℃、１０〜２４Ｈ
乾燥し、さらに透水率零のアルミ袋にシリカゲルと共に
密封して保管する必要があった。
乾燥し、さらに透水率零のアルミ袋にシリカゲルと共に
密封して保管する必要があった。
上記課題に対し本発明の集積回路装置は、リードフレー
ムの少くとも裏面を、予じめ気密性に優れ、かつ、密着
性のよい樹脂膜または樹脂体層で覆うことにより、前記
アイランドとモールド樹脂との間の密着度をよくし、急
激な温度変化による樹脂クラックを防止している。
ムの少くとも裏面を、予じめ気密性に優れ、かつ、密着
性のよい樹脂膜または樹脂体層で覆うことにより、前記
アイランドとモールド樹脂との間の密着度をよくし、急
激な温度変化による樹脂クラックを防止している。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の第１実施例の断面図である。
第１図において、リードフレームのアイランド１の下面
は予じめ気密性および密着性の優れた樹脂膜、例えば、
ポリイミド、エポキシ系などの樹脂膜３で覆われている
。しかして、アイランドｌ上に接着剤を用いて回路基板
４が接着され、さらに回路基板４の上に半導体素子５が
搭載され、半導体素子の電極と回路基板上の導電ランド
との間および回路基板の導電ランドとリードフレームの
リード２の内端との間が金属細線６で接続され、それか
らモールド樹脂（封止樹脂）７で樹脂封止されている。
は予じめ気密性および密着性の優れた樹脂膜、例えば、
ポリイミド、エポキシ系などの樹脂膜３で覆われている
。しかして、アイランドｌ上に接着剤を用いて回路基板
４が接着され、さらに回路基板４の上に半導体素子５が
搭載され、半導体素子の電極と回路基板上の導電ランド
との間および回路基板の導電ランドとリードフレームの
リード２の内端との間が金属細線６で接続され、それか
らモールド樹脂（封止樹脂）７で樹脂封止されている。
このような本例では、モールド樹脂７と広い面積で接触
するアイランド下面が、気密性の良い樹脂膜３で覆われ
ているので、熱ショックによるモールド樹脂の剥りが防
止される。
するアイランド下面が、気密性の良い樹脂膜３で覆われ
ているので、熱ショックによるモールド樹脂の剥りが防
止される。
第２図は本発明の第２実施例の断面図である。
第２図において、アイランドｌの下面の樹脂膜り防止用
の樹脂膜３ａは格子状に形成されている。
の樹脂膜３ａは格子状に形成されている。
本例は、第１図の例に比べ樹脂膜３ａの凹凸性が大きい
ので、モールド樹脂膜７との密着度がより良いという利
点がある。
ので、モールド樹脂膜７との密着度がより良いという利
点がある。
第３図は本発明の第３実施例の断面図である。
本例は第１図の実施例に比べ、アイランド１の上に半導
体素子５が直接搭載されている。したがって、回路基板
が間に介在した第１実施例に比べ、モールド樹脂７と接
触する部分がアイランド１の下面のみならず、上面にも
存在するので、その部分も、剥り防止の樹脂膜３ｂで覆
われている。
体素子５が直接搭載されている。したがって、回路基板
が間に介在した第１実施例に比べ、モールド樹脂７と接
触する部分がアイランド１の下面のみならず、上面にも
存在するので、その部分も、剥り防止の樹脂膜３ｂで覆
われている。
なお上側では剥り防止用の樹脂膜について述べているが
、樹脂膜の代わりに、同質の樹脂板によっても同じよう
な効果が得られるのはいうまでもない。
、樹脂膜の代わりに、同質の樹脂板によっても同じよう
な効果が得られるのはいうまでもない。
以上説明したように本発明は、アイランドに剥り防止用
樹脂膜を設けているので、金属のアイランドとモールド
樹脂との接合でなく樹脂と樹脂との接合のためモールド
樹脂との密着性が増加する。
樹脂膜を設けているので、金属のアイランドとモールド
樹脂との接合でなく樹脂と樹脂との接合のためモールド
樹脂との密着性が増加する。
よってモールド樹脂が吸水した水分が外４ｉＰ熱ストレ
ス（例、半田デイツプ、リフロー、ＶＰＳ等）により気
化したときに発生する応力に対する密着性が優れ、従来
の金属のアイランドとモールド樹脂間のはがれ現象が生
じないため、モールドクラックが防止できる。よって乾
燥作業およびアルミ袋による完全包装が不用となるため
、品質向上の他に乾燥工数および資材費の低減効果も得
られる。
ス（例、半田デイツプ、リフロー、ＶＰＳ等）により気
化したときに発生する応力に対する密着性が優れ、従来
の金属のアイランドとモールド樹脂間のはがれ現象が生
じないため、モールドクラックが防止できる。よって乾
燥作業およびアルミ袋による完全包装が不用となるため
、品質向上の他に乾燥工数および資材費の低減効果も得
られる。
の第１実施例、第２実施例および第３実施例の断面図、
第４図および第５図はそれぞれ従来の集積回路装置の一
例および他の一例の断面図である。
第４図および第５図はそれぞれ従来の集積回路装置の一
例および他の一例の断面図である。
１・・・・・・リードフレームのアイランド、２・・・
・・・リードフレームのリード、３．３ａ、３ｂ・・・
・・・剥り防止樹脂膜、４・・・・・回路基板、５・・
・・・・半導体素子、６・・・・・・金属細線、７・・
・・・・モールド樹脂。
・・・リードフレームのリード、３．３ａ、３ｂ・・・
・・・剥り防止樹脂膜、４・・・・・回路基板、５・・
・・・・半導体素子、６・・・・・・金属細線、７・・
・・・・モールド樹脂。
Claims (1)
- リードフレームのアイランド上に直接または回路基板
を間に挟んで半導体素子が搭載され、所定箇所の間を金
属細線で接続後樹脂封止された集積回路装置において、
前記樹脂封止前に予じめ前記アイランドの少くとも下面
を覆って形成された気密性に優れかつ封止樹脂との密着
性のよい樹脂膜または樹脂体層を有することを特徴とす
る集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9070115A JPH03270057A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9070115A JPH03270057A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03270057A true JPH03270057A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13422229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9070115A Pending JPH03270057A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03270057A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422788A (en) * | 1992-08-18 | 1995-06-06 | Texas Instruments Incorporated | Technique for enhancing adhesion capability of heat spreaders in molded packages |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP9070115A patent/JPH03270057A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422788A (en) * | 1992-08-18 | 1995-06-06 | Texas Instruments Incorporated | Technique for enhancing adhesion capability of heat spreaders in molded packages |
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