JPH03259555A - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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JPH03259555A
JPH03259555A JP5856990A JP5856990A JPH03259555A JP H03259555 A JPH03259555 A JP H03259555A JP 5856990 A JP5856990 A JP 5856990A JP 5856990 A JP5856990 A JP 5856990A JP H03259555 A JPH03259555 A JP H03259555A
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JP
Japan
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island
lead frame
exterior resin
protrusion
integrated circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP5856990A
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English (en)
Inventor
Osamu Onishi
修 大西
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH03259555A publication Critical patent/JPH03259555A/ja
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Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型集積回路のリード付は組立に用い
るリードフレームに関する。
〔従来の技術〕
第3図は従来のリードフレームを用いてリード付け、お
よび樹脂封止された集積回路の断面図である。第3図に
おいて、リードフレームのアイランド11の上面に半導
体チップ4が接着剤5で固着され、半導体チップ4の電
極とリードフレーム・リード3との間はボンディングワ
イヤ6で接続後、外装樹脂7でトランスファーモールド
されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のリードフレーム・アイランド裏面は全く
の平面状である。そのため外装樹脂との接着強度が弱く
、このようなリードフレームを用いた集積回路をプリン
ト基板へ実装する際は、熱ストレスにより外装樹脂とリ
ードフレーム・アイランドが簡単に剥離するため、パッ
ケージクラックが発生し機能不良となりやすい欠点があ
る。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題に対し本発明によるリードフレームは、リード
フレーム・アイランド裏面に、外装樹脂とアイランドと
の接着強度を増すための突起が設けられている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例のリードフレームを用いて
組立てた集積回路の断面図である。第111ふ 図においぞτ這r−ドフレームのアイランドで、1aは
プレスによりアイランド裏面に設けられた舌片状突起で
ある。4は半導体チップで、5の接着剤により、アイラ
ンド1の上にダイボンディンダされ、6のボンティング
ワイヤで半導体チップ4とリードフレーム・リード3と
の間を接続し、全体が7の外装樹脂でトランスファーモ
ールドされている。
第2図は本発明の第2実施例(2係る集積回路の断面図
である。本例では、第1実施例のリードフレーム・アイ
ランド裏面のプレスによる突起に対し、両端に水平の溶
接部を有する断面U字状金属小片をリードフレームアイ
ランド2の裏面に溶接して、外装樹脂7との接着強度を
増すための突起2aとしている。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、リードフレーム・
アイランド裏面に突起を設けることにより外装樹脂とア
イランドとの接着強度を増すことができ、集積回路のプ
リント基板への実装時の熱ストレスに対し、十分な強度
を確保できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はそれぞれ本発明の第1実施例およ
び第2実施例のリードフレームを用いて組立てた半導体
装置の断面図、第3図は従来のリードフレームを用いた
半導体装置の断面図である。 1.2.11・・・・・・リードフレーム・アイランド
、la、2a・・・・・・アイランド裏面の突起、3リ
ードフレームリード、4・・・・・・半導体チップ、5
・・・・・・接着剤、6・・・・・・ポンディングワイ
ヤ、7・・・・・・外装樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 樹脂封止型集積回路用のリードフレームにおいて、この
    リードフレーム・アイランド裏面に外装樹脂との接着強
    度を増すための突起が設けられていることを特徴とする
    リードフレーム。
JP5856990A 1990-03-08 1990-03-08 リードフレーム Pending JPH03259555A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5856990A JPH03259555A (ja) 1990-03-08 1990-03-08 リードフレーム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5856990A JPH03259555A (ja) 1990-03-08 1990-03-08 リードフレーム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03259555A true JPH03259555A (ja) 1991-11-19

Family

ID=13088076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5856990A Pending JPH03259555A (ja) 1990-03-08 1990-03-08 リードフレーム

Country Status (1)

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JP (1) JPH03259555A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5864174A (en) * 1995-10-24 1999-01-26 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device having a die pad structure for preventing cracks in a molding resin

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5864174A (en) * 1995-10-24 1999-01-26 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device having a die pad structure for preventing cracks in a molding resin
US6177725B1 (en) 1995-10-24 2001-01-23 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small-sized semiconductor and method of manufacturing the same
US6459145B1 (en) 1995-10-24 2002-10-01 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, and improved small-sized semiconductor
US6569755B2 (en) 1995-10-24 2003-05-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small sized semiconductor and method of manufacturing the same

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