JPH03259555A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH03259555A JPH03259555A JP5856990A JP5856990A JPH03259555A JP H03259555 A JPH03259555 A JP H03259555A JP 5856990 A JP5856990 A JP 5856990A JP 5856990 A JP5856990 A JP 5856990A JP H03259555 A JPH03259555 A JP H03259555A
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- protrusion
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型集積回路のリード付は組立に用い
るリードフレームに関する。
るリードフレームに関する。
第3図は従来のリードフレームを用いてリード付け、お
よび樹脂封止された集積回路の断面図である。第3図に
おいて、リードフレームのアイランド11の上面に半導
体チップ4が接着剤5で固着され、半導体チップ4の電
極とリードフレーム・リード3との間はボンディングワ
イヤ6で接続後、外装樹脂7でトランスファーモールド
されている。
よび樹脂封止された集積回路の断面図である。第3図に
おいて、リードフレームのアイランド11の上面に半導
体チップ4が接着剤5で固着され、半導体チップ4の電
極とリードフレーム・リード3との間はボンディングワ
イヤ6で接続後、外装樹脂7でトランスファーモールド
されている。
上述した従来のリードフレーム・アイランド裏面は全く
の平面状である。そのため外装樹脂との接着強度が弱く
、このようなリードフレームを用いた集積回路をプリン
ト基板へ実装する際は、熱ストレスにより外装樹脂とリ
ードフレーム・アイランドが簡単に剥離するため、パッ
ケージクラックが発生し機能不良となりやすい欠点があ
る。
の平面状である。そのため外装樹脂との接着強度が弱く
、このようなリードフレームを用いた集積回路をプリン
ト基板へ実装する際は、熱ストレスにより外装樹脂とリ
ードフレーム・アイランドが簡単に剥離するため、パッ
ケージクラックが発生し機能不良となりやすい欠点があ
る。
上記課題に対し本発明によるリードフレームは、リード
フレーム・アイランド裏面に、外装樹脂とアイランドと
の接着強度を増すための突起が設けられている。
フレーム・アイランド裏面に、外装樹脂とアイランドと
の接着強度を増すための突起が設けられている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例のリードフレームを用いて
組立てた集積回路の断面図である。第111ふ 図においぞτ這r−ドフレームのアイランドで、1aは
プレスによりアイランド裏面に設けられた舌片状突起で
ある。4は半導体チップで、5の接着剤により、アイラ
ンド1の上にダイボンディンダされ、6のボンティング
ワイヤで半導体チップ4とリードフレーム・リード3と
の間を接続し、全体が7の外装樹脂でトランスファーモ
ールドされている。
組立てた集積回路の断面図である。第111ふ 図においぞτ這r−ドフレームのアイランドで、1aは
プレスによりアイランド裏面に設けられた舌片状突起で
ある。4は半導体チップで、5の接着剤により、アイラ
ンド1の上にダイボンディンダされ、6のボンティング
ワイヤで半導体チップ4とリードフレーム・リード3と
の間を接続し、全体が7の外装樹脂でトランスファーモ
ールドされている。
第2図は本発明の第2実施例(2係る集積回路の断面図
である。本例では、第1実施例のリードフレーム・アイ
ランド裏面のプレスによる突起に対し、両端に水平の溶
接部を有する断面U字状金属小片をリードフレームアイ
ランド2の裏面に溶接して、外装樹脂7との接着強度を
増すための突起2aとしている。
である。本例では、第1実施例のリードフレーム・アイ
ランド裏面のプレスによる突起に対し、両端に水平の溶
接部を有する断面U字状金属小片をリードフレームアイ
ランド2の裏面に溶接して、外装樹脂7との接着強度を
増すための突起2aとしている。
以上説明したように本発明によれば、リードフレーム・
アイランド裏面に突起を設けることにより外装樹脂とア
イランドとの接着強度を増すことができ、集積回路のプ
リント基板への実装時の熱ストレスに対し、十分な強度
を確保できる効果がある。
アイランド裏面に突起を設けることにより外装樹脂とア
イランドとの接着強度を増すことができ、集積回路のプ
リント基板への実装時の熱ストレスに対し、十分な強度
を確保できる効果がある。
第1図および第2図はそれぞれ本発明の第1実施例およ
び第2実施例のリードフレームを用いて組立てた半導体
装置の断面図、第3図は従来のリードフレームを用いた
半導体装置の断面図である。 1.2.11・・・・・・リードフレーム・アイランド
、la、2a・・・・・・アイランド裏面の突起、3リ
ードフレームリード、4・・・・・・半導体チップ、5
・・・・・・接着剤、6・・・・・・ポンディングワイ
ヤ、7・・・・・・外装樹脂。
び第2実施例のリードフレームを用いて組立てた半導体
装置の断面図、第3図は従来のリードフレームを用いた
半導体装置の断面図である。 1.2.11・・・・・・リードフレーム・アイランド
、la、2a・・・・・・アイランド裏面の突起、3リ
ードフレームリード、4・・・・・・半導体チップ、5
・・・・・・接着剤、6・・・・・・ポンディングワイ
ヤ、7・・・・・・外装樹脂。
Claims (1)
- 樹脂封止型集積回路用のリードフレームにおいて、この
リードフレーム・アイランド裏面に外装樹脂との接着強
度を増すための突起が設けられていることを特徴とする
リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5856990A JPH03259555A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5856990A JPH03259555A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03259555A true JPH03259555A (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=13088076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5856990A Pending JPH03259555A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03259555A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5864174A (en) * | 1995-10-24 | 1999-01-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a die pad structure for preventing cracks in a molding resin |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP5856990A patent/JPH03259555A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5864174A (en) * | 1995-10-24 | 1999-01-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a die pad structure for preventing cracks in a molding resin |
US6177725B1 (en) | 1995-10-24 | 2001-01-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small-sized semiconductor and method of manufacturing the same |
US6459145B1 (en) | 1995-10-24 | 2002-10-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, and improved small-sized semiconductor |
US6569755B2 (en) | 1995-10-24 | 2003-05-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small sized semiconductor and method of manufacturing the same |
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