JPH03258783A - ３―ホルミルセフエム誘導体の製造法 - Google Patents
３―ホルミルセフエム誘導体の製造法Info
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- JPH03258783A JPH03258783A JP2056955A JP5695590A JPH03258783A JP H03258783 A JPH03258783 A JP H03258783A JP 2056955 A JP2056955 A JP 2056955A JP 5695590 A JP5695590 A JP 5695590A JP H03258783 A JPH03258783 A JP H03258783A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は３−ホルミルセフェム誘導体のＶ遺法に関する
。
。
（在米の技術）
従来一般式（２）
（式中Ｒ１はアミ７基又は保１されたアミ７幕、Ｒ２は
水素原子又はカルボン酸保護基、Ｘはハロゲン原子を示
す）で表わされる３−ハロメチルセフェム誘導体を酸素
の存在下に酸化して、−船人（２） （式中Ｒ’、Ｒ２は上記に同じ）で表わされる３−ホル
ミルセフェム誘導体を得ることを特徴とする３−ホルミ
ルセフェム誘導体の製造法。
水素原子又はカルボン酸保護基、Ｘはハロゲン原子を示
す）で表わされる３−ハロメチルセフェム誘導体を酸素
の存在下に酸化して、−船人（２） （式中Ｒ’、Ｒ２は上記に同じ）で表わされる３−ホル
ミルセフェム誘導体を得ることを特徴とする３−ホルミ
ルセフェム誘導体の製造法。
Ｃ０ＯＲコ
（式中Ｒ１はアミ７基又は保護されたアミ７基、Ｒ２は
水素原子又はカルボン酸保護基を示す）で表わされる３
−ホルミルセフェム誘導体を９１造する方法としては、
例えば （Ａ）３−ヒドロキシメチル−３−セフェム誘導体を酸
化する方法〔ｉ）ジメチルスルフィド−蕉水酢酸； Ｈ
ｅ１ｖ、 Ｃｈｉｎ、 Ａｃｔａ、 ５７．２０４４（
１９７４）。
水素原子又はカルボン酸保護基を示す）で表わされる３
−ホルミルセフェム誘導体を９１造する方法としては、
例えば （Ａ）３−ヒドロキシメチル−３−セフェム誘導体を酸
化する方法〔ｉ）ジメチルスルフィド−蕉水酢酸； Ｈ
ｅ１ｖ、 Ｃｈｉｎ、 Ａｃｔａ、 ５７．２０４４（
１９７４）。
特開昭４７−９３３号、 ｉｉ）ＭｎＯ，： Ｊ、
Ｍｅｄ。
Ｍｅｄ。
Ｃｈｅｗ、、 １０（５）、 ９６６（１９６７）
、 ｉｉｉ ）六価クロム；特公昭４６−２０７０
７号、ｖｆ開昭４９−８００９７号。
、 ｉｉｉ ）六価クロム；特公昭４６−２０７０
７号、ｖｆ開昭４９−８００９７号。
１ｉＶ！ＪＦ！＠５０ ７＋６９１ ％ ）、ｉ’Ｂ）
３−ハロメ千ルー２（又は３）−七７二二誘導体を酸化
する方法〔特開昭５１−１２２０８７号〕、及び（Ｃ）
、”：’−ブコそラクトンセフエム３導体を酸化する方
法（Ｃｈｅｗ、 Ｐｈａｒｍ、Ｂｕｌ！、、 ２８．
７３３９（１９８０） 〕等が知られている。
３−ハロメ千ルー２（又は３）−七７二二誘導体を酸化
する方法〔特開昭５１−１２２０８７号〕、及び（Ｃ）
、”：’−ブコそラクトンセフエム３導体を酸化する方
法（Ｃｈｅｗ、 Ｐｈａｒｍ、Ｂｕｌ！、、 ２８．
７３３９（１９８０） 〕等が知られている。
しかし、方法Ａでは、セフェム環二重結合の異性化（−
３→△２）やラクトン化のような副反応を伴ない、又、
原料の３−ヒーロキシー３−セフェム誘導体の合成（こ
も数段階の反応工程が必要であるなど目的物を得るため
；こは単離、精製操作が繁雑ヒなＱ収率が低下するとい
う欠点を有している。
３→△２）やラクトン化のような副反応を伴ない、又、
原料の３−ヒーロキシー３−セフェム誘導体の合成（こ
も数段階の反応工程が必要であるなど目的物を得るため
；こは単離、精製操作が繁雑ヒなＱ収率が低下するとい
う欠点を有している。
一方、方法Ｂでは酸化剤としてＡｇＦ−ツメチルスルフ
ィドという商値な試薬が必要であり、生成物としては３
−ホルミル−２−セフェム体しか得られないという欠点
を有している。更に方法Ｃにおいては、原料となる３゛
−ブロモラクトンセフェム誘導体の合成に数工程を有し
収率も低いという欠点を有している。
ィドという商値な試薬が必要であり、生成物としては３
−ホルミル−２−セフェム体しか得られないという欠点
を有している。更に方法Ｃにおいては、原料となる３゛
−ブロモラクトンセフェム誘導体の合成に数工程を有し
収率も低いという欠点を有している。
（発明が解決しようとする。ｆｉ題）
本発明の目的は上記従来法の如き欠点がなく、安全、簡
便な操作で且つ入手容姿な３−ハロメチルセフェム誘導
体から工業的に有利な方法で、高収率、高純度で３−ホ
ルミルセフェム誘導体を製造しうる方法をｖＥ供するこ
とにある。
便な操作で且つ入手容姿な３−ハロメチルセフェム誘導
体から工業的に有利な方法で、高収率、高純度で３−ホ
ルミルセフェム誘導体を製造しうる方法をｖＥ供するこ
とにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は一般式
（式中Ｒ１はアミ７基又は保護されたアミ７基、Ｒ２は
水素原子又はカルボン酸保護基、Ｘはハロゲン原子を示
す）で表わされる３−ハロメチルセフェム誘導体を酸素
の存在下に酸化して、−船人（２） （式中Ｒ’、Ｒ？は上記に同じ）で表わされる３−ホル
ミルセフェム誘導体を得ることを特徴とする３−ホルミ
ルセフェム誘導体の製造法に係る。
水素原子又はカルボン酸保護基、Ｘはハロゲン原子を示
す）で表わされる３−ハロメチルセフェム誘導体を酸素
の存在下に酸化して、−船人（２） （式中Ｒ’、Ｒ？は上記に同じ）で表わされる３−ホル
ミルセフェム誘導体を得ることを特徴とする３−ホルミ
ルセフェム誘導体の製造法に係る。
本発明によれば、−船人（２）で表わされる３ホルミル
セフ工ム誘導体は、−船人（１）で表わされる３−ハロ
メチルセフェム誘導体を酸素存在下に酸化するという簡
便な方法で高収率、高純度で製造され得る。
セフ工ム誘導体は、−船人（１）で表わされる３−ハロ
メチルセフェム誘導体を酸素存在下に酸化するという簡
便な方法で高収率、高純度で製造され得る。
本明ＩｌＲ書において、ＸはＣ１，Ｂｒ、Ｔ等のハロゲ
ン原子を、好ましくは沃素原子を示す。Ｒ１で示される
保護されたアミ７基としてはフェノキシアセトアミド、
ｐ−メチル７エ／キシアセトアミド、ｐ−メトキシフェ
ノキシアセトアミド、１１−りａａ７エ／キシアセトア
ミド、ｐ−ブロモ７エ／キシ７セト７ミド、フェニルア
セトアミド、１〕−メチルフェニルアセトアミド、ｐ−
メトキシフェニルアセトアミド、ｐ−りａａフェニル７
セトアミド、１】−ブロモフェニルアセトアミド、フェ
ニルモノクロロアセトアミド、フェニルノクロａ７セト
アミド、フェニルヒドロキシ７セトアミド、フェニルア
セトキシアセトアミド、ａ−オキソ７二二ルアセトアミ
Ｆ、チエニルアセトアミド、ベンズアミド、ｐ−メチル
ベンズアミド、ｐ−ｔ−ブチルベンズアミド、ｐ−メト
キシベンズ７ミド、ｐ−タロロペンズアミド、ｐ−ブロ
モベンズアミド、或いはＴ ｈｅｏｄｏｒａ Ｗ 、Ｇ
ｒｅｐｎ４のＰ ｒｏｔｃｃｔｉｖｐＧ ｒｏＢＳｉ
ｎ Ｏｒｇａｎｉｃ３ ｙｎＬｔ＋ｅｓｉｓ”第７章（
ｐ２＋８−２８７）に記載されている基、或いはフェニ
ルグリシルアミド及びアミ７基の保：ａされたフェニル
グリシルアミド、１〕−ヒドロキシフェニルグリシルア
ミＶ及びアミ７基、水酸基又はその両方が保７ＩＩされ
たｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミドを例示できる
。フェニルグリシルアミド及び１）−ヒドロキシフェニ
ルグリシルアミＶのアミ７基の保護基としてはＴ ｈｅ
ｏｄｏｒａ Ｗ 、 Ｇ ｒｅｅｎｅ薯の”Ｐ ｒｏｔ
ｅｅｔｉｖｅ Ｇ ｒｏｕｐＳｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｓ ｙｎｔｈｅｓｉＳ第７章（ｐ２１８〜２８７）に記
載されている基を例示できる。又ρ−ヒドロキシフェニ
ルグリシルアミＶの水酸基の保護基としてはＴ ｈｅｏ
ｄｏｒａ Ｗ。
ン原子を、好ましくは沃素原子を示す。Ｒ１で示される
保護されたアミ７基としてはフェノキシアセトアミド、
ｐ−メチル７エ／キシアセトアミド、ｐ−メトキシフェ
ノキシアセトアミド、１１−りａａ７エ／キシアセトア
ミド、ｐ−ブロモ７エ／キシ７セト７ミド、フェニルア
セトアミド、１〕−メチルフェニルアセトアミド、ｐ−
メトキシフェニルアセトアミド、ｐ−りａａフェニル７
セトアミド、１】−ブロモフェニルアセトアミド、フェ
ニルモノクロロアセトアミド、フェニルノクロａ７セト
アミド、フェニルヒドロキシ７セトアミド、フェニルア
セトキシアセトアミド、ａ−オキソ７二二ルアセトアミ
Ｆ、チエニルアセトアミド、ベンズアミド、ｐ−メチル
ベンズアミド、ｐ−ｔ−ブチルベンズアミド、ｐ−メト
キシベンズ７ミド、ｐ−タロロペンズアミド、ｐ−ブロ
モベンズアミド、或いはＴ ｈｅｏｄｏｒａ Ｗ 、Ｇ
ｒｅｐｎ４のＰ ｒｏｔｃｃｔｉｖｐＧ ｒｏＢＳｉ
ｎ Ｏｒｇａｎｉｃ３ ｙｎＬｔ＋ｅｓｉｓ”第７章（
ｐ２＋８−２８７）に記載されている基、或いはフェニ
ルグリシルアミド及びアミ７基の保：ａされたフェニル
グリシルアミド、１〕−ヒドロキシフェニルグリシルア
ミＶ及びアミ７基、水酸基又はその両方が保７ＩＩされ
たｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミドを例示できる
。フェニルグリシルアミド及び１）−ヒドロキシフェニ
ルグリシルアミＶのアミ７基の保護基としてはＴ ｈｅ
ｏｄｏｒａ Ｗ 、 Ｇ ｒｅｅｎｅ薯の”Ｐ ｒｏｔ
ｅｅｔｉｖｅ Ｇ ｒｏｕｐＳｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｓ ｙｎｔｈｅｓｉＳ第７章（ｐ２１８〜２８７）に記
載されている基を例示できる。又ρ−ヒドロキシフェニ
ルグリシルアミＶの水酸基の保護基としてはＴ ｈｅｏ
ｄｏｒａ Ｗ。
Ｇ ｒｅｅｎｅ著の’Ｐ ｒｏｊｅｃｊｉｖＰＧ ｒｏ
ｕｐｓ ｉｎ ＯｒｇａｎｉｃＳ ｙｎｔｈｐｓｉｓ”
Ｍ ２章（ｐｌＯ−７２）に記載されている基を例示で
きる６ Ｒ２で示されるカルボン＃保護基としてはベンジル基、
ｐ−メトキシベンノル基、１）−二トロベンジル基、ノ
フェニルメチル基、トリクロロエチル基、ｔ−ブチル基
或いはＴ ｈｅｏｄｏｒａ Ｗ 。
ｕｐｓ ｉｎ ＯｒｇａｎｉｃＳ ｙｎｔｈｐｓｉｓ”
Ｍ ２章（ｐｌＯ−７２）に記載されている基を例示で
きる６ Ｒ２で示されるカルボン＃保護基としてはベンジル基、
ｐ−メトキシベンノル基、１）−二トロベンジル基、ノ
フェニルメチル基、トリクロロエチル基、ｔ−ブチル基
或いはＴ ｈｅｏｄｏｒａ Ｗ 。
Ｇｒｅｅｎｅ薯の“Ｐ ｒｏｔｅｃＬｉｖｅ Ｇ ｒｏ
ｕｐｓ ｉｎ ＯｒｇａｎｉｃＳ ｙｎＬｈｅｓｉｓ”
第５１Ｅ（ｐ１５２−１９２）に記載されている基を例
示できる。
ｕｐｓ ｉｎ ＯｒｇａｎｉｃＳ ｙｎＬｈｅｓｉｓ”
第５１Ｅ（ｐ１５２−１９２）に記載されている基を例
示できる。
本発明においては、上記−絞入（１）で表わされる３−
ハロメチルセフェム誘導体を酸素或いは空気存在下に、
必要ならば０．０１〜ＺＯｋｇ／ｃｍこ、好ましくは０
．０１〜１ｏｋＨ／ｃｍ”の酸素或いは空気の加圧下に
反応させる。本反応は有機溶媒中で行うのが好ましい。
ハロメチルセフェム誘導体を酸素或いは空気存在下に、
必要ならば０．０１〜ＺＯｋｇ／ｃｍこ、好ましくは０
．０１〜１ｏｋＨ／ｃｍ”の酸素或いは空気の加圧下に
反応させる。本反応は有機溶媒中で行うのが好ましい。
有機溶媒としては一般式（１）の化合物を溶解し、且つ
該反応条件下不活性なものが使用できるが、好ましくは
ジメチルホルムアミド、ツメチルアセトアミｓ等のアミ
ド類が挙げられる。
該反応条件下不活性なものが使用できるが、好ましくは
ジメチルホルムアミド、ツメチルアセトアミｓ等のアミ
ド類が挙げられる。
斯かる溶媒の使用量は、−絞入（１）の化合物１ｋｇ当
り、０．５〜１００２程度、好ましくは１〜２０／程度
とするのが良い。
り、０．５〜１００２程度、好ましくは１〜２０／程度
とするのが良い。
本反応における反応温度は、原料物質、酸素圧等により
好ましい範囲は変化するが、通常−１０〜８０°Ｃ程度
、好ましくは０〜５０°Ｃ程度である。本反応において
は、通常酸素のみで反応が進行するが、反応をより低い
温度、より短時間で完結させるために、添加物としてで
んぷん、亜すン峻トリメチル、亜リン酸トリエチル、亜
リン酸トリブチル、亜リン酸トリフェニル等の亜リン酸
エステル類、酸化ロジウム（ＩＩＩ）、塩化ロジウム（
Ｉ［［）、ロジウムアセチルアセトナ−）（Ｉ［［）、
ロジウムアセテ−Ｆグイマー（ＩＩ＞等のロジウム塩類
、バナジウム７セチルアセトナート（■）、塩化バナジ
ウム（ＩＩＩ）、三［ｅバナジウム（ＩＩＩ）、四酸化
バナノフム（ｆＶ）、五酸化バナジウム（Ｖ）、バナジ
ルアセチルアセトナ−）、！酸バナジル、シュウ酸バナ
ノル等のバナジウム塩類等を加えることもできる。これ
ら添加物の使用量は、−絞入（１）の化合物に対して０
．０００１〜５倍モルとするのがよい。
好ましい範囲は変化するが、通常−１０〜８０°Ｃ程度
、好ましくは０〜５０°Ｃ程度である。本反応において
は、通常酸素のみで反応が進行するが、反応をより低い
温度、より短時間で完結させるために、添加物としてで
んぷん、亜すン峻トリメチル、亜リン酸トリエチル、亜
リン酸トリブチル、亜リン酸トリフェニル等の亜リン酸
エステル類、酸化ロジウム（ＩＩＩ）、塩化ロジウム（
Ｉ［［）、ロジウムアセチルアセトナ−）（Ｉ［［）、
ロジウムアセテ−Ｆグイマー（ＩＩ＞等のロジウム塩類
、バナジウム７セチルアセトナート（■）、塩化バナジ
ウム（ＩＩＩ）、三［ｅバナジウム（ＩＩＩ）、四酸化
バナノフム（ｆＶ）、五酸化バナジウム（Ｖ）、バナジ
ルアセチルアセトナ−）、！酸バナジル、シュウ酸バナ
ノル等のバナジウム塩類等を加えることもできる。これ
ら添加物の使用量は、−絞入（１）の化合物に対して０
．０００１〜５倍モルとするのがよい。
本発明では上記反応終了後、例えば通常の抽出操作を行
うことにより目的とする一般式（２）で表トされる３−
ホルミルセフェム誘導体を単離し得る。更にＲ４製の必
要があれば、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の慣
用の精製手段を採用すればよい。
うことにより目的とする一般式（２）で表トされる３−
ホルミルセフェム誘導体を単離し得る。更にＲ４製の必
要があれば、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の慣
用の精製手段を採用すればよい。
（発明の効果）
本発明においては、目的とする一般式（２）で表わされ
る３−ホルミルセフェム誘導体が工業的に人手容易な３
−ハロメチルセフェム誘導体（１）より極めて簡便な方
法で且っ高収率でＶ！造（ることができる。
る３−ホルミルセフェム誘導体が工業的に人手容易な３
−ハロメチルセフェム誘導体（１）より極めて簡便な方
法で且っ高収率でＶ！造（ることができる。
（実 施 例）
以下に実施例を挙げて本発明をよ吐」明らかにする。尚
、ｐｈはフェニル基、Ｌ−Ｂｕはｔｐｒ＋ブチル基を示
す。
、ｐｈはフェニル基、Ｌ−Ｂｕはｔｐｒ＋ブチル基を示
す。
実施例１
化合物１（１８）をジメチルホルムアミド（１０＋ａｌ
）に溶解する５この溶液をオートクレーブに加え、酸素
を圧力２．５に＠／ｃｍ”まで封入する。室温で撹拌し
ながら、２時間反応させる。この上仁こして得られた反
応液に水を加え、酢酸エチルで抽出する。
）に溶解する５この溶液をオートクレーブに加え、酸素
を圧力２．５に＠／ｃｍ”まで封入する。室温で撹拌し
ながら、２時間反応させる。この上仁こして得られた反
応液に水を加え、酢酸エチルで抽出する。
抽出液を水洗し、無水ＭｇＳ○４で乾燥し、減圧濃縮す
る。得られた濃縮残渣をシリカデルカラムクロマトグラ
フィーを用いて精製することにより化合物２が収率６０
％で得られた。
る。得られた濃縮残渣をシリカデルカラムクロマトグラ
フィーを用いて精製することにより化合物２が収率６０
％で得られた。
ＮＭＲ（ＣＤＣ／３＞ ： ６ ｐｐｍ３．２４．
３．９６（ＡＢｑ、 ２Ｈ，Ｊ＝Ｉ８Ｈｚ）、 ３．
６３゜３．６Ｆｌ＜Ａ Ｂｑ、２ Ｈ，Ｊ ＝１６Ｈｚ
）、 ３．８０（Ｓ、 ３ ＨＬ４．９８（ｄ、
Ｉ Ｈ，Ｊ ＝ ５ Ｈｚ）、 ５．２７． ５．３
０（Ａ Ｂｑ。
３．９６（ＡＢｑ、 ２Ｈ，Ｊ＝Ｉ８Ｈｚ）、 ３．
６３゜３．６Ｆｌ＜Ａ Ｂｑ、２ Ｈ，Ｊ ＝１６Ｈｚ
）、 ３．８０（Ｓ、 ３ ＨＬ４．９８（ｄ、
Ｉ Ｈ，Ｊ ＝ ５ Ｈｚ）、 ５．２７． ５．３
０（Ａ Ｂｑ。
２ Ｈ，、Ｊ ＝１１Ｈｚ）、 ５．９５（ｄｄ、
Ｉ Ｈ，Ｊ ＝ ５ Ｈｚ。
Ｉ Ｈ，Ｊ ＝ ５ Ｈｚ。
９ Ｈｚ）、 ６．０４（ｄ、 Ｉ Ｈ、、Ｊ ＝
９ Ｈｚ＞、 ６．９０（ｄ。
９ Ｈｚ＞、 ６．９０（ｄ。
１ Ｈ＝ Ｊ ＝ ６ ）ｆｚ）、 ７．２０−７．
４０輸、７Ｈ）。
４０輸、７Ｈ）。
９．７９（ｓ、 Ｉ Ｈ）
実施例２
化合物１（１ｇ）をジメチルホルムアミド（ＩＱｄ＞に
溶かす。この溶液をオートクレーブに加え、バナジルア
セチル７セトナー） （０，Ｉｇ）を加える。酸素を圧
力５ｋｇ／ｃｍ’まで封入する。室温で攪拌しながら、
１時間反応させる。このようにして得られた反応液に水
を加え、酢酸エチルで抽出する。
溶かす。この溶液をオートクレーブに加え、バナジルア
セチル７セトナー） （０，Ｉｇ）を加える。酸素を圧
力５ｋｇ／ｃｍ’まで封入する。室温で攪拌しながら、
１時間反応させる。このようにして得られた反応液に水
を加え、酢酸エチルで抽出する。
抽出液を水洗し、無水Ｍ Ｂ Ｓ Ｏ４で乾燥し、減圧
濃縮する。得られた濃縮残渣をシリカゾルカラムクロマ
トグラフィーを用いて精製することにより化合物２が収
率９０％で得られた。
濃縮する。得られた濃縮残渣をシリカゾルカラムクロマ
トグラフィーを用いて精製することにより化合物２が収
率９０％で得られた。
実施例３
化合物１（１ｇ）をツメチルホルムアミド（１０＋＊／
）に溶かす。この溶液をオートクレーブに加え、塩化ａ
ノウム（Ｉｏｒａｇ）を加える。＃素を圧力５ ｋｇ／
ｃ１１２まで封入する。室温で撹拌しながら、２時間反
応させる。このようにして得られた反応液に水を加え、
酢酸エチルで抽出する。抽出液を水洗し、無水Ｍｇ５ｏ
、’乾豐し、減圧濃縮する。得られたａ縮残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを用いで精製することに
より化合物２が１１１２率８０％で得られた。
）に溶かす。この溶液をオートクレーブに加え、塩化ａ
ノウム（Ｉｏｒａｇ）を加える。＃素を圧力５ ｋｇ／
ｃ１１２まで封入する。室温で撹拌しながら、２時間反
応させる。このようにして得られた反応液に水を加え、
酢酸エチルで抽出する。抽出液を水洗し、無水Ｍｇ５ｏ
、’乾豐し、減圧濃縮する。得られたａ縮残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを用いで精製することに
より化合物２が１１１２率８０％で得られた。
実施例４〜７
（１）（２）
実施例２と同様に下記第１表に記載の化合物（１）を反
応させて相当する化合物（２）を得た。これらのＮＭＲ
スペクトルは別法で合成された化合物（２）のそれと一
致した。
応させて相当する化合物（２）を得た。これらのＮＭＲ
スペクトルは別法で合成された化合物（２）のそれと一
致した。
第 １ 表
（以 上）
Claims (1)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （式中Ｒ＾１はアミノ基又は保護されたアミノ基、Ｒ＾
２は水素原子又はカルボン酸保護基、Ｘはハロゲン原子
を示す）で表わされる３−ハロメチルセフエム誘導体を
酸素の存在下に酸化して、一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中Ｒ＾１、Ｒ＾２は上記に同じ）で表わされる３−
ホルミルセフエム誘導体を得ることを特徴とする３−ホ
ルミルセフエム誘導体の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2056955A JP2895900B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | ３―ホルミルセフエム誘導体の製造法 |
| DE69119941T DE69119941T2 (de) | 1990-03-08 | 1991-03-07 | Verfahren zur Herstellung eines 3-Formylcephem-Derivats |
| US07/665,838 US5142040A (en) | 1990-03-08 | 1991-03-07 | Process for preparing a 3-formylcephem derivative |
| EP91103514A EP0445821B1 (en) | 1990-03-08 | 1991-03-07 | Process for preparing a 3-formylcephem derivative |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2056955A JP2895900B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | ３―ホルミルセフエム誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03258783A true JPH03258783A (ja) | 1991-11-19 |
| JP2895900B2 JP2895900B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=13041968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2056955A Expired - Fee Related JP2895900B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | ３―ホルミルセフエム誘導体の製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5142040A (ja) |
| EP (1) | EP0445821B1 (ja) |
| JP (1) | JP2895900B2 (ja) |
| DE (1) | DE69119941T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001163888A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-19 | Otsuka Chem Co Ltd | セファロスポリン結晶 |
| JP2002145885A (ja) * | 1999-09-30 | 2002-05-22 | Otsuka Chem Co Ltd | ３−セフェム誘導体結晶の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5856474A (en) * | 1994-04-25 | 1999-01-05 | Biochemie Gesellschaft, M.B.H. | Cephalosporin synthesis |
| US5631366A (en) * | 1995-01-12 | 1997-05-20 | Hoffmann-La Roche Inc. | Process for making 3-formylcephem derivatives |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199009U (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-12 | ||
| JPS6280318U (ja) * | 1985-11-09 | 1987-05-22 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH556876A (de) * | 1971-05-19 | 1974-12-13 | Ciba Geigy Ag | Verfahren zur herstellung von cephalosporansaeurederivaten. |
| SE412238B (sv) * | 1971-05-24 | 1980-02-25 | Ciba Geigy | Forfarande for framstellning av 7 beta-amino-cefem-4-karboxylsyraforeningar genom dekarbonylering av en 3-formyl-cefem-4-karboxylsyraforening |
| JPS523951B2 (ja) * | 1972-12-08 | 1977-01-31 | ||
| US3950329A (en) * | 1972-12-11 | 1976-04-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Fluorinated cephalosporins |
| JPS51122087A (en) * | 1975-04-14 | 1976-10-25 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | A method for preparing 7-acylamino-3- formyl-2-cephem-4-carboxylic aci d derivatives |
| US4546101A (en) * | 1982-09-10 | 1985-10-08 | Fujisawa Pharmaceutical Co., Ltd. | New cephem compounds useful for treating infectious diseases in human being and animals and processes for preparation thereof |
| JPH0571691A (ja) * | 1991-05-31 | 1993-03-23 | Nec Corp | 機器の高さ調節機構 |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP2056955A patent/JP2895900B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-07 EP EP91103514A patent/EP0445821B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-07 US US07/665,838 patent/US5142040A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-07 DE DE69119941T patent/DE69119941T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199009U (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-12 | ||
| JPS6280318U (ja) * | 1985-11-09 | 1987-05-22 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001163888A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-19 | Otsuka Chem Co Ltd | セファロスポリン結晶 |
| JP2002145885A (ja) * | 1999-09-30 | 2002-05-22 | Otsuka Chem Co Ltd | ３−セフェム誘導体結晶の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69119941T2 (de) | 1996-10-24 |
| EP0445821B1 (en) | 1996-06-05 |
| JP2895900B2 (ja) | 1999-05-24 |
| US5142040A (en) | 1992-08-25 |
| EP0445821A1 (en) | 1991-09-11 |
| DE69119941D1 (de) | 1996-07-11 |
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