JP2895900B2 - 3―ホルミルセフエム誘導体の製造法 - Google Patents
3―ホルミルセフエム誘導体の製造法Info
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- JP2895900B2 JP2895900B2 JP2056955A JP5695590A JP2895900B2 JP 2895900 B2 JP2895900 B2 JP 2895900B2 JP 2056955 A JP2056955 A JP 2056955A JP 5695590 A JP5695590 A JP 5695590A JP 2895900 B2 JP2895900 B2 JP 2895900B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は3−ホルミルセフエム誘導体の製造法に関す
る。
る。
(従来の技術) 従来一般式(2) (式中R1はアミノ基又は保護されたアミノ基、R2は水素
原子又はカルボン酸保護基を示す)で表わされる3−ホ
ルミルセフエム誘導体を製造する方法としては、例えば (A)3−ヒドロキシメチル−3−セフエム誘導体を酸
化する方法〔i)ジメチルスルホキシド−無水酢酸;Hel
v.Chim.Acta,57,2044(1974),特開昭47−933号,ii)M
nO2;J.Med.Chem.,10(5),966(1967),iii)六価クロ
ム;特公昭46−20707号,特開昭49−80097号,特開昭50
−71691号〕、 (B)3−ハロメチル−2(又は3)−セフエム誘導体
を酸化する方法〔特開昭51−122087号〕、及び (C)3′−ブロモラクトンセフエム誘導体を酸化する
方法〔Chem.Pharm.Bull.,28,1339(1980)〕等が知られ
ている。
原子又はカルボン酸保護基を示す)で表わされる3−ホ
ルミルセフエム誘導体を製造する方法としては、例えば (A)3−ヒドロキシメチル−3−セフエム誘導体を酸
化する方法〔i)ジメチルスルホキシド−無水酢酸;Hel
v.Chim.Acta,57,2044(1974),特開昭47−933号,ii)M
nO2;J.Med.Chem.,10(5),966(1967),iii)六価クロ
ム;特公昭46−20707号,特開昭49−80097号,特開昭50
−71691号〕、 (B)3−ハロメチル−2(又は3)−セフエム誘導体
を酸化する方法〔特開昭51−122087号〕、及び (C)3′−ブロモラクトンセフエム誘導体を酸化する
方法〔Chem.Pharm.Bull.,28,1339(1980)〕等が知られ
ている。
しかし、方法Aでは、セフエム環二重結合の異性化
(△3→△2)やラクトン化のような副反応を伴ない、
又、原料の3−ヒドロキシ−3−セフエム誘導体の合成
にも数段階の反応工程が必要であるなど目的物を得るた
めには単離、精製操作が繁雑となり収率が低下するとい
う欠点を有している。一方、方法Bでは酸化剤としてAg
F−ジメチルスルホキシドという高価な試薬が必要であ
り、生成物としては3−ホルミル−2−セフエム体しか
得られないという欠点を有している。更に方法Cにおい
ては、原料となる3′−ブロモラクトンセフエム誘導体
の合成に数工程を有し収率も低いという欠点を有してい
る。
(△3→△2)やラクトン化のような副反応を伴ない、
又、原料の3−ヒドロキシ−3−セフエム誘導体の合成
にも数段階の反応工程が必要であるなど目的物を得るた
めには単離、精製操作が繁雑となり収率が低下するとい
う欠点を有している。一方、方法Bでは酸化剤としてAg
F−ジメチルスルホキシドという高価な試薬が必要であ
り、生成物としては3−ホルミル−2−セフエム体しか
得られないという欠点を有している。更に方法Cにおい
ては、原料となる3′−ブロモラクトンセフエム誘導体
の合成に数工程を有し収率も低いという欠点を有してい
る。
(発明が解決しようとする課題) 本発明の目的は上記従来法の如き欠点がなく、安全、
簡便な操作で且つ入手容易な3−ハロメチルセフエム誘
導体から工業的に有利な方法で、高収率、高純度で3−
ホルミルセフエム誘導体を製造しうる方法を提供するこ
とにある。
簡便な操作で且つ入手容易な3−ハロメチルセフエム誘
導体から工業的に有利な方法で、高収率、高純度で3−
ホルミルセフエム誘導体を製造しうる方法を提供するこ
とにある。
(課題を解決するための手段) 本発明は一般式 (式中R1はアミノ基又は保護されたアミノ基、R2は水素
原子又はカルボン酸保護基、Xはハロゲン原子を示す)
で表わされる3−ハロメチルセフエム誘導体を酸素の存
在下に酸化して、一般式 (2) (式中R1,R2は上記に同じ)で表わされる3−ホルミル
セフエム誘導体を得ることを特徴とする3−ホルミルセ
フエム誘導体の製造法に係る。
原子又はカルボン酸保護基、Xはハロゲン原子を示す)
で表わされる3−ハロメチルセフエム誘導体を酸素の存
在下に酸化して、一般式 (2) (式中R1,R2は上記に同じ)で表わされる3−ホルミル
セフエム誘導体を得ることを特徴とする3−ホルミルセ
フエム誘導体の製造法に係る。
本発明で得られる3−ホルミルセフエム誘導体は例え
ばβ−ラクタム系抗生物質の中間体として有用である。
ばβ−ラクタム系抗生物質の中間体として有用である。
本発明によれば、一般式(2)で表わされる3−ホル
ミルセフエム誘導体は、一般式(1)で表わされる3−
ホルミルセフエム誘導体を酸素存在下に酸化するという
簡便な方法で高収率、高純度で製造され得る。
ミルセフエム誘導体は、一般式(1)で表わされる3−
ホルミルセフエム誘導体を酸素存在下に酸化するという
簡便な方法で高収率、高純度で製造され得る。
本明細書において、XはCl,Br,I等のハロゲン原子
を、好ましくは沃素原子を示す。R1で示される保護され
たアミノ基としてはフエノキシアセトアミド、p−メチ
ルフエノキシアセトアミド、p−メトキシフエノキシア
セトアミド、p−クロロフエノキシアセトアミド、p−
ブロモフエノキシアセトアミド、フエニルアセトアミ
ド、p−メチルフエニルアセトアミド、p−メトキシフ
エニルアセトアミド、p−クロロフエニルアセトアミ
ド、p−ブロモフエニルアセトアミド、フエニルモノク
ロロアセトアミド、フエニルジクロロアセトアミド、フ
エニルヒドロキシアセトアミド、フエニルアセトキシア
セトアミド、α−オキソフエニルアセトアミド、チエニ
ルアセトアミド、ベンズアミド、p−メチルベンズアミ
ド、p−t−ブチルベンズアミド、p−メトキシベンズ
アミド、p−クロロベンズアミド、p−ブロモベンズア
ミド、或いはTheodora W.Greene著の“Protective Grou
ps in Organic Synthesis"第7章(p218〜287)に記載
されている基、或いはフエニルグリシルアミド及びアミ
ノ基の保護されたフエニルグリシルアミド、p−ヒドロ
キシフエニルグリシルアミド及びアミノ基、水酸基又は
その両方が保護されたp−ヒドロキシフエニルグリシル
アミドを例示できる。フエニルグリシルアミド及びp−
ヒドロキシフエニルグリシルアミドのアミノ基の保護基
としてはTheodora W.Greene著の“Protective Groups i
n Organic Synthesis"第7章(p218〜287)に記載され
ている基を例示できる。又p−ヒドロキシフエニルグリ
シルアミドの水酸基の保護基としてはTheodora W.Green
e著の“Protective Groups in Organic Synthesis"第2
章(p10〜72)に記載されている基を例示できる。
を、好ましくは沃素原子を示す。R1で示される保護され
たアミノ基としてはフエノキシアセトアミド、p−メチ
ルフエノキシアセトアミド、p−メトキシフエノキシア
セトアミド、p−クロロフエノキシアセトアミド、p−
ブロモフエノキシアセトアミド、フエニルアセトアミ
ド、p−メチルフエニルアセトアミド、p−メトキシフ
エニルアセトアミド、p−クロロフエニルアセトアミ
ド、p−ブロモフエニルアセトアミド、フエニルモノク
ロロアセトアミド、フエニルジクロロアセトアミド、フ
エニルヒドロキシアセトアミド、フエニルアセトキシア
セトアミド、α−オキソフエニルアセトアミド、チエニ
ルアセトアミド、ベンズアミド、p−メチルベンズアミ
ド、p−t−ブチルベンズアミド、p−メトキシベンズ
アミド、p−クロロベンズアミド、p−ブロモベンズア
ミド、或いはTheodora W.Greene著の“Protective Grou
ps in Organic Synthesis"第7章(p218〜287)に記載
されている基、或いはフエニルグリシルアミド及びアミ
ノ基の保護されたフエニルグリシルアミド、p−ヒドロ
キシフエニルグリシルアミド及びアミノ基、水酸基又は
その両方が保護されたp−ヒドロキシフエニルグリシル
アミドを例示できる。フエニルグリシルアミド及びp−
ヒドロキシフエニルグリシルアミドのアミノ基の保護基
としてはTheodora W.Greene著の“Protective Groups i
n Organic Synthesis"第7章(p218〜287)に記載され
ている基を例示できる。又p−ヒドロキシフエニルグリ
シルアミドの水酸基の保護基としてはTheodora W.Green
e著の“Protective Groups in Organic Synthesis"第2
章(p10〜72)に記載されている基を例示できる。
R2で示されるカルボン酸保護基としてはベンジル基、
p−メトキシベンジル基、p−ニトロベンジル基、ジフ
エニルメチル基、トリクロロエチル基、t−ブチル基或
いはTheodora W.Greene著の“Protective Groups in Or
ganic Synthesis"第5章(p152〜192)に記載されてい
る基を例示できる。
p−メトキシベンジル基、p−ニトロベンジル基、ジフ
エニルメチル基、トリクロロエチル基、t−ブチル基或
いはTheodora W.Greene著の“Protective Groups in Or
ganic Synthesis"第5章(p152〜192)に記載されてい
る基を例示できる。
本発明においては、上記一般式(1)で表わされる3
−ハロメチルセフエム誘導体を酸素或いは空気存在下
に、必要ならば0.01〜20kg/cm2、好ましくは0.01〜10kg
/cm2の酸素或いは空気の加圧下に反応させる。本反応は
有機溶媒中で行うのが好ましい。有機溶媒としては一般
式(1)の化合物を溶解し、且つ該反応条件下不活性な
ものが使用できるが、好ましくはジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド等のアミド類が挙げられる。
斯かる溶媒の使用量は、一般式(1)の化合物1kg当
り、0.5〜100程度、好ましくは1〜20程度とするの
が良い。
−ハロメチルセフエム誘導体を酸素或いは空気存在下
に、必要ならば0.01〜20kg/cm2、好ましくは0.01〜10kg
/cm2の酸素或いは空気の加圧下に反応させる。本反応は
有機溶媒中で行うのが好ましい。有機溶媒としては一般
式(1)の化合物を溶解し、且つ該反応条件下不活性な
ものが使用できるが、好ましくはジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド等のアミド類が挙げられる。
斯かる溶媒の使用量は、一般式(1)の化合物1kg当
り、0.5〜100程度、好ましくは1〜20程度とするの
が良い。
本反応における反応温度は、原料物質、酸素圧等によ
り好ましい範囲は変化するが、通常−10〜80℃程度、好
ましくは0〜50℃程度である。本反応においては、通常
酸素のみで反応が進行するが、反応をより低い温度、よ
り短時間で完結させるために、添加物としてでんぷん、
亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル、亜リン酸ト
リブチル、亜リン酸トリフエニル等の亜リン酸エステル
類、酸化ロジウム(III)、塩化ロジウム(III)、ロジ
ウムアセチルアセトナート(III)、ロジウムアセテー
トダイマー(II)等のロジウム塩類、バナジウムアセチ
ルアセトナート(III)、塩化バナジウム(III)、三酸
化バナジウム(III)、四酸化バナジウム(IV)、五酸
化バナジウム(V)、バナジルアセチルアセトナート、
硫酸バナジル、シユウ酸バナジル等のバナジウム塩類等
を加えることもできる。これら添加物の使用量は、一般
式(1)の化合物に対して0.0001〜5倍モルとするのが
よい。
り好ましい範囲は変化するが、通常−10〜80℃程度、好
ましくは0〜50℃程度である。本反応においては、通常
酸素のみで反応が進行するが、反応をより低い温度、よ
り短時間で完結させるために、添加物としてでんぷん、
亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル、亜リン酸ト
リブチル、亜リン酸トリフエニル等の亜リン酸エステル
類、酸化ロジウム(III)、塩化ロジウム(III)、ロジ
ウムアセチルアセトナート(III)、ロジウムアセテー
トダイマー(II)等のロジウム塩類、バナジウムアセチ
ルアセトナート(III)、塩化バナジウム(III)、三酸
化バナジウム(III)、四酸化バナジウム(IV)、五酸
化バナジウム(V)、バナジルアセチルアセトナート、
硫酸バナジル、シユウ酸バナジル等のバナジウム塩類等
を加えることもできる。これら添加物の使用量は、一般
式(1)の化合物に対して0.0001〜5倍モルとするのが
よい。
本発明では上記反応終了後、例えば通常の抽出操作を
行うことにより目的とする一般式(2)で表わされる3
−ホルミルセフエム誘導体を単離し得る。更に精製の必
要があれば、再結晶、カラムクロマトグラフイー等の慣
用の精製手段を採用すればよい。
行うことにより目的とする一般式(2)で表わされる3
−ホルミルセフエム誘導体を単離し得る。更に精製の必
要があれば、再結晶、カラムクロマトグラフイー等の慣
用の精製手段を採用すればよい。
(発明の効果) 本発明においては、目的とする一般式(2)で表わさ
れる3−ホルミルセフエム誘導体が工業的に入手容易に
3−ハロメチルセフエム誘導体(1)より極めて簡便な
方法で且つ高収率で製造することができる。
れる3−ホルミルセフエム誘導体が工業的に入手容易に
3−ハロメチルセフエム誘導体(1)より極めて簡便な
方法で且つ高収率で製造することができる。
(実 施 例) 以下に実施例を挙げて本発明をより一層明らかにす
る。尚、Phはフエニル基、t−Buはtert−ブチル基を示
す。
る。尚、Phはフエニル基、t−Buはtert−ブチル基を示
す。
実施例1 化合物1(1g)をジメチルホルムアミド(10ml)に溶
解する。この溶液をオートクレーブに加え、酸素を圧力
2.5kg/cm2まで封入する。室温で撹拌しながら、2時間
反応させる。このようにして得られた反応液に水を加
え、酢酸エチルで抽出する。抽出液を水洗し、無水MgSO
4で乾燥し、減圧濃縮する。得られた濃縮残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイーを用いて精製することに
より化合物2が収率60%で得られた。
解する。この溶液をオートクレーブに加え、酸素を圧力
2.5kg/cm2まで封入する。室温で撹拌しながら、2時間
反応させる。このようにして得られた反応液に水を加
え、酢酸エチルで抽出する。抽出液を水洗し、無水MgSO
4で乾燥し、減圧濃縮する。得られた濃縮残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイーを用いて精製することに
より化合物2が収率60%で得られた。
NMR(CDCl3);δ ppm 3.24,3.96(ABq,2H,J=18Hz),
3.63,3.68(ABq,2H,J=16Hz),3.80(s,3H),4.98(d,1
H,J=5Hz),5.27,5.30(ABq,2H,J=11Hz),5.95(dd,1
H,J=5Hz,9Hz),6.04(d,1H,J=9Hz),6.90(d,1H,J=6
Hz),7.20〜7.40(m,7H),9.79(s,1H) 実施例2 化合物1(1g)をジメチルホルムアミド(10ml)に溶
かす。この溶液をオートクレーブに加え、バナジルアセ
チルアセトナート(0.1g)を加える。酸素を圧力5kg/cm
2まで封入する。室温で撹拌しながら、1時間反応させ
る。このようにして得られた反応液に水を加え、酢酸エ
チルで抽出する。抽出液を水洗し、無水MgSO4で乾燥
し、減圧濃縮する。得られた濃縮残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフイーを用いて精製することにより化合
物2が収率90%で得られた。
3.63,3.68(ABq,2H,J=16Hz),3.80(s,3H),4.98(d,1
H,J=5Hz),5.27,5.30(ABq,2H,J=11Hz),5.95(dd,1
H,J=5Hz,9Hz),6.04(d,1H,J=9Hz),6.90(d,1H,J=6
Hz),7.20〜7.40(m,7H),9.79(s,1H) 実施例2 化合物1(1g)をジメチルホルムアミド(10ml)に溶
かす。この溶液をオートクレーブに加え、バナジルアセ
チルアセトナート(0.1g)を加える。酸素を圧力5kg/cm
2まで封入する。室温で撹拌しながら、1時間反応させ
る。このようにして得られた反応液に水を加え、酢酸エ
チルで抽出する。抽出液を水洗し、無水MgSO4で乾燥
し、減圧濃縮する。得られた濃縮残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフイーを用いて精製することにより化合
物2が収率90%で得られた。
実施例3 化合物1(1g)をジメチルホルムアミド(10ml)に溶
かす。この溶液をオートクレーブに加え、塩化ロジウム
(10mg)を加える。酸素を圧力5kg/cm2まで封入する。
室温で撹拌しながら、2時間反応させる。このようにし
て得られた反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出する。
抽出液を水洗し、無水MgSO4で乾燥し、減圧濃縮する。
得られた濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ーを用いて精製することにより化合物2が収率80%で得
られた。
かす。この溶液をオートクレーブに加え、塩化ロジウム
(10mg)を加える。酸素を圧力5kg/cm2まで封入する。
室温で撹拌しながら、2時間反応させる。このようにし
て得られた反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出する。
抽出液を水洗し、無水MgSO4で乾燥し、減圧濃縮する。
得られた濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ーを用いて精製することにより化合物2が収率80%で得
られた。
実施例4〜7 実施例2と同様に下記第1表に記載の化合物(1)を
反応させて相当する化合物(2)を得た。これらのNMR
スペクトルは別法で合成された化合物(2)のそれと一
致した。
反応させて相当する化合物(2)を得た。これらのNMR
スペクトルは別法で合成された化合物(2)のそれと一
致した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹岡 三千雄 徳島県徳島市川内町加賀須野463番地 大塚化学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 城井 敬史 徳島県徳島市川内町加賀須野463番地 大塚化学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 菊池 亮 徳島県徳島市川内町加賀須野463番地 大塚化学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 亀山 豊 徳島県徳島市川内町加賀須野463番地 大塚化学株式会社徳島研究所内 (56)参考文献 特開 昭51−122087(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07D 501/00 - 501/62 CA(STN) REGISTRY(STN)
Claims (1)
- 【請求項1】一般式 (式中R1はアミノ基又は保護されたアミノ基、R2は水素
原子又はカルボン酸保護基、Xはハロゲン原子を示す)
で表わされる3−ハロメチルセフエム誘導体を酸素の存
在下に酸化して、一般式(2) (式中R1,R2は上記に同じ)で表わされる3−ホルミル
セフエム誘導体を得ることを特徴とする3−ホルミルセ
フエム誘導体の製造法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2056955A JP2895900B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 3―ホルミルセフエム誘導体の製造法 |
DE69119941T DE69119941T2 (de) | 1990-03-08 | 1991-03-07 | Verfahren zur Herstellung eines 3-Formylcephem-Derivats |
EP91103514A EP0445821B1 (en) | 1990-03-08 | 1991-03-07 | Process for preparing a 3-formylcephem derivative |
US07/665,838 US5142040A (en) | 1990-03-08 | 1991-03-07 | Process for preparing a 3-formylcephem derivative |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2056955A JP2895900B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 3―ホルミルセフエム誘導体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03258783A JPH03258783A (ja) | 1991-11-19 |
JP2895900B2 true JP2895900B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=13041968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2056955A Expired - Fee Related JP2895900B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 3―ホルミルセフエム誘導体の製造法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5142040A (ja) |
EP (1) | EP0445821B1 (ja) |
JP (1) | JP2895900B2 (ja) |
DE (1) | DE69119941T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5856474A (en) * | 1994-04-25 | 1999-01-05 | Biochemie Gesellschaft, M.B.H. | Cephalosporin synthesis |
US5631366A (en) * | 1995-01-12 | 1997-05-20 | Hoffmann-La Roche Inc. | Process for making 3-formylcephem derivatives |
JP4749533B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2011-08-17 | 大塚化学株式会社 | セファロスポリン結晶 |
JP4953501B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2012-06-13 | 大塚化学株式会社 | 3−セフェム誘導体結晶の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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