JPH03257860A - ツェナーザップダイオードの構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野さ 本発明は、主として集積回路の回路定数調整、冗長回路
切り換え或いはメモリ書き込み等を行う場合に使用する
ツェナーザップダイオードの構造に関するものである。

〈従来の技術〉 この種の従来のツェナーザップダイオードは、集積回路
において一般的に使用されているものを例示した第３図
および第４図に示すような構成になっている。即ち、第
３図はバイポーラＮＰＮ）ランジスタのエミッタ・ベー
ス間接合を利用した場合の断面図で、第４図はそれを模
式的に、示した平面図である。これらの図において、１
はＰ型基板、２はＮ型埋め込み拡散層、３はＮ型エピタ
キシャル層、４はベース拡散層、５はエミッタ拡散層、
６はコレクタコンタクト用Ｎ型拡散層、７はベースコン
タクト窓、８はエミッタコンタクト窓、９はコレクタコ
ンタクト窓、１０．１１はメタル電極をそれぞれ示す。

このツェナーザップダイオードは、アノードとなるベー
スコンタクト窓７に接続されたメタル電極１０と、カソ
ードとなるエミッタ拡散層５およびコレクタコンタクト
用Ｎ型拡散層６に接続されたメタル電極１１とに、過大
な逆電圧を印加して大電流を流すことにより、アノード
とカソードが短絡して導通状態となり、且つ大電流を流
すのを停止しても導通状態を永久的に維持する。この機
能を利用して抵抗値の調整による修正回路の回路定数の
調整、冗長回路の切り換え或いはメモリの書き込み等が
行われる。

例えば、第５図は抵抗値の調整により集積回路の回路定
数を調整するための抵抗トリミング回路を示しており、
集積回路における被トリミング抵抗（図示せず）に、複
数個の調整用抵抗Ｒ，−Ｒ，を直列接続し、この各調整
用抵抗Ｒ，−Ｒ，に対し、前述のツェナーザップダイオ
ードＺＤ、−ＺＤ、が個別に並列接続され、各調整用抵
抗Ｒ１〜Ｒｎの両端から電圧印加用端子となるパッド部
Ｐ１〜Ｐ、。１が導出された構成になっている。そして
、前記被トリミング抵抗は所要値よりも小さい抵抗値に
予め形成されており、この抵抗値の不足分を調整用抵抗
Ｒ３〜Ｒ７を所要個数接続することにより補足する。即
ち、補足しない調整用抵抗Ｒ，−Ｒ，に対しては、これ
に並列接続されているツェナーザップダイオードＺＤ、
−ＺＤ、に外部電源からパッド部Ｐ、〜Ｐ７゜１を通じ
て過大な逆電圧を印加してツェナーザップダイオードＺ
Ｄ、〜ＺＤ、を導通状態とすることにより、当該調整用
抵抗Ｒ１〜Ｒ７のみを短絡し、他の調整用抵抗Ｒ１〜Ｒ
７は被トリミング抵抗に対する直列接続状態を保持して
抵抗値を補足する。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、前述の第３図および第４図で示したツェナー
ザップダイオードを導通状態にさせるために必要なツェ
ナーザソプ電圧は、ベース拡散層４部分の抵抗に大きく
影響される。もしも、製造工程においてエミッタ拡散層
５とベースコンタクト窓７との間隔が大きくなるように
マスクアライメントがずれると、ベース拡散層４部分の
抵抗の影響が大きくなってツェナーザソプ電圧が設定値
よりも高くなってしまい、設定した電圧パルスでは十分
に導通させることができない問題が生じる。

例えば、第５図に示した抵抗トリミング回路に用いた場
合、ツェナーザップダイオードＺＤ、−ＺＤ。

が完全な導通状態に至る以前は、並列接続されている調
整用抵抗Ｒ３〜Ｒｎよりもツェナーザフブダイオードの
方がインピーダンスが高い状態にあるため、相当量の電
流が調整用抵抗Ｒ３〜Ｒ７に流れ込み、被トリミング抵
抗に接続すべき調整用抵抗Ｒ１〜Ｒｎがダメージを受け
てそれの特性や信転性の低下等を招き、延いては集積回
路の初期特性および信軌性に悪影響を与える問題がある
。

本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
のであり、マスクアライメントずれが生じてもツェナー
ザソプ電圧が高くなる方にはばらつかないようなツェナ
ーザップダイオードの構造を提供することを技術的課題
とするものである。

く課題を解決するための手段〉 本発明は、上記した課題を達成するための技術的手段と
して、ツエナーザップダイオードを以下のような構造と
した。即ち、過大な逆電圧を印加して大電流を流すこと
により導通状態となり、且つ導通状態を維持するツェナ
ーザップダイオードの構造において、アノード部または
カソード部を、これに対し各方向において等間隔になる
ようカソード部またはアノード部で囲繞したことを特徴
として構成されている。

〈作用〉 例えば、トランジスタのエミッタ・ベース間接合を使用
する場合においてアノード部となるベースコンタクト窓
の周囲をカソード部となるエミッタ拡散層で囲繞する構
成、若しくはエミッタ拡散層の周囲をベースコンタクト
窓で囲繞する構成とすると、これらの間のマスクアライ
メントが何れの方向にずれても、相互の間隔が大きくな
る部分の反対側において間隔が小さくなるため、ツェナ
ーザソプの発生する電圧値が大きくなる方にばらつくこ
とがない。

〈実施例〉 以下、本発明の好ましい実施例について図面を参照しな
がら詳細に説明する。

第１図は本発明の一実施例を模式的に示した平面図で、
ベース拡散層４、コレクタコンタクト用Ｎ型拡散層６お
よびコレクタコンタクト窓９の配置は前述の既存のもの
と同様であり、相違する点は、エミッタコンタクト窓８
ａを有するエミッタ拡散層５ａ内に十字形状の空隙部を
設けて、この空隙部の中央部にベースコンタクト窓７ａ
を配設した構成、換言すれば、アノードとなるベースコ
ンタクト窓７ａを、これに対し直交する四方向において
等間隔になるようカソードとなるエミ・７り拡散層５ａ
で囲繞した構成のみである。

従って、製造工程においてマスクアライメントに何れの
方向のずれが生じても、エミッタ拡散層５とベースコン
タクト窓７ａとの間隔が、大きくなる側の反対側におい
て小さくなるので、ツェナーザンプの発生する電圧値が
設定値よりも大きくなる方向にばらつくことがない。従
って、このツェナーザップダイオードを用いて回路定数
の調整、冗長回路の切り換え或いはメモリの書き込み等
を行うと、集積回路の初期特性や信鯨性に悪影響を与え
ることな〈実施することができる。

第２図は本発明の他の実施例の模式的に示した平面図で
、第１図と同−若しくは同等のものには同一の符号を付
してあり、相違する点は、エミッタコンタクト窓８ｂを
有するエミッタ拡散層５ｂを、はぼ矩形状のベースコン
タクト窓７ｂで囲繞した構成のみであり、第１図と同様
の効果を得ることができる。

尚、本発明は前記説明並びに図面の内容にのみ限定され
るものではなく、請求の範囲を逸脱しない限り種々の変
形例をも包含し得る０例えば、前記実施例では、バイポ
ーラＮＰＮ　トランジスタのエミッタ・ベース間接合を
使用する場合について説明したが、他の構成のツェナー
ザップダイオードにも適用できるのは言うまでもない。

〈発明の効果〉 以上のように本発明のツェナーザップダイオードの構造
によると、アノード部とカソード部との間にマスクアラ
イメンずれが生じても、ツエナザップ電圧が高くなる方
にばらつくことががなく、回路定数の調整、冗長回路の
切り換え或いはメモリの書き込み等を、集積回路の初期
特性や信幀性に悪影響を与えることな〈実施することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の模式的に示した平面図、 第２図は本発明の他の実施例の模式的に示した平面図、 第３図は従来のツェナーザップダイオードの断面図、 第４図は第３図の模式的に示した平面図、第５図はツェ
ナーザップダイオードを用いた抵抗トリミング回路の回
路図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）過大な逆電圧を印加して大電流を流すことにより
   導通状態となり、且つ導通状態を永久的に維持するツェ
   ナーザップダイオードの構造において、アノード部また
   はカソード部を、これに対し各方向において等間隔にな
   るようカソード部またはアノード部で囲繞したことを特
   徴とするツェナーザップダイオードの構造。