JPH03250601A - 負特性サーミスタ素子 - Google Patents
負特性サーミスタ素子Info
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- JPH03250601A JPH03250601A JP34107989A JP34107989A JPH03250601A JP H03250601 A JPH03250601 A JP H03250601A JP 34107989 A JP34107989 A JP 34107989A JP 34107989 A JP34107989 A JP 34107989A JP H03250601 A JPH03250601 A JP H03250601A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、バルク状に形成され面実装される抵抗素子に
利用する。
利用する。
本発明は、抵抗体とその両端に形成された電極とを備え
た抵抗素子において、 抵抗体の端部を覆う外包電極と抵抗体との間には高抵抗
層を形成しておき、抵抗体の端面を含む所定の面積の部
分に抵抗体ならびにこの外包電極にそれぞれ導電性を維
持する材料により膜状の内包電極を形成することにより
、 この抵抗素子の電気抵抗値のばらつきを小さくするとと
もに、量産性の優れた抵抗素子を提供するものである。
た抵抗素子において、 抵抗体の端部を覆う外包電極と抵抗体との間には高抵抗
層を形成しておき、抵抗体の端面を含む所定の面積の部
分に抵抗体ならびにこの外包電極にそれぞれ導電性を維
持する材料により膜状の内包電極を形成することにより
、 この抵抗素子の電気抵抗値のばらつきを小さくするとと
もに、量産性の優れた抵抗素子を提供するものである。
従来、この種の抵抗素子は第2図(a)に示すようにバ
ルク形状の抵抗体11の両端に銀パラジウム合金による
電極14をディッピングにより塗布した構造であり、第
2図(b)にその断面を示すように抵抗体11と電極1
4とは直接導電性を維持する材料で形成する。この電極
14の原材料は銀・パラジウムが混入されたペースト状
のもので、これを抵抗体110両端に塗布したのち、こ
れを乾燥し焼付けると、ペーストの溶剤成分が揮発して
、金属が抵抗体と反応接合し全体として導電性のものと
なる。
ルク形状の抵抗体11の両端に銀パラジウム合金による
電極14をディッピングにより塗布した構造であり、第
2図(b)にその断面を示すように抵抗体11と電極1
4とは直接導電性を維持する材料で形成する。この電極
14の原材料は銀・パラジウムが混入されたペースト状
のもので、これを抵抗体110両端に塗布したのち、こ
れを乾燥し焼付けると、ペーストの溶剤成分が揮発して
、金属が抵抗体と反応接合し全体として導電性のものと
なる。
この抵抗素子は第2図(C)に示すように基板13上に
直接半田(13A)付けされ面実装される。
直接半田(13A)付けされ面実装される。
しかし前記電極を抵抗体の端面を含む表面に形成する場
合には、ディッピングにさいして抵抗体の突入深さが一
定となるように厳重な制御を行っても、抵抗体の表面に
形成される電極の面積にばらつきが生ずる。したがって
組み上った抵抗素子としての電気抵抗値にばらつきを生
ずる。
合には、ディッピングにさいして抵抗体の突入深さが一
定となるように厳重な制御を行っても、抵抗体の表面に
形成される電極の面積にばらつきが生ずる。したがって
組み上った抵抗素子としての電気抵抗値にばらつきを生
ずる。
さらに、電極材料には銀パラジウム合金が使われている
が、第2図(C)のように基板実装時に半田付けする際
に、電極材料が半田にくわれるなどの耐熱性に問題があ
る。これを防ぐためパラジウムの含有量を多くする、あ
るいはメツキを施す必要がある。しかしパラジウム量を
多くすると半田のぬれ性が劣るとか、抵抗体が半導体サ
ーミスタ材料のような場合には、抵抗体がメツキ液に浸
食されるなどの問題があった。
が、第2図(C)のように基板実装時に半田付けする際
に、電極材料が半田にくわれるなどの耐熱性に問題があ
る。これを防ぐためパラジウムの含有量を多くする、あ
るいはメツキを施す必要がある。しかしパラジウム量を
多くすると半田のぬれ性が劣るとか、抵抗体が半導体サ
ーミスタ材料のような場合には、抵抗体がメツキ液に浸
食されるなどの問題があった。
本発明は、これらの課題を解決して、製作後の電気抵抗
値のばらつきが小さく、かつ量産性がよく、製品の半田
に対する耐熱性およびぬれ性の優れた抵抗素子を提供す
ることを目的とする。
値のばらつきが小さく、かつ量産性がよく、製品の半田
に対する耐熱性およびぬれ性の優れた抵抗素子を提供す
ることを目的とする。
本発明は、抵抗体と、この抵抗体の両端に形成された金
属電極とを備えた抵抗素子において、金属電極は、抵抗
体の端面の少なくとも一部を含む所定面積にこの抵抗体
の表面と導電性を維持するように形成された膜状の内包
電極と、この内包電極を内包して抵抗体の端部を覆うよ
うに形成された外包電極とを含み この外包電極は内包電極と導電性を維持し、抵抗体との
間に高抵抗層を形成し、かつ半田に対して耐熱性および
ぬれ性に優れた材料により構成されたことを特徴とする
。
属電極とを備えた抵抗素子において、金属電極は、抵抗
体の端面の少なくとも一部を含む所定面積にこの抵抗体
の表面と導電性を維持するように形成された膜状の内包
電極と、この内包電極を内包して抵抗体の端部を覆うよ
うに形成された外包電極とを含み この外包電極は内包電極と導電性を維持し、抵抗体との
間に高抵抗層を形成し、かつ半田に対して耐熱性および
ぬれ性に優れた材料により構成されたことを特徴とする
。
抵抗体は、半導体サーミスタであり、内包電極の材料は
、銀・パラジウム系合金または銀を主成分とし、外包電
極の材料は、銅または銅系合金を主成分とすることが好
ましい。
、銀・パラジウム系合金または銀を主成分とし、外包電
極の材料は、銅または銅系合金を主成分とすることが好
ましい。
内包電極の材料は、抵抗体と導電性を維持するものであ
ればよく、銀あるいは銀・パラジウム系合金に限定され
るものではなく、例えば金、白金あるいはこれらを主成
分とする金属材料でもよい。
ればよく、銀あるいは銀・パラジウム系合金に限定され
るものではなく、例えば金、白金あるいはこれらを主成
分とする金属材料でもよい。
また外包電極の材料は、抵抗体との界面に高抵抗層を形
成し、かつ内包電極との間に導電性を維持するものであ
れば、銅あるいは銅系合金を主成分とするものに限定さ
れるものではなく、例えばニッケル、コバルト、錫など
、あるいはこれらの合金などで還元性のある金属材料を
主成分とするものでよい。
成し、かつ内包電極との間に導電性を維持するものであ
れば、銅あるいは銅系合金を主成分とするものに限定さ
れるものではなく、例えばニッケル、コバルト、錫など
、あるいはこれらの合金などで還元性のある金属材料を
主成分とするものでよい。
内包電極は、その電極面積の制御がしやすい。
したがって、抵抗値のばらつきを小さくできる。
内包電極には直接に半田づけされることがない。
したがって乾燥や焼成の工程は単純化される。これは量
産化に適する。
産化に適する。
外包電極と抵抗体との間には高抵抗層を形成し、外包電
極と抵抗体との間には機械的接触があっても電気的導通
はなく、電流はすべて、抵抗体、内包電極、外包電極の
ように流れる。したがって、外包電極の形状制御は大ま
かでよい。
極と抵抗体との間には機械的接触があっても電気的導通
はなく、電流はすべて、抵抗体、内包電極、外包電極の
ように流れる。したがって、外包電極の形状制御は大ま
かでよい。
外包電極は銅系合金で形成する場合は、丈夫かつ安価で
あり、半田に対する耐熱性がよいた約メツキする必要が
ないからコストが低減できる。
あり、半田に対する耐熱性がよいた約メツキする必要が
ないからコストが低減できる。
〔実施例〕
次に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図(a)は本発明一実施例の破断斜視図であり、第
1図ら)は断面図である。本図において、抵抗素子は抵
抗体1とこの抵抗体1の両端に形成された電極2とを備
える。
1図ら)は断面図である。本図において、抵抗素子は抵
抗体1とこの抵抗体1の両端に形成された電極2とを備
える。
ここで本発明の特徴とするところは、電極2は、抵抗体
1の端面IAの少なくとも一部を含む所定の面積に、こ
の抵抗体1と導電性を維持する材料により形成された膜
状の内包電極3と、この内包電極3を内包し抵抗体1の
端部を覆うように形成された外包電極4とを含む。この
外包電極4は内包電極3と導電性がありかつ抵抗体1と
の間には高抵抗層を形成する材料により構成されたこと
にある。ここにいう所定の面積は一例として全端面であ
る。
1の端面IAの少なくとも一部を含む所定の面積に、こ
の抵抗体1と導電性を維持する材料により形成された膜
状の内包電極3と、この内包電極3を内包し抵抗体1の
端部を覆うように形成された外包電極4とを含む。この
外包電極4は内包電極3と導電性がありかつ抵抗体1と
の間には高抵抗層を形成する材料により構成されたこと
にある。ここにいう所定の面積は一例として全端面であ
る。
さらに抵抗体1は半導体サーミスタであり、内包電極3
の材料は、銀・パラジウム系合金または銀を主成分とす
るものであり、外包電極4の材料は銅または銅系合金を
主成分とするものである。
の材料は、銀・パラジウム系合金または銀を主成分とす
るものであり、外包電極4の材料は銅または銅系合金を
主成分とするものである。
すなわち本実施例では、内包電極3は、銀・バラジウム
ム系合金または銀のペースト状のものを抵抗体1の端面
IAの所定の面積の部分に塗布したものを乾燥しかつ焼
付けたものであり、外包電極4は、前記内包電極3およ
び抵抗体1の端面とその近傍の側面を含む部分に銅のペ
ースト状のものをディッピングして乾燥させかつ焼付け
たものである。
ム系合金または銀のペースト状のものを抵抗体1の端面
IAの所定の面積の部分に塗布したものを乾燥しかつ焼
付けたものであり、外包電極4は、前記内包電極3およ
び抵抗体1の端面とその近傍の側面を含む部分に銅のペ
ースト状のものをディッピングして乾燥させかつ焼付け
たものである。
抵抗体に銅系合金のペースト(ここではデニポン社製6
001、日中マッセー社製のTR860Cを使用した)
をディッピングによりその端部に塗布し、窒素雰囲気中
で、通常の銅ペーストの焼成温度900℃よりいく分を
温度を低め(600℃〜900℃)に制御して焼付ける
。これにより、銅合金の周囲が還元雰囲気となりこれに
接する抵抗体の表面に高抵抗層が形成される。
001、日中マッセー社製のTR860Cを使用した)
をディッピングによりその端部に塗布し、窒素雰囲気中
で、通常の銅ペーストの焼成温度900℃よりいく分を
温度を低め(600℃〜900℃)に制御して焼付ける
。これにより、銅合金の周囲が還元雰囲気となりこれに
接する抵抗体の表面に高抵抗層が形成される。
内包電極を介在させた部分は、抵抗体と内包電極との間
、および内包電極と外包電極との間は、それぞれ導通状
態に保たれる。
、および内包電極と外包電極との間は、それぞれ導通状
態に保たれる。
この外包電極4は各抵抗体1に対し、少なくとも各内包
電極3を覆っていれば、すべてが同様の状態に形成され
ていなくてよい。通電される電流は、外包電極4から内
包電極3のみを介して流れ、外包電極4が抵抗体1に直
接接触している部分からはほとんど流れない。
電極3を覆っていれば、すべてが同様の状態に形成され
ていなくてよい。通電される電流は、外包電極4から内
包電極3のみを介して流れ、外包電極4が抵抗体1に直
接接触している部分からはほとんど流れない。
次に抵抗体として半導体サーミスタ抵抗体を用い、これ
に本実施例および従来例により半導体サーミスタ素子を
製作して、その電気抵抗値を測定した結果を表に示す。
に本実施例および従来例により半導体サーミスタ素子を
製作して、その電気抵抗値を測定した結果を表に示す。
木表で、処理欄中に、発明とあるのは本発明による場合
を示し、従来とあるのは従来例による場合を示す。また
サーミスタ材料は、成分配合が異なるものを二種類えら
び、これをAおよびBと表示している。
を示し、従来とあるのは従来例による場合を示す。また
サーミスタ材料は、成分配合が異なるものを二種類えら
び、これをAおよびBと表示している。
表
前記の表から明らかなように、
本発明による電
気抵抗値のばらつきは、従来例による場合に比して小さ
くなっている。
くなっている。
次に外包電極の材料(Cu含有)のペーストとして、米
国デュポン社の6001および国中マソセー社のTR8
60Cの2種類のものを抵抗体に直接塗布し焼付けて外
包電極状のものを形成した。これらを前記の表と同様の
方法でその電気抵抗値を測定したところ、6001を塗
布したものは1〜IOMΩであり、TR860Cを塗布
したものは300にΩ以上でいずれも導電性がないもの
である。
国デュポン社の6001および国中マソセー社のTR8
60Cの2種類のものを抵抗体に直接塗布し焼付けて外
包電極状のものを形成した。これらを前記の表と同様の
方法でその電気抵抗値を測定したところ、6001を塗
布したものは1〜IOMΩであり、TR860Cを塗布
したものは300にΩ以上でいずれも導電性がないもの
である。
以上説明したように、本発明によれば、その電気抵抗値
のばらつきの小さい抵抗素子を簡単な操作処理で安価に
できる効果がある。また本発明の素子は外包電極の半田
に対する耐熱性およびぬれ性がよいものを選択できるの
でメツキ処理が不要になる効果がある。
のばらつきの小さい抵抗素子を簡単な操作処理で安価に
できる効果がある。また本発明の素子は外包電極の半田
に対する耐熱性およびぬれ性がよいものを選択できるの
でメツキ処理が不要になる効果がある。
4、
第1図は本発明一実施例を示す図。
第2図は従来例を示す図。
1.11・・・抵抗体、IA・・・抵抗体の端面、2.
14・・・電極、3・・・内包電極、4・・・外包電極
、13・・・基板、13A・・・半田。
14・・・電極、3・・・内包電極、4・・・外包電極
、13・・・基板、13A・・・半田。
Claims (2)
- 1.抵抗体と、この抵抗体の両端に形成された電極とを
備えた抵抗素子において、前記電極は、前記抵抗体の端
面の少なくとも一部を含む所定面積にこの抵抗体の表面
と導電性を維持するように形成された膜状の内包電極と
、この内包電極の外側に前記抵抗体の端部を覆うように
形成された外包電極とを含み、この外包電極は前記内包
電極と導電性を維持しかつ前記抵抗体との間に高抵抗層
を形成する材料により構成されたことを特徴とする抵抗
素子。 - 2.前記抵抗体は、半導体サーミスタであり、前記内包
電極の材料は、銀・パラジウム系合金または銀を主成分
とし、前記外包電極の材料は、銅または銅系合金を主成
分とする請求項1記載の抵抗素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1341079A JP2623881B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 負特性サーミスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1341079A JP2623881B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 負特性サーミスタ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03250601A true JPH03250601A (ja) | 1991-11-08 |
JP2623881B2 JP2623881B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=18343054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1341079A Expired - Lifetime JP2623881B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 負特性サーミスタ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2623881B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0836199A2 (en) * | 1996-10-09 | 1998-04-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor chips and methods of making same |
US5828123A (en) * | 1995-12-21 | 1998-10-27 | Kamaya Electric Co., Ltd. | Chip resistor and method for producing same |
JP2002184606A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ及びその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55110002A (en) * | 1979-02-16 | 1980-08-25 | Tdk Electronics Co Ltd | Positive temperature coefficient thermistor |
JPH01106401A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Nitto Denko Corp | 電極形成用接着シート |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1341079A patent/JP2623881B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS55110002A (en) * | 1979-02-16 | 1980-08-25 | Tdk Electronics Co Ltd | Positive temperature coefficient thermistor |
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EP0836199A3 (en) * | 1996-10-09 | 1999-01-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor chips and methods of making same |
US5952911A (en) * | 1996-10-09 | 1999-09-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor chips and methods of making same |
US6100110A (en) * | 1996-10-09 | 2000-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Methods of making thermistor chips |
JP2002184606A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ及びその製造方法 |
JP4660922B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2011-03-30 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2623881B2 (ja) | 1997-06-25 |
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