JPH03248399A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPH03248399A JPH03248399A JP2043617A JP4361790A JPH03248399A JP H03248399 A JPH03248399 A JP H03248399A JP 2043617 A JP2043617 A JP 2043617A JP 4361790 A JP4361790 A JP 4361790A JP H03248399 A JPH03248399 A JP H03248399A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- counter
- nonvolatile
- rewrites
- semiconductor memory
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000872 buffer Substances 0.000 abstract description 10
- 230000015654 memory Effects 0.000 abstract description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は不揮発性半導体記憶装置に関するものである。
電気的に書換え可能な不揮発性メモリは通常その書換え
回数に制限がある。そのためユーザは、チップがエラー
を起こす前に交換しようとすれば、そのチップが何回書
き換えられたかを記憶しておく必要があった。
回数に制限がある。そのためユーザは、チップがエラー
を起こす前に交換しようとすれば、そのチップが何回書
き換えられたかを記憶しておく必要があった。
従来の不揮発性半導体記憶装置は何回書き換えられたか
を記憶する手段を持たないため、ユーザが回数を記憶す
る必要があった。
を記憶する手段を持たないため、ユーザが回数を記憶す
る必要があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、ユーザが書換え回数を記憶する
必要がなく、必要なときに回数を知ることができ、書換
え回数の上限になったことを外部から容易に知ることが
できる不揮発性半導体記憶装置を得ることにある。
の目的とするところは、ユーザが書換え回数を記憶する
必要がなく、必要なときに回数を知ることができ、書換
え回数の上限になったことを外部から容易に知ることが
できる不揮発性半導体記憶装置を得ることにある。
（課題を解決するための手段）
このような目的を達成するために本発明は、書換え回数
に制限のある不揮発性半導体記憶装置において、書換え
回数をカウントして不揮発に記憶するカウント記憶手段
と、書換え回数が予め定められた値より大きい場合に信
号を出力する信号出力手段とを設けるようにしたもので
ある。
に制限のある不揮発性半導体記憶装置において、書換え
回数をカウントして不揮発に記憶するカウント記憶手段
と、書換え回数が予め定められた値より大きい場合に信
号を出力する信号出力手段とを設けるようにしたもので
ある。
本発明による不揮発性半導体記憶装置においては、書換
えを行なう度にカウントアンプされ、ごのカウントアン
プ値が予め決められた数より多くなったときにエラーフ
ラグが出力される。
えを行なう度にカウントアンプされ、ごのカウントアン
プ値が予め決められた数より多くなったときにエラーフ
ラグが出力される。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
図は、本発明の一実施例を示すブロック系統図である。
図において、１はアドレスハソファ、２はロウデコーダ
、３はコラムデコーダ、４はメモリセルアレイ、５は書
込みドライバ、６はセンスアンプ、７は入出カバソファ
、８は制御信号バッファ、９はプログラム制御信号ａ、
消去制御信号すおよびカウンタ読出し信号Ｃを出力する
ための制御回路、１０は書込み消去用高電圧ｄを出力す
るための高電圧制御回路、１１は消去の度にカウントア
ツプし、そのデータを不揮発に記憶するカウント記憶手
段としての不揮発性カウンタ、１２はデータスイッチ、
１３は書換え回数の最大値を記憶する定数記憶回路、１
４は定数記憶回路１３の値と不揮発性カウンタ１１の値
とを比較して不揮発性カウンタ１１の値の方が大きい場
合に出力をｒＨＪレベルにするコンパレータ、１５はコ
ンパレータ１４の出力を外部に出力するエラーフラグバ
ッファである。そして、コンパレータ１４とエラーフラ
グバッファ１５とは信号出力手段を構成する。
、３はコラムデコーダ、４はメモリセルアレイ、５は書
込みドライバ、６はセンスアンプ、７は入出カバソファ
、８は制御信号バッファ、９はプログラム制御信号ａ、
消去制御信号すおよびカウンタ読出し信号Ｃを出力する
ための制御回路、１０は書込み消去用高電圧ｄを出力す
るための高電圧制御回路、１１は消去の度にカウントア
ツプし、そのデータを不揮発に記憶するカウント記憶手
段としての不揮発性カウンタ、１２はデータスイッチ、
１３は書換え回数の最大値を記憶する定数記憶回路、１
４は定数記憶回路１３の値と不揮発性カウンタ１１の値
とを比較して不揮発性カウンタ１１の値の方が大きい場
合に出力をｒＨＪレベルにするコンパレータ、１５はコ
ンパレータ１４の出力を外部に出力するエラーフラグバ
ッファである。そして、コンパレータ１４とエラーフラ
グバッファ１５とは信号出力手段を構成する。
次に動作について説明する。ここでは説明を簡略化する
ため、消去をチップ全体で一括に行なう一括消去型の不
揮発性半導体記憶装置について説明する。−括消去型で
は書換えのために必ずチップ全体を消去する必要がある
ため、書換え回数は消去回数と等しくなる。消去動作に
おいては、外部から入力された信号により初期化され、
制御回路９より消去制御信号すが出力される。消去制御
信号すにより高電圧制御回路１０から消去用高電圧ｄが
出力され、メモリセルアレイ４に与えられる。この時、
消去制御信号すは不揮発性カウンタ１１にも与えられる
ので、不揮発性カウンタ１１はカウントアツプし、その
数を不揮発に記憶する。
ため、消去をチップ全体で一括に行なう一括消去型の不
揮発性半導体記憶装置について説明する。−括消去型で
は書換えのために必ずチップ全体を消去する必要がある
ため、書換え回数は消去回数と等しくなる。消去動作に
おいては、外部から入力された信号により初期化され、
制御回路９より消去制御信号すが出力される。消去制御
信号すにより高電圧制御回路１０から消去用高電圧ｄが
出力され、メモリセルアレイ４に与えられる。この時、
消去制御信号すは不揮発性カウンタ１１にも与えられる
ので、不揮発性カウンタ１１はカウントアツプし、その
数を不揮発に記憶する。
以上の動作により、書換え回数がチップ内部のカウンタ
１１に記憶される。さらに、コンパレータ１４は不揮発
性カウンタ１１に記憶されている数が定数記憶回路１３
に記憶されている書換え回数の最大値より大きい場合に
ｒＨＪレベルを出力する。コンパレータ１４の出力をエ
ラーフラグバッファ１５によりチップ外部にエラーフラ
グｅとして出力する。
１１に記憶される。さらに、コンパレータ１４は不揮発
性カウンタ１１に記憶されている数が定数記憶回路１３
に記憶されている書換え回数の最大値より大きい場合に
ｒＨＪレベルを出力する。コンパレータ１４の出力をエ
ラーフラグバッファ１５によりチップ外部にエラーフラ
グｅとして出力する。
次に、書換え回数を読み出す動作について説明する。こ
の動作においては、外部から入力された信号により初期
化され、制御回路９よりカウンタ続出し信号Ｃが出力さ
れる。カウンタ続出し信号Ｃによりデータスイッチ１２
は入出カバソファ７に出力するデータをセンスアンプ６
のデータから不揮発性カウンタ１１のデータに切り換え
る。これにより不揮発性カウンタ１１のデータは入出力
パフファ７よりデータｆとして読み出すことができる。
の動作においては、外部から入力された信号により初期
化され、制御回路９よりカウンタ続出し信号Ｃが出力さ
れる。カウンタ続出し信号Ｃによりデータスイッチ１２
は入出カバソファ７に出力するデータをセンスアンプ６
のデータから不揮発性カウンタ１１のデータに切り換え
る。これにより不揮発性カウンタ１１のデータは入出力
パフファ７よりデータｆとして読み出すことができる。
以上、−括消去型の不揮発性メモリについて説明したが
、バイト消去型、ページ消去型、セクタ消去型等の不揮
発性メモリでも同様の構成が可能である。
、バイト消去型、ページ消去型、セクタ消去型等の不揮
発性メモリでも同様の構成が可能である。
以上説明したように本発明は、装置の内部で書換え回数
をカウントし、その数を不揮発に記憶するようにしたこ
とにより、ユーザが書換え回数を記憶する必要がなく、
必要なときに回数を知ることができ、書換え回数の上限
になったことを外部から容易に知ることができる効果が
ある。また、装置の外部にカウンタを設ける必要がなく
、ボードの縮小と低コスト化が図れる。
をカウントし、その数を不揮発に記憶するようにしたこ
とにより、ユーザが書換え回数を記憶する必要がなく、
必要なときに回数を知ることができ、書換え回数の上限
になったことを外部から容易に知ることができる効果が
ある。また、装置の外部にカウンタを設ける必要がなく
、ボードの縮小と低コスト化が図れる。
図は本発明による不揮発性半導体記憶装置の一実施例を
示すブロック系統図である。 １・・・アドレスバンファ、２・・・ロウデコーダ、３
・・・コラムデコーダ、４・・・メモリセルアレイ、５
・・・書込みドライバ、６・・・センスアンプ、７・・
・入出カバソファ、８・・・制御信号バッファ、９・・
・制御回路、１０・・・高電圧制御回路、１１・・・不
揮発性カウンタ、１２・・・データスイッチ、１３・・
・定数記憶回路、１４・・・コンパレータ、１５・・・
エラーフラグバッファ。
示すブロック系統図である。 １・・・アドレスバンファ、２・・・ロウデコーダ、３
・・・コラムデコーダ、４・・・メモリセルアレイ、５
・・・書込みドライバ、６・・・センスアンプ、７・・
・入出カバソファ、８・・・制御信号バッファ、９・・
・制御回路、１０・・・高電圧制御回路、１１・・・不
揮発性カウンタ、１２・・・データスイッチ、１３・・
・定数記憶回路、１４・・・コンパレータ、１５・・・
エラーフラグバッファ。
Claims (1)
- 書換え回数に制限のある不揮発性半導体記憶装置におい
て、書換え回数をカウントして不揮発に記憶するカウン
ト記憶手段と、前記書換え回数が予め定められた値より
大きい場合に信号を出力する信号出力手段とを備えたこ
とを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043617A JPH03248399A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043617A JPH03248399A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248399A true JPH03248399A (ja) | 1991-11-06 |
Family
ID=12668804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2043617A Pending JPH03248399A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03248399A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313086B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2001-11-07 | 박종섭 | 메모리장치의 뱅크 억세스 카운터 |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2043617A patent/JPH03248399A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313086B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2001-11-07 | 박종섭 | 메모리장치의 뱅크 억세스 카운터 |
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