SU900316A1 - Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство - Google Patents
Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство Download PDFInfo
- Publication number
- SU900316A1 SU900316A1 SU802888360A SU2888360A SU900316A1 SU 900316 A1 SU900316 A1 SU 900316A1 SU 802888360 A SU802888360 A SU 802888360A SU 2888360 A SU2888360 A SU 2888360A SU 900316 A1 SU900316 A1 SU 900316A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- information
- memory
- input
- analog
- outputs
- Prior art date
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 14
- 230000000368 destabilizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области радиоэлектроники и может быть использовано в автоматике и вычислительной технике, главным образом дл хранени цифровой информации.
Известны перепрограммируемые запоминающие устройства (ППЗУ) матричного типа, выполнение в виде больших интенгральных схем на МНОП (металлнитрид-окисел- полупроводник) приборах П.
Недостатком этих устройств вл етс ограниченный срок хранени записанной информации, в св зи с чем возникает необходимость восстановлени информации через определенное врем .
Указанный недостаток устранен в ППЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым излучением, содержащим матрицу запоминающих элементов, схемы адресации и буферный блок 21.
Недостатком известного устройства вл етс мала информационна емкость каждого запоминающего элемента , предназначенного дл хранени только одного бита информации в виде двух уровней зар да, соответствующим логическим О и 1. В результате проблема повышени информационной емкости кристалла ППЗУ сопр жена с пропорциональным увеличением числа запоминающих элементов и усложнением схем адресации. Это, в свою очередь, приводит к увеличению площади кристалла ППЗУ и к повышению стоимости устройства . Недостатком устройства вл етс также низка надежность работы при считывании из-за вли ни на величину выходного напр жени различных дестабилизирующих факторов (температурного и временного дрейфа, старени и т.п.).
Цель изобретени - повышение информационной емкости и надежности перепрограммируемого посто нного запоминающего устройства.
Claims (1)
- Поставленна цель достигаетс тем, что в перепрограммируемое посто нное 390 запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, входы которого подключены к выходам адресного блока , коммутатор, первый вход-выход ко торого подключен к соответствующему выходу блока усилителей, а вторые входы-выходы коммутатора подключены ко входам-выходам матричного накопител , дополнительно введены аналогоцифровой преобразователь и блок пам ти эталонных напр жений, входы которых подключены к соответствующим выходам адресного блока, входы-выходы блока пам ти эталонных напр жений подключены к первому входу аналогоцифрового преобразовател и к соответствующему входу блока усилителей, второй вход аналого-цифрового преобр зовател подключен к первому входу коммутатора, выходы аналого-цифрового преобразовате;ц подключены к соот ветствующим входам блока усилителей. На чертеже представлена блок-схема перепрограммируемого посто нного запоминающего устройства. . Изобретение содержит матричный на копитель 1 , адресный блок 2, адресные шины 3 коммутатор , аналогоцифровой преобразователь 5 с информационными 6 и опорным 7 входами, блок 8 усилителей, информационные шины 9, шину 10 управлени , шину 11 записи и блок 12 пам ти эталонных на пр жений. Облучение устройства ультрафиолетовым светом стирает всю информацию, ранее хранимую в ППЗУ. При этом все запоминающие .элементы матричного накопител 1 устанавливаютс в начальное положение, представл емое на выходе как логический нуль. Запись информации производитс следующим образом . После поступлени адреса на ш ны 3 адресный блок 2 и коммутатор 4 выбирают информационный запоминающий элемент матричного накопител 1, к которому произошло обращение. Одновременно: выбираетс дополнительный запоминающий элемент из блока пам ти эталонных напр жений 12, принадлежа1ЦИЙ этой же строке. На шине 10 управ лени присутствует потенциал, разрешающий режим записи, и блок усилителей через коммутатор k подключает ин формационные шины 9 с присутствующим на них кодом к матрице запоминающих элементов матричного накопител 1 и к соответствующему дополнительному запоминающему элементу блока 10 пам ти эталонных напр жений. С поступлением импульса записи на шину 11 в запоминающие элементы, на входе которых присутствует потенциал логической единицы (код на информационных шинах 9), заноситс определенный зар д . Величина этого зар да определ етс длительностью и числом импульсов записи. Варьиру эти параметры при адресации к различным запоминающим элементам, можно записать в каждую чейку пам ти информацию, представленную соответствующим уровнем зар да, т.е. в многозначном виде. Одновременно с записью информации в информационную чейку матричного накопител 1, в дополнительные запоминающие элементы блока 12 пам ти эталонных напр жений, принадлежащий этой строке, записываетс максимальный уровень зар да. В режиме считывани , адресный блок 2 и коммутатор в соответствии с кодом, присутствующим на шинах 3, выбирают необходимый информационный элемент матричного накопител 1 и подключают его выход к информационному входу 6 аналого-цифрового преобразовател 5- Одновременно с этим выход дополнительного запоминающего элемента блока 12 пам ти эталонных напр жений, принадлежащего этой строке , подключаетс к опорному входу 7 аналого-цифрового преобразовател 5Зашифрованна аналого-цифровым преобразователем 5 информаци в двоичном коде, при наличии соответствующего разрешающего потенциала на шине 10 управлени , поступает через буферный блок усилителей 8 на информационные шины 9.Представление информации в К-значном алфавите, т.е. в виде К уровней, повышает информационную емкость каждого запоминающего элемента в раз. При этом обща информационна емкость ППЗУ, по сравнению с известными ППЗУ, содержащими то же количество чеек пам ти, повышаетс в . раз, где N - количестВО строк, а М - количество столбцов матричного накопител . Дестабилизирующие факторы пропорционально вли ют как на опорный уровень напр жений, считываемый из блока пам ти эталонных напр жений, так и на уровень напр жени , считываемый из информационной чейки пам ти. При достаточной линейности аналого-цифрового преобразовател код на его вы ходе будет оставатьс достоверным, тем самым, повышаетс надежность пер программируемого посто нного запоминающего устройства. Формула изобретени Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, входы которого подключены к выходам адресного блока, коммутатор, первый вход --выход которого подключен к соответствующему выходу блока усилителей, а вторые входы-выходы коммутатора .подключены ко ёходам-выходам матричного накопител , отличающеес тем, что, с целью повышени информационной емкости и надежности устройства , оно содержит аналого-цифровой преобразователь и Олок пам ти эталонных напр жений, входы которых подключены к соответствующим выходам адресного блока, входы-выходы блока пам ти эталонных напр жений подключены к первому входу аналого-цифрового преобразовател и к соответствующему выходу блока усилителей, второй вход аналого-цифрового преобразовател подключен к первому входу коммутатора, выходы аналого-цифрового преобразовател подключены к соответствующим входам блока усилителей . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1,Патент США tf 390б«б1, кл, G П С 17/00, опублик, 1975, 2,Первое ППЗУ емкостью 1638 бит со стиранием информации Уф-светом, Электроника , V 5, 1977 (прототип);
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802888360A SU900316A1 (ru) | 1980-02-29 | 1980-02-29 | Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802888360A SU900316A1 (ru) | 1980-02-29 | 1980-02-29 | Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU900316A1 true SU900316A1 (ru) | 1982-01-23 |
Family
ID=20880270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802888360A SU900316A1 (ru) | 1980-02-29 | 1980-02-29 | Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU900316A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4604616A (en) * | 1983-12-01 | 1986-08-05 | The Arthur G. Russell Company, Incorporated | Apparatus for programming an electrically erasable programmable read-only memory |
-
1980
- 1980-02-29 SU SU802888360A patent/SU900316A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4604616A (en) * | 1983-12-01 | 1986-08-05 | The Arthur G. Russell Company, Incorporated | Apparatus for programming an electrically erasable programmable read-only memory |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1199725B1 (en) | Method for storing and reading data in a multibit nonvolatile memory with a non-binary number of bits per cell | |
TW298631B (en) | Program algorithm for low voltage single power supply flash memories | |
EP0283238B1 (en) | Non-volatile memory | |
KR100292661B1 (ko) | 플래쉬메모리용비트맵주소지정체계 | |
EP1220228B1 (en) | Method for storing data in a nonvolatile memory | |
KR920017121A (ko) | 기록검증 제어회로를 갖춘 전기적으로 소거 및 프로그램 가능한 독출전용 기억장치 | |
KR930020467A (ko) | 불휘발성 반도체 기억장치 | |
KR19990064045A (ko) | 비휘발성 메모리셀 당 복수의 디지털 비트를 저장 및 검색하기위한 집적 회로 | |
US5841695A (en) | Memory system using multiple storage mechanisms to enable storage and retrieval of more than two states in a memory cell | |
KR950001291B1 (ko) | 불휘발성 메모리 | |
US5210716A (en) | Semiconductor nonvolatile memory | |
JPH10112193A (ja) | 不揮発性半導体メモリおよび書込み読出し方法 | |
US7525864B2 (en) | Memory data inversion architecture for minimizing power consumption | |
US5285415A (en) | Data counting memory card and reader | |
US5490109A (en) | Method and apparatus for preventing over-erasure of flash EEPROM memory devices | |
SU900316A1 (ru) | Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство | |
US4530108A (en) | Counter for non-volatile storage | |
US5455800A (en) | Apparatus and a method for improving the program and erase performance of a flash EEPROM memory array | |
JPS6252798A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2518614B2 (ja) | 半導体不揮発性記憶装置とその動作方法 | |
JPH0479098A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20240177769A1 (en) | Bit line accumulation readout scheme for an analog in-memory computation processing circuit | |
SU1575240A1 (ru) | Посто нное запоминающее устройство с контролем | |
SU1278978A1 (ru) | Посто нное запоминающее устройство с перезаписью информации | |
JPH0338679B2 (ru) |