SU900316A1 - Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство - Google Patents

Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство Download PDF

Info

Publication number
SU900316A1
SU900316A1 SU802888360A SU2888360A SU900316A1 SU 900316 A1 SU900316 A1 SU 900316A1 SU 802888360 A SU802888360 A SU 802888360A SU 2888360 A SU2888360 A SU 2888360A SU 900316 A1 SU900316 A1 SU 900316A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
information
memory
input
analog
outputs
Prior art date
Application number
SU802888360A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Яковлевич Розман
Лев Лазаревич Утяков
Борис Васильевич Шехватов
Сергей Николаевич Шустенко
Original Assignee
Институт Океанологии Им.П.П.Ширшова Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Океанологии Им.П.П.Ширшова Ан Ссср filed Critical Институт Океанологии Им.П.П.Ширшова Ан Ссср
Priority to SU802888360A priority Critical patent/SU900316A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU900316A1 publication Critical patent/SU900316A1/ru

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к области радиоэлектроники и может быть использовано в автоматике и вычислительной технике, главным образом дл  хранени  цифровой информации.
Известны перепрограммируемые запоминающие устройства (ППЗУ) матричного типа, выполнение в виде больших интенгральных схем на МНОП (металлнитрид-окисел- полупроводник) приборах П.
Недостатком этих устройств  вл етс  ограниченный срок хранени  записанной информации, в св зи с чем возникает необходимость восстановлени  информации через определенное врем .
Указанный недостаток устранен в ППЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым излучением, содержащим матрицу запоминающих элементов, схемы адресации и буферный блок 21.
Недостатком известного устройства  вл етс  мала  информационна  емкость каждого запоминающего элемента , предназначенного дл  хранени  только одного бита информации в виде двух уровней зар да, соответствующим логическим О и 1. В результате проблема повышени  информационной емкости кристалла ППЗУ сопр жена с пропорциональным увеличением числа запоминающих элементов и усложнением схем адресации. Это, в свою очередь, приводит к увеличению площади кристалла ППЗУ и к повышению стоимости устройства . Недостатком устройства  вл етс  также низка  надежность работы при считывании из-за вли ни  на величину выходного напр жени  различных дестабилизирующих факторов (температурного и временного дрейфа, старени  и т.п.).
Цель изобретени  - повышение информационной емкости и надежности перепрограммируемого посто нного запоминающего устройства.

Claims (1)

  1. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в перепрограммируемое посто нное 390 запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, входы которого подключены к выходам адресного блока , коммутатор, первый вход-выход ко торого подключен к соответствующему выходу блока усилителей, а вторые входы-выходы коммутатора подключены ко входам-выходам матричного накопител , дополнительно введены аналогоцифровой преобразователь и блок пам  ти эталонных напр жений, входы которых подключены к соответствующим выходам адресного блока, входы-выходы блока пам ти эталонных напр жений подключены к первому входу аналогоцифрового преобразовател  и к соответствующему входу блока усилителей, второй вход аналого-цифрового преобр зовател  подключен к первому входу коммутатора, выходы аналого-цифрового преобразовате;ц  подключены к соот ветствующим входам блока усилителей. На чертеже представлена блок-схема перепрограммируемого посто нного запоминающего устройства. . Изобретение содержит матричный на копитель 1 , адресный блок 2, адресные шины 3 коммутатор , аналогоцифровой преобразователь 5 с информационными 6 и опорным 7 входами, блок 8 усилителей, информационные шины 9, шину 10 управлени , шину 11 записи и блок 12 пам ти эталонных на пр жений. Облучение устройства ультрафиолетовым светом стирает всю информацию, ранее хранимую в ППЗУ. При этом все запоминающие .элементы матричного накопител  1 устанавливаютс  в начальное положение, представл емое на выходе как логический нуль. Запись информации производитс  следующим образом . После поступлени  адреса на ш ны 3 адресный блок 2 и коммутатор 4 выбирают информационный запоминающий элемент матричного накопител  1, к которому произошло обращение. Одновременно: выбираетс  дополнительный запоминающий элемент из блока пам ти эталонных напр жений 12, принадлежа1ЦИЙ этой же строке. На шине 10 управ лени  присутствует потенциал, разрешающий режим записи, и блок усилителей через коммутатор k подключает ин формационные шины 9 с присутствующим на них кодом к матрице запоминающих элементов матричного накопител  1 и к соответствующему дополнительному запоминающему элементу блока 10 пам ти эталонных напр жений. С поступлением импульса записи на шину 11 в запоминающие элементы, на входе которых присутствует потенциал логической единицы (код на информационных шинах 9), заноситс  определенный зар д . Величина этого зар да определ етс  длительностью и числом импульсов записи. Варьиру  эти параметры при адресации к различным запоминающим элементам, можно записать в каждую  чейку пам ти информацию, представленную соответствующим уровнем зар да, т.е. в многозначном виде. Одновременно с записью информации в информационную  чейку матричного накопител  1, в дополнительные запоминающие элементы блока 12 пам ти эталонных напр жений, принадлежащий этой строке, записываетс  максимальный уровень зар да. В режиме считывани , адресный блок 2 и коммутатор в соответствии с кодом, присутствующим на шинах 3, выбирают необходимый информационный элемент матричного накопител  1 и подключают его выход к информационному входу 6 аналого-цифрового преобразовател  5- Одновременно с этим выход дополнительного запоминающего элемента блока 12 пам ти эталонных напр жений, принадлежащего этой строке , подключаетс  к опорному входу 7 аналого-цифрового преобразовател  5Зашифрованна  аналого-цифровым преобразователем 5 информаци  в двоичном коде, при наличии соответствующего разрешающего потенциала на шине 10 управлени , поступает через буферный блок усилителей 8 на информационные шины 9.Представление информации в К-значном алфавите, т.е. в виде К уровней, повышает информационную емкость каждого запоминающего элемента в раз. При этом обща  информационна  емкость ППЗУ, по сравнению с известными ППЗУ, содержащими то же количество  чеек пам ти, повышаетс  в . раз, где N - количестВО строк, а М - количество столбцов матричного накопител . Дестабилизирующие факторы пропорционально вли ют как на опорный уровень напр жений, считываемый из блока пам ти эталонных напр жений, так и на уровень напр жени , считываемый из информационной  чейки пам ти. При достаточной линейности аналого-цифрового преобразовател  код на его вы ходе будет оставатьс  достоверным, тем самым, повышаетс  надежность пер программируемого посто нного запоминающего устройства. Формула изобретени  Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, входы которого подключены к выходам адресного блока, коммутатор, первый вход --выход которого подключен к соответствующему выходу блока усилителей, а вторые входы-выходы коммутатора .подключены ко ёходам-выходам матричного накопител , отличающеес  тем, что, с целью повышени  информационной емкости и надежности устройства , оно содержит аналого-цифровой преобразователь и Олок пам ти эталонных напр жений, входы которых подключены к соответствующим выходам адресного блока, входы-выходы блока пам ти эталонных напр жений подключены к первому входу аналого-цифрового преобразовател  и к соответствующему выходу блока усилителей, второй вход аналого-цифрового преобразовател  подключен к первому входу коммутатора, выходы аналого-цифрового преобразовател  подключены к соответствующим входам блока усилителей . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1,Патент США tf 390б«б1, кл, G П С 17/00, опублик, 1975, 2,Первое ППЗУ емкостью 1638 бит со стиранием информации Уф-светом, Электроника , V 5, 1977 (прототип);
SU802888360A 1980-02-29 1980-02-29 Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство SU900316A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802888360A SU900316A1 (ru) 1980-02-29 1980-02-29 Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802888360A SU900316A1 (ru) 1980-02-29 1980-02-29 Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU900316A1 true SU900316A1 (ru) 1982-01-23

Family

ID=20880270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802888360A SU900316A1 (ru) 1980-02-29 1980-02-29 Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU900316A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4604616A (en) * 1983-12-01 1986-08-05 The Arthur G. Russell Company, Incorporated Apparatus for programming an electrically erasable programmable read-only memory

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4604616A (en) * 1983-12-01 1986-08-05 The Arthur G. Russell Company, Incorporated Apparatus for programming an electrically erasable programmable read-only memory

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1199725B1 (en) Method for storing and reading data in a multibit nonvolatile memory with a non-binary number of bits per cell
KR950004854B1 (ko) 반도체 메모리 장치
TW298631B (en) Program algorithm for low voltage single power supply flash memories
EP0283238B1 (en) Non-volatile memory
US4415992A (en) Memory system having memory cells capable of storing more than two states
EP1220228B1 (en) Method for storing data in a nonvolatile memory
KR920017121A (ko) 기록검증 제어회로를 갖춘 전기적으로 소거 및 프로그램 가능한 독출전용 기억장치
KR930020467A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR19990064045A (ko) 비휘발성 메모리셀 당 복수의 디지털 비트를 저장 및 검색하기위한 집적 회로
RU2007149036A (ru) Полупроводниковое запоминающее устройство
US5841695A (en) Memory system using multiple storage mechanisms to enable storage and retrieval of more than two states in a memory cell
JPH03171819A (ja) 不揮発性メモリによって計数するための方法及び装置
JPH10112193A (ja) 不揮発性半導体メモリおよび書込み読出し方法
KR950001291B1 (ko) 불휘발성 메모리
US5285415A (en) Data counting memory card and reader
US5490109A (en) Method and apparatus for preventing over-erasure of flash EEPROM memory devices
SU900316A1 (ru) Перепрограммируемое посто нное запоминающее устройство
US4530108A (en) Counter for non-volatile storage
JPS6252798A (ja) 半導体記憶装置
US5305255A (en) Non-destructive readout ferroelectric memory cell
JP2518614B2 (ja) 半導体不揮発性記憶装置とその動作方法
SU1575240A1 (ru) Посто нное запоминающее устройство с контролем
SU1278978A1 (ru) Посто нное запоминающее устройство с перезаписью информации
SU504247A1 (ru) Посто нное запоминающее устройство
SU631991A1 (ru) Запоминающее устройство