JPH03242921A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
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- JPH03242921A JPH03242921A JP2040330A JP4033090A JPH03242921A JP H03242921 A JPH03242921 A JP H03242921A JP 2040330 A JP2040330 A JP 2040330A JP 4033090 A JP4033090 A JP 4033090A JP H03242921 A JPH03242921 A JP H03242921A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
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- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（崖東上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造に際して使用されるフォト
マスクのパターンを描画するための電子ビーム露光装置
に係り、特にパターン加工の部分的な補正が可能な電子
ビーム露光装置に関する。
マスクのパターンを描画するための電子ビーム露光装置
に係り、特にパターン加工の部分的な補正が可能な電子
ビーム露光装置に関する。
（従来の技術）
一般に、リソグラフィ用のフォトマスクのパターンを形
成する際には、目的とする設計回路をＣＡ Ｄ （Ｃｏ
ｐｍｐｕｔｃｒ Ａｉｄｅｄ Ｄｅｓｉｇｎ）によりマ
スクデザインのパターンデータに変換し、これに基いて
大型電子計算機によるパターン作成処理によりＥ Ｂ
Ｍ Ｔ （ＥＩｅｃＬｒｏ Ｂｅａｍ Ｍａｇｎｅｔｉ
ｃ Ｔａｐｅ）フォーマットの描画データを作成し、こ
の描画データにしたがって電子ビーム露光装置によりマ
スクブランクに対してビーム露光を行っている。
成する際には、目的とする設計回路をＣＡ Ｄ （Ｃｏ
ｐｍｐｕｔｃｒ Ａｉｄｅｄ Ｄｅｓｉｇｎ）によりマ
スクデザインのパターンデータに変換し、これに基いて
大型電子計算機によるパターン作成処理によりＥ Ｂ
Ｍ Ｔ （ＥＩｅｃＬｒｏ Ｂｅａｍ Ｍａｇｎｅｔｉ
ｃ Ｔａｐｅ）フォーマットの描画データを作成し、こ
の描画データにしたがって電子ビーム露光装置によりマ
スクブランクに対してビーム露光を行っている。
第７図は、従来の電子ビーム露光装置を示している。こ
の電子ビーム露光装置においては、ＥＢＭＴフォーマッ
トの描画データを磁気ディスク装置７１へ人力しておけ
ば、ＣＰＵ （中央処理装置）７２が」二記描画データ
を順次読みとって各種の信号に変換処理し、描画制御回
路７３、Ｅ ＯＳ （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ０ｐｔｉｃａ
ｌ Ｓｙｓｔｅｍ ）制御系７４、ステージ制御系７５
へ各種の信号を伝送すると共に同期回路７６を駆動する
。これにより、電子銃から発生する電子、ステージ移動
が制御され、パターン露光が順次行われる。この場合、
電子光学系８０においては、第８図に示すように、電子
銃８１から発生した電子は、陽極８２、第１コンデンサ
１７ンズ８３、ブランキング電極８４、第２コンデンサ
レンズ８５、対物レンズ（Ｘ−Ｙ偏向電極）８６、アパ
ーチャ８７を通過し、ステージ８８上に設置されている
カセット８つ上のマスクブランク９０に照射される。な
お、９１はビーム電流モニター用の反射電子検出器であ
る。また、上記ステージ８８は、前記ステージ制御系７
５により制御されるステージ駆動回路７７によりＸ方向
、Ｙ方向に駆動され、このステージ８８の座標系アドレ
ス（つまり、実際にビーム露光されるマスクブランク上
のパターンのアドレスのＸＹ座標値）をステージ８８上
で感知するレーザー干渉計９２により認識して前記ステ
ージ制御系７５へ帰還し、正確な位置決めを行っている
。そして、ある段階の描画データに基づくパターン露光
を終了すると、ＣＰＵ７２は次の段階の描画データを読
みとって処理し、各種の信号を出力するという動作を繰
り返し、連続的なパターン露光が行われる。
の電子ビーム露光装置においては、ＥＢＭＴフォーマッ
トの描画データを磁気ディスク装置７１へ人力しておけ
ば、ＣＰＵ （中央処理装置）７２が」二記描画データ
を順次読みとって各種の信号に変換処理し、描画制御回
路７３、Ｅ ＯＳ （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ０ｐｔｉｃａ
ｌ Ｓｙｓｔｅｍ ）制御系７４、ステージ制御系７５
へ各種の信号を伝送すると共に同期回路７６を駆動する
。これにより、電子銃から発生する電子、ステージ移動
が制御され、パターン露光が順次行われる。この場合、
電子光学系８０においては、第８図に示すように、電子
銃８１から発生した電子は、陽極８２、第１コンデンサ
１７ンズ８３、ブランキング電極８４、第２コンデンサ
レンズ８５、対物レンズ（Ｘ−Ｙ偏向電極）８６、アパ
ーチャ８７を通過し、ステージ８８上に設置されている
カセット８つ上のマスクブランク９０に照射される。な
お、９１はビーム電流モニター用の反射電子検出器であ
る。また、上記ステージ８８は、前記ステージ制御系７
５により制御されるステージ駆動回路７７によりＸ方向
、Ｙ方向に駆動され、このステージ８８の座標系アドレ
ス（つまり、実際にビーム露光されるマスクブランク上
のパターンのアドレスのＸＹ座標値）をステージ８８上
で感知するレーザー干渉計９２により認識して前記ステ
ージ制御系７５へ帰還し、正確な位置決めを行っている
。そして、ある段階の描画データに基づくパターン露光
を終了すると、ＣＰＵ７２は次の段階の描画データを読
みとって処理し、各種の信号を出力するという動作を繰
り返し、連続的なパターン露光が行われる。
ところで、上記したようなＥＢＭＴフォーマットの描画
データを作成した後に、マスクデザインに修正が生じる
場合がある。即ち、例えば設計ミス、ＣＡＤ、ミス、回
路変更などに起因するパターン修正が必要な場合、マス
クデザインを修正しなければならない。
データを作成した後に、マスクデザインに修正が生じる
場合がある。即ち、例えば設計ミス、ＣＡＤ、ミス、回
路変更などに起因するパターン修正が必要な場合、マス
クデザインを修正しなければならない。
しかし、従来は、このようなマスクデザインの修正に伴
い、再度、大型電子計算機による処理を行ってＥＢＭＴ
フォーマットの描画データを作成しなければならず、こ
の再処理に伴う時間的損失および原価上昇が坐じ、しか
も、パターン修正やパターン検査の時間が増大すること
によりスループットが低下し、Ｑ Ｔ Ａ Ｔ （Ｑｕ
ｉｃｋ Ｔｕｒｎ ＡｒｏｕｎｄＴａｍｅ） 、効率な
どにも悪影響を及ぼすという問題が生じる。
い、再度、大型電子計算機による処理を行ってＥＢＭＴ
フォーマットの描画データを作成しなければならず、こ
の再処理に伴う時間的損失および原価上昇が坐じ、しか
も、パターン修正やパターン検査の時間が増大すること
によりスループットが低下し、Ｑ Ｔ Ａ Ｔ （Ｑｕ
ｉｃｋ Ｔｕｒｎ ＡｒｏｕｎｄＴａｍｅ） 、効率な
どにも悪影響を及ぼすという問題が生じる。
なお、従来、パターン修正に関して、描画パターン全体
に対して線幅を制御する技術はあるが、パターン加圧の
部分的な補正を行う技術は見当たらない。
に対して線幅を制御する技術はあるが、パターン加圧の
部分的な補正を行う技術は見当たらない。
（発明が解決しようとする課題）
上記したように従来の電子ビーム露光装置は、ＥＢＭＴ
フォーマットの描画データを作成した後にパターン修正
が必要な場合には、再度、ＥＢＭＴフォーマットの描画
データを作成しなければならず、この］す処理に伴う時
間的損失および原価上昇が生じ、しかも、パターン修正
やバターン検査の時間が増大することによりスループッ
トが低下するという問題がある。
フォーマットの描画データを作成した後にパターン修正
が必要な場合には、再度、ＥＢＭＴフォーマットの描画
データを作成しなければならず、この］す処理に伴う時
間的損失および原価上昇が生じ、しかも、パターン修正
やバターン検査の時間が増大することによりスループッ
トが低下するという問題がある。
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、そ
の目的は、ＥＢＭＴフォーマットの描画データを作成し
た後にパターン修正が必要になった場合でも、ＥＢＭＴ
フォーマットの描画データを再び作成することなく、パ
ターン描画の部分的な補正を行うことが可能になり、設
計からマスク作成までのスループットの向上を図り得る
電子ビーム露光装置を提供することにある。
の目的は、ＥＢＭＴフォーマットの描画データを作成し
た後にパターン修正が必要になった場合でも、ＥＢＭＴ
フォーマットの描画データを再び作成することなく、パ
ターン描画の部分的な補正を行うことが可能になり、設
計からマスク作成までのスループットの向上を図り得る
電子ビーム露光装置を提供することにある。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明は、予め記憶されている描画データに基づいてリ
ソグラフィ用のマスクのパターンを描画するための電子
ビーム露光を行う電子ビーム露光装置において、上記描
画データに基づいてビーム露光を行う時に、予め記憶さ
れているパターン描画の部分的な補正内容を指定する補
正データに基づいてビーム電流の大きさを制御するよう
に電子光学系を制御する制御装置を具備することを特徴
とする。
ソグラフィ用のマスクのパターンを描画するための電子
ビーム露光を行う電子ビーム露光装置において、上記描
画データに基づいてビーム露光を行う時に、予め記憶さ
れているパターン描画の部分的な補正内容を指定する補
正データに基づいてビーム電流の大きさを制御するよう
に電子光学系を制御する制御装置を具備することを特徴
とする。
（作用）
ＥＢＭＴフォーマットの描画データを作成した後にパタ
ーン修正が必要になった場合に、パターン描画の部分的
な補正内容を指定する補正データをｒめ用意しておくこ
とにより、この補正データに基づいてビーム電流の大き
さを最適な値に制御することにより、パターン幅の寸法
補正が必要な部分や、パターン加工の部分的な補正が必
要な部分に対して補正を行うことが可能になる。
ーン修正が必要になった場合に、パターン描画の部分的
な補正内容を指定する補正データをｒめ用意しておくこ
とにより、この補正データに基づいてビーム電流の大き
さを最適な値に制御することにより、パターン幅の寸法
補正が必要な部分や、パターン加工の部分的な補正が必
要な部分に対して補正を行うことが可能になる。
従って、描画データを作成した後にパターン修正が必要
になった場合でも、描画データを再び作成することなく
、パターン描画の部分的な補正を行うことが可能になる
ので、設計からマスク作成までのスループットの向上を
図ることができる。
になった場合でも、描画データを再び作成することなく
、パターン描画の部分的な補正を行うことが可能になる
ので、設計からマスク作成までのスループットの向上を
図ることができる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図に示す電子ビーム露光装置は、第７図を参照して
前述した促来の電子ビーム露光装置と比べて、（１）Ｅ
ＢＭＴフォーマットの描画データを作成した後にパター
ン修正が必要になった場合に用意されるパターン描画の
部分的な補正内容を指定する補正データが上記描画デー
タと」Ｌに前記磁気ディスク装置７１へ人力される点、
（２）上記磁気ディスク装置７１から読み出されたパタ
ーンアドレスのＸ−Ｙ座標値およびレーザー干渉計９２
により検出された実際にビーム露光されるマスクブラン
ク上のパターンのアドレスのＸ−Ｙ座標値を比較する比
較回路１０が設けられている点、（３）ＣＰＵ７２が上
記描画データに基づいてビーム露光を行う時に、上記比
較回路１０により一致が検出された場合には、上記磁気
ディスク装置７１から読み出された補正データに含まれ
るパターン幅補正値に応じて電子ビーム電流を変化させ
るように前記電子光学系８０を制御する点が異なり、そ
の他は同じであるので第７図中と同一符号を付してその
説明を省略する。
前述した促来の電子ビーム露光装置と比べて、（１）Ｅ
ＢＭＴフォーマットの描画データを作成した後にパター
ン修正が必要になった場合に用意されるパターン描画の
部分的な補正内容を指定する補正データが上記描画デー
タと」Ｌに前記磁気ディスク装置７１へ人力される点、
（２）上記磁気ディスク装置７１から読み出されたパタ
ーンアドレスのＸ−Ｙ座標値およびレーザー干渉計９２
により検出された実際にビーム露光されるマスクブラン
ク上のパターンのアドレスのＸ−Ｙ座標値を比較する比
較回路１０が設けられている点、（３）ＣＰＵ７２が上
記描画データに基づいてビーム露光を行う時に、上記比
較回路１０により一致が検出された場合には、上記磁気
ディスク装置７１から読み出された補正データに含まれ
るパターン幅補正値に応じて電子ビーム電流を変化させ
るように前記電子光学系８０を制御する点が異なり、そ
の他は同じであるので第７図中と同一符号を付してその
説明を省略する。
即ち、本実施例の電子ビーム露光装置は、描画データに
したがってビーム露光を行う時に、予め記憶されている
パターン描画の部分的な補正内容を指定する補正データ
に基づいてビーム電流の大きさを制御するように電子光
学系８０を制御する制御手段を有している。この制御手
段は、この補正対象となるパターンアドレスのＸ−Ｙ座
標値およびパターン幅補正値を含む補正データを記憶し
ておく記憶手段（本例では磁気ディスク装置７１）と、
実際にビーム露光されるマスク」二のパターンのＸ−Ｙ
座標値を検出する検出手段（本例ではレーザー干渉計９
２）と、上記記憶手段から読み出された補正データに含
まれるパターンアドレスのＸ−Ｙ座標値と上記検出手段
により検出されたＸ−Ｙ座標値とを比較する比較手段（
本例では比較回路１０）と、この比較手段により一致が
検出された場合に、上記記憶手段から読み出された補正
データに含まれるパターン幅補正値に応じて電子ビーム
電流の大きさを制御するように前記電子光学系８０を制
御する補正手段（本例ではＣＰＵ７２および描画制御回
路７３、ＥＯ３制御系７４など）を有している。
したがってビーム露光を行う時に、予め記憶されている
パターン描画の部分的な補正内容を指定する補正データ
に基づいてビーム電流の大きさを制御するように電子光
学系８０を制御する制御手段を有している。この制御手
段は、この補正対象となるパターンアドレスのＸ−Ｙ座
標値およびパターン幅補正値を含む補正データを記憶し
ておく記憶手段（本例では磁気ディスク装置７１）と、
実際にビーム露光されるマスク」二のパターンのＸ−Ｙ
座標値を検出する検出手段（本例ではレーザー干渉計９
２）と、上記記憶手段から読み出された補正データに含
まれるパターンアドレスのＸ−Ｙ座標値と上記検出手段
により検出されたＸ−Ｙ座標値とを比較する比較手段（
本例では比較回路１０）と、この比較手段により一致が
検出された場合に、上記記憶手段から読み出された補正
データに含まれるパターン幅補正値に応じて電子ビーム
電流の大きさを制御するように前記電子光学系８０を制
御する補正手段（本例ではＣＰＵ７２および描画制御回
路７３、ＥＯ３制御系７４など）を有している。
０
前記補正データは、第２図に示すファイル構造のように
、補正が必要なパターンアドレスのＸ−Ｙ座標値および
パターン幅補正値からなる場合、または、第３図に示す
ファイル構造のように、補正が必要なパターンアドレス
のＸ−Ｙ座標値およびパターン幅補正値ならびにパター
ン加エアドレスおよびパターン加工値からなる場合があ
る。
、補正が必要なパターンアドレスのＸ−Ｙ座標値および
パターン幅補正値からなる場合、または、第３図に示す
ファイル構造のように、補正が必要なパターンアドレス
のＸ−Ｙ座標値およびパターン幅補正値ならびにパター
ン加エアドレスおよびパターン加工値からなる場合があ
る。
本実施例の電−ｒ・ビーム露光装置の県木的な動作は前
述した従来の電子ビーム露光装置と同様に行われる。即
ち、ＣＰＵ７２が描画データを順次読みとって各種の信
号に変換処理し、描画制御回路７３、ＥＯ３制御系７４
、ステージ制御系７５へ各種の信号を伝送すると共に同
期回路７６を駆動する。これにより、電子銃８１から発
生する電子、ステージ移動が制御され、パターン露光が
順次行われる。そして、ある段階の描画データに基づく
パターン露光を終了すると、ＣＰＵ７２は次の段階の描
画データを読みとって処理し、各種の信号を出力すると
いう動作を繰り返し、連続的なパターン露光が行われる
。
述した従来の電子ビーム露光装置と同様に行われる。即
ち、ＣＰＵ７２が描画データを順次読みとって各種の信
号に変換処理し、描画制御回路７３、ＥＯ３制御系７４
、ステージ制御系７５へ各種の信号を伝送すると共に同
期回路７６を駆動する。これにより、電子銃８１から発
生する電子、ステージ移動が制御され、パターン露光が
順次行われる。そして、ある段階の描画データに基づく
パターン露光を終了すると、ＣＰＵ７２は次の段階の描
画データを読みとって処理し、各種の信号を出力すると
いう動作を繰り返し、連続的なパターン露光が行われる
。
１
さらに、本実施例の電子ビーム露光装置においては、上
記したように描画データに基づいてビーム露光を行う時
に、磁気ディスク装置７１から読み出された補正データ
に含まれるパターンアドレスのＸ−Ｙ座標値と前記レー
ザー干渉計９２により検出された失踪にビーム露光され
るマスクブランク上のパターンのアドレスのＸ−Ｙ座標
値との一致が比較回路］Ｏで検出された場合に、ＣＰＵ
７２は上記補正データに基づいて電子ビーム電流の大き
さが最適な値となるように電子光学系８０を制御する。
記したように描画データに基づいてビーム露光を行う時
に、磁気ディスク装置７１から読み出された補正データ
に含まれるパターンアドレスのＸ−Ｙ座標値と前記レー
ザー干渉計９２により検出された失踪にビーム露光され
るマスクブランク上のパターンのアドレスのＸ−Ｙ座標
値との一致が比較回路］Ｏで検出された場合に、ＣＰＵ
７２は上記補正データに基づいて電子ビーム電流の大き
さが最適な値となるように電子光学系８０を制御する。
この場合、第２図に示したようなファイル構造の補正デ
ータを用いる場合には、補正データに含まれるパターン
幅補正値に応じて電子光学系を制御して電子ビーム電流
の大きさを制御する。これにより、パターン幅の寸法補
正が必要な部分に対して補正を行うことが可能になる。
ータを用いる場合には、補正データに含まれるパターン
幅補正値に応じて電子光学系を制御して電子ビーム電流
の大きさを制御する。これにより、パターン幅の寸法補
正が必要な部分に対して補正を行うことが可能になる。
また、第３図に示したようなファイル構造の補正データ
を用いる場合には、補正データに含まれるパターン幅補
正値に応じて電子ビーム電流の大２ きさを制御すると共に、上記補正データに含まれるパタ
ーン加エアドレスおよびパターン加工値に基づいてパタ
ーンを描画する。これにより、パターン幅の寸法補正が
必要な部分や、例えば第４図中に点線で示すように、パ
ターン加工の部分的な補正が必要な部分に対して補正を
行うことが可能になる。
を用いる場合には、補正データに含まれるパターン幅補
正値に応じて電子ビーム電流の大２ きさを制御すると共に、上記補正データに含まれるパタ
ーン加エアドレスおよびパターン加工値に基づいてパタ
ーンを描画する。これにより、パターン幅の寸法補正が
必要な部分や、例えば第４図中に点線で示すように、パ
ターン加工の部分的な補正が必要な部分に対して補正を
行うことが可能になる。
ここで、第５図は、本実施例の電子ビーム露光装置にお
けるビーム電流とパターン寸法変化量との関係であって
、ビーム電流の大きさを５００〜３６０ｎＡの範囲内で
変化させた場合の各パターン幅の寸法変化量を測定した
結果を示している。
けるビーム電流とパターン寸法変化量との関係であって
、ビーム電流の大きさを５００〜３６０ｎＡの範囲内で
変化させた場合の各パターン幅の寸法変化量を測定した
結果を示している。
この場合、ビーム径は０．５μｍで一定とし、ビーム露
光後の現像条件は、ビーム電流の大きさが４００ｎＡの
時に最適なパターン寸法が得られるように定めた。この
第５図から、次のことが分る。
光後の現像条件は、ビーム電流の大きさが４００ｎＡの
時に最適なパターン寸法が得られるように定めた。この
第５図から、次のことが分る。
■ビーム電流の大きさを１０ｎＡ変化させることにより
パターン寸法は０．１μｍ変化し、パターン補正の増加
分は１．０μｍまで可能であり、パターン補正の減少分
は−０，３μｍまで可能で３ ある。即ち、０．２μＣ／ｃｍ−２のドーズ量の変化に
より、パターン寸法は０．１μｍ変化している。
パターン寸法は０．１μｍ変化し、パターン補正の増加
分は１．０μｍまで可能であり、パターン補正の減少分
は−０，３μｍまで可能で３ ある。即ち、０．２μＣ／ｃｍ−２のドーズ量の変化に
より、パターン寸法は０．１μｍ変化している。
■０．５μｍアドレスユニット以下では、３．０１ｔｍ
以上のパターンに対して°は、−様なパターン寸法の肉
太肉細制御を実現できる。
以上のパターンに対して°は、−様なパターン寸法の肉
太肉細制御を実現できる。
■電子銃の輝度の制約により、ビーム径が０．５μｍの
場合には、ビーム電流の大きさの上限は５００ｎＡ程度
になり、また、パターンのエツジラフネスを０．２μｍ
以下にするためには、ビーム電流の大きさの下限は３８
０ｎＡである。
場合には、ビーム電流の大きさの上限は５００ｎＡ程度
になり、また、パターンのエツジラフネスを０．２μｍ
以下にするためには、ビーム電流の大きさの下限は３８
０ｎＡである。
また、第６図は、上記電子ビーム露光装置における現像
時間とパターン寸法変化量との関係であって、ビーム電
流の大きさをパラメータとして、ビーム露光後の現像時
間を変化させた場合の各パターン幅の寸法変化量を測定
した結果を示している。この場合、ビーム径は０．５μ
ｍで一定とし、測定パターンはデータ上で４μｍである
。この第６図から、■現像速度は、各ビーム電流に対し
て０．０８μｍ／３０ｓｅｃで一定であることが分４ る。
時間とパターン寸法変化量との関係であって、ビーム電
流の大きさをパラメータとして、ビーム露光後の現像時
間を変化させた場合の各パターン幅の寸法変化量を測定
した結果を示している。この場合、ビーム径は０．５μ
ｍで一定とし、測定パターンはデータ上で４μｍである
。この第６図から、■現像速度は、各ビーム電流に対し
て０．０８μｍ／３０ｓｅｃで一定であることが分４ る。
以上のことから、パターン幅の寸法変化量ΔＬ（μｍ）
は、ビーム電流の大きさを１１ビーム電流４００ｎＡで
ビーム露光した時に＝Ｊ法変化量ΔＬが零となる現像時
間からの変化をΔｔで表わすと、 と表わすことができる。
は、ビーム電流の大きさを１１ビーム電流４００ｎＡで
ビーム露光した時に＝Ｊ法変化量ΔＬが零となる現像時
間からの変化をΔｔで表わすと、 と表わすことができる。
従って、マスクブランク面内で−様な寸法補正が必要な
パターンをビーム露光する場合には、０．１μｍの寸法
補正に対して、ビーム電流の大きさを１０ｎＡ単位で変
化させて寸法補正を実現することができる。換言すれば
、前記したようにパターン幅補正値に応じて電子ビーム
電流の大きさを制御することにより、パターン幅の寸法
補正が必要な部分に対して補正を行うことが可能になる
。
パターンをビーム露光する場合には、０．１μｍの寸法
補正に対して、ビーム電流の大きさを１０ｎＡ単位で変
化させて寸法補正を実現することができる。換言すれば
、前記したようにパターン幅補正値に応じて電子ビーム
電流の大きさを制御することにより、パターン幅の寸法
補正が必要な部分に対して補正を行うことが可能になる
。
［発明の効果］
上述したように本発明の電子ビーム露光装置に ５
よれば、ＥＢＭＴフォーマットの描画データを作成した
後にパターン修正が必要になった場合でも、描画データ
を再び作成することなく、パターン描画の部分的な補正
を行うことが可能になるので、設計からマスク作成まで
のスループットの向上を図ることができ、今後ますます
ＱＴＡＴ、効率が求められる状況において極めて有効で
ある。
後にパターン修正が必要になった場合でも、描画データ
を再び作成することなく、パターン描画の部分的な補正
を行うことが可能になるので、設計からマスク作成まで
のスループットの向上を図ることができ、今後ますます
ＱＴＡＴ、効率が求められる状況において極めて有効で
ある。
第１図は本発明の電子ビーム露光装置の一実施例を示す
システム構成図、第２図および第３図はそれぞれ第１図
中の磁気ディスク装置へ入力される補正データのファイ
ル構造の相異なる例を示す図、第４図は第３図の補正デ
ータに含まれるパターン加エアドレスおよびパターン加
工値に基づいてパターン加工の部分的な補正がなされた
様子の一例を示す図、第５図は第１図の電子ビーム露光
装置におけるビーム電流とパターン寸法変化量との関係
を測定した結果を示す図、第６図は第１図の電子ビーム
露光装置における現像時間とパターン寸法変化量との関
係を測定した結果を示す図、６ 第７図は従来の電子ビーム露光装置を示すシステム構成
図、第８図は第７図中の電子光学系によるビーム露光状
態を示す断５面図である。 １０・・・比較回路、７１・・・磁気ディスク装置、７
２・・・ＣＰＵ、７３・・・描画制御回路、７４・・・
ＥＯ８制御系、７５・・・ステージ制御系、７６・・・
同期回路、７７・・・ステージ駆動回路、８０・・・電
子光学系、８１・・・電子統、８２・・・陽極、８３・
・・第１コンデンサレンズ、８４・・・ブランキング電
極、８５・・・第２コンデンサレンズ、８６・・・対物
レンズ（ｘ−ｙ偏向電極）、８７・・・アパーチャ、８
８・・・ステージ、８つ・・・カセット、９０・・・マ
スクブランク、９１・・・反射電子検出器、９２・・・
レーザー干渉計。
システム構成図、第２図および第３図はそれぞれ第１図
中の磁気ディスク装置へ入力される補正データのファイ
ル構造の相異なる例を示す図、第４図は第３図の補正デ
ータに含まれるパターン加エアドレスおよびパターン加
工値に基づいてパターン加工の部分的な補正がなされた
様子の一例を示す図、第５図は第１図の電子ビーム露光
装置におけるビーム電流とパターン寸法変化量との関係
を測定した結果を示す図、第６図は第１図の電子ビーム
露光装置における現像時間とパターン寸法変化量との関
係を測定した結果を示す図、６ 第７図は従来の電子ビーム露光装置を示すシステム構成
図、第８図は第７図中の電子光学系によるビーム露光状
態を示す断５面図である。 １０・・・比較回路、７１・・・磁気ディスク装置、７
２・・・ＣＰＵ、７３・・・描画制御回路、７４・・・
ＥＯ８制御系、７５・・・ステージ制御系、７６・・・
同期回路、７７・・・ステージ駆動回路、８０・・・電
子光学系、８１・・・電子統、８２・・・陽極、８３・
・・第１コンデンサレンズ、８４・・・ブランキング電
極、８５・・・第２コンデンサレンズ、８６・・・対物
レンズ（ｘ−ｙ偏向電極）、８７・・・アパーチャ、８
８・・・ステージ、８つ・・・カセット、９０・・・マ
スクブランク、９１・・・反射電子検出器、９２・・・
レーザー干渉計。
Claims (3)
- （１）予め記憶されている描画データに基づいてフォト
マスクのパターンを描画するための電子ビーム露光を行
う電子ビーム露光装置において、上記描画データにした
がってビーム露光を行う時に、予め記憶されているパタ
ーン描画の部分的な補正内容を指定する補正データに基
づいてビーム電流の大きさを制御するように電子光学系
を制御する制御手段を具備することを特徴とする電子ビ
ーム露光装置。 - （２）前記制御手段は、 補正対象となるパターンアドレスのＸ−Ｙ座標値および
パターン幅補正値を含む補正データを記憶しておく記憶
手段と、 実際にビーム露光されるマスク上のパターンのＸ−Ｙ座
標値を検出する検出手段と、 上記記憶手段から読み出された補正データに含まれるパ
ターンアドレスのＸ−Ｙ座標値と上記検出手段により検
出されたＸ−Ｙ座標値とを比較する比較手段と、 この比較手段により一致が検出された場合に、上記記憶
手段から読み出された補正データに含まれるパターン幅
補正値に応じて前記電子光学系を制御して電子ビーム電
流の大きさを制御する補正手段と を具備することを特徴とする請求項１記載の電子ビーム
露光装置。 - （３）前記記憶手段は、補正対象となるパターンアドレ
スのＸ−Ｙ座標値およびパターン幅補正値のほかに、さ
らに、パターン加エアドレスおよびパターン加工値を含
む補正データを記憶しておき、 前記補正手段は、上記記憶手段から読み出された補正デ
ータに含まれるパターンアドレスのＸ−Ｙ座標値と前記
検出手段により検出されたＸ−Ｙ座標値との一致が前記
比較手段により検出された場合に、上記記憶手段から読
み出された補正データに含まれるパターン幅補正値に応
じて電子ビーム電流の大きさを制御すると共に、上記補
正データに含まれるパターン加工アドレスおよびパター
ン加工値に基づいてパターンを描画するように前記電子
光学系を制御することを特徴とする請求項２記載の電子
ビーム露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2040330A JPH0779075B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 電子ビーム露光装置 |
| EP91102507A EP0443565B1 (en) | 1990-02-21 | 1991-02-21 | Electron beam exposure apparatus |
| DE69110918T DE69110918T2 (de) | 1990-02-21 | 1991-02-21 | Elektronenstrahlbestrahlungsapparat. |
| KR1019910002763A KR940009765B1 (ko) | 1990-02-21 | 1991-02-21 | 전자빔노광장치 |
| US07/658,656 US5083032A (en) | 1990-02-21 | 1991-02-21 | Electron beam exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2040330A JPH0779075B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03242921A true JPH03242921A (ja) | 1991-10-29 |
| JPH0779075B2 JPH0779075B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=12577608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2040330A Expired - Lifetime JPH0779075B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5083032A (ja) |
| EP (1) | EP0443565B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0779075B2 (ja) |
| KR (1) | KR940009765B1 (ja) |
| DE (1) | DE69110918T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280290A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Nec Corp | 電子ビーム露光用及び該マスクを用いた電子ビーム露光方法 |
| KR100423917B1 (ko) * | 1995-03-13 | 2005-02-02 | 소니 가부시끼 가이샤 | 마스크패턴의보정방법및보정장치 |
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| US5194741A (en) * | 1991-03-20 | 1993-03-16 | Fujitsu Limited | Method for writing a pattern on an object by a focused electron beam with an improved efficiency |
| US6023068A (en) * | 1991-05-30 | 2000-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing apparatus |
| JP2788139B2 (ja) * | 1991-09-25 | 1998-08-20 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
| JP2501726B2 (ja) * | 1991-10-08 | 1996-05-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | コンピュ―タ・イメ―ジ生成装置及びデ―タ減縮方法 |
| KR970006498A (ko) * | 1995-07-31 | 1997-02-21 | 유충식 | 활성형 인성장호르몬의 정제 방법 |
| US6674086B2 (en) * | 1998-03-20 | 2004-01-06 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography system, electron beam lithography apparatus, and method of lithography |
| WO2005052652A2 (en) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Zygo Corporation | Optical fiber connectors and systems including optical fiber connectors |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180128A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Toshiba Corp | Equipment for electron beam exposure |
| USRE33193E (en) * | 1981-09-30 | 1990-04-03 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus and method of correcting mask defects |
| JPS59150422A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-28 | Fujitsu Ltd | 露光処理方法 |
| DE3571290D1 (en) * | 1984-11-22 | 1989-08-03 | Toshiba Machine Co Ltd | A system for continuously exposing desired patterns and their backgrounds on a target surface |
| JP2540168B2 (ja) * | 1987-09-25 | 1996-10-02 | 三菱電機株式会社 | ビ―ム偏向位置補正装置 |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP2040330A patent/JPH0779075B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-02-21 EP EP91102507A patent/EP0443565B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-21 US US07/658,656 patent/US5083032A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-21 KR KR1019910002763A patent/KR940009765B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-02-21 DE DE69110918T patent/DE69110918T2/de not_active Expired - Fee Related
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| KR100423917B1 (ko) * | 1995-03-13 | 2005-02-02 | 소니 가부시끼 가이샤 | 마스크패턴의보정방법및보정장치 |
| JP2002280290A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Nec Corp | 電子ビーム露光用及び該マスクを用いた電子ビーム露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0779075B2 (ja) | 1995-08-23 |
| EP0443565B1 (en) | 1995-07-05 |
| DE69110918D1 (de) | 1995-08-10 |
| EP0443565A2 (en) | 1991-08-28 |
| KR920000099A (ko) | 1992-01-10 |
| EP0443565A3 (en) | 1992-02-26 |
| KR940009765B1 (ko) | 1994-10-17 |
| DE69110918T2 (de) | 1995-12-14 |
| US5083032A (en) | 1992-01-21 |
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| JPH056336B2 (ja) |
Legal Events
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