JPH03242336A - 光学素子成形用型 - Google Patents
光学素子成形用型Info
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Classifications
-
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/14—Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
- C03B2215/26—Mixtures of materials covered by more than one of the groups C03B2215/16 - C03B2215/24, e.g. C-SiC, Cr-Cr2O3, SIALON
-
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- C03B2215/34—Intermediate layers, e.g. graded zone of base/top material of ceramic or cermet material, e.g. diamond-like carbon
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学素子成形用型に関する。
光学ガラスを加熱プレスにより所望に成形して光学素子
を得ることは、一般に知られている。ところで、この加
熱プレス手段による場合は、成形用型の離型性の良いこ
とが必要である。従来、この離型性が良好なものとして
、例えば特開昭62−167229号公報に開示される
ように、立方晶窒化硼素(c−BN)により成形面を形
成した光学素子成形用型が提案されている。この成形用
型は、十分な硬度を有し、濡れ角が大きくて離型性が良
く、高温での成形加工においても優れた離型性を示す。
を得ることは、一般に知られている。ところで、この加
熱プレス手段による場合は、成形用型の離型性の良いこ
とが必要である。従来、この離型性が良好なものとして
、例えば特開昭62−167229号公報に開示される
ように、立方晶窒化硼素(c−BN)により成形面を形
成した光学素子成形用型が提案されている。この成形用
型は、十分な硬度を有し、濡れ角が大きくて離型性が良
く、高温での成形加工においても優れた離型性を示す。
しかし、通常光学素子の成形を行う場合には、酸化雰囲
気中で行うため、従来のようなc−BN薄膜により成形
面を形成した光学素子成形用型であっても、最表層は酸
化されてB20.となってしまう。この現象は、特に成
形されるガラスの転移点温度が高い場合に顕著に現れる
。
気中で行うため、従来のようなc−BN薄膜により成形
面を形成した光学素子成形用型であっても、最表層は酸
化されてB20.となってしまう。この現象は、特に成
形されるガラスの転移点温度が高い場合に顕著に現れる
。
成形面上に形成されたc−BNI膜がもし完全な結晶に
なっていれば、このような現象は非常に起こりにくいと
考えられるが、現状の技術では完全なc−BNil膜を
作成することは困難であり、BNの他の結晶形態のもの
や非晶質状態の部分が必ず存在するため、Bの酸化が生
じ易いと考えられる。
なっていれば、このような現象は非常に起こりにくいと
考えられるが、現状の技術では完全なc−BNil膜を
作成することは困難であり、BNの他の結晶形態のもの
や非晶質状態の部分が必ず存在するため、Bの酸化が生
じ易いと考えられる。
また、もし完全なc−BNを生成できたとしても、型基
材との密着性や耐ヒートサイクル性の点では非晶質層が
混ざっているものの方が優れており、Bの酸化は避は難
い状態にある。Bが酸化されて最表層に820.が生成
されても初期的には十分な離型性を維持することができ
るが、使用していくうちにB、0.への結晶粒が次第に
大きくなることによって面粗度が大きくなり、またガラ
スと融着し易くなる等、光学素子成形用型に要求される
特性を長期間維持することが困難であった。
材との密着性や耐ヒートサイクル性の点では非晶質層が
混ざっているものの方が優れており、Bの酸化は避は難
い状態にある。Bが酸化されて最表層に820.が生成
されても初期的には十分な離型性を維持することができ
るが、使用していくうちにB、0.への結晶粒が次第に
大きくなることによって面粗度が大きくなり、またガラ
スと融着し易くなる等、光学素子成形用型に要求される
特性を長期間維持することが困難であった。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、酸化雰囲気中で光学素子の成形を行う場合であっても
、最表層に形成されるB20.の結晶粒の成長を抑制し
、長期間成形に使用しても必要な表面特性を維持するこ
とができる光学素子成形用型を提供することを目的とす
る。
、酸化雰囲気中で光学素子の成形を行う場合であっても
、最表層に形成されるB20.の結晶粒の成長を抑制し
、長期間成形に使用しても必要な表面特性を維持するこ
とができる光学素子成形用型を提供することを目的とす
る。
(課題を解決するための手段および作用〕上記目的を達
成するために、本発明は、光学素子成形用型において、
c−BNを主成分とし、かつTh、Be、Ce、Caの
中から選ばれた少なくとも1つの元素を0.1〜20重
量%含有した材料より、少なくとも成形面を形成した。
成するために、本発明は、光学素子成形用型において、
c−BNを主成分とし、かつTh、Be、Ce、Caの
中から選ばれた少なくとも1つの元素を0.1〜20重
量%含有した材料より、少なくとも成形面を形成した。
既に述べたように、光学素子の成形は、通常酸化雰囲気
中で行われるため、最表層に存在するB、Th、Be、
Ce、Caはそれぞれ酸化物となる。その際、Th、B
e、Ce、Caの酸化物はBの酸化物よりも平衡酸素分
圧が低いために優先的に生成される。
中で行われるため、最表層に存在するB、Th、Be、
Ce、Caはそれぞれ酸化物となる。その際、Th、B
e、Ce、Caの酸化物はBの酸化物よりも平衡酸素分
圧が低いために優先的に生成される。
そのため、B、0.の結晶粒の成長は、Th。
Be、Ce、Caの酸化物の存在によって阻止されるこ
とになり、本発明の光学素子成形用型は、長期間成形に
使用しても必要な表面物性を維持することかできる。
とになり、本発明の光学素子成形用型は、長期間成形に
使用しても必要な表面物性を維持することかできる。
ここで、本発明において、Th、Be、Ce。
Caの含有率を0.1〜20重蓋%としたのは、これら
の元素が0.1重量%未満では上記の効果が十分に発揮
されないからであり、一方、20重量%を越えると、ガ
ラスにくもりが発生したり、硬度が低くなるために型の
成形面のエツジ部等にキズや変形が生し易くなるからで
ある。また特に、これらの元素の含有率は1〜5重量%
が最も好ましい。
の元素が0.1重量%未満では上記の効果が十分に発揮
されないからであり、一方、20重量%を越えると、ガ
ラスにくもりが発生したり、硬度が低くなるために型の
成形面のエツジ部等にキズや変形が生し易くなるからで
ある。また特に、これらの元素の含有率は1〜5重量%
が最も好ましい。
(第1実施例)
図に示すように、SiCセラミックスからなる基材1を
所望の最終製品に対応した形状に概略近い形状に加工し
た後、CVD法により厚さ0.5111のStC被膜2
を形成して型基材3とした。そして、この型基材3をダ
イヤモンド砥石を用いた研削加工により所望の最終製品
に対応した形状に加工し、さらに光学的要求の生じる成
形基礎面3aに鏡面研摩を施した。その成形基礎面3a
に対し、BNとThNとの混合層からなる成形面層4を
スパッタリングにより形成した。これは、ターゲットと
してBとThNとが97:3の重量比で混合されたもの
を使用し、窒素ガス雰囲気中でスパッタリングをして作
成したものである。この結果成形面層4中には、Bが5
0重量%、Thが2重量%。
所望の最終製品に対応した形状に概略近い形状に加工し
た後、CVD法により厚さ0.5111のStC被膜2
を形成して型基材3とした。そして、この型基材3をダ
イヤモンド砥石を用いた研削加工により所望の最終製品
に対応した形状に加工し、さらに光学的要求の生じる成
形基礎面3aに鏡面研摩を施した。その成形基礎面3a
に対し、BNとThNとの混合層からなる成形面層4を
スパッタリングにより形成した。これは、ターゲットと
してBとThNとが97:3の重量比で混合されたもの
を使用し、窒素ガス雰囲気中でスパッタリングをして作
成したものである。この結果成形面層4中には、Bが5
0重量%、Thが2重量%。
○(酸素)が12重量%、N(窒素)が36重量%存在
し、c−BNの結晶が存在していることが確認された。
し、c−BNの結晶が存在していることが確認された。
上記のようにして得られた本実施例の光学素子成形用型
、およびSiC型基材の上にTh無添加のBN膜をスパ
ッタリングにより形成した従来の光学素子成形用型を用
いて、転移点が700°C以上のLa5F系硝材の成形
を行ったところ、従来の成形用型では150シゴット前
後からガラスの融着が生じて使用できなくなったのに対
し、本実施例の成形用型では、2000シヨツト成形後
も光学素子成形用型に要求される表面特性を維持してい
た。
、およびSiC型基材の上にTh無添加のBN膜をスパ
ッタリングにより形成した従来の光学素子成形用型を用
いて、転移点が700°C以上のLa5F系硝材の成形
を行ったところ、従来の成形用型では150シゴット前
後からガラスの融着が生じて使用できなくなったのに対
し、本実施例の成形用型では、2000シヨツト成形後
も光学素子成形用型に要求される表面特性を維持してい
た。
本実施例によれば、BNを主成分とし、Thを2重量%
含有した薄膜(成形面層4)により成形面を形成したの
で、T h Otが優先的に生成されることにより、最
表層に生成されるBtusの結晶粒が大きくなってガラ
スが融着しやすくなったり、面粗度が劣化したりするこ
とを阻止することができるため、長期間光学素子成形用
型として使用することができる。
含有した薄膜(成形面層4)により成形面を形成したの
で、T h Otが優先的に生成されることにより、最
表層に生成されるBtusの結晶粒が大きくなってガラ
スが融着しやすくなったり、面粗度が劣化したりするこ
とを阻止することができるため、長期間光学素子成形用
型として使用することができる。
なお、本実施例において、Thに代えて、Be。
Ce、Caのいずれか1つを用いても、あるいはこれら
を合わせて用いても、本実施例と同様の効果が得られる
。
を合わせて用いても、本実施例と同様の効果が得られる
。
(第2実施例)
第1実施例と同様の型基材上に、イオンブレーティング
法によりBNとBeおよびCeとの混合層からなる膜を
形成した。この膜中には、Bが47重量%、Beが1重
量%、Ceが3重量%、0が12重量%、Nが37重量
%存在し、c−BNとBNの非晶質とが共存しているこ
とが確認された。
法によりBNとBeおよびCeとの混合層からなる膜を
形成した。この膜中には、Bが47重量%、Beが1重
量%、Ceが3重量%、0が12重量%、Nが37重量
%存在し、c−BNとBNの非晶質とが共存しているこ
とが確認された。
本実施例の成形用型、およびBe、Ce等を添加しない
BN膜をイオンブレーティング法により形成した従来の
成形用型を用いて、転移点が660°C程度のSK系系
材材成形を行ったところ、従来の成形用型では、500
0ショット前後から成形面の面粗度が大きくなり、十分
な光学性能を持った光学素子を作成することができなく
なっていたのに対し、本実施例の成形用型では5000
シヨツト後も面粗度の劣化が小さく、またガラスの融着
等もなく、光学素子成形用型に要求される表面特性を維
持していた。
BN膜をイオンブレーティング法により形成した従来の
成形用型を用いて、転移点が660°C程度のSK系系
材材成形を行ったところ、従来の成形用型では、500
0ショット前後から成形面の面粗度が大きくなり、十分
な光学性能を持った光学素子を作成することができなく
なっていたのに対し、本実施例の成形用型では5000
シヨツト後も面粗度の劣化が小さく、またガラスの融着
等もなく、光学素子成形用型に要求される表面特性を維
持していた。
以上のように、本発明の光学素子成形用型によれば、T
h Be、Ce、Caの酸化物が生成された後にB、
0.が生成されるため、B□0.の結晶粒の成長が阻止
されることになり、長期間成形に使用しても必要な表面
特性を維持することができる。特に、ガラス素材の転移
点が高く、成形を行う際の型温度が高くなる場合に、そ
の効果が顕著に現れる。
h Be、Ce、Caの酸化物が生成された後にB、
0.が生成されるため、B□0.の結晶粒の成長が阻止
されることになり、長期間成形に使用しても必要な表面
特性を維持することができる。特に、ガラス素材の転移
点が高く、成形を行う際の型温度が高くなる場合に、そ
の効果が顕著に現れる。
図は本発明の光学阻止成形用型の第1実施例を示す縦断
面図である。 1・・・基材 2・・・SiC被膜 3・・・型基材 3a・・・成形基礎面 4・・・成形面層
面図である。 1・・・基材 2・・・SiC被膜 3・・・型基材 3a・・・成形基礎面 4・・・成形面層
Claims (1)
- (1)立方晶窒化硼素を主成分とし、かつTh、Be、
Ce、Caの中から選ばれた少なくとも1つの元素を0
.1〜20重量%含有した材料により少なくとも成形面
を形成したことを特徴とする光学素子成形用型。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3576090A JPH03242336A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光学素子成形用型 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3576090A JPH03242336A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光学素子成形用型 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03242336A true JPH03242336A (ja) | 1991-10-29 |
Family
ID=12450804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3576090A Pending JPH03242336A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光学素子成形用型 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03242336A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100957306B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2010-05-12 | 현대자동차주식회사 | 냉간 단조강 및 그 제조 방법 |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP3576090A patent/JPH03242336A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100957306B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2010-05-12 | 현대자동차주식회사 | 냉간 단조강 및 그 제조 방법 |
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