JPH03241861A - 混成集積回路基板の樹脂封止構造及び樹脂封止方法 - Google Patents
混成集積回路基板の樹脂封止構造及び樹脂封止方法Info
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- JPH03241861A JPH03241861A JP3941190A JP3941190A JPH03241861A JP H03241861 A JPH03241861 A JP H03241861A JP 3941190 A JP3941190 A JP 3941190A JP 3941190 A JP3941190 A JP 3941190A JP H03241861 A JPH03241861 A JP H03241861A
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 82
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 abstract 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 abstract 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- JHBVPKZLIBDTJR-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloro-4-(3-chlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=2C=C(Cl)C(Cl)=CC=2)=C1 JHBVPKZLIBDTJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- XVIZMMSINIOIQP-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloro-3-(2-chlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=2C(=CC=CC=2)Cl)=C1Cl XVIZMMSINIOIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- FPWNLURCHDRMHC-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobiphenyl Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1=CC=CC=C1 FPWNLURCHDRMHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、受動及び能動素子並びに外部との電気的接
続を行うためのリード端子等の電子部品が半田搭載され
た混成集積回路基板を、温度、湿度及び外力等の外部環
境からの保護並びに外部との電気絶縁性の保持等を行う
ために、樹脂封止部材により樹脂封止する混成集積回路
基板の樹脂封止構造及び製法に関し、さらに詳細には、
混成集積回路基板が樹脂刺止された混成集積回路部品を
プリント基板等に半田搭載する際に、前記電子部品と混
成集積回路基板との半田付部が再加熱されて、該半田付
部が溶融するとともに体積膨張することにより、該半田
付部と樹脂封止部材との界面に溶融半田が流出して、隣
設された半田付部同士等が電気的に短絡を起こすこと、
また該流出した半田が再硬化することにより該界面の樹
脂封止部材が押圧されてマイクロクラックが発生するこ
とを防止する混成集積回路基板の封止構造及び製法に関
するものである。
続を行うためのリード端子等の電子部品が半田搭載され
た混成集積回路基板を、温度、湿度及び外力等の外部環
境からの保護並びに外部との電気絶縁性の保持等を行う
ために、樹脂封止部材により樹脂封止する混成集積回路
基板の樹脂封止構造及び製法に関し、さらに詳細には、
混成集積回路基板が樹脂刺止された混成集積回路部品を
プリント基板等に半田搭載する際に、前記電子部品と混
成集積回路基板との半田付部が再加熱されて、該半田付
部が溶融するとともに体積膨張することにより、該半田
付部と樹脂封止部材との界面に溶融半田が流出して、隣
設された半田付部同士等が電気的に短絡を起こすこと、
また該流出した半田が再硬化することにより該界面の樹
脂封止部材が押圧されてマイクロクラックが発生するこ
とを防止する混成集積回路基板の封止構造及び製法に関
するものである。
(従来の技術)
混成集積回路基板は、該基板の実装面に形成された電極
ランドに受動及び能動部品並びにリード端子等の電子部
品が半田搭載されることにより構成されている。
ランドに受動及び能動部品並びにリード端子等の電子部
品が半田搭載されることにより構成されている。
前記半田付は、古くから使われている低温接合法であり
、現在では特に電子工業における合理的な接合技術とさ
れている。
、現在では特に電子工業における合理的な接合技術とさ
れている。
該基板に搭載される多数の電子部品の機能水準からみた
信頼性は、種々雑多しから広範囲にわたっており、従っ
て混成集積回路としての信頼性保証基準は、該部品中で
最ち信頼性の低い電子部品の機能水車を基準としている
。
信頼性は、種々雑多しから広範囲にわたっており、従っ
て混成集積回路としての信頼性保証基準は、該部品中で
最ち信頼性の低い電子部品の機能水車を基準としている
。
一般に、該基板に搭載された電子部品を、温度、湿度及
び外部からの応力等の外部環境からの保護並びに電気絶
縁性の保持等を行うために、該基板を封止する構造がと
られている。
び外部からの応力等の外部環境からの保護並びに電気絶
縁性の保持等を行うために、該基板を封止する構造がと
られている。
上記の混成集積回路を封止する方法には、大別して樹脂
封止ど気密封止との二種類がある。
封止ど気密封止との二種類がある。
なかでも前者の樹脂封止は、後者の気密封止に比較して
簡単容易に電子部品並びに混成集積回路基板を封止でき
るために、現在はとんどの混成集積回路基板の封止保護
が樹脂により行われている。
簡単容易に電子部品並びに混成集積回路基板を封止でき
るために、現在はとんどの混成集積回路基板の封止保護
が樹脂により行われている。
従来の混成集積回路基板の樹脂封止1造を、第四図を参
照し乍ら説明する。
照し乍ら説明する。
アルミナ等の材質を有する混成集積回路基板2の部品実
装面には、厚膜スクリーン印刷等により電極ランド3.
3′並びに導体パターン4が形成されている。
装面には、厚膜スクリーン印刷等により電極ランド3.
3′並びに導体パターン4が形成されている。
該実装面には、電子部品5が熱または紫外線硬化性接着
剤13を使用して、該部品5より導出された部品リード
6の折曲部と電極ランド3とが当接するように接着固定
される。
剤13を使用して、該部品5より導出された部品リード
6の折曲部と電極ランド3とが当接するように接着固定
される。
また、導電性の良好な材質から成型加工されたリード端
子7ば、前記N極ランド3′に当接するように搭載され
る。
子7ば、前記N極ランド3′に当接するように搭載され
る。
前記部品リード6とリード端子7とが当接された電極ラ
ンド3.3′には、ペースト状のSn/pb共品半田等
の第一の半田8.8′が、図示しないデイスペンサによ
り定量突出塗布される。
ンド3.3′には、ペースト状のSn/pb共品半田等
の第一の半田8.8′が、図示しないデイスペンサによ
り定量突出塗布される。
しかる後、混成集積回路基板2が半田リフローされて、
電子部品5とリード端子7とが半田固定される。
電子部品5とリード端子7とが半田固定される。
つぎに、該実装面には、熱収縮率の小さい材質を有する
熱硬化性の第一の樹脂封止部材11が塗布され熱硬化さ
れることにより、電子部品5と部品リード6とが樹脂封
止される。
熱硬化性の第一の樹脂封止部材11が塗布され熱硬化さ
れることにより、電子部品5と部品リード6とが樹脂封
止される。
さらに、第一の樹脂封止部材11により樹脂封止された
混成集積回路基板2は、対湿性等に優れた材質を有する
第二の樹脂封止部材12により成型封止される。
混成集積回路基板2は、対湿性等に優れた材質を有する
第二の樹脂封止部材12により成型封止される。
上記のようにして、混成集積回路基板2の樹脂封止構造
゛1を有する混成集積回路部品18が形成される。
゛1を有する混成集積回路部品18が形成される。
前記混成集積回路部品18のリード端子7の先方折曲部
は、ガラスエポキシ等の材質を有するブノント基板16
(以下PCBという)に形成されたスルーホール14に
挿通されてPCB 16に搭載されるとともに、半田槽
(図示省略)に半田フローされ、該リード端子7の先端
部がPCB 16に形成された導体ランド17に、第一
の半田88′より低い共晶融点を有する第二の半田15
により半田固定される。
は、ガラスエポキシ等の材質を有するブノント基板16
(以下PCBという)に形成されたスルーホール14に
挿通されてPCB 16に搭載されるとともに、半田槽
(図示省略)に半田フローされ、該リード端子7の先端
部がPCB 16に形成された導体ランド17に、第一
の半田88′より低い共晶融点を有する第二の半田15
により半田固定される。
この際、第一の半田8.8′と第二の半田15との共晶
融点の温度差が小さいために、部品り−ド6と電極ラン
ド3と、並びにリード端子7と電極ランド3′とを半田
固定している半田8.8′が溶融してしまい、第一の樹
脂封止部材11と電極ランド3.3 との界面10.
10’に流出したり、第一の半田8.8′が再硬化する
のにともない隆起が起こり、半田隆起部9a、9a′と
半田流出部9b、9b′とが生じる。
融点の温度差が小さいために、部品り−ド6と電極ラン
ド3と、並びにリード端子7と電極ランド3′とを半田
固定している半田8.8′が溶融してしまい、第一の樹
脂封止部材11と電極ランド3.3 との界面10.
10’に流出したり、第一の半田8.8′が再硬化する
のにともない隆起が起こり、半田隆起部9a、9a′と
半田流出部9b、9b′とが生じる。
なお、混成集積回路基板2に搭載された電子部品5等は
、半田付の際の加熱上限があるために、共晶融点の高い
第一の半田8.8′を使用することが制限されるため、
該第一の半田8.8′と第二の半田15との共晶融点の
温度差を大きくとることが困難である。
、半田付の際の加熱上限があるために、共晶融点の高い
第一の半田8.8′を使用することが制限されるため、
該第一の半田8.8′と第二の半田15との共晶融点の
温度差を大きくとることが困難である。
また、第一の半FE8.8’の代替えとして、半導体ペ
アチップを混成集積回路基板上に搭載する際に適用され
るワイヤーボンディング手法を使用することにより、混
成集積回路基板2の導体バタンと電子部品とを電気的に
接続することも行われている。
アチップを混成集積回路基板上に搭載する際に適用され
るワイヤーボンディング手法を使用することにより、混
成集積回路基板2の導体バタンと電子部品とを電気的に
接続することも行われている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記従来の混成集積回路基板2の樹脂封
止構造lによれば、第一の半田8.8′と第二の半田1
5との共晶融点の温度差が小さいために、混成集積回路
部品18をPCB l 6に搭載する際に、部品リード
6と電極ランド3と、並びにリード端子7と電極ランド
3′とを半田固定している第一の半田8.8′が溶融す
るとと6に体積膨張し、混成集積回路基板2と第一の樹
脂封止部材11との界面10.10′に流出してしまい
、該第一の半田8.8′が再硬化する際に半田隆起部9
a、9a゛が生じるために、第一の樹脂封止部材11が
押圧されて、該第一の樹脂封止部材11にマイクロクラ
ック等が発生するという問題点があった。
止構造lによれば、第一の半田8.8′と第二の半田1
5との共晶融点の温度差が小さいために、混成集積回路
部品18をPCB l 6に搭載する際に、部品リード
6と電極ランド3と、並びにリード端子7と電極ランド
3′とを半田固定している第一の半田8.8′が溶融す
るとと6に体積膨張し、混成集積回路基板2と第一の樹
脂封止部材11との界面10.10′に流出してしまい
、該第一の半田8.8′が再硬化する際に半田隆起部9
a、9a゛が生じるために、第一の樹脂封止部材11が
押圧されて、該第一の樹脂封止部材11にマイクロクラ
ック等が発生するという問題点があった。
また、前記第一の半田8.8 が溶融するとと6に熱膨
張し、該界面10.10’に流出することにより、該第
一の半田8.8 が再硬化する際に、半田流出部9b、
9b′が生じて、電極ランド3.3′と導体パターン4
とが電気的に短絡するという問題点があった。
張し、該界面10.10’に流出することにより、該第
一の半田8.8 が再硬化する際に、半田流出部9b、
9b′が生じて、電極ランド3.3′と導体パターン4
とが電気的に短絡するという問題点があった。
まt:、第一の半田8,8′による半田付部の代わりに
、ワイヤーボンディングによる手法(以下半導体封止法
という)を適用した場合には、工程が煩雑になるととも
に大がかり且つ高価なワイヤーボンディング装置が必要
とされるという問題点があった。
、ワイヤーボンディングによる手法(以下半導体封止法
という)を適用した場合には、工程が煩雑になるととも
に大がかり且つ高価なワイヤーボンディング装置が必要
とされるという問題点があった。
また、前記半導体封止法を適用した場合にIi、半田付
用に作成された各種電子部品を使用することがてきない
という問題点があった。
用に作成された各種電子部品を使用することがてきない
という問題点があった。
従って上記の問題点を整理してみると1表1に示すよう
になる。
になる。
ことを防止するとともに、該第一の半田が再硬化するに
ともない第一の樹脂封止部材にマイクロクラックを生じ
ることを防止し、さらに煩雑な工程並びに大がかりな装
置を使用することなく樹脂封止することのできる混成集
積回路基板の樹脂封止構造及び樹脂封止方法を提供する
ものである。
ともない第一の樹脂封止部材にマイクロクラックを生じ
ることを防止し、さらに煩雑な工程並びに大がかりな装
置を使用することなく樹脂封止することのできる混成集
積回路基板の樹脂封止構造及び樹脂封止方法を提供する
ものである。
本発明は、上記事情に濫みてなされたものであり、混成
集積回路基板がPCBに搭載される際に再加熱されて、
電子部品等の半田付部の第一の半田が溶融するとともに
熱膨張して、該混成集積回路基板と第一の樹脂封止部材
との界面に流出することにより電極ランド同士等が電気
的に短絡する(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、少なくとも一方の面に半田
付により電子部品が搭載された混成集積回路基板の、電
子部品搭載面に第一の樹脂封止部材を塗布し、該第一の
樹脂封止部材が塗布された混成集積回路基板を第二の樹
脂封止部材により成型封止するように構成された混成集
積回路基板の樹脂封止構造において、前記第一の樹脂封
止部材を熱硬化させた際に該第一の樹脂封止部材内に微
小空泡が生ずるように微小なフィラーを第一の樹脂封止
部材に含有させることにより、上記目的を達成するもの
である。
集積回路基板がPCBに搭載される際に再加熱されて、
電子部品等の半田付部の第一の半田が溶融するとともに
熱膨張して、該混成集積回路基板と第一の樹脂封止部材
との界面に流出することにより電極ランド同士等が電気
的に短絡する(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、少なくとも一方の面に半田
付により電子部品が搭載された混成集積回路基板の、電
子部品搭載面に第一の樹脂封止部材を塗布し、該第一の
樹脂封止部材が塗布された混成集積回路基板を第二の樹
脂封止部材により成型封止するように構成された混成集
積回路基板の樹脂封止構造において、前記第一の樹脂封
止部材を熱硬化させた際に該第一の樹脂封止部材内に微
小空泡が生ずるように微小なフィラーを第一の樹脂封止
部材に含有させることにより、上記目的を達成するもの
である。
また1本発明の樹脂封止方法は、微小なフィラ−が含有
された第一の樹脂封止部材を熱硬化させることにより該
第一の樹脂封止部材内に微小空砲を密形成する封止方法
により、上記目的を達成するものである。
された第一の樹脂封止部材を熱硬化させることにより該
第一の樹脂封止部材内に微小空砲を密形成する封止方法
により、上記目的を達成するものである。
(作用)
本発明においては、粉末樹脂と微小フィラーとを溶媒成
分とともに混練することにより生成される第一の樹脂封
止部材を電子部品が搭載された混成集積回路基板に塗布
し、該第一の樹脂封止部材を熱硬化するにともない該第
一の樹脂封止部材内に微小空泡が密形成され、混成集積
回路基板をPCBに半田実装する際に、溶融するととも
に熱膨張した半田が該微小空泡に浸透回避することがで
きるため、前記第一の樹脂封止部材にマイクロクラック
が発生することや、該混成集積回路基板面上に形成され
た電極ランド同士等が電気的に短絡する恐れ、をなくす
ることができる。
分とともに混練することにより生成される第一の樹脂封
止部材を電子部品が搭載された混成集積回路基板に塗布
し、該第一の樹脂封止部材を熱硬化するにともない該第
一の樹脂封止部材内に微小空泡が密形成され、混成集積
回路基板をPCBに半田実装する際に、溶融するととも
に熱膨張した半田が該微小空泡に浸透回避することがで
きるため、前記第一の樹脂封止部材にマイクロクラック
が発生することや、該混成集積回路基板面上に形成され
た電極ランド同士等が電気的に短絡する恐れ、をなくす
ることができる。
(実施例)
本発明の実施例を、図面に基いて詳細に説明する。
第一図は本発明に係わる混成集積回路基板の樹脂封止構
造の実施例を示す斜視図、第二図(a)から(c)は混
成集積回路基板を樹脂封止する工程を示す側面図、第三
図は本実施例に係わる混成集積回路基板の樹脂封止構造
の主要部を示す側部拡大図が示されている。
造の実施例を示す斜視図、第二図(a)から(c)は混
成集積回路基板を樹脂封止する工程を示す側面図、第三
図は本実施例に係わる混成集積回路基板の樹脂封止構造
の主要部を示す側部拡大図が示されている。
アルミナ等の材質を有する混成集積回路基板22の部品
実装面には、電子部品等が面実装される電極ランド23
.23’と導体パターン(図示省略)とが厚膜スクリー
ン印刷等により形成されている。
実装面には、電子部品等が面実装される電極ランド23
.23’と導体パターン(図示省略)とが厚膜スクリー
ン印刷等により形成されている。
該実装面には、受動及び能動部品等の電子部品25.2
5″が熱または紫外線硬化性接着剤24を使用して、該
電子部品25.25′より導出された部品リード26の
先方折曲部と電極ランド23とが当接するように、該基
板22の実装面に接着固定される。
5″が熱または紫外線硬化性接着剤24を使用して、該
電子部品25.25′より導出された部品リード26の
先方折曲部と電極ランド23とが当接するように、該基
板22の実装面に接着固定される。
また、導電性の良好な材質より成型加工されたリード端
子27.27’は前記電極ランド23゛に当接するよう
に搭載される。
子27.27’は前記電極ランド23゛に当接するよう
に搭載される。
前記部品リード26の折曲部と電極ランド23との当接
部並びにリード端子27.27′と電極ランド23′と
の当接部には、ペースト状のSn/Pb共晶半田等の第
一の半田28.28′が。
部並びにリード端子27.27′と電極ランド23′と
の当接部には、ペースト状のSn/Pb共晶半田等の第
一の半田28.28′が。
図示しないデイスペンサにより定量突出塗布される。
しかる後、混成集積回路基板22が半田リフローされて
、該混成集積回路基板22に電子部品25.25 とリ
ード端子27.27”とが該第一の半田28.28’に
より半田固定される。
、該混成集積回路基板22に電子部品25.25 とリ
ード端子27.27”とが該第一の半田28.28’に
より半田固定される。
つぎに、半田固定される際に付着した半田フラックス等
が、洗浄器(図示省略〉により洗浄されることにより除
去されて、第二図(a)に示すように混成集積回路基板
22が形成される。
が、洗浄器(図示省略〉により洗浄されることにより除
去されて、第二図(a)に示すように混成集積回路基板
22が形成される。
つぎに、第二図(b)に示すように、混成集積回路基板
22の部品実装面には、熱硬化の際に熱収縮率の小さい
第一の樹脂封止部材33が塗布されて、電子部品25.
25’及び一部のリード端子27.27′が樹脂封止さ
れる。
22の部品実装面には、熱硬化の際に熱収縮率の小さい
第一の樹脂封止部材33が塗布されて、電子部品25.
25’及び一部のリード端子27.27′が樹脂封止さ
れる。
前記第一の樹脂封止部材33は、フェノール系の粉末樹
脂と例えば平均粒径が40μ以下のフィラー32とを、
前記フィラー32を溶解しない溶媒成分とともに混練す
ることにより生成される熱硬化性の材質を有するもので
ある。
脂と例えば平均粒径が40μ以下のフィラー32とを、
前記フィラー32を溶解しない溶媒成分とともに混練す
ることにより生成される熱硬化性の材質を有するもので
ある。
前記第一の樹脂封止部材33は、図示しないバッチ加熱
炉により所定の硬化時間加熱されて熱硬化する。
炉により所定の硬化時間加熱されて熱硬化する。
上記熱硬化される際、第一図および第三図に示すように
微小なフィラー32を含有している第一の樹脂封止部材
33に、多数の微小空ff131.31 が密形成され
る。
微小なフィラー32を含有している第一の樹脂封止部材
33に、多数の微小空ff131.31 が密形成され
る。
熱硬化された第一の樹脂封止部材33に密形成された微
小空i31.31’は、10μ程度の空径を有してあり
、該第一の樹脂封止部材33の容積に対して微小空?!
l!31.31’の占める割合は35%程度である。
小空i31.31’は、10μ程度の空径を有してあり
、該第一の樹脂封止部材33の容積に対して微小空?!
l!31.31’の占める割合は35%程度である。
つぎに、第一の樹脂封止部材33により電子部品25.
25′が樹脂封止された混成集積回路基板22は、第二
図(C)に示すように、リード端子27.27′の先方
部を露出して、対湿性等に優れたエポキシ樹脂等の材質
を有する第二の樹脂封止部材34により成型封止される
。
25′が樹脂封止された混成集積回路基板22は、第二
図(C)に示すように、リード端子27.27′の先方
部を露出して、対湿性等に優れたエポキシ樹脂等の材質
を有する第二の樹脂封止部材34により成型封止される
。
上記のようにして混成集積回路基板22が樹脂封止され
た樹脂封止構造20を有する混成集積回路部品21が形
成される。
た樹脂封止構造20を有する混成集積回路部品21が形
成される。
さらに、混成集積回路部品21は、第一図及び第三図に
示すように、ガラスエポキシ等の材質を有するPCB3
5の実装面に形成された導体パターン36a、36bの
スルーホール37に挿通されることにより載置される。
示すように、ガラスエポキシ等の材質を有するPCB3
5の実装面に形成された導体パターン36a、36bの
スルーホール37に挿通されることにより載置される。
前記混成集積回路部品21が載置されたPCB35は、
図示しない半田槽等に半田フローされて、リード端子2
7.27′の先部27a、27aが、PCB35に形成
された導体パターン36a。
図示しない半田槽等に半田フローされて、リード端子2
7.27′の先部27a、27aが、PCB35に形成
された導体パターン36a。
36bに半田38.38’を使用して半田固定される。
この際、半田槽(図示省略)がらの熱が、リド端子27
.27′を介して混成集積回路基板22に伝熱されて、
部品リード26の折曲部と電極ランド23と、並びにリ
ード端子27.27’と電極ランド23′との半田付部
が加熱されることにより、該半田付部の半田28.28
′が溶融するとともに熱膨張する。
.27′を介して混成集積回路基板22に伝熱されて、
部品リード26の折曲部と電極ランド23と、並びにリ
ード端子27.27’と電極ランド23′との半田付部
が加熱されることにより、該半田付部の半田28.28
′が溶融するとともに熱膨張する。
前記溶融するとともに熱膨張した第一の半田28.28
′は、第三図に拡大示するように前記微小空泡31.
31 に浸透回避することにより半田浸透空泡部31
.31’を形成する。
′は、第三図に拡大示するように前記微小空泡31.
31 に浸透回避することにより半田浸透空泡部31
.31’を形成する。
しかる後、前記熱膨張した第一の半田28.28′は、
該半田浸透空泡部31.31′に浸透したまま常温硬化
する。
該半田浸透空泡部31.31′に浸透したまま常温硬化
する。
上記のようにして、混成集積回路基板22が樹脂封止さ
れた樹脂封止構造20を有する混成集積回路部品21が
、PCB35に実装されたことになる。
れた樹脂封止構造20を有する混成集積回路部品21が
、PCB35に実装されたことになる。
従って、本発明に係わる実施例よれば、混成集積回路部
品21をPCB35に搭載する際に、溶融するとともに
体積膨張した半田28.28′が、第一の樹脂封止部材
33に密形成された微小空泡31.31′に浸透回避す
るため、該第一の半田28.28′が常温再硬化後、第
一の樹脂封止部材33にマイクロクラック等が生じるこ
とを防止できる。
品21をPCB35に搭載する際に、溶融するとともに
体積膨張した半田28.28′が、第一の樹脂封止部材
33に密形成された微小空泡31.31′に浸透回避す
るため、該第一の半田28.28′が常温再硬化後、第
一の樹脂封止部材33にマイクロクラック等が生じるこ
とを防止できる。
また、溶融するとともに体積膨張した第一の半田28.
28’が回避する微小空泡31.31’が存在すること
により、該第一の半田28.28゛が混成集積回路基板
22と第一の樹脂封止部材33との界面に沿って流出し
て、電極ランド2323′同士等が電気的に短絡するこ
とを防止できる。
28’が回避する微小空泡31.31’が存在すること
により、該第一の半田28.28゛が混成集積回路基板
22と第一の樹脂封止部材33との界面に沿って流出し
て、電極ランド2323′同士等が電気的に短絡するこ
とを防止できる。
また、第一の半田28.28′が熱膨張しても回避でき
る微小空泡31.31′を有しているため、該第一の半
田28.28’と第二の半田3838゛との共晶融点の
温度差を、電子部品25等の加熱上限を考慮し乍ら少し
でも大きく設定するという労力を費やすことが不要とな
る。
る微小空泡31.31′を有しているため、該第一の半
田28.28’と第二の半田3838゛との共晶融点の
温度差を、電子部品25等の加熱上限を考慮し乍ら少し
でも大きく設定するという労力を費やすことが不要とな
る。
また、粉末樹脂とフィラー32とを溶媒成分とともに混
練した第一の樹脂封止部材33を使用することにより、
混成集積回路基板22を樹脂封止することができるため
、煩雑な工程並びに大がかりな装置が不要となる。
練した第一の樹脂封止部材33を使用することにより、
混成集積回路基板22を樹脂封止することができるため
、煩雑な工程並びに大がかりな装置が不要となる。
なお、本発明は混成集積回路基板を樹脂封止することに
限ることなく、電子部品等が搭載されたPCB基板を樹
脂封止してもよい。
限ることなく、電子部品等が搭載されたPCB基板を樹
脂封止してもよい。
(発明の効果)
本発明に係わる混成集積回路基板の樹脂封止構造は、上
記のように構成されているため、以下に記載するような
効果を有する。
記のように構成されているため、以下に記載するような
効果を有する。
+A)混成集積回路部品をPCBに搭載する際に、溶融
するとともに体積膨張した第一の半田が、第一の樹脂封
止部材に密形成された微小空泡に浸透回避して半田浸透
空砲部となるため、該第一の半田が常温硬化後に、第一
の樹脂封止部材にマイクロクラック等が生じる恐れをな
くし、信頼性の高い混成集積回路部品を提供できるとい
う優れた効果を有する。
するとともに体積膨張した第一の半田が、第一の樹脂封
止部材に密形成された微小空泡に浸透回避して半田浸透
空砲部となるため、該第一の半田が常温硬化後に、第一
の樹脂封止部材にマイクロクラック等が生じる恐れをな
くし、信頼性の高い混成集積回路部品を提供できるとい
う優れた効果を有する。
(Blまた、第一の樹脂封止部材が、溶融するとともに
体積膨張した半田を回避できる微小空泡を有しているた
め、混成集積回路基板と第一の樹脂封止部材との界面に
沿って該半田が流出する恐れがなくなり、混成集積回路
基板の電極ランド同士等が電気的に短絡することを防止
できるという優れた効果を有する。
体積膨張した半田を回避できる微小空泡を有しているた
め、混成集積回路基板と第一の樹脂封止部材との界面に
沿って該半田が流出する恐れがなくなり、混成集積回路
基板の電極ランド同士等が電気的に短絡することを防止
できるという優れた効果を有する。
(C1また、第一の半田が熱膨張しても回避できる微小
空泡を有しているため、該第一の半田と第の半田との共
晶融点の温度差を電子部品等の加熱上限を考慮し乍ら少
しでも大きく設定するという労力を費やすことが不要に
なり、設計の困難さを軽減できるという優れた効果を有
する。
空泡を有しているため、該第一の半田と第の半田との共
晶融点の温度差を電子部品等の加熱上限を考慮し乍ら少
しでも大きく設定するという労力を費やすことが不要に
なり、設計の困難さを軽減できるという優れた効果を有
する。
(D)さらに、粉末樹脂とフィラーとを溶媒成分ととも
に混練した第一の樹脂封止部材を使用することにより混
成集積回路基板を樹脂封止することができるため、半導
体封止性において必要とされた煩雑な工程並びに大がか
りな装置が不要になるとともに、樹脂封止工程が簡単容
易になるという優れた効果を有する。
に混練した第一の樹脂封止部材を使用することにより混
成集積回路基板を樹脂封止することができるため、半導
体封止性において必要とされた煩雑な工程並びに大がか
りな装置が不要になるとともに、樹脂封止工程が簡単容
易になるという優れた効果を有する。
第一図は本発明に係わる混成集積回路基板の樹脂封止構
造の実施例を示す斜視図、 第二図(a)から(c)は混成集積回路基板を樹脂封止
する工程を示す側面図、 第三図は本実施例に係わる混成集積回路基板の樹脂封止
構造の主要部を示す側部拡大図第四図は従来の混成集積
回路部品の樹脂封止構造の主要部を示す断面図である。 20・・・樹脂封止構造、 21・・・混成集積回路部品、 22・・・混成集積回路基板、 28.28’・・・第一の半田、 30.30′・・・半田浸透空泡部、 31.31′・・・微小空泡、 32・・・フィラー 33・・・第一の樹脂封止部材、 34・・・第二の樹脂封止部材。 35・・・PCB、 38.38″・・・第二の半田。 第 1 図
造の実施例を示す斜視図、 第二図(a)から(c)は混成集積回路基板を樹脂封止
する工程を示す側面図、 第三図は本実施例に係わる混成集積回路基板の樹脂封止
構造の主要部を示す側部拡大図第四図は従来の混成集積
回路部品の樹脂封止構造の主要部を示す断面図である。 20・・・樹脂封止構造、 21・・・混成集積回路部品、 22・・・混成集積回路基板、 28.28’・・・第一の半田、 30.30′・・・半田浸透空泡部、 31.31′・・・微小空泡、 32・・・フィラー 33・・・第一の樹脂封止部材、 34・・・第二の樹脂封止部材。 35・・・PCB、 38.38″・・・第二の半田。 第 1 図
Claims (2)
- (1)少なくとも一方の面に半田付により電子部品が搭
載された混成集積回路基板の電子部品搭載面に第一の樹
脂封止部材を塗布し、該第一の樹脂封止部材が塗布され
た混成集積回路基板を第二の樹脂封止部材により成型封
止するように構成された混成集積回路基板の樹脂封止構
造において、前記第一の樹脂封止部材を熱硬化させた際
に該第一の樹脂封止部材内に微小空泡が生ずるように微
小なフィラーを第一の樹脂封止部材に含有させたことを
特徴とする混成集積回路基板の樹脂封止構造。 - (2)微小なフィラーが含有された第一の樹脂封止部材
を熱硬化させることにより該第一の樹脂封止部材内に微
小空泡を密形成するようにしたことを特徴とする請求項
1記載の混成集積回路基板の封止方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3941190A JPH03241861A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 混成集積回路基板の樹脂封止構造及び樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3941190A JPH03241861A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 混成集積回路基板の樹脂封止構造及び樹脂封止方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03241861A true JPH03241861A (ja) | 1991-10-29 |
Family
ID=12552253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3941190A Pending JPH03241861A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 混成集積回路基板の樹脂封止構造及び樹脂封止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03241861A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6049038A (en) * | 1997-08-01 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Flip-chip resin sealing structure and resin sealing method |
JP2011171436A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Tdk Corp | 電子部品内蔵モジュール及び電子部品内蔵モジュールの製造方法 |
JP2012160572A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Tdk Corp | 電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0212949A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半導体チップを含む回路装置 |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP3941190A patent/JPH03241861A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0212949A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半導体チップを含む回路装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6049038A (en) * | 1997-08-01 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Flip-chip resin sealing structure and resin sealing method |
JP2011171436A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Tdk Corp | 電子部品内蔵モジュール及び電子部品内蔵モジュールの製造方法 |
JP2012160572A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Tdk Corp | 電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法 |
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