JPH03238842A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03238842A JPH03238842A JP2035618A JP3561890A JPH03238842A JP H03238842 A JPH03238842 A JP H03238842A JP 2035618 A JP2035618 A JP 2035618A JP 3561890 A JP3561890 A JP 3561890A JP H03238842 A JPH03238842 A JP H03238842A
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- bonding
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- tape
- semiconductor device
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
タブ方式による半導体装置の製造方法に関し、打抜き金
型を必要とせずに、しかも、精度良くリードをボンディ
ングすることを目的とし、タブ方式半導体装置のボンデ
ィング工程において、 チップに設けたバンプ電極とリードとを熱圧着してイン
ナーリードボンディングする工程と、次いで、リードと
基板とを熱圧着してアウターリードボンディングする工
程と、 次いで、レーザ光をスキャンニングして余分のリードを
切断除去する工程とが含まれてなることを特徴とする。
型を必要とせずに、しかも、精度良くリードをボンディ
ングすることを目的とし、タブ方式半導体装置のボンデ
ィング工程において、 チップに設けたバンプ電極とリードとを熱圧着してイン
ナーリードボンディングする工程と、次いで、リードと
基板とを熱圧着してアウターリードボンディングする工
程と、 次いで、レーザ光をスキャンニングして余分のリードを
切断除去する工程とが含まれてなることを特徴とする。
本発明はタブ方式による半導体装置の製造方法に関する
。
。
最近、半導体装技術におけるタブ（ＴＡＢ；Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術が脚光を浴
びており、それは薄形にして高密度化でき、例えばＩＣ
カードに使用できるからである。本発明はその製造方法
の改善に関している。
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術が脚光を浴
びており、それは薄形にして高密度化でき、例えばＩＣ
カードに使用できるからである。本発明はその製造方法
の改善に関している。
第３図はタブテープの平面図を示し、記号１はボリイξ
ドからなるテープ（厚み１００μｍ程度）。
ドからなるテープ（厚み１００μｍ程度）。
２は銅箔からなるリード（幅５０μｍ）、３はテープを
移動させるための搬送孔である。このようなテープｌは
テープ穴４の中心に位置させたチップ（点線で示す）に
設けたバンプ電極に、テープ穴に突出させたリード２の
先端２Ｔをフェースダウンボンディングして接続する方
式で、タブ方式と呼ばれている。なお、リード２の後端
にはバッド２Ｐが設けてあり、これはウェハー状態では
微細すぎてブローパテストが不可能なために、フェース
ダウンボンディング（インナーリードボンディング）の
直後にブローパテストをおこなうためのプローブ（針）
接触用バッドである。
移動させるための搬送孔である。このようなテープｌは
テープ穴４の中心に位置させたチップ（点線で示す）に
設けたバンプ電極に、テープ穴に突出させたリード２の
先端２Ｔをフェースダウンボンディングして接続する方
式で、タブ方式と呼ばれている。なお、リード２の後端
にはバッド２Ｐが設けてあり、これはウェハー状態では
微細すぎてブローパテストが不可能なために、フェース
ダウンボンディング（インナーリードボンディング）の
直後にブローパテストをおこなうためのプローブ（針）
接触用バッドである。
このタブ方式は多数の微小なり一ド２（幅５０μｍ）を
密・度高く配列し、そのリードとバンプ電極とを一括し
てボンディングして、しかも、ボンディング力が強いた
めに信頼性が高く、且つ、リードが短縮されるために良
好な高周波特性が得られる利点があり、薄型デバイスと
して高密度に実装されて今後拡大傾向にある方式の半導
体装置である。
密・度高く配列し、そのリードとバンプ電極とを一括し
てボンディングして、しかも、ボンディング力が強いた
めに信頼性が高く、且つ、リードが短縮されるために良
好な高周波特性が得られる利点があり、薄型デバイスと
して高密度に実装されて今後拡大傾向にある方式の半導
体装置である。
第４図（ａ）〜（Ｃ）はこのようなタブ方式の従来の製
造方法の工程順断面図を示しており、本図はテープ穴４
部分を主体の側断面図である。以下に順を追って説明す
ると、 第４図（ａ）参照：まず、上記したようにチップ５（半
導体チップ）に設けたバンプ電極６とリード２とをサー
マルツール１１を用いて熱圧着してインナーリードボン
ディング（Ｉｎｎｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）を
おこなう。
造方法の工程順断面図を示しており、本図はテープ穴４
部分を主体の側断面図である。以下に順を追って説明す
ると、 第４図（ａ）参照：まず、上記したようにチップ５（半
導体チップ）に設けたバンプ電極６とリード２とをサー
マルツール１１を用いて熱圧着してインナーリードボン
ディング（Ｉｎｎｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）を
おこなう。
第４図（ロ）参照；次いで、搬送ツール（図示せず）に
吸着させて移動し、打抜き金型１２を用いて余分のり一
ド２（テープ１に接着している）を切断して除去し、は
ぼテープ穴に突き出したり一ド２０部分のみを残存させ
る。
吸着させて移動し、打抜き金型１２を用いて余分のり一
ド２（テープ１に接着している）を切断して除去し、は
ぼテープ穴に突き出したり一ド２０部分のみを残存させ
る。
第４図（Ｃ）参照；次いで、再び搬送ツールによって移
動させて、リードフレーム７と位置合わせした後、ヒー
トツール１３を用いてリード２とリードフレーム７とを
熱圧着してアウターリードボンディング（Ｏｕｔｅｒ
Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）をおこなう。
動させて、リードフレーム７と位置合わせした後、ヒー
トツール１３を用いてリード２とリードフレーム７とを
熱圧着してアウターリードボンディング（Ｏｕｔｅｒ
Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）をおこなう。
上記のように、タブ方式は僅か２度のボンディングによ
って多数の微小リードのボンディングが同時にできる組
立方式である。そのボンディング後は樹脂で固めたり、
また、パッケージに接着したりして素子化させている。
って多数の微小リードのボンディングが同時にできる組
立方式である。そのボンディング後は樹脂で固めたり、
また、パッケージに接着したりして素子化させている。
なお、上記のり一ド２は長さ１．ｓ、幅５０μｍ。
厚み３０μｍ程度の微小なもので、Ｃｕ （銅）箔にＳ
ｎ（錫）メツキした材料からなり、リードフレーム７は
銀メツキ鉄からなる材料のものである。また、上記はリ
ードフレーム７にアウターリードボンディングする例で
あるが、プリント基板などの基板に直接ボンディングす
る場合もある。
ｎ（錫）メツキした材料からなり、リードフレーム７は
銀メツキ鉄からなる材料のものである。また、上記はリ
ードフレーム７にアウターリードボンディングする例で
あるが、プリント基板などの基板に直接ボンディングす
る場合もある。
ところで、上記のようなボンディング工程において、イ
ンナーリードボンディングの完了したリードを打抜き金
型１２により打ち抜いて（剪断して）一定寸法に切断し
ているが、打抜き金型１２の位置合わせが十分でなけれ
ば、リードが短くなってボンディング不能になる問題が
あり、また、微小なリードが左右に振れて動き易く、打
抜き金型１２の精度は十分にもかかわらず、切断精度が
良くない問題が起こる。例えば、３００本程度のリード
をボンディングする多ピンの半導体装置では少しのリー
ドの位置変動もボンディング不良が発生し易くて歩留が
低下する欠点がある。
ンナーリードボンディングの完了したリードを打抜き金
型１２により打ち抜いて（剪断して）一定寸法に切断し
ているが、打抜き金型１２の位置合わせが十分でなけれ
ば、リードが短くなってボンディング不能になる問題が
あり、また、微小なリードが左右に振れて動き易く、打
抜き金型１２の精度は十分にもかかわらず、切断精度が
良くない問題が起こる。例えば、３００本程度のリード
をボンディングする多ピンの半導体装置では少しのリー
ドの位置変動もボンディング不良が発生し易くて歩留が
低下する欠点がある。
且つ、そのような精度の良い打抜き金型１２は非常に高
価である上に、１品種に対して１個ずつ用意しなければ
ならず、しかも、打抜き金型１２の修理・改善は簡単に
はできず、この打抜き金型１２がタブ方式の半導体装置
をコストアップする原因になっている。
価である上に、１品種に対して１個ずつ用意しなければ
ならず、しかも、打抜き金型１２の修理・改善は簡単に
はできず、この打抜き金型１２がタブ方式の半導体装置
をコストアップする原因になっている。
本発明はこのような問題点を解消させ、打抜き金型を必
要とせずに、しかも、精度良くリードをボンディングす
ることを目的としたタブ方式半導体装置の製造方法を提
案するものである。
要とせずに、しかも、精度良くリードをボンディングす
ることを目的としたタブ方式半導体装置の製造方法を提
案するものである。
その課題は、第１図に示すように、チップ５に設けたバ
ンプ電極６とリード２とを熱圧着してインナーリードボ
ンディングする工程と、次いで、リード２と基板（リー
ドフレーム７）とを熱圧着してアウターリードボンディ
ングする工程と、 次いで、レーザ光８をスキャンニングして余分のリード
を切断除去する工程とが含まれるタブ方式半導体装置の
製造方法によって解決される。
ンプ電極６とリード２とを熱圧着してインナーリードボ
ンディングする工程と、次いで、リード２と基板（リー
ドフレーム７）とを熱圧着してアウターリードボンディ
ングする工程と、 次いで、レーザ光８をスキャンニングして余分のリード
を切断除去する工程とが含まれるタブ方式半導体装置の
製造方法によって解決される。
即ち、本発明にかかる製造方法はインナーリードボンデ
ィングおよびアウターリードボンディングをおこなった
後に、レーザ光を照射してスキャンニングし、余分のリ
ードを切断除去するものである。
ィングおよびアウターリードボンディングをおこなった
後に、レーザ光を照射してスキャンニングし、余分のリ
ードを切断除去するものである。
そうすれば、リードの変形や過少がなくなってアウター
リードボンディングが精度良くでき、その不良が極めて
減少して、製造歩留が向上し、製品が高信頼化される。
リードボンディングが精度良くでき、その不良が極めて
減少して、製造歩留が向上し、製品が高信頼化される。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明にかかる製造方法の工程
順断面図を示しており、本工程図もテープ穴４部分を主
体にした側断面図である。以下に順を追って説明すると
、 第１図（ａ）参照：まず、チップ５に設けたバンプ電極
６とリード２とをサーマルツール１１を用いて熱圧着し
てインナーリードボンディングをおこなう。
順断面図を示しており、本工程図もテープ穴４部分を主
体にした側断面図である。以下に順を追って説明すると
、 第１図（ａ）参照：まず、チップ５に設けたバンプ電極
６とリード２とをサーマルツール１１を用いて熱圧着し
てインナーリードボンディングをおこなう。
この熱圧着によってリード２表面の錫とバンプ電極６の
金とが溶融して接合される。
金とが溶融して接合される。
第１図（ｂ）参照；次いで、搬送ツール（図示せず）に
吸着させて移動し、リードフレーム７と位置合わせして
適当な高さまで下降させる。
吸着させて移動し、リードフレーム７と位置合わせして
適当な高さまで下降させる。
第１図（Ｃ）参照；次いで、ヒートツール１３を用いて
リード２とリードフレーム７とを熱圧着してアウターリ
ードボンディングをおこなう、この熱圧着によってリー
ド２表面の錫とリードフレーム７表面の銀とが溶融して
接合される。
リード２とリードフレーム７とを熱圧着してアウターリ
ードボンディングをおこなう、この熱圧着によってリー
ド２表面の錫とリードフレーム７表面の銀とが溶融して
接合される。
第１図（（１）参照；次いで、アウターリードボンディ
ングが完了したテープ１とリードフレーム７はＹＡＧレ
ーザ照射装置に移され、レーザ光８を照射しスキャンニ
ングして余分のリード部分（テープ付着部分）を切断除
去する。その際、レーザの強度はリードが切断されて、
且つ、リードフレーム７が切断されないように照射強度
を制御する。
ングが完了したテープ１とリードフレーム７はＹＡＧレ
ーザ照射装置に移され、レーザ光８を照射しスキャンニ
ングして余分のリード部分（テープ付着部分）を切断除
去する。その際、レーザの強度はリードが切断されて、
且つ、リードフレーム７が切断されないように照射強度
を制御する。
第２図はレーザのスキャンニング位置を示す図で、点線
で示す線がレーザのスキャンニング線９である。その他
の記号は第３図と同一部位に同一記号が付けである。こ
のようなスキャンニング線９に沿ってレーザ光を移動さ
せればリード２が切断される。また、他のテープパター
ンのものではテープをも同時に切断する場合もあるが、
このレーザ光照射法によればテープも同時に切断が可能
である。
で示す線がレーザのスキャンニング線９である。その他
の記号は第３図と同一部位に同一記号が付けである。こ
のようなスキャンニング線９に沿ってレーザ光を移動さ
せればリード２が切断される。また、他のテープパター
ンのものではテープをも同時に切断する場合もあるが、
このレーザ光照射法によればテープも同時に切断が可能
である。
以上のような本発明にかかる製造方法によれば、ボンデ
ィング精度が正確になって製造歩留が向上し、且つ、ボ
ンディング強度も強く均一化されて、半導体デバイスの
信頼性が向上する。
ィング精度が正確になって製造歩留が向上し、且つ、ボ
ンディング強度も強く均一化されて、半導体デバイスの
信頼性が向上する。
しかも、このような製造方法によれば、打抜き金型が不
要になり、製造コストが低下できると共に、如何なるテ
ープパターンの切断にも対応できて作業能率の向上が可
能になる。
要になり、製造コストが低下できると共に、如何なるテ
ープパターンの切断にも対応できて作業能率の向上が可
能になる。
上記の実施例の説明から明らかなように、本発明にかか
る製造方法によれば、半導体デバイスの歩留向上および
高信頼化に大きな効果があり、しかも、タブ方式半導体
デバイスのコストダウンにも大きく寄与するものである
。
る製造方法によれば、半導体デバイスの歩留向上および
高信頼化に大きな効果があり、しかも、タブ方式半導体
デバイスのコストダウンにも大きく寄与するものである
。
第１図（ａ）〜（イ）は本発明にかかる製造方法の工程
順断面図、 第２図はレーザのスキャンニング位置を示す図、第３図
はタブテープの平面図、 第４図（ａ）〜（Ｃ）は従来の製造方法の工程順断面図
である。 図において、 ｌはテープ、 ２はリード、２Ｔはリードの
先端、 ２Ｐはパッド、３は搬送孔、 ４
はテープ穴、５はチップ、 ６はバンプ電極
、７はリードフレーム、 ８はレーザ光、９はレーザ
のスキャンニング線、 １１はサーマルツール、 １２は打抜き金型、１３はヒ
ートツール を示している。 し−サ”の２キーＶ＞二＞７−７ｒｆｉネを陶第２図 ｙ７″チー７１／ｌ＋旬の 第３図 １トｊｔ１［１１１＋：ｏ゛ｐ３ ’ｒｌＬｔ；Ｅｔｙ
＋ ｒｔｆｉ！ｔｆｒｆａｍ第１図
順断面図、 第２図はレーザのスキャンニング位置を示す図、第３図
はタブテープの平面図、 第４図（ａ）〜（Ｃ）は従来の製造方法の工程順断面図
である。 図において、 ｌはテープ、 ２はリード、２Ｔはリードの
先端、 ２Ｐはパッド、３は搬送孔、 ４
はテープ穴、５はチップ、 ６はバンプ電極
、７はリードフレーム、 ８はレーザ光、９はレーザ
のスキャンニング線、 １１はサーマルツール、 １２は打抜き金型、１３はヒ
ートツール を示している。 し−サ”の２キーＶ＞二＞７−７ｒｆｉネを陶第２図 ｙ７″チー７１／ｌ＋旬の 第３図 １トｊｔ１［１１１＋：ｏ゛ｐ３ ’ｒｌＬｔ；Ｅｔｙ
＋ ｒｔｆｉ！ｔｆｒｆａｍ第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 タブ方式半導体装置のボンディング工程において、 チップに設けたバンプ電極とリードとを熱圧着してイン
ナーリードボンディングする工程と、次いで、リードと
基板とを熱圧着してアウターリードボンディングする工
程と、 次いで、レーザ光をスキャンニングして余分のリードを
切断除去する工程とが含まれてなることを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035618A JPH03238842A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035618A JPH03238842A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238842A true JPH03238842A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12446843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2035618A Pending JPH03238842A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03238842A (ja) |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2035618A patent/JPH03238842A/ja active Pending
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