JPH1022328A - ボンディング方法及びその装置 - Google Patents

ボンディング方法及びその装置

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JPH1022328A
JPH1022328A JP8177681A JP17768196A JPH1022328A JP H1022328 A JPH1022328 A JP H1022328A JP 8177681 A JP8177681 A JP 8177681A JP 17768196 A JP17768196 A JP 17768196A JP H1022328 A JPH1022328 A JP H1022328A
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bonding
laser
ultrasonic
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JP8177681A
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Taizo Tomioka
泰造 冨岡
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、例えばTAB(ape uto
mated onding)のアウタリードなどのボ
ンディングに好適するボンディング方法及びその装置の
提供を目的とする。 【解決手段】本発明のボンディング方法は、第1の部材
を第2の部材に対して複数のボンディング部位にてボン
ディングするボンディング方法において、前記ボンディ
ング部位にて前記第1の部材を前記第2の部材に対して
超音波圧接して仮付けする第1ボンディング工程と、こ
の第1ボンディング工程後に前記ボンディング部位にレ
ーザ光を照射して前記第1の部材を前記第2の部材に対
してレーザ溶接する第2ボンディング工程とを具備する
ものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばTAB(
ape utomated onding)などの
リードのボンディングに好適するボンディング方法及び
その装置に関する。
【0002】
【従来の技術】TABでは、予めテープ上に回路形成し
たテープキャリアAを用いて半導体素子Bの電極と基板
電極とを接続する(図7参照)。このようにテープキャ
リアAに半導体素子Bを搭載したものをテープキャリア
パッケージ(略称:TCP)Cと呼ぶ。このテープキャ
リアパッケージCの基板Dへの実装においては、図示せ
ぬ金型でアウタリードEをカットし、図8に示すよう
に、それをガルウィング状にフォーミングする。その
後、アウタリードEと基板Dの電極パッドFとを位置合
わせし、アウタリードボンディングする。
【0003】一般に、このアウタリードボンディング方
法としては、図8に示すように、加熱したツールGで、
アウタリードEを加圧・加熱し、全アウタリードEを一
括ボンディングする方法(ギャングボンディング)が採
用されている。しかし、この方法では、ツールG加圧に
より基板Dに15kgf程度の荷重がかかるため、基板
D裏面からのバックアップJが必要となり、その部分に
チップ部品など他の部品を搭載できず、基板設計の自由
度が狭くなっていた。
【0004】この問題に対して、近年、レーザ光など非
接触加熱源によるボンディングが注目されている。この
方法では、図9に示すように、レーザ光Lを照射すると
きに、テープキャリアAを加圧して、アウタリードEと
電極パッドFとを接触させておく手段Wが必要となる。
【0005】この他の手段としては、図10に示すよう
に、アウタリードEを電極パッドFに確実に接触させる
ことを目的として、ガラス板KでアウタリードEを加圧
して電極パッドFへ接触させる方法、あるいは、図11
に示すように、反った基板Dへも対応が可能なシングル
ポイントボンディングツールHでアウタリードEを1本
ずつ加圧し、かつ、同時にレーザ光を照射する方法があ
る(特開平5−259220号公報参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
を示す、図9に示したテープキャリアAを加圧して、間
接的にアウタリードEを電極パッドFに押し付ける手段
は、アウタリードEの数が増加しさらに微細化した場合
や基板Dが反っている場合などに、全アウタリードEを
均一な状態で基板Dの電極パッドFへ接触させるのが非
常に困難となる。
【0007】さらに、図10に示したガラス板Kでアウ
タリードEを加圧する手段では、ボンディング中にガラ
ス板Kと被ボンディング部位が接触しているために、レ
ーザ照射によって加熱され融解・昇華したアウタリード
Eの表面の金属などがガラス板Kに付着する。これによ
って、レーザ光の透過性が低下すため、ボンディング毎
にガラス板K表面をクリーニングする必要がある。
【0008】さらにまた、図11に示したシングルポイ
ントボンディングツールHでアウタリードEを1本ずつ
加圧する手段においても、ガラス板Kの場合と同様に、
シングルポイントボンディングツールHへの付着物が発
生するため、これをクリーニングする必要がある。ま
た、シングルポイントボンディングツールHを用いる場
合は、このシングルポイントボンディングツールHが接
合部とともにレーザ照射により繰り返し加熱・急冷され
るため、シングルポイントボンディングツールH自身の
消耗が激しいという問題がある。本発明は、上記事情を
勘案してなされたもので、上記課題を解決するボンディ
ング方法およびその装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1のボンディング
方法は、第1の部材を第2の部材に対して複数のボンデ
ィング部位にてボンディングするボンディング方法にお
いて、前記複数のボンディング部位のうちから選択され
たボンディング部位にて前記第1の部材と前記第2の部
材とを超音波圧接して接合する第1ボンディング工程
と、この第1ボンディング工程後に前記超音波圧接した
ボンディング部位を含む全てのボンディング部位のうち
から選択されたボンディング部位にレーザ光を照射して
前記第1の部材を前記第2の部材に対してレーザ溶接す
る第2ボンディング工程とを具備する。
【0010】しかして、上記請求項1のボンディング方
法は、ボンディング部位を仮固定した後、レーザ溶接す
るようにしているので、高精度かつ高能率でボンディン
グを行うことが可能となる。
【0011】請求項2のボンディング方法は、第1の部
材を第2の部材に対して複数のボンディング部位にてボ
ンディングするボンディング方法において、前記各ボン
ディング部位にて前記第1の部材と前記第2の部材とを
レーザ光の照射により溶接する第1ボンディング工程
と、この第1ボンディング工程後に前記レーザ溶接した
ボンディング部位を含む全てのボンディング部位から選
択されたボンディング部位を超音波圧接する第2ボンデ
ィング工程とを具備する。
【0012】しかして、上記請求項2のボンディング方
法は、レーザ光の照射により全ボンディング部位をレー
ザ溶接した後に、レーザ溶接したボンディング部位のう
ち少なくとも一部を超音波圧接するようにしているの
で、例えばリードピッチが狭すぎボンディングツールが
複数のリード間に跨がってしまう等の不具合がある場合
においても、確実なボンディングを行える顕著な効果を
奏する。
【0013】請求項3のボンディング装置は、第1の部
材を第2の部材に対して複数のボンディング部位にてボ
ンディングするボンディング装置において、前記ボンデ
ィング部位にて前記第1の部材と前記第2の部材を超音
波圧接して接合する第1ボンディング部と、前記ボンデ
ィング部位にレーザ光を照射して前記第1の部材と前記
第2の部材をレーザ溶接する第2ボンディング部と、前
記第1ボンディング部及び前記第2ボンディング部にて
接合された前記第1の部材と第2の部材を移送する移送
部とを具備する。
【0014】請求項4のボンディング装置は、請求項3
において、第1ボンディング部は、一端側にボンディン
グツールを有し超音波が印加される超音波ホーンと、前
記ボンディングツールが前記ボンディング部位に対して
接離する方向に揺動するように前記超音波ホーンを揺動
駆動するモータと、超音波振動を前記超音波ホーンに印
加する超音波振動発信器と、前記ボンディングツールと
このボンディングツールにより第1の部材と第2の部材
をボンディングするボンディング点とを対向位置決めす
るXYテーブルとを具備する。
【0015】請求項5のボンディング装置は、請求項3
において、第2ボンディング部は、レーザ光を発振する
レーザ発振装置と、このレーザ発振装置から発振された
レーザ光を集光する集光部と、この集光部により集光さ
れたレーザ光の照射スポットを所定のボンディング部位
に照射するようにレーザ集光部を走査する走査部とを具
備する。
【0016】しかして、上記請求項3乃至請求項5のボ
ンディング装置は、高精度かつ高能率で多点ボンディン
グを行うことが可能となる。とくに、超音波圧接をシン
グルポイントボンディングツールにより行うものである
ので、レーザ溶接時に、シングルポイントボンディング
ツールの、レーザ溶接に伴う加熱・急冷がないため、シ
ングルポイントボンディングツールが減耗しにくくな
り、ツール寿命が長くなる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を参照して詳述する。図1は、この実施形態のボンディ
ング装置を示している。このボンディング装置は、テー
プキャリアパッケージ(略称:TCP)方式のチップ部
品1(図4参照)を実装基板2の所定の電極パッド3上
に仮固定する第1ボンディング部4と、この第1ボンデ
ィング部4により仮固定されたチップ部品1にレーザ光
を照射してレーザボンディングする第2ボンディング部
5と、第1ボンディング部4から第2ボンディング部5
にチップ部品1を移送する移送部6と、第1ボンディン
グ部4及び第2ボンディング部5及び移送部6を電気的
に統御してボンディング制御部7とから構成されてい
る。
【0018】しかして、第1ボンディング部4は、図2
に示すように、水平面に沿うXY方向に移動自在な第1
XYテーブル8と、この第1XYテーブル8上に搭載さ
れた本体9と、この本体9に揺動自在に取り付けられた
棒状の超音波ホーン10と、この超音波ホーン10の揺
動軸に連結され超音波ホーン10を揺動駆動するモータ
11と、超音波ホーン10の先端部に取付けられたシン
グルポイントボンディングツール12と、本体9の上部
に設けられ超音波振動を超音波ホーン10に印加する超
音波振動発信器13とから構成されている。この超音波
振動発信器13の超音波出力は、0.3Wである。ま
た、モータ11には、位置検出器11aが付設され、こ
の位置検出器11aから出力された位置検出信号SL
は、ボンディング制御部7に入力すると、この位置検出
信号SLに同期して超音波振動発信器13を作動させる
発振信号SSを出力するように設けられている。
【0019】一方、第2ボンディング部5は、図3に示
すように、第1ボンディング部4に隣接して設置された
もので、水平面に沿うXY方向に移動自在な第2XYテ
ーブル14と、この第2XYテーブル14上に搭載され
た支持台15と、この支持台15から水平方向に延設さ
れたアーム16と、このアーム16の先端部に設けられ
た集光部17と、第2XYテーブル14から離間して設
置されレーザ光Lを発振するレーザ発振装置18と、こ
のレーザ発振装置18からのレーザ光Lを集光部17ま
で案内する光ファイバ19とから構成されている。しか
して、レーザ光Lとしては、YAGレーザ光が好まし
い。また、発振条件の一例としては、レーザ出力5W、
照射時間15m秒を挙げることができる。また、集光部
17は、例えば凸レンズを基本要素とするもので、これ
によるレーザ光Lの照射面におけるスポット径は例えば
40μmに設定する。
【0020】さらに、移送部6は、互いに隣接して設け
られた第1ボンディング部4と第2ボンディング部5に
沿って設けられたシャトルテーブル6aなどの移送手段
を本体とするものであって、矢印R1,R2方向に往復
動自在である。このシャトルテーブル6aには、実装基
板2を所定位置に固定するための減圧保持手段が設けら
れている。
【0021】つぎに、上記構成のボンディング装置を用
いてこの実施形態のボンディング方法について述べる。
図4は、この実施形態のボンディング方法によりアウタ
リードボンディングされるチップ部品1を示している。
このチップ部品1は、TCP方式のパッケージであり、
その構成は、一方の表面にIC回路(図示せず)及び端
末電極としてのバンプ1aが形成された例えば縦10m
m及び横10mm及び厚さ0.5mmのシリコン・チッ
プ1bと、一方の端部がバンプ1aにインナリードボン
ディングされ中途部で段差状に成形された例えば厚さ3
5μm及び幅45μmの電解銅製のフィンガ1cとから
なっている。前記フィンガ1cの本数は、例えば300
本で、例えば100μmのピッチで列設されている。こ
のフィンガ1cの表面には、厚さ2.0μmのすずめっ
きが施されている。なお、フィンガ1cの外側に延出し
ている部分をアウタリード1dと呼ぶ。さらに、シリコ
ン・チップ1bとフィンガ1cとの接続部分は絶縁樹脂
1eにより封止されている。しかして、フィンガ1c
は、プラスチックフィルムからなるサポートリング1f
により支持されている。
【0022】また、実装基板2は、例えば厚さ1.5m
m及び縦50mm及び横50mmのガラスエポキシ製で
あって、その一方の主面には、回路パターンが例えば厚
さ18μmの銅箔により施され、その端部には電極パッ
ド3が設けられている。この電極パッド3の寸法は、例
えば縦0.5mm及び横0.1mmであり、その表面に
は厚さ2.0μmの金めっきが施されている。
【0023】しかして、チップ部品1のアウタリード1
dを実装基板2の電極パッド3にボンディングするに当
たって、まず、図示せぬハンドリング装置により、実装
基板2を移送部6のシャトルテーブル6aに位置決め保
持させる。さらに、ボンディング制御部7からの制御信
号CTにより移送部6を、シャトルテーブル6aを第1
ボンディング位置P1まで移送する。また、他のハンド
リング装置により、チップ部品1をシャトルテーブル6
aに保持されている実装基板2上に、アウタリード1d
が対応する電極パッド3上に当接するように載置する。
つぎに、ボンディング制御部7は、第1XYテーブル8
に制御信号ST1を印加する。すると、第1XYテーブ
ル8が作動し、シングルポイントボンディングツール1
2の先端が、図5に示す所定の電極パッド3の直上位置
にくるよう位置決めする。つぎに、ボンディング制御部
7からは、制御信号SMがモータ11に出力され、その
結果、モータ11が起動して超音波ホーン10を矢印Q
1方向に揺動させる。すると、シングルポイントボンデ
ィングツール12は、直下のアウタリード1dに対して
超音波を印加しながら、この超音波を印加しているアウ
タリード1dを例えば60gfで押圧する。その結果、
押圧されたアウタリード1dは、接触している電極パッ
ド3に圧接される。このとき、超音波は、モータ11に
付設されている位置検出器11aからの位置検出信号S
Lに同期して、ボンディング制御部7から発振信号SS
を超音波振動発信器13に出力させることにより、超音
波ホーン10を介してシングルポイントボンディングツ
ール12に印加される。つぎに、ボンディング制御部7
からは、再び制御信号SMがモータ11に出力され、超
音波ホーン10が矢印Q2方向に揺動する。これと同期
して、ボンディング制御部7からは、第1XYテーブル
8に制御信号ST1が印加される。その結果、第1XY
テーブル8が作動し、シングルポイントボンディングツ
ール12の先端が、直前に圧接した電極パッド3に隣接
する電極パッド3の直上位置にくるよう位置決めする。
しかして、前と同様のボンディング動作を繰り返す。そ
の結果、チップ部品1は、実装基板2の所定の電極パッ
ド3上に位置決めされる。
【0024】このようにして、すべてのアウタリード1
dの圧接が終わると、ボンディング制御部7からの制御
信号CTにより移送部6は、シャトルテーブル6aを第
1ボンディング位置P2まで移送する。つぎに、ボンデ
ィング制御部7から第2XYテーブル14に制御信号S
T2が送られ、アウタリード1dの直上にレーザ集光部
17がくるように位置決めする。位置決めしたものに基
づきボンディング制御部7よりレーザ発振装置18に制
御信号Sが送られ、例えば15m秒のレーザ光Lを発振
する。このレーザ光Lは、光ファイバ19によりレーザ
集光部17まで導かれ、このレーザ集光部17によりア
ウタリード1d上において、例えば、40μmのスポッ
ト径SPとなるように集光される。レーザ発振後、ボン
ディング制御部7より制御信号ST2が第2XYテーブ
ル14に送られ、先にレーザ光を照射したアウタリード
1dの直上にレーザ集光部17がくるように位置決め
し、前と同様のレーザ照射動作を繰り返す。かくして、
前工程において圧接されたアウタリード1dは、電極パ
ッド3に対してレーザ溶接され、チップ部品1は、実装
基板2に強固に固定される。しかして、レーザ溶接が終
わると、シャトルテーブル6aによる実装基板2の減圧
吸着を解除し、図示せぬハンドリング機構によりシャト
ルテーブル6aから実装基板2を取り除く。この後、再
び、前述したボンディング動作を繰り返す。
【0025】以上のように、この実施形態においては、
チップ部品1のアウタリード1dを電極パッド3に超音
波圧接法により仮固定した後、アウタリード1dの圧接
部位にレーザ光Lを照射してレーザ溶接するようにして
いるので、高精度かつ高能率でアウタリードボンディン
グを行うことが可能となる。とくに、この実施形態にお
いては、レーザ溶接時に、シングルポイントボンディン
グツール12は、レーザ溶接に伴う加熱・急冷がないた
め、減耗しにくくなり、ツール寿命が長くなる。また、
レーザ溶接に伴う溶融金属等の飛沫がシングルポイント
ボンディングツール12に付着することがないので、こ
の付着物を除去するためのクリーニング作業が不要とな
る。さらに、この実施形態においては、シングルポイン
トボンディングツール12により仮付けしているので、
ギャングボンディングツールを用いる場合に不可欠なバ
ックアップが不要となり、その結果、バックアップすべ
き実装基板2の裏面領域に他の電子部品を搭載すること
が可能となるので、基板設計の自由度が広がるととも
に、実装密度の改善にも寄与することができる。
【0026】なお、上記実施形態のボンディング装置に
おける第1XYテーブル8及び第2XYテーブル14を
1台のXYテーブルとし、この1台のXYテーブルに第
1XYテーブル8及び第2XYテーブル14の役割をも
たせるようにしてもよい。この場合、超音波圧接とこれ
に引続くレーザ溶接を各ボンディング部位ごとな行うこ
とができる利点を有する。
【0027】さらに、上記実施形態のボンディング装置
において、実装基板2を保持しているシャトルテーブル
6a上に、実装基板2を減圧吸着するXYテーブルを設
け、このXYテーブルの駆動により、ボンディング位置
の精密位置決めを行うようにしてもよい。
【0028】さらにまた、上記実施形態のボンディング
装置においては、すべてのボンディング部位を超音波圧
接した後、レーザ溶接するようにしているが、例えば3
00のボンディング点のうち、まずはじめの50点に超
音波圧接により第1ボンディングを行った後、このとき
のボンディング点にレーザ光照射による第2ボンディン
グを行い、次の50点につき前と同様の第1ボンディン
グと第2ボンディングを繰り返すようにしてもよい。
【0029】さらに、他の実施形態のボンディング方法
として、第1の部材を第2の部材に対して複数のボンデ
ィング部位にてボンディングするボンディング方法にお
いて、前記各ボンディング部位にて前記第1の部材と前
記第2の部材とをレーザ光の照射により溶接する第1ボ
ンディング工程と、この第1ボンディング工程後に前記
レーザ溶接したボンディング部位のうち少なくとも一部
のボンディング部位を選択して超音波圧接する第2ボン
ディング工程とを具備するものとしてもよい。こうする
ことにより、例えばリードピッチが狭すぎボンディング
ツールが複数のリード間に跨がってしまう等の不具合が
ある場合においても、レーザ溶接した部位のうち、超音
波圧接が可能な部位をボンディングツールで超音波圧接
することが可能となり、確実なボンディングを行える顕
著な効果を奏する。とくに、この実施形態は、アウタリ
ードの数が増加し微細化した場合や基板が反っている場
合などに、全アウタリードを均一な状態で基板の電極パ
ッドへ接触させるのが非常に困難となる場合に有効とな
る。なお、この場合、レーザ光の照射により溶接する第
1ボンディング工程は、次の第2ボンディング工程に対
して仮付けとしての意味合いが強く、敢えてチップ部品
1を加圧してアウタリード1dを電極パッド3に押さえ
付ける必要はない。
【0030】かくして、この場合においても、例えば3
00のボンディング点のうち、まずはじめの10点にレ
ーザ光照射による第1ボンディングを行った後、このと
きレーザ光を照射されたボンディング点に超音波圧接に
よる第2ボンディングを行い、次の10点につき前と同
様の第1ボンディングと第2ボンディングを繰り返すよ
うにしてもよい。
【0031】さらに、上記実施形態のボンディング方法
は、TCP方式のパッケージのアウタリードボンディン
グを例示するものであるが、これに限ることなく、例え
ばQFP(uad lat ackage)など
通常のアウタリードボンディングにも適用可能である。
さらにまた、アウタリードボンディングに限ることな
く、例えばインナリードボンディングなど多点ボンディ
ングであれば、どのようなものにも適用可能である。
【0032】
【発明の効果】請求項1のボンディング方法は、第1の
部材を第2の部材に対して複数のボンディング部位にて
ボンディングするに際して、第1の部材を第2の部材に
対して超音波圧接により仮付けした後、ボンディング部
位にレーザ光を照射して第1の部材を第2の部材に対し
てレーザ溶接するようにしたもので、高精度かつ高能率
で多点ボンディングを行うことが可能となる。とくに、
超音波圧接をシングルポイントボンディングツールによ
り行うものであるので、レーザ溶接時に、シングルポイ
ントボンディングツールの、レーザ溶接に伴う加熱・急
冷がないため、シングルポイントボンディングツールが
減耗しにくくなり、ツール寿命が長くなる。また、レー
ザ溶接に伴う溶融金属等の飛沫がシングルポイントボン
ディングツールに付着することがないので、この付着物
を除去するためのクリーニング作業が不要となる。さら
に、シングルポイントボンディングツールにより仮付け
しているので、ギャングボンディングツールを用いる場
合に不可欠なバックアップが不要となり、その結果、バ
ックアップすべき実装基板の裏面領域に他の電子部品を
搭載することが可能となるので、基板設計の自由度が広
がるとともに、実装密度の改善にも寄与することができ
る。
【0033】請求項2のボンディング方法は、レーザ光
の照射により全ボンディング部位をレーザ溶接した後
に、レーザ溶接したボンディング部位のうち少なくとも
一部を超音波圧接するようにしているので、例えばリー
ドピッチが狭すぎボンディングツールが複数のリード間
に跨がってしまう等の不具合がある場合においても、確
実なボンディングを行える顕著な効果を奏する。
【0034】請求項3乃至請求項5のボンディング装置
は、第1の部材を第2の部材に対して複数のボンディン
グ部位にてボンディングするものにおいて、ボンディン
グ部位にて第1の部材と第2の部材を超音波圧接して仮
付けする第1ボンディング部と、仮付けされたボンディ
ング部位にレーザ光を照射して第1の部材と第2の部材
をレーザ溶接する第2ボンディング部と、第1ボンディ
ング部から第2ボンディング部に前記第1の部材が仮付
けされた第2の部材を移送する移送部とを具備するもの
であって、高精度かつ高能率で多点ボンディングを行う
ことが可能となる。とくに、超音波圧接をシングルポイ
ントボンディングツールにより行うものであるので、レ
ーザ溶接時に、シングルポイントボンディングツール
の、レーザ溶接に伴う加熱・急冷がないため、シングル
ポイントボンディングツールが減耗しにくくなり、ツー
ル寿命が長くなる。また、レーザ溶接に伴う溶融金属等
の飛沫がシングルポイントボンディングツールに付着す
ることがないので、この付着物を除去するためのクリー
ニング作業が不要となる。さらに、シングルポイントボ
ンディングツールにより仮付けしているので、ギャング
ボンディングツールを用いる場合に不可欠なバックアッ
プが不要となり、その結果、バックアップすべき実装基
板の裏面領域に他の電子部品を搭載することが可能とな
るので、基板設計の自由度が広がるとともに、実装密度
の改善にも寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態のボンディング装置の概念
図である。
【図2】図1における第1ボンディング部を示す側面図
である。
【図3】図1における第2ボンディング部を示す側面図
である。
【図4】本発明の一実施形態のボンディング方法により
ボンディングされるチップ部品の正面図である。
【図5】本発明の一実施形態のボンディング方法のうち
超音波圧接工程を示す説明図である。
【図6】本発明の一実施形態のボンディング方法のレー
ザ溶接を示す説明図である。
【図7】従来技術の説明図である。
【図8】従来技術の説明図である。
【図9】従来技術の説明図である。
【図10】従来技術の説明図である。
【図11】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
1:チップ部品,2:実装基板,3:電極パッド,4:
第1ボンディング部,5:第2ボンディング部,6:移
送部,10:超音波ホーン,12:シングルポイントボ
ンディングツール,17:集光部,18:レーザ発振装
置。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の部材を第2の部材に対して複数のボ
    ンディング部位にてボンディングするボンディング方法
    において、前記複数のボンディング部位のうちから選択
    されたボンディング部位にて前記第1の部材と前記第2
    の部材とを超音波圧接して接合する第1ボンディング工
    程と、この第1ボンディング工程後に前記超音波圧接し
    たボンディング部位を含む全てのボンディング部位のう
    ちから選択されたボンディング部位にレーザ光を照射し
    て前記第1の部材を前記第2の部材に対してレーザ溶接
    する第2ボンディング工程とを具備することを特徴とす
    るボンディング方法。
  2. 【請求項2】第1の部材を第2の部材に対して複数のボ
    ンディング部位にてボンディングするボンディング方法
    において、前記各ボンディング部位にて前記第1の部材
    と前記第2の部材とをレーザ光の照射により溶接する第
    1ボンディング工程と、この第1ボンディング工程後に
    前記レーザ溶接したボンディング部位を含む全てのボン
    ディング部位から選択されたボンディング部位を超音波
    圧接する第2ボンディング工程とを具備することを特徴
    とするボンディング方法。
  3. 【請求項3】第1の部材を第2の部材に対して複数のボ
    ンディング部位にてボンディングするボンディング装置
    において、前記ボンディング部位にて前記第1の部材と
    前記第2の部材を超音波圧接して接合する第1ボンディ
    ング部と、前記ボンディング部位にレーザ光を照射して
    前記第1の部材と前記第2の部材をレーザ溶接する第2
    ボンディング部と、前記第1ボンディング部及び前記第
    2ボンディグ部にて接合された前記第1の部材と第2の
    部材を移送する移送部とを具備することを特徴とするボ
    ンディング装置。
  4. 【請求項4】第1ボンディング部は、一端側にボンディ
    ングツールを有し超音波が印加される超音波ホーンと、
    前記ボンディングツールが前記ボンディング部位に対し
    て接離する方向に揺動するように前記超音波ホーンを揺
    動駆動するモータと、超音波振動を前記超音波ホーンに
    印加する超音波振動発信器と、前記ボンディングツール
    とこのボンディングツールにより第1の部材と第2の部
    材をボンディングするボンディング点とを対向位置決め
    するXYテーブルとを具備することを特徴とする請求項
    3記載のボンディング装置。
  5. 【請求項5】第2ボンディング部は、レーザ光を発振す
    るレーザ発振装置と、このレーザ発振装置から発振され
    たレーザ光を集光する集光部と、この集光部により集光
    されたレーザ光の照射スポットを所定のボンディング部
    位に照射するようにレーザ集光部を走査する走査部とを
    具備することを特徴とする請求項3記載のボンディング
    装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6596964B2 (en) 2001-07-10 2003-07-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of attaching a component to a connection support by welding without the addition of material
JP2007173363A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Fujitsu Ltd フライングリードの接合方法
KR100936781B1 (ko) 2003-04-03 2010-01-14 삼성테크윈 주식회사 플립칩 본딩장치 및 이를 이용한 플립칩 본딩방법
JP2017228630A (ja) * 2016-06-22 2017-12-28 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法

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