JPH03238823A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH03238823A JPH03238823A JP3543690A JP3543690A JPH03238823A JP H03238823 A JPH03238823 A JP H03238823A JP 3543690 A JP3543690 A JP 3543690A JP 3543690 A JP3543690 A JP 3543690A JP H03238823 A JPH03238823 A JP H03238823A
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- Japan
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- capacitance
- circuit
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- wires
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は同一配線層内で、接近して平行に配置された２
木の配線を有する半導体集積回路に関する。
木の配線を有する半導体集積回路に関する。
アナログＬＳＩ又は、アナログ・ディジタル混載ＬＳＩ
等で多く用いられるスイッチトキャパシタ回路（以下、
ＳＣ回路と呼ぶ）等において使用する容量は高比精度が
要求される。それは、たとえばＳＣ回路では、容量と容
量の比によって回路の利得が設定されるためである。こ
のような容量は通常、単位容量のＣＯを用意し、たとえ
ばＧｏの３倍の容量が必要な場合には、ＣＯの単位容量
を３個並列に接続することにより比精度を確保するよう
に配慮している。
等で多く用いられるスイッチトキャパシタ回路（以下、
ＳＣ回路と呼ぶ）等において使用する容量は高比精度が
要求される。それは、たとえばＳＣ回路では、容量と容
量の比によって回路の利得が設定されるためである。こ
のような容量は通常、単位容量のＣＯを用意し、たとえ
ばＧｏの３倍の容量が必要な場合には、ＣＯの単位容量
を３個並列に接続することにより比精度を確保するよう
に配慮している。
′！Ｊ２図はこの種の半導体集積回路の従来例を示す平
面図、第３図は第２図のＸ−Ｘ、断面拡大図である。
面図、第３図は第２図のＸ−Ｘ、断面拡大図である。
上部電極１０と下部電極２０とは容量ＣＯを形成し、上
部電極１１１．１１２．１１３と下部電極２１とは容量
３Ｃｏを形成している。配線３０．４０はそれぞれ上部
電極ｌＯ１下部電極２０に接続されている。配線３１゜
４１はそれぞれ上部電極１１１．１１２．１１３ 、下
部電極２１に接続されている。
部電極１１１．１１２．１１３と下部電極２１とは容量
３Ｃｏを形成している。配線３０．４０はそれぞれ上部
電極ｌＯ１下部電極２０に接続されている。配線３１゜
４１はそれぞれ上部電極１１１．１１２．１１３ 、下
部電極２１に接続されている。
配線３０．４０は、半導体基板１上のシリコン酸化膜２
、層間絶縁膜３の上に形成され、カバー膜７に覆われて
おり、アルミ等を材料としている。
、層間絶縁膜３の上に形成され、カバー膜７に覆われて
おり、アルミ等を材料としている。
通常上部電極１０．１１１．１１２．１１３ 、下部電
極２０、２１１．２１２．２１３とも多結晶シリコンで
形成する場合が多いが、これは上部及び下部電極を同一
材料で形成することにより容量のバイアス依存性をなく
すためである。ここで、上部電極及び下部電極からは、
アルミ等の配線材料による引き出し配線により所望の回
路に接続されるが、配線が密にレイアウトされた部分で
は、上記上部電極の引き出し配線と、下部電極の引き出
し配線がＡ領域のごとく接近して配置されることが多い
。この場合矢印で示した電気力線ＳＳは、広がりを持ち
、配線間容量は配線３０．４０を平行平板として計算し
た容量の約１．５倍にもなってしまう。
極２０、２１１．２１２．２１３とも多結晶シリコンで
形成する場合が多いが、これは上部及び下部電極を同一
材料で形成することにより容量のバイアス依存性をなく
すためである。ここで、上部電極及び下部電極からは、
アルミ等の配線材料による引き出し配線により所望の回
路に接続されるが、配線が密にレイアウトされた部分で
は、上記上部電極の引き出し配線と、下部電極の引き出
し配線がＡ領域のごとく接近して配置されることが多い
。この場合矢印で示した電気力線ＳＳは、広がりを持ち
、配線間容量は配線３０．４０を平行平板として計算し
た容量の約１．５倍にもなってしまう。
（発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体集積回路は、引き出し配線が接近
して配置されると、配線間の寄生容量が所望の容量Ｃｏ
に加算されてしまい、例えば本来Ｃｏ：３Ｃｏであるべ
き容量比が（Ｇｏ十ａ）： ３Ｇｏとなり、比精度を悪
化させる欠点があり、これを避けるために引き出し配線
を接近させないようにすると、レイアウト面積を増大さ
せてしまうという欠点がある。
して配置されると、配線間の寄生容量が所望の容量Ｃｏ
に加算されてしまい、例えば本来Ｃｏ：３Ｃｏであるべ
き容量比が（Ｇｏ十ａ）： ３Ｇｏとなり、比精度を悪
化させる欠点があり、これを避けるために引き出し配線
を接近させないようにすると、レイアウト面積を増大さ
せてしまうという欠点がある。
本発明は上記欠点に鑑み、比精度を確保するとともに、
レイアウト面積を増大させない半導体集積回路を提供す
ることを目的とする。
レイアウト面積を増大させない半導体集積回路を提供す
ることを目的とする。
本発明の半導体集積回路は、同一配線層内の２本の配線
と同一配線層内で、前記２本の配線の間に配置された低
インピーダンス配線を有する。
と同一配線層内で、前記２本の配線の間に配置された低
インピーダンス配線を有する。
低インピーダンス配線が、低インピーダンス配線を挟ん
で平行に配置された２本の配線の電気的結合を弱める。
で平行に配置された２本の配線の電気的結合を弱める。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の半導体集積回路の一実施例を示す断面
図である。
図である。
本実施例は第３図で示される従来例の配線３０゜４０間
に低インピーダンス配線６を付加したものである。
に低インピーダンス配線６を付加したものである。
接近したアルミ等を材料とする配線３０．４０間に、接
地電位に接続されたアルミ等を材料とする低インピーダ
ンス配線６が配置されている。矢印で示される電気力線
Ｓは配線６に向かうので、配線３０．４０の間の容量は
、減少する。もちろんこの場合、対接地電位の容量は増
大するが、ＳＣ回路では、対接地電位への容量は影響の
ない回路構成が可能なことはよく知られたところである
。
地電位に接続されたアルミ等を材料とする低インピーダ
ンス配線６が配置されている。矢印で示される電気力線
Ｓは配線６に向かうので、配線３０．４０の間の容量は
、減少する。もちろんこの場合、対接地電位の容量は増
大するが、ＳＣ回路では、対接地電位への容量は影響の
ない回路構成が可能なことはよく知られたところである
。
以上説明したように本発明は、接近した配線間に低イン
ピーダンス配線を配置することにより、容量部の引き出
し配線間の寄生容量による容量間の比精度の悪化を低減
でき、所望の特性のＳＣ回路を得ることができるという
効果がある。
ピーダンス配線を配置することにより、容量部の引き出
し配線間の寄生容量による容量間の比精度の悪化を低減
でき、所望の特性のＳＣ回路を得ることができるという
効果がある。
第１図は本発明の半導体集積回路の一実施例を示す断面
図、第２図は従来例を示す平面図、第３図は第２図のｘ
−ｘ拡大断面図である。 １・・・・半導体基板、 ２・・・・シリコン酸化膜、
３・・・・層間絶縁膜、 ６・・・・低インピーダンス配線、 ７・・・・カバー膜、 ３０．４０・・・配線。 第１図
図、第２図は従来例を示す平面図、第３図は第２図のｘ
−ｘ拡大断面図である。 １・・・・半導体基板、 ２・・・・シリコン酸化膜、
３・・・・層間絶縁膜、 ６・・・・低インピーダンス配線、 ７・・・・カバー膜、 ３０．４０・・・配線。 第１図
Claims (1)
- １、同一配線層内で、接近して平行に配置された２本の
配線を有する半導体集積回路において、前記２本の配線
と同一配線層内で、前記２本の配線の間に配置された低
インピーダンス配線を有することを特徴とする半導体集
積回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3543690A JPH03238823A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体集積回路 |
| BR909003771A BR9003771A (pt) | 1990-02-15 | 1990-08-01 | Composicao e metodo para reparacao e prevencao de tecido lesional fibrotico |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3543690A JPH03238823A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238823A true JPH03238823A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12441801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3543690A Pending JPH03238823A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体集積回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03238823A (ja) |
| BR (1) | BR9003771A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119749A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Hitachi Ltd | 多層配線部材 |
| JPS61206254A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| JPS62164309A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-21 | Seiko Epson Corp | スイツチト・キヤパシタ回路の雑音補償方法 |
| JPS6484737A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPH03224261A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-03 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPH03224232A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPH03224233A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP3543690A patent/JPH03238823A/ja active Pending
- 1990-08-01 BR BR909003771A patent/BR9003771A/pt not_active Application Discontinuation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119749A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Hitachi Ltd | 多層配線部材 |
| JPS61206254A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| JPS62164309A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-21 | Seiko Epson Corp | スイツチト・キヤパシタ回路の雑音補償方法 |
| JPS6484737A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPH03224261A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-03 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPH03224232A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPH03224233A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BR9003771A (pt) | 1991-11-12 |
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