JPH0323654A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
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- JPH0323654A JPH0323654A JP1158775A JP15877589A JPH0323654A JP H0323654 A JPH0323654 A JP H0323654A JP 1158775 A JP1158775 A JP 1158775A JP 15877589 A JP15877589 A JP 15877589A JP H0323654 A JPH0323654 A JP H0323654A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 5
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子等を樹脂封止する樹脂封止形半導
体装置に関するものである． 〔従来の技術〕 従来、この種の樹脂封止形半導体装置は第２図に示すよ
うに構威されている．これを同図に基づいて説明すると
、同図において、符号１で示すものはリードフレーム２
のグイパッド３上に接合された半導体素子、４はこの半
導体素子ｌおよび前記リードフレーム２のインナーリー
ド２ａに接続されたワイヤ、５はこのワイヤ４，前記半
導体素子ｌおよび前記インナーリード２ａを封止するエ
ポキシ系の樹脂である．なお、２ｂは前記樹脂５の外部
に露呈する前記リードフレーム２のアウターリードであ
る． このように構威された樹脂封止形半導体装置を製造する
には、先ずリードフレーム２のグイパッド３上に半導体
素子１を接合し、次にこの半導体素子１とインナーリー
ド２ａをワイヤ４によって接続した後、樹脂５によって
半導体素子１，インナーリード２ａおよびワイヤ４を封
止してから、アウターリード２ｂに曲げ加工を施すこと
により行う．〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、この種の樹脂封止形半導体装置においては、
半導体素子１等を封止する樹脂５が通常エポキシ系の封
止樹脂によって形威されており、このため電磁シールド
部材として機能することがなかった．この結果、外部の
電磁波ノイズによる悪影響を半導体素子１の回路が受け
て誤動作し、半導体デバイスどしての信頼性が低下する
という問題があった． 本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、外部
に発生する電磁ノイズによる半導体素子の誤動作を防止
することができ、もって半導体デバイスとしての信頼性
を向上させることができる樹脂封止形半導体装置を提供
するものである．〔課題を解決するための手段〕 本発明に係る樹脂封止形半導体装置は、磁性樹脂によっ
て半導体素子，ワイヤおよびリードの一部を封止したも
のである． 〔作 用〕 本発明においては、外部に発生する電磁波ノイズの樹脂
内への侵入を磁性樹脂によって阻止することができる． 〔実施例〕 以下、本発明の構戒等を図に示す実施例によって詳細に
説明する． 第１図は本発明に係る樹脂封止形半導体装置を示す断面
図で、同図において第２図と同一の部材については同一
の符号を付し、詳細な説明は省略する．同図において、
符号１ｌで示すものは例えばフエライトが混入された樹
脂からなる強磁性樹脂で、前記樹脂５の周囲に設けられ
ており、これにより前記半導体素子ｌの回路および外部
の電子機器（図示せず）で発生する電磁波ノイズを遮断
し得るようにＩ威されている． したがって、本実施例においては、外部に発生する電磁
波ノイズの侵入を強磁性樹脂１ｌによって阻止すること
ができるから、半導体素子１の回路の誤動作を防止する
ことができる。
体装置に関するものである． 〔従来の技術〕 従来、この種の樹脂封止形半導体装置は第２図に示すよ
うに構威されている．これを同図に基づいて説明すると
、同図において、符号１で示すものはリードフレーム２
のグイパッド３上に接合された半導体素子、４はこの半
導体素子ｌおよび前記リードフレーム２のインナーリー
ド２ａに接続されたワイヤ、５はこのワイヤ４，前記半
導体素子ｌおよび前記インナーリード２ａを封止するエ
ポキシ系の樹脂である．なお、２ｂは前記樹脂５の外部
に露呈する前記リードフレーム２のアウターリードであ
る． このように構威された樹脂封止形半導体装置を製造する
には、先ずリードフレーム２のグイパッド３上に半導体
素子１を接合し、次にこの半導体素子１とインナーリー
ド２ａをワイヤ４によって接続した後、樹脂５によって
半導体素子１，インナーリード２ａおよびワイヤ４を封
止してから、アウターリード２ｂに曲げ加工を施すこと
により行う．〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、この種の樹脂封止形半導体装置においては、
半導体素子１等を封止する樹脂５が通常エポキシ系の封
止樹脂によって形威されており、このため電磁シールド
部材として機能することがなかった．この結果、外部の
電磁波ノイズによる悪影響を半導体素子１の回路が受け
て誤動作し、半導体デバイスどしての信頼性が低下する
という問題があった． 本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、外部
に発生する電磁ノイズによる半導体素子の誤動作を防止
することができ、もって半導体デバイスとしての信頼性
を向上させることができる樹脂封止形半導体装置を提供
するものである．〔課題を解決するための手段〕 本発明に係る樹脂封止形半導体装置は、磁性樹脂によっ
て半導体素子，ワイヤおよびリードの一部を封止したも
のである． 〔作 用〕 本発明においては、外部に発生する電磁波ノイズの樹脂
内への侵入を磁性樹脂によって阻止することができる． 〔実施例〕 以下、本発明の構戒等を図に示す実施例によって詳細に
説明する． 第１図は本発明に係る樹脂封止形半導体装置を示す断面
図で、同図において第２図と同一の部材については同一
の符号を付し、詳細な説明は省略する．同図において、
符号１ｌで示すものは例えばフエライトが混入された樹
脂からなる強磁性樹脂で、前記樹脂５の周囲に設けられ
ており、これにより前記半導体素子ｌの回路および外部
の電子機器（図示せず）で発生する電磁波ノイズを遮断
し得るようにＩ威されている． したがって、本実施例においては、外部に発生する電磁
波ノイズの侵入を強磁性樹脂１ｌによって阻止すること
ができるから、半導体素子１の回路の誤動作を防止する
ことができる。
また、本実施例においては、電磁波ノイズの強磁性樹脂
ｌｌ内から外部への漏洩を阻止することもできるから、
周囲の電子機器（図示せず〉を半導体素子ｌの回路で発
生する電磁波ノイズから保護できることは勿論である。
ｌｌ内から外部への漏洩を阻止することもできるから、
周囲の電子機器（図示せず〉を半導体素子ｌの回路で発
生する電磁波ノイズから保護できることは勿論である。
なお、本実施例においては、エボキシ系の樹脂５と強磁
性樹脂１１からなる２層樹脂構造である場合を示したが
、本発明はこれに限定されるものではなく、樹脂５のフ
ィラーとして使用するシリヵの代替としてフエライトを
使用することによりｌ層樹脂構造とすることができる．
この場合、封止樹脂（図示せず）はタブレット威形によ
って製造し、フィラーとしてのフエライトは封止樹脂（
図示せず〉内に分散する． また、本発明における磁性樹脂は、前述した実施例に限
定されず、他の磁性樹脂を実施例と同様に使用すること
ができる． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、磁性樹脂によって
半導体素子，ワイヤおよびリードの一部を封止したので
、外部に発生する電磁波ノイズの樹脂内への侵入を磁性
樹脂によって阻止することができる。したがって、外部
で発生した電磁ノイズによる半導体素子の誤動作を防止
することができるから、半導体デバイスとしての信頼性
を向上させることができる．
性樹脂１１からなる２層樹脂構造である場合を示したが
、本発明はこれに限定されるものではなく、樹脂５のフ
ィラーとして使用するシリヵの代替としてフエライトを
使用することによりｌ層樹脂構造とすることができる．
この場合、封止樹脂（図示せず）はタブレット威形によ
って製造し、フィラーとしてのフエライトは封止樹脂（
図示せず〉内に分散する． また、本発明における磁性樹脂は、前述した実施例に限
定されず、他の磁性樹脂を実施例と同様に使用すること
ができる． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、磁性樹脂によって
半導体素子，ワイヤおよびリードの一部を封止したので
、外部に発生する電磁波ノイズの樹脂内への侵入を磁性
樹脂によって阻止することができる。したがって、外部
で発生した電磁ノイズによる半導体素子の誤動作を防止
することができるから、半導体デバイスとしての信頼性
を向上させることができる．
第１図は本発明に係る樹脂封止形半導体装置を示す断面
図、第２図は従来の樹脂封止形半導体装置を示す断面図
である． １・・・・半導体素子、２・・・・リードフレーム、２
ａ・・・・インナーリード、３・・・・グイパッド、４
・・・・ワイヤ、１１・・・・強磁性樹脂． 代′ 理 人 大岩増雄
図、第２図は従来の樹脂封止形半導体装置を示す断面図
である． １・・・・半導体素子、２・・・・リードフレーム、２
ａ・・・・インナーリード、３・・・・グイパッド、４
・・・・ワイヤ、１１・・・・強磁性樹脂． 代′ 理 人 大岩増雄
Claims (1)
- ダイパッド上に接合された半導体素子と、この半導体素
子およびリードに接続されたワイヤとを備え、このワイ
ヤ、前記半導体素子および前記リードの一部を磁性樹脂
によって封止したことを特徴とする樹脂封止形半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158775A JPH0323654A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158775A JPH0323654A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323654A true JPH0323654A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15679069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1158775A Pending JPH0323654A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323654A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1265280A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-11 | Sony Corporation | Resin component for encapsulating semiconductor and semiconductor device using it |
| US6495927B2 (en) * | 2000-04-04 | 2002-12-17 | Nec Tokin Corporation | Resin-molded unit including an electronic circuit component |
| US6800804B2 (en) | 2001-06-12 | 2004-10-05 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition used for encapsulating semiconductor and semiconductor device using the composition |
| JP2005078442A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Sony Corp | Ｉｃカード及びその製造方法 |
| EP1577947A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-21 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device comprising an encapsulating material that attenuates electromagnetic interference |
| JP2006160560A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Nitto Denko Corp | 球状焼結フェライト粒子およびそれを用いた半導体封止用樹脂組成物ならびにそれを用いて得られる半導体装置 |
| WO2007141843A1 (ja) | 2006-06-06 | 2007-12-13 | Nitto Denko Corporation | 球状焼結フェライト粒子およびそれを用いた半導体封止用樹脂組成物ならびにそれを用いて得られる半導体装置 |
-
1989
- 1989-06-21 JP JP1158775A patent/JPH0323654A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495927B2 (en) * | 2000-04-04 | 2002-12-17 | Nec Tokin Corporation | Resin-molded unit including an electronic circuit component |
| EP1265280A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-11 | Sony Corporation | Resin component for encapsulating semiconductor and semiconductor device using it |
| US7034405B2 (en) | 2001-06-08 | 2006-04-25 | Sony Corporation | Resin component for encapsulating semiconductor and semiconductor device using it |
| US6800804B2 (en) | 2001-06-12 | 2004-10-05 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition used for encapsulating semiconductor and semiconductor device using the composition |
| JP2005078442A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Sony Corp | Ｉｃカード及びその製造方法 |
| US7883022B2 (en) | 2003-09-01 | 2011-02-08 | Sony Corporation | IC card and manufacturing method of the same |
| EP1577947A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-21 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device comprising an encapsulating material that attenuates electromagnetic interference |
| JP2006160560A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Nitto Denko Corp | 球状焼結フェライト粒子およびそれを用いた半導体封止用樹脂組成物ならびにそれを用いて得られる半導体装置 |
| JP4651004B2 (ja) * | 2004-12-07 | 2011-03-16 | 戸田工業株式会社 | 球状焼結フェライト粒子およびそれを用いた半導体封止用樹脂組成物ならびにそれを用いて得られる半導体装置 |
| WO2007141843A1 (ja) | 2006-06-06 | 2007-12-13 | Nitto Denko Corporation | 球状焼結フェライト粒子およびそれを用いた半導体封止用樹脂組成物ならびにそれを用いて得られる半導体装置 |
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