JPH07321254A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH07321254A JPH07321254A JP6110652A JP11065294A JPH07321254A JP H07321254 A JPH07321254 A JP H07321254A JP 6110652 A JP6110652 A JP 6110652A JP 11065294 A JP11065294 A JP 11065294A JP H07321254 A JPH07321254 A JP H07321254A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップを封止する樹脂体にノイズを遮蔽
するシールドを内蔵させると共に外形寸法精度を維持す
る。 【構成】アイランド１に搭載した半導体チップ２の上下
方向から籠形に成型したメッシュ状金属板５を被せて接
地ピンに接続し、メッシュ状金属板５の網目を通して樹
脂を注入し半導体チップ２を封止すると同時にメッシュ
状金属板５を樹脂体６内に含めてモールドする。
するシールドを内蔵させると共に外形寸法精度を維持す
る。 【構成】アイランド１に搭載した半導体チップ２の上下
方向から籠形に成型したメッシュ状金属板５を被せて接
地ピンに接続し、メッシュ状金属板５の網目を通して樹
脂を注入し半導体チップ２を封止すると同時にメッシュ
状金属板５を樹脂体６内に含めてモールドする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置お
よびその製造方法に関する。
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、車載用等の特に外来ノイズの影響
を受け易い環境で使用される樹脂封止型半導体装置や電
磁波ノイズ発生源を有する樹脂封止型半導体装置は、図
３に示すように、アイランド１の上にマウントした半導
体チップ２とリード３との間をボンディングワイヤ４で
接続した後、樹脂体６で封止したパッケージの外側表面
を圧延性のある金属板７で覆い、この金属板７をリード
線を介して接地し、更に金属板７の表面を保護膜８で被
覆して構成し、電磁波ノイズを遮蔽していた（特開昭６
４−３９１００号公報参照）。
を受け易い環境で使用される樹脂封止型半導体装置や電
磁波ノイズ発生源を有する樹脂封止型半導体装置は、図
３に示すように、アイランド１の上にマウントした半導
体チップ２とリード３との間をボンディングワイヤ４で
接続した後、樹脂体６で封止したパッケージの外側表面
を圧延性のある金属板７で覆い、この金属板７をリード
線を介して接地し、更に金属板７の表面を保護膜８で被
覆して構成し、電磁波ノイズを遮蔽していた（特開昭６
４−３９１００号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置では、半導体チップを封止した樹脂体の外側
をアルミ、銅等の圧延性のある導体板で覆い、更にその
導体板の表面を保護膜で被覆しているため、外形寸法の
精度が低下し、自動機による取扱いが難しくなり、ま
た、樹脂体の外側を導体板で覆った後に更にその表面を
保護膜で被覆する工程が必要となり、工程数が増加して
コスト高になるという問題点があった。
半導体装置では、半導体チップを封止した樹脂体の外側
をアルミ、銅等の圧延性のある導体板で覆い、更にその
導体板の表面を保護膜で被覆しているため、外形寸法の
精度が低下し、自動機による取扱いが難しくなり、ま
た、樹脂体の外側を導体板で覆った後に更にその表面を
保護膜で被覆する工程が必要となり、工程数が増加して
コスト高になるという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、アイランド上に搭載した半導体チップと、前
記アイランドの周囲に配置して前記半導体チップと電気
的に接続したリードと、前記アイランドの上方および下
方から被せて前記リードの接地ピンおよび前記アイラン
ドの吊りピンと接続して固定した籠形のメッシュ状金属
板と、前記半導体チップおよび前記メッシュ状金属板と
を含んで封止した樹脂体とを有する。
体装置は、アイランド上に搭載した半導体チップと、前
記アイランドの周囲に配置して前記半導体チップと電気
的に接続したリードと、前記アイランドの上方および下
方から被せて前記リードの接地ピンおよび前記アイラン
ドの吊りピンと接続して固定した籠形のメッシュ状金属
板と、前記半導体チップおよび前記メッシュ状金属板と
を含んで封止した樹脂体とを有する。
【０００５】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、アイランド上に半導体チップをマウントし前記アイ
ランドの周囲に配置したリードと前記半導体チップとの
間をボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、籠
形に成型したメッシュ状金属板を前記アイランドの上方
および下方からそれぞれ被せて前記リードの接地ピンお
よび前記アイランドの吊りピンに接続して固定する工程
と、前記メッシュ状金属板の網目を通して樹脂を注入し
前記半導体チップを封止すると同時に前記メッシュ状金
属板の全面を前記樹脂で封止する工程とを含んで構成さ
れる。
は、アイランド上に半導体チップをマウントし前記アイ
ランドの周囲に配置したリードと前記半導体チップとの
間をボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、籠
形に成型したメッシュ状金属板を前記アイランドの上方
および下方からそれぞれ被せて前記リードの接地ピンお
よび前記アイランドの吊りピンに接続して固定する工程
と、前記メッシュ状金属板の網目を通して樹脂を注入し
前記半導体チップを封止すると同時に前記メッシュ状金
属板の全面を前記樹脂で封止する工程とを含んで構成さ
れる。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の第１の実施例を示す断面図
である。
である。
【０００８】図１に示すように、リードフレームのアイ
ランド１の上に半導体チップ２をマウントし、アイラン
ド１の周囲に配置したリード３と半導体チップ２との間
をボンディングワイヤ４で電気的に接続する。次に、厚
さ０．０５〜０．２μｍの４２合金等の金属板に０．２
〜０．５ｍｍ正方の開孔部を有する網目を開孔率５０〜
６０％で形成し籠形に成型したメッシュ状金属板５をア
イランド１の上下方向から被せリード３の接地ピンおよ
びアイランド１の吊りピンに電気熔接又は銀ペーストで
接着して固定し、半導体チップ２を電気的にシールドす
る。このとき、メッシュ状金属板５は半導体チップ２お
よびボンディングワイヤ４に触れないような高さを必要
とし、また、接地ピンおよび吊りピン以外のリード３
（信号用ピン，電源用ピン）に接触しないようにその近
傍のメッシュ状金属板５に切り込みを設けておく。
ランド１の上に半導体チップ２をマウントし、アイラン
ド１の周囲に配置したリード３と半導体チップ２との間
をボンディングワイヤ４で電気的に接続する。次に、厚
さ０．０５〜０．２μｍの４２合金等の金属板に０．２
〜０．５ｍｍ正方の開孔部を有する網目を開孔率５０〜
６０％で形成し籠形に成型したメッシュ状金属板５をア
イランド１の上下方向から被せリード３の接地ピンおよ
びアイランド１の吊りピンに電気熔接又は銀ペーストで
接着して固定し、半導体チップ２を電気的にシールドす
る。このとき、メッシュ状金属板５は半導体チップ２お
よびボンディングワイヤ４に触れないような高さを必要
とし、また、接地ピンおよび吊りピン以外のリード３
（信号用ピン，電源用ピン）に接触しないようにその近
傍のメッシュ状金属板５に切り込みを設けておく。
【０００９】次に、リードフレームをモールド金型に装
着してメッシュ状金属板５の網目を通して樹脂を注入し
半導体チップ２を封止すると同時にメッシュ状金属板５
の全面を封止する樹脂体６を形成し、樹脂封止型半導体
装置を構成する。
着してメッシュ状金属板５の網目を通して樹脂を注入し
半導体チップ２を封止すると同時にメッシュ状金属板５
の全面を封止する樹脂体６を形成し、樹脂封止型半導体
装置を構成する。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例を示す断面図
である。
である。
【００１１】図２に示すように、リード３と段差をつけ
て設けたアイランド１の底面にメッシュ状金属板５を電
気熔接又は銀ペーストで接合した以外は第１の実施例と
同様の構成を有しており、半導体チップ２の放熱性を高
めることができるという利点がある。
て設けたアイランド１の底面にメッシュ状金属板５を電
気熔接又は銀ペーストで接合した以外は第１の実施例と
同様の構成を有しており、半導体チップ２の放熱性を高
めることができるという利点がある。
【００１２】なお、メッシュ金属板５は開孔部の形状を
正方形以外に正六角形とし、蜂の巣状のメッシュ構造に
しても良い。
正方形以外に正六角形とし、蜂の巣状のメッシュ構造に
しても良い。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、メッシュ
状金属板をリードフレームの接地ピンと吊りピンに接続
して固定した後、半導体チップおよびメッシュ状金属板
の全面を含み樹脂体で封止することにより、外来ノイズ
を遮蔽して半導体装置の誤動作を防止したり、半導体チ
ップから発生するノイズを遮蔽することができるという
効果を有する。また、メッシュ状金型板を用いること
で、半導体チップとメッシュ状金属板を一度に封止する
ことができ、外形寸法精度を維持すると共に封止工程を
簡略化してコスト低減を実現できるという効果を有す
る。
状金属板をリードフレームの接地ピンと吊りピンに接続
して固定した後、半導体チップおよびメッシュ状金属板
の全面を含み樹脂体で封止することにより、外来ノイズ
を遮蔽して半導体装置の誤動作を防止したり、半導体チ
ップから発生するノイズを遮蔽することができるという
効果を有する。また、メッシュ状金型板を用いること
で、半導体チップとメッシュ状金属板を一度に封止する
ことができ、外形寸法精度を維持すると共に封止工程を
簡略化してコスト低減を実現できるという効果を有す
る。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面
図。
図。
１ アイランド ２ 半導体チップ ３ リード ４ ボンディングワイヤ ５ メッシュ状金属板 ６ 樹脂 ７ 金属板 ８ 保護膜
Claims (4)
- 【請求項１】 アイランド上に搭載した半導体チップ
と、前記アイランドの周囲に配置して前記半導体チップ
と電気的に接続したリードと、前記アイランドの上方お
よび下方から被せて前記リードの接地ピンおよび前記ア
イランドの吊りピンと接続して固定した籠形のメッシュ
状金属板と、前記半導体チップおよび前記メッシュ状金
属板とを含んで封止した樹脂体とを有することを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 メッシュ状金属板がアイランドの裏面に
接合された請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 メッシュ状金属板が４２合金からなる請
求項１または請求項２記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 アイランド上に半導体チップをマウント
し前記アイランドの周囲に配置したリードと前記半導体
チップとの間をボンディングワイヤで電気的に接続する
工程と、籠形に成型したメッシュ状金属板を前記アイラ
ンドの上方および下方からそれぞれ被せて前記リードの
接地ピンおよび前記アイランドの吊りピンに接続して固
定する工程と、前記メッシュ状金属板の網目を通して樹
脂を注入し前記半導体チップを封止すると同時に前記メ
ッシュ状金属板の全面を前記樹脂で封止する工程とを含
むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6110652A JPH07321254A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6110652A JPH07321254A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321254A true JPH07321254A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14541098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6110652A Pending JPH07321254A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07321254A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010069478A (ko) * | 2001-03-27 | 2001-07-25 | 김영선 | 금속 봉합된 플라스틱 패캐지(피피엠에스) |
| JP2005275407A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Agilent Technol Inc | 一体型にインサート成形された光ファイバトランシーバの電磁障害シールド |
| EP1608026A2 (de) * | 2004-06-18 | 2005-12-21 | Infineon Technologies Fiber Optics GmbH | Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung |
| WO2006126441A1 (ja) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品用パッケージ、このパッケージを使用した電子部品、および電子部品用パッケージの製造方法 |
| JP2008124510A (ja) * | 2008-02-12 | 2008-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| CN106960801A (zh) * | 2015-10-07 | 2017-07-18 | 飞思卡尔半导体公司 | 使用应力缓冲器封装集成电路装置的方法 |
| WO2020202556A1 (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-05-25 JP JP6110652A patent/JPH07321254A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010069478A (ko) * | 2001-03-27 | 2001-07-25 | 김영선 | 금속 봉합된 플라스틱 패캐지(피피엠에스) |
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| JP4624150B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2011-02-02 | アバゴ・テクノロジーズ・ファイバー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 一体型にインサート成形された光ファイバトランシーバの電磁障害シールド |
| EP1608026A2 (de) * | 2004-06-18 | 2005-12-21 | Infineon Technologies Fiber Optics GmbH | Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung |
| US7713783B2 (en) | 2005-05-26 | 2010-05-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component package, electronic component using the package, and method for manufacturing electronic component package |
| EP1885171A1 (en) * | 2005-05-26 | 2008-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Package for electronic component, electronic component using such package, and method for producing package for electronic component |
| EP1885171A4 (en) * | 2005-05-26 | 2010-11-03 | Murata Manufacturing Co | HOUSING FOR AN ELECTRONIC COMPONENT, ELECTRONIC COMPONENT COMPRISING SUCH A HOUSING AND METHOD FOR MANUFACTURING A HOUSING FOR AN ELECTRONIC COMPONENT |
| WO2006126441A1 (ja) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品用パッケージ、このパッケージを使用した電子部品、および電子部品用パッケージの製造方法 |
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| WO2020202556A1 (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN113614907A (zh) * | 2019-04-05 | 2021-11-05 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及其制造方法 |
| JPWO2020202556A1 (ja) * | 2019-04-05 | 2021-12-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN113614907B (zh) * | 2019-04-05 | 2024-10-01 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及其制造方法 |
| US12113029B2 (en) | 2019-04-05 | 2024-10-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970128 |