JPH0494560A - 半導体装置 - Google Patents
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-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置、特に、プラスチック製パッケー
ジに関して、シールディングによる、放射ノイズ、静電
気対策に関するものである。
ジに関して、シールディングによる、放射ノイズ、静電
気対策に関するものである。
本発明は、プラスチック製パッケージの樹脂部を金属で
おおい、その金属とＧＮＤピンを接続することにより、
シールド効果を高め放射ノイズ、静電気による半導体装
置の誤動作等を防止し、半導体装置の動作の安定化を図
ったものである。
おおい、その金属とＧＮＤピンを接続することにより、
シールド効果を高め放射ノイズ、静電気による半導体装
置の誤動作等を防止し、半導体装置の動作の安定化を図
ったものである。
従来のプラスチックパッケージ構造は、第２図のような
構造をしていて、半導体チップ１とポンディングワイヤ
ー２、リードフレーム４の全てがプラスチックモールド
剤５で保持されている。
構造をしていて、半導体チップ１とポンディングワイヤ
ー２、リードフレーム４の全てがプラスチックモールド
剤５で保持されている。
しかし、従来の第２図のような構造では、グラスチック
が周囲にさらされているため、放射ノイズ、電磁波を透
過してしまう。そのため、機器等外部から発生する電磁
波、ノイズ等を受は半導体チップの内部回路に影響を与
え、誤動作を起こすという問題がある。
が周囲にさらされているため、放射ノイズ、電磁波を透
過してしまう。そのため、機器等外部から発生する電磁
波、ノイズ等を受は半導体チップの内部回路に影響を与
え、誤動作を起こすという問題がある。
本発明は、この様な問題点を解決するもので、その目的
とするところは、パッケージ樹脂部に金属をメッキし、
その金属とＧＮＤ端子を固着するという簡、拳な工程に
よって、シールド性を高め、ノイズ、静電気による誤動
作、機能不良を防止することである。
とするところは、パッケージ樹脂部に金属をメッキし、
その金属とＧＮＤ端子を固着するという簡、拳な工程に
よって、シールド性を高め、ノイズ、静電気による誤動
作、機能不良を防止することである。
本発明の半導体装置は、プラスチックパッケージ樹脂部
に金属をメッキし、その金属とＧ Ｎ Ｄ ＩＪ−ドフ
レーム端子を固着することを特徴とする。
に金属をメッキし、その金属とＧ Ｎ Ｄ ＩＪ−ドフ
レーム端子を固着することを特徴とする。
樹脂周辺に金属をメッキしその金属と半導体チップのＧ
ＮＤ端子を固着するため、パッケージ表面と半導体チッ
プが一体化し、外部からのノイズ、電磁波あるいは静電
気のエネルギーを吸収したり、反射させて、内部の半導
体チップへ伝わるのを緩和させることができる。
ＮＤ端子を固着するため、パッケージ表面と半導体チッ
プが一体化し、外部からのノイズ、電磁波あるいは静電
気のエネルギーを吸収したり、反射させて、内部の半導
体チップへ伝わるのを緩和させることができる。
このため、ノイズ、電磁波、静電気等による誤動作等を
防ぐことができ、半導体装置の動作の安定化を図れる。
防ぐことができ、半導体装置の動作の安定化を図れる。
以下、本発明を実施例にもとづき説明していく。第１図
Ｃｈ）は本発明の断面図であって、１は半導体チップ、
２はボンディングワイヤー ３はプラスチックモールド
樹脂、４はリードフレーム５は金属メッキ、６はＧＮＤ
端子のリードフレームである。
Ｃｈ）は本発明の断面図であって、１は半導体チップ、
２はボンディングワイヤー ３はプラスチックモールド
樹脂、４はリードフレーム５は金属メッキ、６はＧＮＤ
端子のリードフレームである。
以下、詳細は工程を追いながら説明していく。
従来のトランスファーモールド成形により、第２図（ｂ
）のようなプラスチックパッケージを形成する。
）のようなプラスチックパッケージを形成する。
次に、第１図のようにシールド効果のある金属を金属メ
ッキ５により形成する。
ッキ５により形成する。
その際、Ｇ１１Ｄピンのリードフレームの一部モメッキ
して、樹脂周辺の金属と一体化になるようにする。
して、樹脂周辺の金属と一体化になるようにする。
尚、本実施例では、金属メッキを挙けたが、塗布、蒸着
、スパッタリング等でコーティングする等でも同様の効
果が得られる。
、スパッタリング等でコーティングする等でも同様の効
果が得られる。
本発明の効果は、プラスチックパッケージ樹脂部とＧＮ
Ｄピンを固着し一体化することにより、シールド効果が
得られ放射ノイズ、静電気の対策になる。又工程も従来
の工程に、金属メッキ工程を追加するだけであり簡略で
あるため、半導体装置の品質、信頼性が向上する。
Ｄピンを固着し一体化することにより、シールド効果が
得られ放射ノイズ、静電気の対策になる。又工程も従来
の工程に、金属メッキ工程を追加するだけであり簡略で
あるため、半導体装置の品質、信頼性が向上する。
第１図（α）は、本発明忙よる半導体装置の上面図。
第１図Ｃｂ）は、本発明による半導体装置の断面図゛。
第２図（α）は、従来の半導体装置の上面図。
第２図Ｃｂ）は、従来の半導体装置の断面図。
１・・・・・・・・・半導体チップ
２・・・・・・・・・ボンディングワイヤー３・・・・
・・・・・プラスチックモールド樹脂４・・・・・・・
・・リードフレーム ５・・・・・・・・・金属メッキ ６・・・・・・・・・ＧＮＤ端子のリードフレーム以上
・・・・・プラスチックモールド樹脂４・・・・・・・
・・リードフレーム ５・・・・・・・・・金属メッキ ６・・・・・・・・・ＧＮＤ端子のリードフレーム以上
Claims (1)
- プラスチック製パッケージにおいて、パッケージ周囲に
金属をメッキした構造。前記、金属の一端とＧＮＤピン
のリードフレームを固着することを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21320990A JPH0494560A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21320990A JPH0494560A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494560A true JPH0494560A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16635349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21320990A Pending JPH0494560A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0494560A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635754A (en) * | 1994-04-01 | 1997-06-03 | Space Electronics, Inc. | Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages |
| US5679975A (en) * | 1995-12-18 | 1997-10-21 | Integrated Device Technology, Inc. | Conductive encapsulating shield for an integrated circuit |
| WO1998023128A2 (en) * | 1996-11-21 | 1998-05-28 | Knowles Electronics, Inc. | Miniature silicon condenser microphone |
| KR19990001668A (ko) * | 1997-06-17 | 1999-01-15 | 윤종용 | 전자파 차폐형 반도체 패키지 |
| JP2001083174A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ |
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| US6262362B1 (en) | 1994-04-01 | 2001-07-17 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules |
| US6368899B1 (en) | 2000-03-08 | 2002-04-09 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Electronic device packaging |
| US6455864B1 (en) | 1994-04-01 | 2002-09-24 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Methods and compositions for ionizing radiation shielding |
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| US7382043B2 (en) | 2002-09-25 | 2008-06-03 | Maxwell Technologies, Inc. | Method and apparatus for shielding an integrated circuit from radiation |
| US7696610B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-04-13 | Maxwell Technologies, Inc. | Apparatus for shielding integrated circuit devices |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP21320990A patent/JPH0494560A/ja active Pending
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