JPH03171652A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03171652A JPH03171652A JP31026689A JP31026689A JPH03171652A JP H03171652 A JPH03171652 A JP H03171652A JP 31026689 A JP31026689 A JP 31026689A JP 31026689 A JP31026689 A JP 31026689A JP H03171652 A JPH03171652 A JP H03171652A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野】
本発明は、半導体装置．特に、プラスチック製パッケー
ジに関して、放熱性を高めること．同時にシールディン
グによる，ノイズ、静電気対策に関する６のである． 〔発明の概要〕 本発明は、プラスチック製パッケージの樹脂部を熱伝導
率の高い金属でおおうことにより、熱、ノイズ、及び静
電気による半導体装置の誤動作等を防止し、半導体装置
の動作の安定化を図ったものである。
ジに関して、放熱性を高めること．同時にシールディン
グによる，ノイズ、静電気対策に関する６のである． 〔発明の概要〕 本発明は、プラスチック製パッケージの樹脂部を熱伝導
率の高い金属でおおうことにより、熱、ノイズ、及び静
電気による半導体装置の誤動作等を防止し、半導体装置
の動作の安定化を図ったものである。
［従来の技術１
従来のプラスチックパッケージ構造は、第２図のような
構造をしていて、半導体チップｌとボンディングワイヤ
ー２、リードフレーム４の全てがプラスチックモールド
剤３で保持されている．〔発明が解決しようとする課題
１ しかし、従来の第２図ａのような構造では、パッケージ
構成剤の熱伝導率がセラミック製パッケージや金属製パ
ッケージに比べて小さいため熱抵抗が高くなり放熱性が
悪くなる．特に、電力の大きい半導体チップを搭載した
場合は、影響大であるため、大電力用パッケージとして
は向かない．本発明は，この様な問題点を解決するもの
で，その目的とするところは、パッケージ樹脂部に金属
をメッキするという簡単な工程によって、熱抵抗を小さ
くすることを提供するととちに、シールド性を高め、ノ
イズ、静電気による誤動作、機能不良を防止することで
ある． 〔課題を解決するための手段１ 本発明の半導体装置は、プラスチックパッケージ樹脂部
に金属メッキすることを特徴とする．〔作 用〕 樹脂部に熱伝導性の高い金属をメッキするため半導体チ
ップから発生した熱は、この金属膜表面から半導体装置
の周辺に放熱される．６つ一方は、従来構造の通りリー
ドフレームを通って半導体装置の周辺に放熱される． このためパッケージの熱抵抗をきわめて小さくすること
ができる．又本発明の構造では、プラスチックモールド
樹脂が金属でおおわれているためシールドの役割をして
、ノイズ、静電気の対策になる． 〔実 施 例］ 以下、本発明を実施例に６とづいて説明していく．第１
図は本発明の断面図であって、ｌは、半導体チップ、２
はボンディングワイヤー、３はプラスチックモールド樹
脂、４はリードフレーム、５は金属メッキである． 以下、詳細は工程を追いながら説明していく．従来のト
ランスファーモールド成形により、図２のようなプラス
チックパッケージを形成する．次に、第１図のように熱
伝導率のよい金属を金属メッキ５により形成する． 尚、本実施例では、金属メッキを挙げたが、塗布、蒸着
、スパッタリング等でコーティングする等でも同様の効
果が得られる． ［発明の効果］ 本発明の効果は、プラスチックパッケージ樹脂部に金属
メッキすることにより、パッケージ熱抵抗を小さくする
とともにシールド効果が得られ放射ノイズ、静電気の対
策になる．又工程ら従来の工程に金属メッキ工程を追加
するだけであり簡単であるため、半導体装置の信頼性が
向上する．
構造をしていて、半導体チップｌとボンディングワイヤ
ー２、リードフレーム４の全てがプラスチックモールド
剤３で保持されている．〔発明が解決しようとする課題
１ しかし、従来の第２図ａのような構造では、パッケージ
構成剤の熱伝導率がセラミック製パッケージや金属製パ
ッケージに比べて小さいため熱抵抗が高くなり放熱性が
悪くなる．特に、電力の大きい半導体チップを搭載した
場合は、影響大であるため、大電力用パッケージとして
は向かない．本発明は，この様な問題点を解決するもの
で，その目的とするところは、パッケージ樹脂部に金属
をメッキするという簡単な工程によって、熱抵抗を小さ
くすることを提供するととちに、シールド性を高め、ノ
イズ、静電気による誤動作、機能不良を防止することで
ある． 〔課題を解決するための手段１ 本発明の半導体装置は、プラスチックパッケージ樹脂部
に金属メッキすることを特徴とする．〔作 用〕 樹脂部に熱伝導性の高い金属をメッキするため半導体チ
ップから発生した熱は、この金属膜表面から半導体装置
の周辺に放熱される．６つ一方は、従来構造の通りリー
ドフレームを通って半導体装置の周辺に放熱される． このためパッケージの熱抵抗をきわめて小さくすること
ができる．又本発明の構造では、プラスチックモールド
樹脂が金属でおおわれているためシールドの役割をして
、ノイズ、静電気の対策になる． 〔実 施 例］ 以下、本発明を実施例に６とづいて説明していく．第１
図は本発明の断面図であって、ｌは、半導体チップ、２
はボンディングワイヤー、３はプラスチックモールド樹
脂、４はリードフレーム、５は金属メッキである． 以下、詳細は工程を追いながら説明していく．従来のト
ランスファーモールド成形により、図２のようなプラス
チックパッケージを形成する．次に、第１図のように熱
伝導率のよい金属を金属メッキ５により形成する． 尚、本実施例では、金属メッキを挙げたが、塗布、蒸着
、スパッタリング等でコーティングする等でも同様の効
果が得られる． ［発明の効果］ 本発明の効果は、プラスチックパッケージ樹脂部に金属
メッキすることにより、パッケージ熱抵抗を小さくする
とともにシールド効果が得られ放射ノイズ、静電気の対
策になる．又工程ら従来の工程に金属メッキ工程を追加
するだけであり簡単であるため、半導体装置の信頼性が
向上する．
第１図は本発明による半導体装置の断面図．第２図は従
来の半導体装置の断面図． ・半導体チップ ・ボンディングワイヤー ・プラスチックモールド樹脂 ・リードフレーム剤 ・金属メッキ 以
来の半導体装置の断面図． ・半導体チップ ・ボンディングワイヤー ・プラスチックモールド樹脂 ・リードフレーム剤 ・金属メッキ 以
Claims (1)
- プラスチック製パッケージにおいて、パッケージ周囲に
熱伝導率の高い金属をメッキした構造を特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31026689A JPH03171652A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31026689A JPH03171652A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03171652A true JPH03171652A (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=18003170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31026689A Pending JPH03171652A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03171652A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03256347A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5355016A (en) * | 1993-05-03 | 1994-10-11 | Motorola, Inc. | Shielded EPROM package |
| US5543664A (en) * | 1990-08-01 | 1996-08-06 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit package |
| US5668406A (en) * | 1994-05-31 | 1997-09-16 | Nec Corporation | Semiconductor device having shielding structure made of electrically conductive paste |
| US5679975A (en) * | 1995-12-18 | 1997-10-21 | Integrated Device Technology, Inc. | Conductive encapsulating shield for an integrated circuit |
| JP2003023126A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2006245553A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-09-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 |
| WO2014064806A1 (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US8884424B2 (en) | 2010-01-13 | 2014-11-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof |
| US9349611B2 (en) | 2010-03-22 | 2016-05-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
| US9406658B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Embedded component device and manufacturing methods thereof |
| WO2018043129A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュールおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-11-29 JP JP31026689A patent/JPH03171652A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03256347A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5543664A (en) * | 1990-08-01 | 1996-08-06 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit package |
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| JP2006245553A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-09-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 |
| JP4743764B2 (ja) * | 2005-02-02 | 2011-08-10 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
| US8884424B2 (en) | 2010-01-13 | 2014-11-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof |
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| US9349611B2 (en) | 2010-03-22 | 2016-05-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
| US9406658B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Embedded component device and manufacturing methods thereof |
| WO2014064806A1 (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US9601408B2 (en) | 2012-10-25 | 2017-03-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| WO2018043129A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュールおよびその製造方法 |
| JPWO2018043129A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2019-06-24 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュールおよびその製造方法 |
| US10930573B2 (en) | 2016-08-31 | 2021-02-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Circuit module and manufacturing method therefor |
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