JP6494723B2 - 半導体パッケージ - Google Patents

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Description

この発明は、電磁波を遮蔽する機能を有する半導体パッケージに関するものである。
ICチップ等の電子部品を内蔵する半導体パッケージとして様々な構造のものが用いられている。このうち、ICチップを固定し半導体パッケージの内部配線として使われる薄板の金属であるリードフレームを用いた半導体パッケージ(QFN(Quad Flat No Lead)パッケージ等)が広く用いられている。
QFNパッケージ等の半導体パッケージは、リードフレームを構成するダイパッドにICチップを銀ペースト又ははんだ等で接着する。そして、リードフレームを構成する端子と、ICチップとを、金ワイヤ又はアルミワイヤで電気的に接続する。その後、ICチップ及びワイヤを、湿気、ほこり、外部からの応力から守るために、エポキシ樹脂等で封止する。以上の工程により、半導体パッケージが製造される。これらの半導体パッケージは、安価であり、また、ICチップで発生した熱の放熱性に優れるという利点がある。
一方、電子機器には、電子部品間の不要な電磁的干渉を抑え、誤動作を防ぐことが求められている。上述した半導体パッケージでは、ICチップに入力又は出力される信号の一部が、端子及びワイヤから電磁波として放射される。ここで、ICチップはエポキシ樹脂等で覆われているが、金属等の導電性部材で覆われていないため、電磁波が半導体パッケージの外部に放射される。この電磁波が複数の半導体パッケージ間で干渉し合うと、電子機器の誤動作の原因となる。
パッケージ内部で発生する電磁波を遮蔽することが可能な半導体パッケージとして、例えば特許文献1に記載の構成がある。これは、表面が導電性材料で覆われたセラミック又は金属のキャップを用いてICチップを覆い、キャップの側面に取付けられたフィン及びねじを介して、キャップを放熱板に取付けた半導体パッケージである。この半導体パッケージでは、キャップ、フィン、ねじ及び放熱板が金属等の導電性部材で構成され、且つ電気的に接続されているため、電磁波の遮蔽が可能となる。
また、例えば特許文献2のように、リードフレームの代わりにプリント基板上にICチップを実装し、ワイヤボンド及び樹脂モールドを施した後、モールド樹脂の表面を電磁波遮蔽膜でコーティングする構造もある。
特開2003−31987号公報 特開2009−290217号公報
しかしながら、特許文献1に示される構成では、セラミックキャップが高価である。また、キャップの側面にフィン及びねじを取付けるスペースが必要であり、半導体パッケージのサイズが大きくなるという課題がある。
また、特許文献2に示される構成では、プリント基板上にICチップを実装しているため、リードフレーム上に実装する場合に比べて放熱性が悪いという課題がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、従来構成に対して小型及び低価格で放熱性がよく、且つ電磁波を遮蔽することができる半導体パッケージを提供することを目的としている。
この発明に係る半導体パッケージは、電子部品と、電子部品を固定するダイパッド、及び内部配線である複数の端子を有する金属薄板と、電子部品と端子とを接続するワイヤと、電子部品及びワイヤを封止するモールド樹脂とを備えた半導体パッケージにおいて、金属薄板は、パッケージ面において端子を囲むように離散的に配置され、接地可能な複数の第2の端子を有し、モールド樹脂を覆い、第2の端子に当接して電気的に接続された導電性部材を備え、第2の端子は側面がモールド樹脂で覆われたものである。
この発明によれば、上記のように構成したので、従来構成に対して小型及び低価格で放熱性がよく、且つ電磁波を遮蔽することができる。
この発明の実施の形態1に係る半導体パッケージの構成を示す断面図である。 この発明の実施の形態1に係る半導体パッケージの製造工程を示す図である。 この発明の実施の形態1に係る半導体パッケージの別の製造工程を示す図である。 この発明の実施の形態2に係る半導体パッケージの構成を示す断面図である。 この発明の実施の形態3に係る半導体パッケージの構成を示す断面図である。 この発明の実施の形態3に係る半導体パッケージの製造工程を示す図である。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1に係る半導体パッケージの構成を示す断面図である。
半導体パッケージは、薄板の金属であるリードフレームを用い、ICチップ(電子部品)1を内蔵したものである。リードフレームは、図1に示すように、ICチップ1を固定するダイパッド2と、半導体パッケージの内部配線である端子3とを有している。ICチップ1はダイパッド2の上面に配置されている。なお、ダイパッド2は、ICチップ1を固定する用途の他、放熱にも用いられる。
端子3は、パッケージ面において、ダイパッド2を囲むように配置された端子である。この端子3は、信号又は電源の入出力に用いる端子である。図1では、2つの端子3a,3bを示している。この端子3の底面は外部に露出しており、半導体パッケージが実装されるプリント基板(不図示)上の信号端子又は電源端子に接続可能に構成されている。また、端子3のその他の面はモールド樹脂6で覆われている。なお、信号端子又は電源端子を多く必要とする場合等には、この端子3を2周以上で構成してもよい。
また、リードフレームは、パッケージ面において、端子3を囲むように配置された端子(第2の端子)4も有している。この端子4は、島状に離散的に配置されていてもよいし、一続きに繋がっていてもよい。図1の例では、2つの端子4a,4bを示している。この端子4の底面は外部に露出しており、上記プリント基板上のグランド端子に接続可能(接地可能)に構成されている。また、端子4の外側の側面(図1の例では、端子4aの左側面、端子4bの右側面)は、外部に露出又は導体膜(導電性部材)7に当接している。また、端子4のその他の面はモールド樹脂6で覆われている。
また、ICチップ1上の端子と端子3とは、ワイヤ5により電気的に接続されている。また、ICチップ1及びワイヤ5は、湿気、ほこり、外部からの応力から守るため、モールド樹脂6により封止されている。
また、モールド樹脂6は、導体膜7により覆われている。図1の例では、導体膜7は、モールド樹脂6の上面及び側面、及び端子4の外側の側面を覆っている。また、導体膜7と端子4は電気的に接続されている。
次に、上記のように構成される半導体パッケージの製造工程について、図2を参照しながら簡単に説明する。
半導体パッケージの製造工程では、まず、リードフレーム材から、エッチング等により、ダイパッド2、当該ダイパッド2を囲む端子3、及び当該端子3を囲む端子4を、所定間隔で複数作成する。この際、図2(a)に示すように、隣接する半導体パッケージの端子4部分については、それぞれの端子4を一体で構成する。
次に、ダイパッド2の上面に、ICチップ1を配置して、銀ペースト又ははんだ等で接着する。そして、端子3とICチップ1上の端子とをワイヤ5で接続する。その後、モールド樹脂6によりリードフレーム材上を覆うことで、ICチップ1及びワイヤ5を封止する。これにより、図2(a)に示すような複数連なったパッケージが得られる。
その後、隣接する半導体パッケージの端子4部分を切断して、図2(b)に示すように個片化する。その後、図2(c)に示すように、それぞれの半導体パッケージを、導体膜7で覆う。
図2では、複数連なったパッケージを個片化した後に導体膜7で覆う場合について示した。それに対して、図3に示すように、導体膜7で覆った後に個片化するようにしてもよい。
すなわち、図3(a)に示すような複数連なったパッケージに対し、図3(b)に示すように、隣接する半導体パッケージの端子4部分を途中まで切断する。そして、図3(c)に示すように、それぞれの半導体パッケージを、導体膜7で覆う。そして、隣接する半導体パッケージの端子4部分を完全に切断して、図3(d)に示すように個片化する。
なお、導体膜7の形成には、導電性部材のめっき、噴霧、塗布、又は導電性フィルムの接着等、さまざまな方法が適用可能である。
その後、半導体パッケージは、例えばプリント基板にリフロー実装され、ダイパッド2及び端子3,4はそれぞれ、プリント基板上に形成された端子と接続される。すなわち、ダイパッド2はプリント基板上の放熱用端子と接続され、端子3はプリント基板上の信号端子又は電源端子と接続され、端子4はプリント基板上のグランド端子と接続される。
次に、上記のように構成された半導体パッケージの動作について説明する。
図1に示す半導体パッケージの動作では、一方の端子3aから信号が入力され、ワイヤ5を介してICチップ1に入力される。このICチップ1に入力された信号は、ICチップ1内で所定の動作を行った後、ワイヤ5を介して他方の端子3bから出力される。一方、半導体パッケージに入力された信号の一部は、端子3及びワイヤ5等から電磁波として放射される。
しかしながら、図1に示す半導体パッケージでは、端子4と導体膜7が電気的に接続され、この端子4が不図示のプリント基板上のグランド端子と接続されている。そのため、ICチップ1、ワイヤ5及び端子3が、接地された端子4及び導体膜7で覆われている。よって、端子3及びワイヤ5等から放射される電磁波は、半導体パッケージの外部には漏洩しない。同様に、半導体パッケージの外部に存在する電磁波は、半導体パッケージの内部には侵入しない。
また、ICチップ1で発生した熱は、ダイパッド2を介して放熱される。ここで、本発明の半導体パッケージでは、ダイパッド2がリードフレーム材(金属)で構成されているため、放熱性に優れている。
また、本発明では、従来構成のようにセラミックキャップを用いず、リードフレームを用いているため、半導体パッケージを安価に構成することができる。また、本発明の半導体パッケージをプリント基板等に実装する際に従来構成のようなフィン及びねじ等が不要なため、従来構成に対して半導体パッケージのサイズを小型化することができる。
以上のように、この実施の形態1によれば、リードフレームが、端子3を囲むように配置され、接地可能な端子4を有し、また、モールド樹脂6を覆い、端子4に電気的に接続された導体膜7を設けたので、従来構成に対して小型、低価格で放熱性がよく、且つ電磁波を遮蔽することができる。
実施の形態2.
図4はこの発明の実施の形態2に係る半導体パッケージの構成を示す断面図である。この図4に示す実施の形態2に係る半導体パッケージは、図1に示す実施の形態1に係る半導体パッケージの端子4を端子(第2の端子)8に変更したものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
端子8は、端子3を囲むように配置された端子である。この端子8は、島状に離散的に配置されていてもよいし、一続きに繋がっていてもよい。図4の例では、2つの端子8a,8bを示している。この端子8の底面は外部に露出しており、上記プリント基板上のグランド端子に接続可能(接地可能)に構成されている。また、端子8の上面は、導体膜7に当接している。また、端子8のその他の面はモールド樹脂6で覆われている。すなわち、この端子8は、実施の形態1の端子4とは異なり、パッケージ面に対して水平方向の面(外側の側面)が、導体膜7と当接していない。
なお、導体膜7は、モールド樹脂6の上面及び側面及び端子8の上面を覆うよう構成されている。そして、導体膜7と端子8は電気的に接続されている。なお、端子8が一続きに繋がっている場合には、導体膜7はモールド樹脂6の側面には形成されていなくてもよい。
図4に示す構成においても、半導体パッケージに入力された信号の一部は、端子3及びワイヤ5等から電磁波として放射される。
しかしながら、図4に示す半導体パッケージでは、端子8と導体膜7が電気的に接続され、この端子8が不図示のプリント基板上のグランド端子と接続されている。そのため、ICチップ1、ワイヤ5及び端子3が、接地された端子8及び導体膜7で覆われている。よって、端子3及びワイヤ5等から放射される電磁波は、半導体パッケージの外部には漏洩しない。同様に、半導体パッケージの外部に存在する電磁波は、半導体パッケージの内部には侵入しない。
以上のように、この実施の形態2によれば、端子4に代えて、パッケージ面に対して水平方向の面が導体膜7と当接していない端子8を用いても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
また、実施の形態1では、導体膜7で覆う前の状態において、端子4が半導体パッケージの側面に露出した構造である。そのため、図2,3に示すように、半導体パッケージを個片化する際に端子4部分を切断する必要があった。このように、端子4を切断する場合、切断面にバリが生じたり、切断に用いるブレードの摩耗が早くなるという課題が生じる。
それに対して、実施の形態2では、導体膜7で覆う前の状態において、端子8が半導体パッケージの側面には露出しない構造である。そのため、半導体パッケージを個片化する際にモールド樹脂6を切断することになるため、切断面のバリをなくし、ブレードの摩耗が発生しにくくなるといった効果がある。
実施の形態3.
図5はこの発明の実施の形態3に係る半導体パッケージの構成を示す断面図である。この図5に示す実施の形態3に係る半導体パッケージは、図1に示す実施の形態1に係る半導体パッケージの端子4を端子(第2の端子)9に変更し、接続部材10を追加したものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
端子9は、端子3を囲むように配置された端子である。この端子9は、島状に離散的に配置されていてもよいし、一続きに繋がっていてもよい。図5の例では、2つの端子9a,9bを示している。この端子9の底面は外部に露出しており、上記プリント基板上のグランド端子に接続可能(接地可能)に構成されている。また、端子9のその他の面はモールド樹脂6で覆われている。すなわち、この端子9は、実施の形態1の端子4とは異なり、パッケージ面に対して水平方向の面(外側の側面)が、導体膜7と当接していない。
なお、導体膜7は、モールド樹脂6の上面及び側面を覆うよう構成されている。
接続部材10は、端子9と導体膜7とを電気的に接続するものである。接続部材10としては、ワイヤ、又は細線であるワイヤよりも幅の広いリボン(金リボン又はアルミリボン等)等を用いる。
図5に示す構成においても、半導体パッケージに入力された信号の一部は、端子3及びワイヤ5等から電磁波として放射される。
しかしながら、図5に示す半導体パッケージでは、端子9と導体膜7が接続部材10を介して電気的に接続され、この端子9が不図示のプリント基板上のグランド端子と接続されている。そのため、ICチップ1、ワイヤ5及び端子3が、接地された端子9及び導体膜7で覆われている。よって、端子3及びワイヤ5等から放射される電磁波は、半導体パッケージの外部には漏洩しない。同様に、半導体パッケージの外部に存在する電磁波は、半導体パッケージの内部には侵入しない。
以上のように、この実施の形態3によれば、端子4に代えて、パッケージ面に対して水平方向の面が導体膜7と当接していない端子9を用い、端子9と導体膜7とを電気的に接続する接続部材10を設けても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
また、実施の形態3では、導体膜7で覆う前の状態において、端子9が半導体パッケージの側面には露出しない構造である。そのため、図6に示すように半導体パッケージを個片化する際には、モールド樹脂6及び接続部材10を切断することになる。よって、切断面のバリをなくし、ブレードの摩耗が発生しにくくなるといった効果がある。
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
この発明に係る半導体パッケージは、従来構成に対して小型及び低価格で放熱性がよく、且つ電磁波を遮蔽することができ、電磁波を遮蔽する機能を有する半導体パッケージ等に用いるのに適している。
1 ICチップ(電子部品)、2 ダイパッド、3 端子、4,8,9 端子(第2の端子)、5 ワイヤ、6 モールド樹脂、7 導体膜(導電性部材)、10 接続部材。

Claims (2)

  1. 電子部品と、前記電子部品を固定するダイパッド、及び内部配線である複数の端子を有する金属薄板と、前記電子部品と前記端子とを接続するワイヤと、前記電子部品及び前記ワイヤを封止するモールド樹脂とを備えた半導体パッケージにおいて、
    前記金属薄板は、パッケージ面において前記端子を囲むように離散的に配置され、接地可能な複数の第2の端子を有し、
    前記モールド樹脂を覆い、前記第2の端子に当接して電気的に接続された導電性部材を備え
    前記第2の端子は側面が前記モールド樹脂で覆われた
    ことを特徴とする半導体パッケージ。
  2. 電子部品と、前記電子部品を固定するダイパッド、及び内部配線である複数の端子を有する金属薄板と、前記電子部品と前記端子とを接続するワイヤと、前記電子部品及び前記ワイヤを封止するモールド樹脂とを備えた半導体パッケージにおいて、
    前記金属薄板は、パッケージ面において前記端子を囲むように離散的に配置され、接地可能な複数の第2の端子を有し、
    前記モールド樹脂を覆い、前記第2の端子に当接して電気的に接続された導電性部材を備え
    前記第2の端子は、側面上部が前記導電性部材に当接し、側面下部に前記導電性部材のない切断面を有し、
    前記導電性部材は、断面形状が台形状に構成された
    ことを特徴とする半導体パッケージ。
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