JPH0323255A - ムライト系焼結体及びその製造方法 - Google Patents
ムライト系焼結体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0323255A JPH0323255A JP1158737A JP15873789A JPH0323255A JP H0323255 A JPH0323255 A JP H0323255A JP 1158737 A JP1158737 A JP 1158737A JP 15873789 A JP15873789 A JP 15873789A JP H0323255 A JPH0323255 A JP H0323255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mullite
- sintered body
- raw material
- based sintered
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 71
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 21
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002734 clay mineral Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 abstract description 2
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 abstract 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000020985 whole grains Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 4
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 2
- 101100215647 Aspergillus flavus (strain ATCC 200026 / FGSC A1120 / IAM 13836 / NRRL 3357 / JCM 12722 / SRRC 167) aflR gene Proteins 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 229910052622 kaolinite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はムライト系焼結体及びその製造方法に係り、特
に高温強度等の特性に優れ、しかも安価に提供されるム
ライト系焼結体及びその製造方法に関する. [従来の技術] ムライトはAfL2 03とSiO2からなり、化学組
成は理論的には3Aj220a 2SiO2であり、
その特性としては、耐熱性に優れ、特にクリープ特性が
良好である.また、熱衝撃特性は良好であるが電気的特
性はあまり良くない.ムライトセラミックスはオールド
セラ主ツクスに属し、その研究の歴史は永く、原料とし
ては、アルミナ源としてカオリン、バイヤーアルミナ、
シリカ源として珪石が主に用いられている.。最近では
、天然ムライトを改質することにより、合成ムライト並
の物性を出すことができるようになったが、この研究の
主体はムライト組成中のSi02相の析出及びガラス化
の防止であり、原料の調製や焼結条件などを検討したも
のである. 一方、ファインセラ主ツクス技術を用いた高純度ムライ
トという理論組成の素材もあり、これは金属アルコキシ
ドから理論組成となるように共沈法で製造したものであ
る. しかして、これらの原料を目的に合わせて混合し、焼結
したものがムライト系セラミックス材料といわれ、ムラ
イト系セラミックスはアル主ナセラミックスと同様、高
温強度が比較的大きく、天然原料を用いたものは安価な
素材であることから、炉材、サヤ、セッター材、耐熱材
、構造材等、主に耐火材料として用いられてきた.[発
明が解決しようとするill!!)従来のムライトセラ
ミックスのうち、天然ムライトを改質したものでは、長
期間の使用や高温使用時に、もともと入っているA 1
2 0 x −SiO2ボンディングが分解し、Si
O=がムライト粒界にガラス相として析出する.このた
め、強度が著しく低下し、連続的な使用や繰り返しの使
用に難があった. アルコシキド法による高純度ムライトは、上記欠点を解
決するために開発されたものであるが、高純度ムライト
は高温強度、耐久性等に大きな改善効果を有するものの
、価格が高いために従来より用いられている耐熱材料等
の工業材料の分野で使用するにはコスト的じ不利であっ
た.本発明は上記従来の問題点を解決し、高温強度等の
特性に優れ、かつ安価に堤供されるムライト系焼結体及
びその製造方法を提供することを目的とする. [課題を解決するための手段] 請求項(1)のムライト系焼結体は、StC及びムライ
トよりなり、SiC含有量がムライトに対して5〜40
重量%であって、ムライト粒径が10〜100μmであ
ることを特徴とする。
に高温強度等の特性に優れ、しかも安価に提供されるム
ライト系焼結体及びその製造方法に関する. [従来の技術] ムライトはAfL2 03とSiO2からなり、化学組
成は理論的には3Aj220a 2SiO2であり、
その特性としては、耐熱性に優れ、特にクリープ特性が
良好である.また、熱衝撃特性は良好であるが電気的特
性はあまり良くない.ムライトセラミックスはオールド
セラ主ツクスに属し、その研究の歴史は永く、原料とし
ては、アルミナ源としてカオリン、バイヤーアルミナ、
シリカ源として珪石が主に用いられている.。最近では
、天然ムライトを改質することにより、合成ムライト並
の物性を出すことができるようになったが、この研究の
主体はムライト組成中のSi02相の析出及びガラス化
の防止であり、原料の調製や焼結条件などを検討したも
のである. 一方、ファインセラ主ツクス技術を用いた高純度ムライ
トという理論組成の素材もあり、これは金属アルコキシ
ドから理論組成となるように共沈法で製造したものであ
る. しかして、これらの原料を目的に合わせて混合し、焼結
したものがムライト系セラミックス材料といわれ、ムラ
イト系セラミックスはアル主ナセラミックスと同様、高
温強度が比較的大きく、天然原料を用いたものは安価な
素材であることから、炉材、サヤ、セッター材、耐熱材
、構造材等、主に耐火材料として用いられてきた.[発
明が解決しようとするill!!)従来のムライトセラ
ミックスのうち、天然ムライトを改質したものでは、長
期間の使用や高温使用時に、もともと入っているA 1
2 0 x −SiO2ボンディングが分解し、Si
O=がムライト粒界にガラス相として析出する.このた
め、強度が著しく低下し、連続的な使用や繰り返しの使
用に難があった. アルコシキド法による高純度ムライトは、上記欠点を解
決するために開発されたものであるが、高純度ムライト
は高温強度、耐久性等に大きな改善効果を有するものの
、価格が高いために従来より用いられている耐熱材料等
の工業材料の分野で使用するにはコスト的じ不利であっ
た.本発明は上記従来の問題点を解決し、高温強度等の
特性に優れ、かつ安価に堤供されるムライト系焼結体及
びその製造方法を提供することを目的とする. [課題を解決するための手段] 請求項(1)のムライト系焼結体は、StC及びムライ
トよりなり、SiC含有量がムライトに対して5〜40
重量%であって、ムライト粒径が10〜100μmであ
ることを特徴とする。
請求項(2)のムライト系焼結体の製造方法は、精製粘
土鉱物、バイヤーアルミナ及び珪石よりなる群から選ば
れる少なくとも2 flを主原料として、Ai20s
/S i 02の組成比がムライト生戒範囲となるよう
に調合し、該調合原料を90%以上が粒径5μm以下と
なるように湿式粉砕した後、粒径50μm以下のStC
を前記調合原料(対して5〜40重量%添加混合し、次
いで、得られた混合物を乾燥、解砕し、その後、有機賀
バインダーを用いて成形し、成形体を1 600℃以上
の温度で1時間以上焼成することを特徴とする. 即ち、本発明は、原料として従来より用いられている安
価な原料を用い、物性改良の手段として、特定のセラミ
ックス粒子を第2相としてムライト結晶内又は粒界面に
分散させることにより高強度化を図り、高純度合成ムラ
イト並の特性を有する材料を提供するものである. 以下に本発明を詳細に説明する. 請求項(1)のムライト系焼結体は、ムライトに対して
5〜40!!量%のSiCを含有するものである,Si
Cの含有量がムライトに対してSIi量%未満では本発
明による強度の改善効果が得られず、40重量%を超え
るとS五〇の量が多くなり過ぎて、ムライト系焼結体と
しての特性が損なわれる.従って、本発明においては,
SiC含有量はムライトに対して5〜40重量%とする
.特に、SiC含有量がムライトに対して10〜30重
量%であると、とりわけ高強度なムライト系焼結体を得
ることができる。
土鉱物、バイヤーアルミナ及び珪石よりなる群から選ば
れる少なくとも2 flを主原料として、Ai20s
/S i 02の組成比がムライト生戒範囲となるよう
に調合し、該調合原料を90%以上が粒径5μm以下と
なるように湿式粉砕した後、粒径50μm以下のStC
を前記調合原料(対して5〜40重量%添加混合し、次
いで、得られた混合物を乾燥、解砕し、その後、有機賀
バインダーを用いて成形し、成形体を1 600℃以上
の温度で1時間以上焼成することを特徴とする. 即ち、本発明は、原料として従来より用いられている安
価な原料を用い、物性改良の手段として、特定のセラミ
ックス粒子を第2相としてムライト結晶内又は粒界面に
分散させることにより高強度化を図り、高純度合成ムラ
イト並の特性を有する材料を提供するものである. 以下に本発明を詳細に説明する. 請求項(1)のムライト系焼結体は、ムライトに対して
5〜40!!量%のSiCを含有するものである,Si
Cの含有量がムライトに対してSIi量%未満では本発
明による強度の改善効果が得られず、40重量%を超え
るとS五〇の量が多くなり過ぎて、ムライト系焼結体と
しての特性が損なわれる.従って、本発明においては,
SiC含有量はムライトに対して5〜40重量%とする
.特に、SiC含有量がムライトに対して10〜30重
量%であると、とりわけ高強度なムライト系焼結体を得
ることができる。
請求項(1)のムライト系焼結体中のムライト結晶は、
粒径が100μmの範囲のものである。
粒径が100μmの範囲のものである。
ムライト結晶の粒径が100ttmよりも大きいと得ら
れるムライト系焼結体の曲げ強度が低下し、また10μ
mよりも小さいとSiC粒子をムライト結晶内又は粒界
面に取り込み難くなる。従って、ムライト結晶の粒径は
10〜100μm、好ましくは10〜50μmとする. 一方、ムライト結晶又は粒界面に取り込まれてムライト
系焼結体内に含有されているSiC粒子の粒径が微細過
ぎると表面活性が生じ、SiC自身の表面酸化が起きる
.また、ムライトと均一に混合することが難しい.逆に
SiC粒子の粒径が大き過ぎるとムライト結晶粒界にの
みSiCが存在するようになり、粒界クラック発生の原
因となる.従って、本発明において、SiC粒子の粒径
は50μm以下、特に10μm以下、とりわけ3〜10
μmであることが好ましい。
れるムライト系焼結体の曲げ強度が低下し、また10μ
mよりも小さいとSiC粒子をムライト結晶内又は粒界
面に取り込み難くなる。従って、ムライト結晶の粒径は
10〜100μm、好ましくは10〜50μmとする. 一方、ムライト結晶又は粒界面に取り込まれてムライト
系焼結体内に含有されているSiC粒子の粒径が微細過
ぎると表面活性が生じ、SiC自身の表面酸化が起きる
.また、ムライトと均一に混合することが難しい.逆に
SiC粒子の粒径が大き過ぎるとムライト結晶粒界にの
みSiCが存在するようになり、粒界クラック発生の原
因となる.従って、本発明において、SiC粒子の粒径
は50μm以下、特に10μm以下、とりわけ3〜10
μmであることが好ましい。
なお、ムライト系焼結体中のムライトはその組成が理論
組成のA℃2 0 3 / S i O 2 =3/2
(モル比) 即ち71.8/28.2(Il量%)であ
ることが好ましい。ムライト組成のAILz 03が理
論組成よりも多過ぎるとAIL20x中にムライト結晶
が分散した形となり十分な強度が得られない.逆に、ム
ライト組成のSiO2が理論組成よりも多過ぎると、ム
ライト中に!!頗シリカ相がガラス相となって生成し、
十分な高温強度が得られない.従って、ムライト系焼結
体中のムライトは、理論組成Af203/Sj02=3
/2(モル比)にできるだけ近い組成であることが好ま
しい。
組成のA℃2 0 3 / S i O 2 =3/2
(モル比) 即ち71.8/28.2(Il量%)であ
ることが好ましい。ムライト組成のAILz 03が理
論組成よりも多過ぎるとAIL20x中にムライト結晶
が分散した形となり十分な強度が得られない.逆に、ム
ライト組成のSiO2が理論組成よりも多過ぎると、ム
ライト中に!!頗シリカ相がガラス相となって生成し、
十分な高温強度が得られない.従って、ムライト系焼結
体中のムライトは、理論組成Af203/Sj02=3
/2(モル比)にできるだけ近い組成であることが好ま
しい。
このような請求項(1)のムライト系焼結体は請求項(
2)の方法により容易かつ効率的に低コストにて製造す
ることができる. 以下に請求項(2)のムライト系焼結体の製造方法につ
いて説明する。
2)の方法により容易かつ効率的に低コストにて製造す
ることができる. 以下に請求項(2)のムライト系焼結体の製造方法につ
いて説明する。
請求項(2)の方法においては、まず、原料として精製
粘土鉱物、バイヤーアルミナ、又は珪石(シリカ)を用
い、A It 2 0 3/ S i O 2組成比が
ムライト生成範囲、好ましくはAJ22 0il /S
iO2−3/2(モル比)となるように調合する.この
場合、特に原料としては精製カオリンとバイヤーアルミ
ナ、或いは、バイヤーアルミナと珪石を用いるのが好ま
しい。これらの原料はその所要量をボールミル、又はア
トライター等によりアルコール等を用いて90%以上が
粒径5μm以下となるように湿式粉砕する.次に、得ら
れた粉砕物に粒径50μm以下、好ましくは10μm以
下、特に3〜10μmのSiCを該粉砕物に対して5〜
40重量%、好ましくは10〜30重量%添加し、更に
ボールミル等で混合する。
粘土鉱物、バイヤーアルミナ、又は珪石(シリカ)を用
い、A It 2 0 3/ S i O 2組成比が
ムライト生成範囲、好ましくはAJ22 0il /S
iO2−3/2(モル比)となるように調合する.この
場合、特に原料としては精製カオリンとバイヤーアルミ
ナ、或いは、バイヤーアルミナと珪石を用いるのが好ま
しい。これらの原料はその所要量をボールミル、又はア
トライター等によりアルコール等を用いて90%以上が
粒径5μm以下となるように湿式粉砕する.次に、得ら
れた粉砕物に粒径50μm以下、好ましくは10μm以
下、特に3〜10μmのSiCを該粉砕物に対して5〜
40重量%、好ましくは10〜30重量%添加し、更に
ボールミル等で混合する。
得られた混合物は乾燥、解砕した後、ポリビニルアルコ
ール(PVA)等の有機質バインダーを用いて威形する
.成形は3 0 0 k g f / c rn’以上
での加圧戒形後、1 0 0 0 k g f / c
rn”以上での静水圧プレス成形による2段成形で行
なうのが好ましい. 得られた成形体はホットプレス又は常圧焼結により焼成
し、ムライト系焼結体を得る。この場合、昇温速度は5
0〜200℃/ h rとするのが好ましく、焼成温度
は1600℃以上、好ましくは1 600〜1650℃
とし、焼成時間は1時間以上、好ましくは1〜3時間と
するのが好ましい。なお、ホットプレスを採用する場合
、圧力は3 0 0 〜6 0 0 k g/crn’
程度とするのが好ましい. 【作用] 一般に、精製カオリン、バイヤーアルミナ又は珪石等の
原料を用いて、これをボールミル等で微粉砕して混合し
ても、原子レベルで理論組成に混合することは不可能で
あり、焼結により拡散させるためには長時間を必要とす
る. これに対して、ムライト組成中に第2相としてSiC粒
子を5〜40重量%添加すると、ボールミル等による粉
砕混合でも、通常の成形、焼成Cより高温強度に優れた
ムライト系焼結体が得られる. このSiC添加による高温強度改善の機構の詳細は明ら
かではないが、ムライト結晶内又は粒界面(取り込まれ
たSiC粒子がムライト中のSi02のガラス相への移
動をブロックしているため、更には、SiC粒子がムラ
イト結晶粒内や結晶粒界へ分散し、ムライト結晶の成長
を抑制しているためと考えられる。
ール(PVA)等の有機質バインダーを用いて威形する
.成形は3 0 0 k g f / c rn’以上
での加圧戒形後、1 0 0 0 k g f / c
rn”以上での静水圧プレス成形による2段成形で行
なうのが好ましい. 得られた成形体はホットプレス又は常圧焼結により焼成
し、ムライト系焼結体を得る。この場合、昇温速度は5
0〜200℃/ h rとするのが好ましく、焼成温度
は1600℃以上、好ましくは1 600〜1650℃
とし、焼成時間は1時間以上、好ましくは1〜3時間と
するのが好ましい。なお、ホットプレスを採用する場合
、圧力は3 0 0 〜6 0 0 k g/crn’
程度とするのが好ましい. 【作用] 一般に、精製カオリン、バイヤーアルミナ又は珪石等の
原料を用いて、これをボールミル等で微粉砕して混合し
ても、原子レベルで理論組成に混合することは不可能で
あり、焼結により拡散させるためには長時間を必要とす
る. これに対して、ムライト組成中に第2相としてSiC粒
子を5〜40重量%添加すると、ボールミル等による粉
砕混合でも、通常の成形、焼成Cより高温強度に優れた
ムライト系焼結体が得られる. このSiC添加による高温強度改善の機構の詳細は明ら
かではないが、ムライト結晶内又は粒界面(取り込まれ
たSiC粒子がムライト中のSi02のガラス相への移
動をブロックしているため、更には、SiC粒子がムラ
イト結晶粒内や結晶粒界へ分散し、ムライト結晶の成長
を抑制しているためと考えられる。
[実施例]
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明する. 実施例1,2、比較例l 精製したカオリナイトに組成がAII.203/S i
O 2 = 3 / 2 (モル比)となるようにア
ルミナを添加し、ボールミル(Zr02ボール)により
アルコールを用いて48時間湿式粉砕した。なお、この
場合、メディア攪拌型粉砕$jl(アトライター)を用
いると1〜2時間で処理することが可能である.原料を
90%以上が粒径5μm以下となるように粉砕した後、
これにSiC粉末(昭和電工社製:平均粒径5μm)を
第1表に示す量添加し(比較例1は添加せず)、更にボ
ールミルで5時間混合した.これを乾燥、解砕した後、
有機質バインダー(PVA)を5重量%添加して十分に
混練した. 混練物をプレス成形により50mmφX5mmに5 0
0 k g / c rn”で成形した後、ラバープ
レスにより1500kg/cm’で更に加圧して生形体
を得た.この生形体を焼結してムライト系焼結体を得た
。なお、焼結はホットプレスを用い、昇温速度は150
℃/ h rとし、3 0 0 k g / c m’
にて1600℃で1時間行なった. 得られたムライト系焼結体の諸特性を第1表に示す. 第 1 表 第1表より所定量のSiCを添加したムライト系焼結体
により、常温から1300℃といった高温まで安定して
著しく高い強度が得られることが明らかである. [発明の効果] 以上詳述した通り、本発明のムライト系焼結体は、安価
な原料を用いて低コストに提供されるものであり、しか
も、高温強度、耐久性等の特性に著しく優れる.従って
、本発明のムライト系焼結体は、工業用耐火材料等とし
て、長期にわたり極めて有効に使用することができる。
説明する. 実施例1,2、比較例l 精製したカオリナイトに組成がAII.203/S i
O 2 = 3 / 2 (モル比)となるようにア
ルミナを添加し、ボールミル(Zr02ボール)により
アルコールを用いて48時間湿式粉砕した。なお、この
場合、メディア攪拌型粉砕$jl(アトライター)を用
いると1〜2時間で処理することが可能である.原料を
90%以上が粒径5μm以下となるように粉砕した後、
これにSiC粉末(昭和電工社製:平均粒径5μm)を
第1表に示す量添加し(比較例1は添加せず)、更にボ
ールミルで5時間混合した.これを乾燥、解砕した後、
有機質バインダー(PVA)を5重量%添加して十分に
混練した. 混練物をプレス成形により50mmφX5mmに5 0
0 k g / c rn”で成形した後、ラバープ
レスにより1500kg/cm’で更に加圧して生形体
を得た.この生形体を焼結してムライト系焼結体を得た
。なお、焼結はホットプレスを用い、昇温速度は150
℃/ h rとし、3 0 0 k g / c m’
にて1600℃で1時間行なった. 得られたムライト系焼結体の諸特性を第1表に示す. 第 1 表 第1表より所定量のSiCを添加したムライト系焼結体
により、常温から1300℃といった高温まで安定して
著しく高い強度が得られることが明らかである. [発明の効果] 以上詳述した通り、本発明のムライト系焼結体は、安価
な原料を用いて低コストに提供されるものであり、しか
も、高温強度、耐久性等の特性に著しく優れる.従って
、本発明のムライト系焼結体は、工業用耐火材料等とし
て、長期にわたり極めて有効に使用することができる。
Claims (2)
- (1)SiC及びムライトよりなり、SiC含有量がム
ライトに対して5〜40重量%であって、ムライト粒径
が10〜100μmであることを特徴とするムライト系
焼結体。 - (2)精製粘土鉱物、バイヤーアルミナ及び珪石よりな
る群から選ばれる少なくとも2種を主原料として、Al
_2O_3/SiO_2の組成比がムライト生成範囲と
なるように調合し、該調合原料を90%以上が粒径5μ
m以下となるように湿式粉砕した後、粒径50μm以下
のSiCを前記調合原料に対して5〜40重量%添加混
合し、次いで、得られた混合物を乾燥、解砕し、その後
、有機質バインダーを用いて成形し、成形体を1600
℃以上の温度で1時間以上焼成することを特徴とするム
ライト系焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1158737A JPH0323255A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | ムライト系焼結体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1158737A JPH0323255A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | ムライト系焼結体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0323255A true JPH0323255A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15678235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1158737A Pending JPH0323255A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | ムライト系焼結体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0323255A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008196568A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Nok Corp | ウォーターポンプ用密封装置 |
-
1989
- 1989-06-21 JP JP1158737A patent/JPH0323255A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008196568A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Nok Corp | ウォーターポンプ用密封装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0388765A (ja) | 寸法調節セラミック | |
US3758318A (en) | Production of mullite refractory | |
JPS5924751B2 (ja) | 焼結成形体 | |
JPH09502689A (ja) | 白色陶磁器セラミック組成物 | |
JPH0218309B2 (ja) | ||
JPS6054976A (ja) | 窒化珪素焼結体 | |
US4774209A (en) | Mullite ceramic whisker composite article exhibiting high-temperature strength | |
JPH0288452A (ja) | 耐熱性無機質成形体 | |
JPH0240277B2 (ja) | ||
JPH0323255A (ja) | ムライト系焼結体及びその製造方法 | |
JPS63195163A (ja) | ウイスカ強化ムライトセラミック製品の製造方法 | |
JP3034808B2 (ja) | 耐熱衝撃性セラミックスおよびその製造方法 | |
JPH0383851A (ja) | ムライト系焼結体及びその製造方法 | |
US3979214A (en) | Sintered alumina body | |
JP2525432B2 (ja) | 常圧焼結窒化硼素系成形体 | |
JPH0383852A (ja) | ムライト系焼結体及びその製造方法 | |
JPH0365554A (ja) | ムライト系焼結体及びその製造方法 | |
JP2586151B2 (ja) | アルミナ・シリカ系焼結体及びその製造方法 | |
JP2586153B2 (ja) | アルミナ・シリカ系焼結体及びその製造方法 | |
JPH03131566A (ja) | ムライト質焼結体及びその製造方法 | |
JPH03131564A (ja) | ムライト質焼結体及びその製造方法 | |
JPH03131565A (ja) | ムライト質焼結体及びその製造方法 | |
JPH0365555A (ja) | ムライト系焼結体及びその製造方法 | |
JPH0446058A (ja) | アルミナ・シリカ系焼結体及びその製造方法 | |
JPS60141671A (ja) | ジルコニア焼結体の製造方法 |