JPH0383852A - ムライト系焼結体及びその製造方法 - Google Patents
ムライト系焼結体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0383852A JPH0383852A JP1219943A JP21994389A JPH0383852A JP H0383852 A JPH0383852 A JP H0383852A JP 1219943 A JP1219943 A JP 1219943A JP 21994389 A JP21994389 A JP 21994389A JP H0383852 A JPH0383852 A JP H0383852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mullite
- based sintered
- aln
- sintered compact
- raw materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 79
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002734 clay mineral Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000004131 Bayer process Methods 0.000 abstract 1
- 239000011044 quartzite Substances 0.000 abstract 1
- 239000011369 resultant mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 4
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 229910052622 kaolinite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明はムライト系焼結体及びその製造方法に係り、特
に高温強度等の特性は優れ、しかも安価に提供されるム
ライト系焼結体及びその製造方法に関する。
に高温強度等の特性は優れ、しかも安価に提供されるム
ライト系焼結体及びその製造方法に関する。
[従来の技術]
ムライトはAl2O3と5to2からなり、化学組成は
理論的には3Aj220a −2S i○2であり、そ
の特性としては、耐熱性に優れ、特にクリープ特性が良
好である。また、熱衝撃特性は良好であるが電気的特性
はあまり良くない。
理論的には3Aj220a −2S i○2であり、そ
の特性としては、耐熱性に優れ、特にクリープ特性が良
好である。また、熱衝撃特性は良好であるが電気的特性
はあまり良くない。
ムライトセラ主ツクスはオールドセラミックスに属し、
その研究の歴史は永く、原料としては、アルミナ源とし
てカオリン、バイヤーアルくす、水酸化アルくニウム、
シリカ源ヒして珪石が主に用いられている。最近では、
天然ムライトを改質することにより、合成ムライト並の
物性を出すことができるようになったが、この研究の主
体はムライト組成中のSiO2相の析出及びガラス化の
防止であり、゛原料の調製や焼結条件などを検討したも
のである。
その研究の歴史は永く、原料としては、アルミナ源とし
てカオリン、バイヤーアルくす、水酸化アルくニウム、
シリカ源ヒして珪石が主に用いられている。最近では、
天然ムライトを改質することにより、合成ムライト並の
物性を出すことができるようになったが、この研究の主
体はムライト組成中のSiO2相の析出及びガラス化の
防止であり、゛原料の調製や焼結条件などを検討したも
のである。
一方、ファインセラ主ツクス技術を用いた高純度ムライ
トという理論組成の素材もあり、これは金属アルコキシ
ドから理論組成となるように共沈法で製造したものであ
る。
トという理論組成の素材もあり、これは金属アルコキシ
ドから理論組成となるように共沈法で製造したものであ
る。
しかして、これらの原料を目的に合わせて混合し、焼結
したものがムライト系セラよツクス材料といわれ、ムラ
イト系セラくツク又はアルミナセラミックスと同様、高
温強度が比較的大きく、天然原料を用いたものは安価な
素材であることから、炉材、サヤ、セッター材、耐熱材
、構造材等、主に耐火材料として用いられてきた。
したものがムライト系セラよツクス材料といわれ、ムラ
イト系セラくツク又はアルミナセラミックスと同様、高
温強度が比較的大きく、天然原料を用いたものは安価な
素材であることから、炉材、サヤ、セッター材、耐熱材
、構造材等、主に耐火材料として用いられてきた。
[発明が解決しようとする課題]
従来のムライトセラ主ツクスのうち、天然ムライトを改
質したものでは、長期間の使用や高温使用時に、もとも
と入っているAj!z 03−3iO2ボンデイングが
分解し、5102がムライト粒界にガラス相として析出
する。このため、強度が著しく低下し、連続的な使用や
繰り返しの使用に難があった。
質したものでは、長期間の使用や高温使用時に、もとも
と入っているAj!z 03−3iO2ボンデイングが
分解し、5102がムライト粒界にガラス相として析出
する。このため、強度が著しく低下し、連続的な使用や
繰り返しの使用に難があった。
アルコシキト法による高純度ムライト(よ、上記欠点を
解決するために開発されたものであるが、高純度ムライ
トは高温強度、耐久性等に大きな改善効果を有するもの
の、価格が高いために従来より用いられている耐熱材料
等の工業材料の分野で使用するにはコスト的に不利であ
った。
解決するために開発されたものであるが、高純度ムライ
トは高温強度、耐久性等に大きな改善効果を有するもの
の、価格が高いために従来より用いられている耐熱材料
等の工業材料の分野で使用するにはコスト的に不利であ
った。
本発明は上記従来の問題点を解決し、高温強度等の特性
に優れ、かつ安価に提供されるムライト系焼結体及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
に優れ、かつ安価に提供されるムライト系焼結体及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
請求項(1)のムライト系焼結体は、AflN(窒化ア
ルミニウム)及びムライトよりなり、A℃N含有量がム
ライトに対して5〜40重量%であって、ムライト粒径
が10〜100μmであることを特徴とする 請求項(2)のムライト系焼結体の製造方法は、精製粘
土鉱物、バイヤーアルミナ及び珪石よりなる群から選ば
れる少なくとも2fiを主原料として、AJ1203/
SiO2の組成化がムライト生成範囲となるように調合
し、該調合原料を90%以上が粒径5μm以下となるよ
うに湿式粉砕した後、粒径30A1m以下のAλNを前
記調合原料に対して5〜40重量%添加混合し、次いで
、得られた混合物を乾燥、解砕し、その後、有機質バイ
ンダーを用いて底形し、成形体を1600℃以上の温度
で1時間以上焼成することを特徴とする。
ルミニウム)及びムライトよりなり、A℃N含有量がム
ライトに対して5〜40重量%であって、ムライト粒径
が10〜100μmであることを特徴とする 請求項(2)のムライト系焼結体の製造方法は、精製粘
土鉱物、バイヤーアルミナ及び珪石よりなる群から選ば
れる少なくとも2fiを主原料として、AJ1203/
SiO2の組成化がムライト生成範囲となるように調合
し、該調合原料を90%以上が粒径5μm以下となるよ
うに湿式粉砕した後、粒径30A1m以下のAλNを前
記調合原料に対して5〜40重量%添加混合し、次いで
、得られた混合物を乾燥、解砕し、その後、有機質バイ
ンダーを用いて底形し、成形体を1600℃以上の温度
で1時間以上焼成することを特徴とする。
即ち、本発明は、原料として従来より用いられている安
価な原料を用い、物性改良の手段として、特定のセラミ
ックス粒子を第2相としてムライト結晶内又は粒界面に
分散させることにより高強度化を図り、高純度合成ムラ
イト並の特性を有する材料を提供するものである。
価な原料を用い、物性改良の手段として、特定のセラミ
ックス粒子を第2相としてムライト結晶内又は粒界面に
分散させることにより高強度化を図り、高純度合成ムラ
イト並の特性を有する材料を提供するものである。
以下に本発明の詳細な説明する。
請求項(1)のムライト系焼結体は、ムライトに対して
5〜40重量%のAfLNを含有するものである。A、
I2Nの含有量がムライトに対して5重量%未満では本
発明による強度の改善効果が得られず、40重量%を超
えるとA、QNの量が多くなり過ぎて、ムライト系焼結
体としての特性が損なわれる。従って、本発明において
は、AiLN含有量はムライトに対して5〜40重量%
とする。特に、AiN含有量がムライトに対して10〜
20重量%であると、とりわけ高強度なムライト系焼結
体を得ることができる。
5〜40重量%のAfLNを含有するものである。A、
I2Nの含有量がムライトに対して5重量%未満では本
発明による強度の改善効果が得られず、40重量%を超
えるとA、QNの量が多くなり過ぎて、ムライト系焼結
体としての特性が損なわれる。従って、本発明において
は、AiLN含有量はムライトに対して5〜40重量%
とする。特に、AiN含有量がムライトに対して10〜
20重量%であると、とりわけ高強度なムライト系焼結
体を得ることができる。
請求項(1)のムライト系焼結体中のムライト結晶は、
粒径が100μmの範囲のものである。
粒径が100μmの範囲のものである。
ムライト結晶の粒径が100μmよりも大きいと得られ
るムライト系焼結体の曲げ強度が低下し、また10μm
よりも小さいとAlN粒子をムライト結晶内又は粒界面
に取り込み難くなる。従って、ムライト結晶の粒径は1
0〜100μm1好ましくは10〜50μmとする。
るムライト系焼結体の曲げ強度が低下し、また10μm
よりも小さいとAlN粒子をムライト結晶内又は粒界面
に取り込み難くなる。従って、ムライト結晶の粒径は1
0〜100μm1好ましくは10〜50μmとする。
一方、AJlN粒子の粒径が微細過ぎると、ムライトと
均一に混合することが難しい。このため、ムライト結晶
粒内に均一に取り込まれなくなる。
均一に混合することが難しい。このため、ムライト結晶
粒内に均一に取り込まれなくなる。
逆にAlN粒子の粒径が大き過ぎるとムライト結晶粒界
にのみAuNが存在するようになり、粒界クラック発生
の原因となる。従って、本発明において、AlN粒子の
粒径は30μm以下、特に10μm以下、とりわけ3〜
10μmであることが好ましい。
にのみAuNが存在するようになり、粒界クラック発生
の原因となる。従って、本発明において、AlN粒子の
粒径は30μm以下、特に10μm以下、とりわけ3〜
10μmであることが好ましい。
なお、ムライト系焼結体中のムライトはその組成が理論
組成のA 11203 / S L O2冨3/2(モ
ル比)、即ち71.8/28.2(重量%)であること
が好ましい。ムライト組成のAf1203が理論組成よ
りも多過ぎるとAfL2 Os中にムライト結晶が分散
した形となり十分な強度が得られない。逆に、ムライト
組成のSiO2が理論組成よりも多過ぎると、ムライト
中にamシリカ相がガラス相となって生成し、十分な高
温強度が得られない。従って、ムライト系焼結体中のム
ライトは、理論組成AfL20s/5iO2=3/2(
モル比)にできるだけ近い組成であることが好ましい。
組成のA 11203 / S L O2冨3/2(モ
ル比)、即ち71.8/28.2(重量%)であること
が好ましい。ムライト組成のAf1203が理論組成よ
りも多過ぎるとAfL2 Os中にムライト結晶が分散
した形となり十分な強度が得られない。逆に、ムライト
組成のSiO2が理論組成よりも多過ぎると、ムライト
中にamシリカ相がガラス相となって生成し、十分な高
温強度が得られない。従って、ムライト系焼結体中のム
ライトは、理論組成AfL20s/5iO2=3/2(
モル比)にできるだけ近い組成であることが好ましい。
このような請求項(1)のムライト系焼結体は請求項(
2)の方法により容易かつ効率的に低コストにて製造す
ることができる。
2)の方法により容易かつ効率的に低コストにて製造す
ることができる。
以下に請求項(2)のムライト系焼結体の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
請求項(2)の方法においては、まず、原料として精製
粘土鉱物、バイヤーアルミナ、水酸化アルミニウム又は
珪石(シリカ)を用い、Aj220s/SiO2組戊比
がムライト生成範囲、好ましくはA i 203/ S
i O2= 3 / 2(モル比)となるように調合
する。この場合、特に原料としては精製カオリンとバイ
ヤーアルミナ又は水酸化アルよニウム、或いは、バイヤ
ーアル主す又は水酸化アルミニウムと珪石を用いるのが
好ましい。これらの原料はその所要量をボールミル、又
はアトライター等定よりアルコール等を用いて90%以
上が粒径5μm以下となるように湿式粉砕する。次に、
得られた粉砕物に粒径30μm以下、好ましくは10μ
m以下、特に3〜10μmのAuNを該粉砕物に対して
5〜40重量%、好ましくは10〜20!i量%添加し
、更にボールミル等で混合する。
粘土鉱物、バイヤーアルミナ、水酸化アルミニウム又は
珪石(シリカ)を用い、Aj220s/SiO2組戊比
がムライト生成範囲、好ましくはA i 203/ S
i O2= 3 / 2(モル比)となるように調合
する。この場合、特に原料としては精製カオリンとバイ
ヤーアルミナ又は水酸化アルよニウム、或いは、バイヤ
ーアル主す又は水酸化アルミニウムと珪石を用いるのが
好ましい。これらの原料はその所要量をボールミル、又
はアトライター等定よりアルコール等を用いて90%以
上が粒径5μm以下となるように湿式粉砕する。次に、
得られた粉砕物に粒径30μm以下、好ましくは10μ
m以下、特に3〜10μmのAuNを該粉砕物に対して
5〜40重量%、好ましくは10〜20!i量%添加し
、更にボールミル等で混合する。
得られた混合物は乾燥、解砕した後、ポリビニルアルコ
ール(PVA)等の有機質バインダーを用いて成形する
。成形は300 k g f / c m”以上での加
圧成形後、1000 k g f / c m”以上で
の静水圧プレス成形による2段成形で行なうのが好まし
い。
ール(PVA)等の有機質バインダーを用いて成形する
。成形は300 k g f / c m”以上での加
圧成形後、1000 k g f / c m”以上で
の静水圧プレス成形による2段成形で行なうのが好まし
い。
得られた成形体はホットプレス又は常圧焼結により焼成
し、ムライト系焼結体を得る。この場合、昇温速度は5
0〜b 好ましく、焼成温度は1soot以上、好ましくは16
00〜1650℃とし、焼成時間は1時間以上、好まし
くは1〜3時間とするのが好ましい。なお、ホットプレ
スを採用する場合、圧力は300〜600 k g /
cd程度とするのが好ましい。
し、ムライト系焼結体を得る。この場合、昇温速度は5
0〜b 好ましく、焼成温度は1soot以上、好ましくは16
00〜1650℃とし、焼成時間は1時間以上、好まし
くは1〜3時間とするのが好ましい。なお、ホットプレ
スを採用する場合、圧力は300〜600 k g /
cd程度とするのが好ましい。
[作用]
一般に、精製カオリン、バイヤーアルミナ又は珪石等の
原料を用いて、これをボールミル等で微粉砕して混合し
ても、原子レベルで理論組成に混合することは不可能で
あり、焼結により拡散させるためには長時間を必要とす
る。
原料を用いて、これをボールミル等で微粉砕して混合し
ても、原子レベルで理論組成に混合することは不可能で
あり、焼結により拡散させるためには長時間を必要とす
る。
これに対して、ムライト組成中に第2相とじてAiN粒
子を5〜40重量%添加すると、ボールミル等による粉
砕混合でも、通常の成形、焼成により高温強度に優れた
ムライト系焼結体が得られる。
子を5〜40重量%添加すると、ボールミル等による粉
砕混合でも、通常の成形、焼成により高温強度に優れた
ムライト系焼結体が得られる。
このAl1N添加による高温強度改善の機構の詳細は明
らかではないが、ムライ)・結晶内又は粒界面に取り込
まれたAJlN粒子がムライト中の5i02のガラス相
への移動をブロックしているため、更には、AlN粒子
がムライト結晶粒内や結晶粒界へ分散し、ムライト結晶
の成長を抑制しているkめと考えられる。
らかではないが、ムライ)・結晶内又は粒界面に取り込
まれたAJlN粒子がムライト中の5i02のガラス相
への移動をブロックしているため、更には、AlN粒子
がムライト結晶粒内や結晶粒界へ分散し、ムライト結晶
の成長を抑制しているkめと考えられる。
[実施例]
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
実施例!、比較例1
精製したカオリナイトに組成がAl2O3/5i02−
3/2(モル比)となるようにアルミナを添加し、ボー
ルミル(Zr02ボール)によりアルコールを用いて4
8時時間式粉砕した。なお、この場合、メディア攪拌型
粉砕機(アトライター)を用いると1〜2時間で処理す
ることが可能である。原料を90%以上が粒径5μm以
下となるように粉砕した後、これにAlN粉末(電気化
学工業社製)を第1表に示す量添加しく比較例1は添加
せず)、更にボールミルで5時間混合した。
3/2(モル比)となるようにアルミナを添加し、ボー
ルミル(Zr02ボール)によりアルコールを用いて4
8時時間式粉砕した。なお、この場合、メディア攪拌型
粉砕機(アトライター)を用いると1〜2時間で処理す
ることが可能である。原料を90%以上が粒径5μm以
下となるように粉砕した後、これにAlN粉末(電気化
学工業社製)を第1表に示す量添加しく比較例1は添加
せず)、更にボールミルで5時間混合した。
これを乾燥、解砕した後、有機質バインダー(PVA)
を5重量%添加して十分に混練した。
を5重量%添加して十分に混練した。
混練物をブレス底形により50mmφX5mmに500
k g / c rn’で戒心した後、ラバープレス
により1500kg/am’で更に加圧して成形体を得
た。この成形体を焼結してムライト系焼結体を得た。な
お、焼結はホットプレスを用い、昇温速度は150℃/
h rとし、300 k g / c rr? eて
1600℃で1時間行なった。
k g / c rn’で戒心した後、ラバープレス
により1500kg/am’で更に加圧して成形体を得
た。この成形体を焼結してムライト系焼結体を得た。な
お、焼結はホットプレスを用い、昇温速度は150℃/
h rとし、300 k g / c rr? eて
1600℃で1時間行なった。
得られたムライト系焼結体の緒特性を第1表に示す。
第
表
第1表より所定量のAuNを添加したムライト系焼結体
により、常温から1300℃といった高温まで安定して
著しく高い強度が得られることが明らかである。
により、常温から1300℃といった高温まで安定して
著しく高い強度が得られることが明らかである。
[発明の効果]
以上詳述した通り、本発明のムライト系焼結体は、安価
な原料を用いて低コストに提供されるものであり、しか
も、高温強度、耐久性等の特性に著しく優れる。従って
、本発明のムライト系焼結体は、工業用耐火材料等とし
て、長期にわたり極めて有効に使用することができる。
な原料を用いて低コストに提供されるものであり、しか
も、高温強度、耐久性等の特性に著しく優れる。従って
、本発明のムライト系焼結体は、工業用耐火材料等とし
て、長期にわたり極めて有効に使用することができる。
しかして、このような本発明のムライト系焼結体は、本
発明の方法により容易かつ効率的に低コストにて製造す
ることが可能とされる。
発明の方法により容易かつ効率的に低コストにて製造す
ることが可能とされる。
Claims (2)
- (1)AlN及びムライトよりなり、AlN含有量がム
ライトに対して5〜40重量%であって、ムライト粒径
が10〜100μmであることを特徴とするムライト系
焼結体。 - (2)精製粘土鉱物、バイヤーアルミナ及び珪石よりな
る群から選ばれる少なくとも2種を主原料として、Al
_2O_3/SiO_2の組成比がムライト生成範囲と
なるように調合し、該調合原料を90%以上が粒径5μ
m以下となるように湿式粉砕した後、粒径30μm以下
のAlNを前記調合原料に対して5〜40重量%添加混
合し、次いで、得られた混合物を乾燥、解砕し、その後
、有機質バインダーを用いて成形し、成形体を1600
℃以上の温度で1時間以上焼成することを特徴とするム
ライト系焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1219943A JPH0383852A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | ムライト系焼結体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1219943A JPH0383852A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | ムライト系焼結体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0383852A true JPH0383852A (ja) | 1991-04-09 |
Family
ID=16743462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1219943A Pending JPH0383852A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | ムライト系焼結体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0383852A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03112857A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-14 | Kyocera Corp | 複合ムライト質焼結体 |
JP2019073414A (ja) * | 2017-10-16 | 2019-05-16 | イビデン株式会社 | 繊維強化AlN複合材、放熱基板、繊維強化AlN複合材の製造方法 |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP1219943A patent/JPH0383852A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03112857A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-14 | Kyocera Corp | 複合ムライト質焼結体 |
JP2019073414A (ja) * | 2017-10-16 | 2019-05-16 | イビデン株式会社 | 繊維強化AlN複合材、放熱基板、繊維強化AlN複合材の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4506025A (en) | Silica castables | |
US3758318A (en) | Production of mullite refractory | |
JPH0388765A (ja) | 寸法調節セラミック | |
US4774209A (en) | Mullite ceramic whisker composite article exhibiting high-temperature strength | |
JPH0288452A (ja) | 耐熱性無機質成形体 | |
JPH0383852A (ja) | ムライト系焼結体及びその製造方法 | |
JPH0383851A (ja) | ムライト系焼結体及びその製造方法 | |
JP2586151B2 (ja) | アルミナ・シリカ系焼結体及びその製造方法 | |
JP2586153B2 (ja) | アルミナ・シリカ系焼結体及びその製造方法 | |
JPS6360106A (ja) | スピネル粉体およびその製造方法 | |
JPH0365554A (ja) | ムライト系焼結体及びその製造方法 | |
JPH03131566A (ja) | ムライト質焼結体及びその製造方法 | |
JPH0383853A (ja) | ムライト系焼結体及びその製造方法 | |
JPH0323255A (ja) | ムライト系焼結体及びその製造方法 | |
JPH03131564A (ja) | ムライト質焼結体及びその製造方法 | |
JPH0446058A (ja) | アルミナ・シリカ系焼結体及びその製造方法 | |
JP2000159570A (ja) | 緻密なコーディエライト焼結体の製造方法 | |
JPH03131565A (ja) | ムライト質焼結体及びその製造方法 | |
JPH0365555A (ja) | ムライト系焼結体及びその製造方法 | |
JPS6272556A (ja) | 緻密な多結晶MgAl↓2O↓4スピネルの製造方法 | |
JPH03187971A (ja) | アルミナ・シリカ系焼結体及びその製造方法 | |
JPS60141671A (ja) | ジルコニア焼結体の製造方法 | |
JPH03146462A (ja) | ムライト質焼結体及びその製造方法 | |
JPH03146464A (ja) | ムライト質焼結体及びその製造方法 | |
JPH01192761A (ja) | 溶製azs耐火組成物 |