JPH03231889A

JPH03231889A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH03231889A
Application number: JP1178938A
Authority: JP
Inventors: Masato Harigai; 真人針谷; Yukio Ide; 由紀雄井手; Katsuyuki Yamada; 勝幸山田; Hiroko Iwasaki; 岩崎　博子
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1988-07-20
Filing date: 1989-07-13
Publication date: 1991-10-15
Anticipated expiration: 2014-08-30
Also published as: US5011723A; JP2941848B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は光による記録層の相変化を利用して情報の記録
再生及び書き換えを行うための相変化型光情報記録媒体
に関する。

［従来の技術］電磁波特にレーザービームの照射により情報の記録・再
生および消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶
−非晶質相間或いは結晶−結晶相聞の転移を利用する、
いわゆる相変化型記録媒体が良く知られている。特に光
磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバーライ
ドが可能であり、ドライブ側の光学系も、より単純であ
ることなどから最近その研究開発が活発になっている。

電子通信学会論文集ＣＰＭ８７−９０、その代表的な材
料例として、ＵＳＰ　３，５３０．４４１に開示されて
いるようにＧｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−ＴｅＳｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−
３ＳＧｅ−３ｅ−３゜Ｇｅ−５ｅ−３ｂ、Ｇｅ−Ａｓ−
５ｅ、Ｉｎ−Ｔｅ５Ｓｅ−Ｔｅ、５ｅ−Ａｓ等所謂カル
コゲン系合金材料が挙げられる。又、安定性、高速結晶
化等の向上を目的にＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭８ｌ−
２１９６９２）　、Ｓ　ｎ及びＡｕ（特開昭６ｌ−２７
０１９０）　、Ｐ　ｄ　（特開昭６２−１９４９０）等
を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性能向上
を目的にＧｅ−Ｔｅ−３ｅ−Ｓｂの組成比を特定した材
料（特開昭８２−７３４３８）の提案等もなされている
。

しかし、そのいずれもが相変化型書換え可能光メモリー
媒体として要求された諸特性のすべてを満足し得るもの
とはいえない。特に記録感度、消去感度の向上、オーバ
ーライド時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに
記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題と
なっている。

［発明が解決しようとする課題］本発明は従来技術における上記問題点を解消し高速消去
、記録感度、消去感度の向上、記録部の安定性等の特性
を全て満足する新規な相転移性多元化合物を用いたオー
バーライド可能な相変化型光情報記録媒体を提供しよう
とするものである。

［課題を解決するための手段］上記課題を解決するための本発明の構成は基板上に、下
記一般式で示され、かつ、４〜６元系化合物より成り、
その構造がカルコパライト型である記録層を有する相変
化型記録媒体。

一般式％式％ただし、Ｘは周期表第Ｉｂ族に属する元素およびＩＩｂ族に属す
る元素から選ばれた１種以上２種までの元素、Ｙは同じく第ｍｂ族に属する元素および第１Ｖｂ族およ
びＶｂ族に属する元素から選ばれた１種以上２種までの
元素、Ｚは同じく第Ｖｂ族に属する元素および第■ｂ族に属す
る元素から選ばれた１種以上２種までの元素、を表し上記一般式の構成元素は４元素から最高６元素ま
でである。

そしてこの様な多元化合物としての元素の組合せは以下
の一般式で示される。

４元系一般式％式％）））））５元系一般式（１）（Ｉ　ｌ−１、’）　（ＩＩＩ、−・ＩＩＩｙ’
）・■２（２）（Ｉ　ｌ−１、°）（■１−　・Ｖ、）
　　・■２（３）　　１．　　（ｍｌ−・■、°）（Ｖ
Ｉ、、　　・Ｖ［、’）２（４）１．　　　（ＩＩ［Ｉ−・Ｖ、）（ｖｉ、　　−
ｖｒ・°）２（５）（ＩＩ　＋−・　ＩＩ−、）（■＋−・■、゛）
・　ｖ２（６）（ｎ、−・　■　′、）　・■ （Ｖ　＋−・　Ｖ、’）２（７）■　　・　（ＩＶ　＋−・■、゛）（Ｖ　＋−・
　■、　゛）２（８＞（Ｉ　Ｉ−Ｉｌ、　　）　　　　（ＩＩｌ、−・
■、°）・■２（９）（ＩＩ−・　Ｉｌ、）　　・　■
（ＶＩ、、　　・ＶＩ、　　’）２（１０）（Ｉｌ−ｎ、）　　　　（ＩＩＩ、−・ＩＶ、
）・　■２（１１）　（Ｉ　Ｉ−・　Ｉｌ、）　　　　（ＴＶＩ−
・ＩＶｙ）ψ　ｖ２（１２）ＩＩ　　・　（ｍ　＋−・ＩＶ、）（ＶＩ−・
Ｖ　ｚ　’）２（１３）ｎ　　・　（ＩＩＩ　＋−・Ｉ
Ｖ、）（ＶＩ−−・　■、）２６元系一般式％式％））））（３）（ＩＩ、−・　ＩＩ−、）　　　（ＩＶ、−・■
、゛）（ＶＩ−５・　■、　”）２（４）（１＋−・Ｉｌ、）　　　（ＩＩＩ＋−・■゛、
）（■１　、　・ＶＩ、　　’）２（５）（ＩＩ−・　Ｉｌ、）　　　（ＩＶＩ−・ＩＶｙ
）（ＶＩ−０・　Ｖ、’）２（６）（Ｉ　ｌ−Ｉ　、　　°）・　（ＩＩｌ、−・Ｉ
Ｉｘ）（Ｖ［＋−８・　Ｖ［、’）２（７）（１＋−１、’）・　（ｍ、−・■、°）（ＶＩ
−８・　■、）　２（８）（口１−　　・　Ｂ８　゛）・　（ｍ　＋−・ｒ
Ｖ、）（ＶＩ−−・　Ｖ、’）２（９）（Ｉｌ　、−・　■、°）・　（ＩＶ、−・■、
゛）（■１−３　・　■、）２（１０）　（ｎ　ｌ−・　Ｂ１　°）・　（ＩＩＩ　＋
−・ＩＶ、）（■３．−１　・　■、）２（Ｉｌ）　（Ｉ　＋−・　Ｉｌ、）　　　　（ｍ、−・
ＩＶ、）（ＶＩ−−・　■、）２但しＩは周期表Ｉｂ族元素を表し、１′はＩｂ族元素の
Ｉは周期表Ｉｂ族元素を表す。

■はＩｂ族元素、■′はＩＩｂ族元素のＩは周期表Ｉｂ
族元素、■はｍｂ族元素、■′はｍｂ族元素のＩは周期
表Ｉｂ族元素、 ■はＩＶｂ族元素、■−はＩＶｂ族元素のＩは周期表Ｉ
ｂ族元素、ＶはＶｂ族元素、Ｖ゛はＶｂ族元素のＩは周期表Ｉｂ族
元素、 ■は■ｂ族元索、■−はＩＶｂ族元素のＩは周期表Ｉｂ
族元素をそれぞれ示す。更に、０＜ｘ＜１゜０＜ｙ＜１
，０＜ｚ＜１である。

父上記一般式で示される化合物の構造はカルコパライト
型もしくは、これに類似した構造を持つものである。類
似した構造とは、例えばカルコパライト構造において、
その陽イオンの存在すべき位置の格子点がＶａｃａｎｃ
ｙで置きかえられた構造を有するものとか、２種の陽イ
オンのカルコパイライト構造における規則的配置が消失
したもの等である。

又さらに上記一般式で表わされる多元化合物に■ｂ族の
元素を添加することができる。

カルコパイライト構造を有する化合物は一般１：Ｉｂ−
ＤＩｂ−ＶＩｂｚ、ＩＩｂ−ＩＶｂ−Ｖｂ２ノ型で表わ
される。

結晶系は一般に正方品であり光学的異方性が認められ、
これらの性質を効果的に利用できる。

即ち多元系（４元〜６元）にした場合においても請求項
２に記載の一般式をとる形の化合物であれば、カルコパ
イライトもしくはこれに類似した構造をとることが期待
できることと、多元系化合物（４元〜６元）としての物
性の拡大が望める。

すなわち、本発明は上記多元化合物よりなる記録層を設
けたことを構成するものである。

本発明の記録層に用いられる前記一般式の多元化合物は
Ｘｌ又はＹｌ又はＺの各々の元素および元素比をかえる
ことにより融点、結晶化温度、活性化エネルギー、及び
その光学定数等を任意に変化させることが可能である。

すなわち本発明の基礎をなすＩｂｍｂＶＩｂｚ化合物、
あるいはＩＩｂＴＶｂＶｂ２化合物は融点が約５００〜
８００℃前後にあるものが多く、又、そのエネルギーギ
ャップも現在多く使用されている（ＧａＡＩ）Ａｓ系半
導体レーザに対して効率的に吸収可能な範囲にあるため
、感度の向上及び高速消去が期待できる。

本発明はこれら三元系化合物の有する各種物性の幅を多
元素系とすることにより大きく拡大することが期待でき
るため現在相変化型光記録奴体が有する前記問題点を解
消することが可能となる。

又前記一般式の化合物の場合、成膜条件によっては従来
の非晶質−結晶質間の相転移と同時に結晶質−結晶質間
の相転移も可能である。

以上のような本発明の新規な相転移性多元化合物の具体
的な例としては、Ａｇ　（Ｉｎ＋−ｍ　Ｇａｘ　）　Ｔ（！２　、Ａｇ　
（Ｉｎ＋−ｘ＾ｌｘ　）　Ｔｅ２、Ａｇ　（Ｇａ＋−ｘ
＾Ｉｔ　）　Ｔｅ２、Ａｇ　（Ｉｎ＋−ｘ　Ｓｂｘ　）
　Ｔｅ２、八ｇ　（Ｇａ＋−ｘ　Ｓｂｘ　）　Ｔｅ２、
Ａｇ　（ＡＩ２（１０）Ｉｘ　Ｓｂｘ　）　Ｔｅ２、Ａ
ｇ（Ｉｎ＋　ｘ　Ｂｌｘ　）　Ｔｅ２、Ａｇ（Ｇａ＋−
ｘ　Ｂ１．　）　Ｔｅ２、Ａｇ　（＾ｌ＋−ｘ　Ｂｌｘ
　）　Ｔｅｚ　、Ａｇ　（Ｉｎ＋−ｘ　Ｇａｓ　）　Ｓ
ｅｚ、八ｇ　（Ｉｎ＋−ｘ　　ｓｂ、）Ｓｅｚ　　、Ａ
ｇ　　（Ｇａｐ−ｘ　　ｓｂ。

Ａｇ　（Ｉｒ＋＋−ｘ　Ｒｉｍ　）　Ｓｅ２、Ｃｕ　（
Ｉｎ＋−ｘ　Ｇａ５Ｃｕ　　（Ｉｎｌ−ｘ　　ｓｂ、　
　）　　Ｔｅ２　、　Ｃｕ　　（Ｉｎ＋−ｘ　　Ｂｉｇ
Ｃｕ　（Ｉｎ、−、（Ｇａｓ　　）Ｓｅ２　、Ｃｕ　（
Ｉｎ、−ｘ　５ｂｘＺｎ　（Ｓｎ＋−ｙ　　Ｇｅ、）Ｓ
ｂ２　、　（Ｚｎ＋−ｘ　　ＣＬ　　）ＺｎＳｎ　　（
Ｓｂ１−ｒ　　Ｐ　　ｒ　　）　　　２　　、（Ａｇｌ
−ｘ　　Ｃｕ、）（Ｉｎ＋−ｙ　　ｃａ、）Ｔｅ２　、
（Ａｇｌ−ｘ　　Ｃｕ、）（ｌｒ＋＋−ｙ　　Ａｔ、）
Ｔｅ２　、（Ａｇｌ−ｘ　　Ｃｕ、）（Ｉｎｌ−ｙ　　
ｓｂ、）Ｔ（３２、（Ａｌ：＋−ｘ　　Ｃｕｔ　　）（
Ｇａｐ−、Ｓｂ、）Ｔｃ２　、八Ｆ’、（Ｉｎ＋−ｙ　
　Ｇａｙ　　）（Ｓｅ２（１０）Ｉ＋　　Ｔａｎ　　）
２　　、Ａｇ　（Ｉｎ＋−ｙ　　Ｓｂｙ　　）（Ｓｅ２
（１０）Ｉ−Ｔｅｎ　　）　　２　　、（Ｚｎ＋−ｘ　
　ｃｄ、　　）（Ｓｎ＋−ｙ　　Ｇｃ、　　）　　Ｓｂ
２　、（Ｚｒ＋＋−８Ｃｄ、　）Ｓｎ　　（Ｓｂｌ　　
、　Ｐ　、　）　　２　　、Ｚｎ　（Ｓｎ、−、Ｇｃ、
）（Ｓｂｌ−５Ｐ、）　２　、（Ａｌ、＋、ｘ　　Ｚｎ
、　　）（Ｉｎ＋−、Ｇａ、　　）　　Ｔｃ２　、（Ａ
ｇｌ　　ｘ　　Ｚｎｗ　　）　　Ｉｎ　　（Ｓｅｔ　　
、　Ｔｅｎ　　）　　２　　、（八ｇ＋−ｘ　　Ｚｎ、
　　）（Ｓｎ＋−ｒ　　Ｇｅ、　　）　　Ｓｂ２　、Ｚ
ｎ　　（Ｉｎｌ−Ｆ　　Ｓｎｙ　　）（Ｓｂｌ−Ｉ　　
Ｐ　　！　　）　　２　　、（Ａｇｌ−ｍ　　Ｃｕｔ　
　）（ｌｒ＋＋−、Ｇａｙ　　）（Ｓｅ、−Ｉ　　Ｔｅ
ｎ）Ｓｅ２）Ｔｅ２）Ｔｅ２）Ｓｅ２ｎＳｂ　２）　２　、（Ａｇｌ−ｘ　　Ｃｕ、）（ｌｒ＋＋−Ｆ　　Ｓｂｙ　
　）（Ｓｅ２（１０）ＩＩ　　Ｔｅａ　　）　　２　、
（ＺｎＩ−、Ｃｄ、　　）（ｓｎｌ−Ｆ　　Ｇｅｙ　　
）（Ｓｂｌ−＋　　Ｐ　ｒ　　）　　２、（八ｇｌ−＊
　　Ｚｎ＊　　）（Ｉｎｌ−ｙ　　Ｇａｙ　　）（Ｓｅ
２（１０）Ｉｔ　　Ｔｅａ　　）　　２　、（Ａｇｌ−
ｍ　　Ｚｎ、　　）（Ｓｎ＋−ｙ　Ｇｅ、　　）（ｓｂ
＋−＋　　Ｐ　＊　　）　　２　、（Ａｇｌ−ｍ　　Ｃ
ｕｔ　　）（Ｉｎ＋−ｙ　　Ｓｎｙ　　）（Ｓｅ２（１
０）Ｉｚ　Ｔｅａ　　）　　２　、（八ｇｌ−ｘ　Ｃｕ
ｔ　　）（Ｉｎ＋−ｙ　Ｇａｙ　）（ｓｂ＋−、Ｔｅａ
　　）　　２、（Ｚｎ＋−−Ｃｄ−）（Ｉｎｌ−ｙ　　
Ｓｎｙ　　）（Ｓｂｌ−ｇ　　Ｐ　ｇ　　）　　２　、
（Ｚｎ＋−ｘ　Ｃｄ−）（Ｓｒ＋＋−ｙ　Ｇｅｙ　）（
Ｓｂｌ−ｍ　Ｔｅａ　）　２、（Ｚｎ＋−−Ｃｄｍ　　
）（Ｉｎ＋−ｙ　　Ｓｎｙ　　）（Ｓｂｌ−ｍ　　Ｔｅ
ｌ　）　　２　　、（八ｇ＋−ｍ　Ｚｎ＊　）（Ｉｎ＋
−ｙ　Ｓｎｙ　）（ｓｂ＋−＊　Ｔｅｎ　）　２等が挙
げられる。

そしてさらに感度の向上、高速記録、高速消去を行うた
め、添加物として■ｂ族元素を添加することができる。

例えばその様な記録材としてＡｇ　（Ｉｎ１−ｘ　Ｇｅｔ　）　Ｔｅ２　・ＣＩ等が
あげられる。

基板としてはガラス、ポリメチルメタクリレート、ポリ
カーボネート等が使用される。

本発明の光情報記録媒体を作るには所定の組成比のター
ゲットを作製し、スバ・ツタ−法による方法が好適であ
る。又膜の組成ずれを補正するために必要に応じて単元
素のチップを用いる場合もある。

こうして形成された記録層の厚さは通常１００〜１５０
０人、好ましくは２００〜１０００人であるが、基板お
よび保護層等の光学特性を考慮した上で最適膜厚を設計
する必要がある。なお記録層を非晶質状態にするか、或
いは結晶状態にするかは蒸着時の基板温度によって決定
され、常温の場合は非晶質状態となる。又必要に応じて
基板温度をあげることあるいはアニールをほどこすこと
により結晶状態にすることもてきる。

本発明では記録層上に更に保護層を設けることかできる
。保護層の材料としては熱的に安定な窒化ケイ素、窒化
アルミニウム等の窒化物；二酸化ケイ素、二酸化チタン
等の酸化物等が使用される。なお保護層の厚さは通常３
００〜１５００人好ましくは、約１０００人であるが基
板、記録の光学特性を考慮した上で設計する必要がある
。

形成法は記録層の場合と同様、通常スパッタ法が適用さ
れる。

［実施例コ以下に本発明を実施例によって更に詳しく説明する。

実施例１八ｇ２．（Ｉｎ＋５Ｓｂ＋ｏ）　Ｔｅ５ｏの組成を有す
るスパッタ用ターゲットを作製し、直径１３０■、厚み
１．２ｍｍのガラス基板上にスパッタ法により１０００
人厚の記録層を形成した後、保護膜として窒化ケイ素を
１０００人厚同記録スパッタ法で形成した。

得られた記録層は非晶質であるため記録層の初期化（結
晶化）をほどこした。記録層を形成する際、テストピー
スとしてスライドガラス上に同じ膜を形成しておき、こ
の膜から本記録層の光学特性、熱的特性をそれぞれ分光
光度計及びＤＳＣにより測定した。

本記録層の融点は〜６１０℃であり、結晶化温度は〜１
９０℃前後であった。又非晶質と初期化後（結晶化）の
間の反射率変化は２２％程度であった（　７＋ｌＩ定波
長７８０ｎａ）。

これらの値はＩｎとｓｂの組成比をかえることによって
変化することはもちろんである。このことは目的に応じ
て記録感度、消去感度及び記録の長寿命化をはかる為の
自由度が広いことを示している。

次に初期化後の記録媒体を１８（１０ｒｐｍの速度で回
転させながらビーム径を１μｍφ程度に絞った゛Ｆ−導
体レーザー光（発振波長λ−７８０ｎｍ）を照射するこ
とにより、記録、再生及び消去を行った。

なお、記録出力は記録最小パワー１１ｍν、再生出力は
２ｍＷ　、消去出力、消去最小パワーは７ｍＷである。

又この出力／消去条件で３　Ｍ　Ｈｚ記録後、さらに２
ＭＨｚでオーバーライド試験を行った。

その結果、初期記録のＣ／Ｎ比は５３ｄＢでオーバーラ
イド後も５２ｄＢと殆ど変らなかった。又この時の消去
率は３１ｄＢであり消去残りが若干認められるが、充分
使用可能な段階であることが確認された。又１０，００
０回の記録、消去のくり返し実験を行ったが、信号レベ
ルの低下はほとんど認められず、くり返し特性も良好で
あることが確認された。

実施例２Ａｇ２５（Ｉｎ１ｏＧａ＋５）　Ｔｅ５０の組成を有す
るターゲットを作製し、実施例１と同じ方法で光情報記
録媒体を作製した。テストピースにより光学特性、熱特
性をそれぞれ分光光度計及びＤＳＣにより測定した。反
射率変化は蒸着後（非晶質）と初期化後（結晶質）（λ
−７８０ｎｍ）で１８％程度であり、融点は〜７００℃
、結晶化温度は〜１７０℃前後であった。

次に初期化後の記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転
させながらビーム径を　１μｍφ程度に絞った半導体レ
ーザー光（λ−７８０＋＋ｍ）を照射することにより記
録、再生及び消去をおこなっＩこ。なお記録出力は記録
最小パワー１２＋ＩＩＷ、再生出力２ｍ１１、消去出力
最小パワーは８ａ＋νであった。又この出力／消去条件
３Ｍｌ１ｚで記録後さらにに２　Ｍ　Ｉｔ　ｚでオーバ
ーライド実験を行った。

その結果初期記録のＣ／Ｎ比は５０ｄＢ、オーバーライ
ド後も５０ｄＢと良好な値を示した。又この時の消去率
は３０ｄＢであった。

又１０．０００回の記録、消去のくり返し実験を行った
が、信号レベルの低下はほとんど認められなかった。

実施例３（Ａｇ２ｏＣｕ５）（Ｉｎ＋５Ｇａ＋ｏ）　Ｔｅ５０の
組成を有するスパッタ用ターゲットを作製し、直径１３
０ｍ＋＋＋　。

厚さ１．２１のガラス基板上に実施例１．２と同じ方法
により１０００　Ｘ厚の記録層を設けた後、窒化シリコ
ンを保護膜としてＩＯ［ＩＱ人厚形成した。

そして初めにテストピースにより本記録層の光学特性及
び熱特性を実施例１．２と同じく分光光度計及びＤＳＣ
により測定した。反射率変化は蒸着後（非晶質）と初期
化後（結晶質）（λ−７１ｉ０ｎｍ）で１７％程度であ
った。又融点は〜７３０℃、結晶化温度は〜１９０℃前
後であった。

次に本記録層のディスク特性を実施例１．２と同様に測
定した。先ず記録媒体を１８００ｒｐ■の速度で回転さ
せながらビーム径を　１μ■φ程度に絞った半導体レー
ザ光（λ−７８０ｒ＋ａ＋）を照射することにより、記
録、再生及び消去を行った。

なお記録出力は記録最小パワー１３ｍＷ、再生出力２ｍ
Ｗ消去出力は消去最小パワー７ｍ’ｄであった。

又この出力／消去条件で３ＭＨｚ記録後さらに２ＭＨｚ
でオーバライドの実験を行った。

その結果初期記録のＣ／Ｎ比５０ｄＢ、オーバーライド
後も４９ｄＢであった。一方この時の消去率は３０ｄ１
３てあった。

又１０．（Ｉｎ回の記録、消去の繰返し実験を行ったが
、信号レベルの低下はほとんど認められなかった。

実施例４（Ａｇ＋５ＺＩｌ＋ｏ）（Ｉｎ＋ｓＳｎ＋ｏ）（Ｓｂ＋
ｏＴｅ＋ｓ）　２の組成を有するスパッタ用ターゲット
を作製し、直径１３０ＩＩｌｆｆｉ、厚さｌ　、　２１
ｍのガラス基板上に実施例１１２と同じ方法により１０
００λ厚の記録層を設けた後、窒化シリコンを保護膜と
して１０００人厚形記録た。そして初めにテストピース
により本記録層の光学特性及び熱特性を実施例１．２．
３と同じく分光光度計及びＤＳＣにより測定した。

反射率変化は蒸着後（非晶質）と初期化後（結晶質）（
λ−７８０ｒ＋＋ｕ）で２０％程度であった。又融点は
〜５９０℃、結晶化温度は〜１５０℃前後であった。

次に本記録層のディスク特性を実施例１．２と同様に４
１１定した。先ず記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で回
転させながらビーム径を　１μｍφ程度に絞った半導体
レーザ光（λ−７８０ｎｍ）を照射することにより、記
録、再生及び消去を行った。

なお記録出力は記録最小パワー１０１、再生出力２ｍＷ
消去出力は消去最小パワー５ｍＷであった。

又この出力／消去条件３　Ｍ　ＩＩ　ｚで記録後さらに
２　Ｍ　ＩＩ　ｚでオーバライドの実験を行った。

その結果初期記録のＣ／Ｎ比５１ｄ［３，オーバーライ
ド後も４９ｄＢであった。一方この時の消去率は３０ｄ
Ｂであった。

又１０，０００回の記録、消去の繰返し実験を行ったが
、信号レベルの低下はほとんど認められなかった。

実施例５八ｇ２ｓ　（Ｉｎ＋５Ｓｂ＋ｏ）　　（Ｓｅ＋５Ｔｅ３
．）の組成を有するスパッタ用ターゲットを作製し、直
径１３０ｍｍ　。

厚さ１．２■のガラス基板上に実施例１．２と同じ方法
により１０００　Ａ厚の記録層を設けた後、窒化シリコ
ンを保護膜として１０００人厚形記録た。

そして初めにテストピースにより本記録層の光学特性及
び熱特性を実施例１．２．３．４と同じく分光光度計及
びＤＳＣにより４ｐ１定した。反射率変化は蒸着後（非
晶質）と初期化後（結晶質）（λ−７８０ｎｍ）で２０
％程度であった。又融点は〜６３０℃、結晶化温度は〜
１６０℃前後であった。

次に本記録層のディスク特性を実施例１．２と同様に測
定した。先ず記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転さ
せながらビーム径を１■１ｍφ程度に絞った半導体レー
ザ光（λ−７８０ｎｏ＋）を照射することにより、記録
、再生及び消去を行った。

なお記録出力は記録最小パワー１１１ｍＷ、再生出力は
２ｍＷ消去出力、消去最小パワーはＧｒａＷであった。

又この出力／消去条件で３Ｍｔｌｚで記録後、さらにオ
ーバーライドの実験を行った。

その結果初期記録のＣ／Ｎ比５２ｄＢ、オーバーライド
後も５１ｄＢであった。一方この時の消去率は３１ｄＢ
であった。

実施例６（Ｚｎ＋、Ｃｄ＋ｏ）　５ｎ２５（Ｓｂ＋、Ｐ　＋ｏ）
の組成を有するスパッタ用ターゲットを作製し、実施例
１と同じ方法で記録層を形成し、同じ方法で性質をイー
１定した。

本記録層の融点は〜５１０℃であり、結晶化温度は〜１
５０℃前後であった。又非晶質と初期化後（結晶化）の
間の反射率変化は１８％程度であった（測定波長７ｇ０
ｎ１１）。

これらの値はＺｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｐの組成比をかえるこ
とによって変化することはもちろんである。このことは
目的に応じて記録感度、消去感度及び記録の長寿命化を
はかる為の自由度が広いことを示している。

次に初期化後の記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転
させながらビーム径を１μｍφ程度に絞った半導体レー
ザー光（発振波長λ−７８０ｒｖ）を照射することによ
り、記録、再生及び消去を行った。

なお、記録出力は記録最小パワー８　ｍ　Ｗ、再生出力
は２１ＩＩＷ、消去出力、消去最小パワーは５１ＩＷで
ある。又この出力／消去条件で記録後、さらに２Ｍ　ｆ
ｉｚてオーバーライド試験を行った。

その結果、初期記録のＣ／Ｎ比は５１ｄＢでオーバーラ
イド後も５０ｄＢと殆ど変らなかった。又この時の消去
率は３１ｄＢであり消去残りが若干認められるが、充分
使用可能な段階であることが確認された。又１０．００
０回の記録、消去の（り返し実験を行ったが、信号レベ
ルの低下はほとんど認められず、くり返し特性も良好で
あることが確認された。

実施例７Ｚｎ２５　（Ｉｎ＋ｏＳｎ＋５）（Ｓｂｓｏ）の組成を
有するターゲットを作製し、実施例１と同じ方法で光情
報記録媒体を作製した。テストピースにより光学特性、
熱特性をそれぞれ分光光度計及びＤＳＣによりＡＰＪ定
した。反射率変化は蒸着後（非晶質）と初期化後（結晶
質）（λ−７８０ｎｍ）で１８％程度であり、融点は〜
５３０℃、結晶化温度は〜１３５℃前後であった。

次に初期化後の記録媒体を１８０Ｏｒｐｍの速度で回転
させながらビーム径を１μ■φ程度に絞った半導体レー
ザー光（λ−７８Ｏｎ１１）を照射することにより記録
、再生及び消去をおこなった。なお記録出力は記録最小
パワー９ｍＷ、再生出力２ｍν、消去出力最小パワーは
５ｍＷであった。又この出ツノ／消去条件で記録後さら
にに２Ｍｌ１ｚでオーバーライド実験を行った。

その結果初期記録のＣ／Ｎ比は５２ｄＢ、オーバーライ
ド後も５０ｄ１３と良好な値を示した。又この時の消去
率は３０ｄＢであった。

実施例８Ａｇ２５（Ｉｎ＋、Ｓｂ＋ｏ）　Ｔｅ５ｏに塩素を１１
００ＰＰ添加した組成を有するスパッタ用ターゲットを
作製し、直径１３０Ｉｌｌｆｆｉ、厚さ１　、２＋＋ｍ
のガラス基板上に実施例１．２と同じ方法により１００
０人厚の記録層を設けた後、窒化シリコンを保護膜とし
て１００ＯＸ厚形成した。そして初めにテストピースに
より本記録層の光学特性及び熱特性を実施例１．２と同
じく分光光度計及びＤＳＣにより測定した。

反射率変化は蒸着後（非晶質）と初期化後（結晶質）（
λ−７８０ｒ＋ｍ）で２０％程度であった。又融点は〜
５６０℃、結晶化温度は〜１３０℃前後であった。

次に本記録層のディスク特性を実施例１．２と同様に測
定した。先ず記録媒体を１８０Ｏｒｐｍの速度で回転さ
せながらビーム径をＩｕｍφ程度に絞った半導体レーザ
光（λ−７８０ｎｍ）を照射することにより、記録、再
生及び消去を行った。

なお記録出力は記録最小パワー１０ｍＷ、再生出力２ｍ
Ｗ消去出力は消去最小パワー５ｍＶであった。

又この出力／消去条件で記録後さらに２Ｍ　Ｈｚでオー
バライドの実験を行った。

その結果初期記録のＣ／Ｎ比５０ｄＢ、オーバーライド
後も４９ｄＢであった。一方この時の消去率は３０６Ｂ
であった。

以上の実施例から本発明の記録層を用いることにより、
記録感度、消去感度及び消去率の向上ならびにくり返し
特性の改良が実現できることが明らかである。

［発明の効果コ以上説明したように、本発明で用いられる前記一般式の
多元化合物は、その構成元素比を変化させることにより
、その光学定数をはじめ、融点、結晶化点及び活性化エ
ネルギーを広い範囲で任意に制御することが可能なため
相変化型光メモリー用記録層材料として使用した時、記
録感度、消去感度の向上、及び消去率の改良そして記録
の長寿命化をはかることができる。

Claims

【特許請求の範囲】（１）基板上に下記一般式で示され、かつ、４〜６元系
化合物からなり、その構造がカルコパイライト型構造で
ある記録層を有することを特徴とする相変化型光記録媒
体。一般式Ｘ・Ｙ・Ｚ＿２ただし、Ｘは周期表 I ｂ族およびIIｂ族元素から選ばれた１種
以上２種までの元素、Ｙは同じくIIIｂ族およびIVｂ族およびＶｂ族元素から
選ばれた１種以上２種までの元素、Ｚは同じくＶｂ族お
よびVIｂ族元素から選ばれた１種以上２種までの元素を
表わす。（２）記録層を構成する元素の組合せが下記一般式の何
れかで示されることを特徴とする請求項（１）記載の光
記録媒体。４元系一般式（１） I ・（III＿１＿−＿ｙ・III＿ｙ’）・VI＿２
（２） I ・（III＿１＿−＿ｙ・Ｖ＿ｙ）・VI＿２（３
）（II＿１＿−＿ｘ・II＿ｘ’）・IV・Ｖ＿２（４）I
I・（IV＿１＿−＿ｙ・IV＿ｙ’）・Ｖ＿２（５）II・
IV・（Ｖ＿１＿−＿ｚ・Ｖ＿ｚ’）＿２（６）（ I ＿
１＿−＿ｘ・II＿ｘ）・III・VI＿２（７）（ I ＿１＿
−＿ｘ・II＿ｘ）・IV・Ｖ＿２（８） I ・（III＿１＿
−＿ｙ・IV＿ｙ）・VI＿２（９）II・（III＿１＿−＿
ｙ・IV＿ｙ）・Ｖ＿２（１０） I ・III・（Ｖ＿１＿−
＿ｚ・VI＿ｚ）＿２（１１）II・IV・（Ｖ＿１＿−＿ｚ
・VI＿ｚ）＿２５元系一般式（１）（ I ＿１＿−＿ｘ・ I ＿ｘ’）（III＿１＿−
＿ｙ・III＿ｙ’）・VI＿２（２）（ I ＿１＿−＿ｘ・
I ＿ｘ’）（III＿１＿−＿ｙ・Ｖ＿ｙ）・VI＿２（３
） I ＿ｘ（III＿１＿−＿ｙ・III＿ｙ’）・（VI＿１
＿−＿ｚ・VI＿ｚ’）＿２（４） I ＿ｘ・（III＿１＿−＿ｙ・Ｖ＿ｙ）・（VI＿
１＿−＿ｚ・VI＿ｚ’）＿２（５）（II＿１＿−＿ｚ・II’＿ｘ）（IV＿１＿−＿ｙ
・IV＿ｙ’）・Ｖ＿２（６）（II＿１＿−＿ｘ・II′＿
ｘ）・IV ・（Ｖ＿１＿−＿ｚ・Ｖ＿ｚ’）＿２（７）II・（IV＿１＿−＿ｙ・IV＿ｙ′）・（Ｖ＿１＿−＿ｚ・Ｖ＿ｚ′）＿２（８）（ I ＿１＿−＿ｘII＿ｘ）・（III＿１＿−＿ｙ
・III＿ｙ’）・VI＿２（９）（ I ＿１＿−＿ｘ・II＿
ｘ）・III ・（VI＿１＿−＿ｚ・VI＿ｚ’）＿２（１０）（ I ＿１＿−＿ｘII＿ｘ）・（III＿１＿−＿
ｙ・IV＿ｙ）・VI＿２（１１）（ I ＿１＿−＿ｘ・II＿ｘ）・（IV＿１＿−
＿ｙ・IV＿ｙ’）・Ｖ＿２（１２）II・（III＿１＿−＿ｙ・IV＿ｙ）（Ｖ＿１＿
−＿ｚ・Ｖ＿ｚ’）＿２（１３）II・（III＿１＿−＿
ｙ・IV＿ｙ）・（Ｖ＿１＿−＿ｚ・VI＿ｚ）＿２６元系一般式（１）（ I ＿１＿−＿ｘ・ I ′＿ｘ）・（III＿１＿
−＿ｙ・III′＿ｙ）・（VI＿１＿−＿ｚ・VI＿ｚ’）
＿２（２）（ I ＿１＿−＿ｘ・ I ＿ｘ’）・（III＿１＿
−＿ｙ・Ｖ＿ｙ）・（VI＿１＿−＿ｚ・VI＿ｚ’）＿２（３）（II＿１＿−＿ｘ・II′＿ｘ）・（IV＿１＿−＿
ｙ・IV＿ｙ’）・（Ｖ＿１＿−＿ｚ・Ｖ＿ｚ’）＿２（４）（ I ＿１＿−＿ｘ・II＿ｘ）・（III＿１＿−＿
ｙ・III′＿ｙ）・（VI＿１＿−＿ｚ・VI＿ｚ’）＿２（５）（ I ＿１＿−＿ｘ・II＿ｘ）・（IV＿１＿−＿
ｙ・IV＿ｙ’）・（Ｖ＿１＿−＿ｚ・Ｖ＿ｚ’）＿２（６）（ I ＿１＿−＿ｘ・ I ＿ｘ’）・（III＿１＿
−＿ｙ・IV＿ｙ）・（VI＿１＿−＿ｚ・VI＿ｚ’）＿２（７）（ I ＿１＿−＿ｘ・ I ＿ｘ’）・（III＿１＿
−＿ｙ・III＿ｙ’）・（Ｖ＿１＿−＿ｚ・VI＿ｚ）＿
２（８）（II＿１＿−＿ｘ・II＿ｘ’）・（III＿１＿−
＿ｙ・IV＿ｙ）・（Ｖ＿１＿−＿ｚ・Ｖ＿ｚ’）＿２（９）（II＿１＿−＿ｘ・II＿ｘ’）・（IV＿１＿−＿
ｙ・IV＿ｙ’）・（Ｖ＿１＿−＿ｚ・VI＿ｚ）＿２（１０）（II＿１＿−＿ｘ・II＿ｘ’）・（III＿１＿
−＿ｙ・IV＿ｙ）・（Ｖ＿１＿−＿ｚ・VI＿ｚ）＿２（１１）（ I ＿１＿−＿ｘ・II＿ｘ）・（III＿１＿−
＿ｙ・IV＿ｙ）・（Ｖ＿１＿−＿ｚ・VI＿ｚ）＿２但し上記各一般式中の I は周期表 I ｂ族元素を表し、
I ′は I ｂ族元素の異なる元素を表す。 IIは同じくIIｂ族元素、II′はIIｂ族元素の異なる元素
、 IIIはIIIｂ族元素、III′はIIIｂ族元素の異なる元素、 IVはIVｂ族元素、IV′はIVｂ族元素の異なる元素、ＶはＶｂ族元素、Ｖ′はＶｂ族元素の異なる元素、 VIはVIｂ族元素、VI′はVIｂ族元素の異なる元素をそれ
ぞれ示す。更に、０＜ｘ＜１０＜ｙ＜１０＜ｚ＜１である。（３）記録層を構成する材料が請求項（１）及び（２）
に記載の化合物以外にVIIｂ族元素を含有することを特
徴とする請求項（１）又は（２）記載の光記録媒体。