JPH03220183A - 液晶性化合物およびこれを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規な液晶性化合物、それを含有する液晶組
成物およびそれを使用した液晶素子に関し、さらに詳し
くは電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成
物、およびそれを使用した液晶表示素子や液晶−光シヤ
ツター等に利用される液晶素子に関するものである。

〔従来の技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばエム　シャット（Ｍ、５ｃｈａｄｔ）とダブ
リュ　ヘルフリッヒ（Ｗ、Ｈｅ１ｆｒｆｃｈ）著“アプ
ライド　フィジックス　レターズ（“ＡｐｐｌｉｅｄＰ
ｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ″）Ｖｏ、１８．Ｎａ
４　（１９７１゜２．１５）　Ｐ、１２７〜１２８の”
Ｖｏｌｔａｇｅ　　ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐ・ｔｉｃａ
ｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ａ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎ
ｅｍａｔｉｃｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａビに示され
たＴＮ　（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）型の液晶を
用いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいておリ、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向に向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用されている。

しかし、この様な駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。

選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が充
分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけであるが、走査線数（Ｎ
）を増加して行った場合、画面全体（ｌフレーム）を走
査する間に一つの選択点に有効な電界がかかっている時
間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減少してしまう。

このために、くり返し走査を行った場合の選択点と非選
択点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数が増え
れば増える程小さくなり、結果的には画像コントラスト
の低下やクロストークが避は難い欠点となっている。

この様な現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に対
し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であり
、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する）
を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し
走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点であ
る。

この点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法
や、多重マトリクス法等が既に提案されているが、いず
れの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化や高密
度化は、走査線数が充分に増やせないことによって頭打
ちになっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がクラーク（Ｃ１ａ
ｒｋ）およびラガウエル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により
提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、米
国特許第４３６７９２４号明細書等）。

双安定性液晶としては、一般にカイラルスメクテイツク
Ｃ相（ＳｍＣ’相）又はＨ相（ＳｍＨ＊相）を有する強
誘電性液晶が用いられる。

この強誘電性液晶は電界に対して第１の光学的安定状態
と第２の光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従
って前述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは
異なり、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学
的安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対し
ては第２の光学的安定状態に液晶が配向されている。ま
た、この型の液晶は、加えられる電界に応答して、上記
２つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のな
いときはその状態を維持する性質（双安定性）を有する
。

以上の様な双安定性を有する特徴に加えて、強誘電性液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電性液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して
配向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と
電場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

この様に強誘電性液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッタ
ーや高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待される
。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研究
がなされているが、現在までに開発された強誘電性液晶
材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素子
に用いる十分な特性を備えているとは言い難い。

応答時間τと自発分極の大きさＰｓおよび粘度ηの間に
は、下記の式［ｎ］ （ただし、Ｅは印加電界である） の関係が存在する。したがって応答速度を速くするには
、 （ア）自発分極の大きさＰｓを大きくする（イ）粘度η
を小さくする （つ）印加電界Ｅを大きくする 方法がある。しかじ印加電界は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。

よって、実際には粘度ηを小さ（するか、自発分極の大
きさＰｓの値を大きくする必要がある。

−船釣に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くなる傾向にある。又、いたずらに自発分極を大
きくしても、それにつれて粘度も大きくなる傾向にあり
、結果的には応答速度はあまり速くならないことが考え
られる。

また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が例え
ば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が一般に
２０倍程もあり、駆動電圧および周波数による調節の限
界を越えているのが現状である。

以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低（高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
するために、応答速度が速く、しかもその応答速度の温
度依存性が軽減された液晶組成物、特に強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物、および該液晶組成物を使用
する液晶素子を提供することにある。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は下記−形成（Ｉ） （式中ＲＩ＋　Ｒ２はそれぞれ置換基を有していてもよ
い炭素原子数６〜１６のアルキル基であり、ｎは０また
は１である。） で示される液晶性化合物、該液晶性化合物の少なくとも
１種を含有する液晶組成物、および該液晶組成物を１対
の電極基板間に配置してなる液晶素子を提供するもので
ある。

好ましいＲ１，Ｒ２は下記（ｉ）　〜（ｉｖ）から選ば
れる。

ｉ）炭素原子数が６〜１６のｎ−アルキル基、より好ま
しくは炭素原子数６〜１２のｎ−アルキル基ｉｉ　） ＣＨ３ （：ＣＨ２ｆｍｃＨＣｒ＋Ｈ２ｎ＋１ （ただしｍは０〜６の整数であり、ｎは１〜８の整数で
ある。又、光学活性であっても良い。）ｉｉｉ　） ＣＨ３ ’ｃ　ＣＨ２＋ｒＣＨ（−ＣＨ２）ｓＯｃｔＨ２ｔ＋１
（ただしｒは３〜６の整数であり、Ｓは０もしくはｌで
ある。又、ｔは１−１２の整数である。又、これは光学
活性であっても良い。） ｉｖ） ＋　ＣＨ２）　ｍ　ＣＨＣｘ　Ｈ２ｘ＋１＊ （ただしｍは０またはｌで、Ｘは４〜１４の整数である
。） 現在までチアゾール環を有する液晶化合物についてはＨ
ｏＺａｓｃｈｋｅ　　ｅｔ　　ａｌ、、　Ｊ、ｐｒａｋ
ｔ、Ｃｈｅｍ、。

３２１．６４３−６５４　（１９７９）、および国際出
願８８７０８０１９で記載されている。しかしながら後
者ではチアゾール−２，５−ジイル誘導体の具体的な例
示は全くなく、前者には本発明の一般式（Ｉ）で示され
るアルキル鎖長のチア伝≠ゾールー２，５−ジイル誘導
体の記載はない。本発明者らはアルキル鎖長で特徴づけ
られた一般式ＣＩ）で示されるチア≠≠ゾールー２．５
−ジイル誘導体を詳細に検討した結果、後に実施例で示
すようにエナンチオトロピックＳｍＣ相を有し、Ｊ、ｐ
ｒａｋｔ、Ｃｈｅｍ、。

３２１．６５１　（１９７９）に開示されているチアゾ
ール−２，５−ジイル誘導体に比べて低粘性で、より広
いカイラルスメクチックＣ相を有する強誘電性カイラル
スメクチック液晶組成物を与えることを見出した。

さらに、本発明化合物を含む強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶組成物を用いることにより低温における作動特
性が改善されて応答速度の温度依存性が軽減されるのを
見出した。

〔発明の詳細な説明〕

前記一般式ＣＩ］で表わされる液晶性化合物の一般的な
合成法を以下に示す。

方法１） 方法２） Ｈ２Ｎ−ＣＨ２ＣＯＯＨ また、−ＯＲ２のかわりに−ＯＣＨ３等の一〇Ｈに変換
可能な基を用い、チアゾール環に閉環した後に−ＯＨと
し、その後−ＯＲ２とすることもできる。

前記一般式〔工〕で表わされる液晶性化合物の具体的な
構造式を以下に示す。

（１ １） （１ ２） （１ ３） （１ ４） （１−５） （１ １１） （１ １２） （１−１３） （１−１４） （１−１５） （１−６） （ｉ−ｓ） （１ ９） （１−１０） （１−１６） （１−１７） （１−１８） （１−１９） （１−２０） （１−２１） （１，−２２） （１−２３） （１−２４） （１−２５） （１−３１） （１−３２） （１−３３） （１−３４） （１−２６） （１−２７） （１ ２８） （１−２９） （１−３０） （１−３６） （１−３７） （１−３８） （１−３９） （１−４０） （１ ４１） （１−４２） （１−４３） （１−４４） （１−４５） （１−５１） （１−５２） （１−５３） （１−５４） （１−５５） （１−４６） （１−４７） （１−４８） （１−４９） （１−５０） （１−５６） （１−５７） （１−５８） （１−５９） （１−６０） （１ ６１） （１ ６３） （１−６４） （１−６５） （１ ７１） （１−７２） （１−７３） （１ ７４） （１−７５） （１ ６６） （１ ６７） （１ ６８） （１−６９） （１−７０） ”（１−７６） （１ ７７） （１−７８） （１−７９） （１−８０） （１−８１） （１−８２） ｅ：０またはｌ　【：０またはｌ ただしｅ＋ｆ＝０またはｌ ：　Ｈ，ハロゲン、ＣＨ３，ＣＦ　３ れる。

本発明の液晶組成物は前記−形成（Ｉ）で示される液晶
性化合物の少な（とも１種と他の液晶性化合物１種以上
とを適当な割合で混合することにより得ることができる
。

又、本発明による液晶組成物は強誘電性液晶組成物、特
に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好ましい
。

本発明で用いる他の液晶性化合物を一般式（ｍ）〜（１
）で次に示す。

（ＩＩ［） （ＩＶ） ｇ。

ｈ：０またはま ただしｇ＋ｈ＝１ ｉ：０またはｌ −ＯＣＨ２− （ＶＩ） （Ｖ） ｊ：Ｏまたは！ ｍ：０またはｌ ただしに＋　ｆ　＋ｍ＝Ｏ。

ｙ　、　Ｌ・Ｙ２ 、Ｙ３ ：Ｈ，ハロゲン、ＣＨ８，ＣＦ　３ れる。

（Ｖ）式の好ましい化合物として（Ｖａ）。

れる。

（ｖｂ） が上げら ＣＨハロゲン で置き換えたハロゲン化アルキ ルである場合、Ｒ、Ｊ またはＲ２′ は環に対して単結 合で結合しない。

Ｒ２′ は好ましくは、 炭素数１−１５の直鎖アルキル基 ＣＨ３ （−ＣＨ２ チｐ　ＣＨＣｑ　Ｈ２ｑ＋１ ここで、Ｒ１ Ｒ２′ は炭素数１〜炭素数１８の直 ０〜５ ｑ　ニ −１１ 整数 鎖状又は分岐状のアルキル基であり、 該アルキル基 光学活性でもよい 中の１つもしくは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２１ｉｉ
　） 基は−ＣＨハロゲン によって置き換えられていても 良い。

さらにＸｌ。

と直接結合する ＣＨ２ を除く １つもしくは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２０〜６ ：Ｏ１ ｔ　： ｌ〜１４ 整数 Ｎ 光学活性でもよい ｉｖ） 子ＣＨ２ １〜１６ 整数 ただし、 ＲＩ′またはＲ２′が１個のＣＨ２基をＶ） ＣＨ３ ＣＨＣＯＣｗ　Ｈ２Ｗ＋１ １〜１５ 整数 光学活性でもよい ｖｉ） Ｎ （−ＣＨ３ ）−＾　ＣＨ−Ｃｎ　　Ｈ２０＋１ Ａ　： θ〜２ Ｂ　： １〜１５ 整数 光学活性でもよい ｖｉｉ　） Ｎ 子ＣＩ□ 矢ＣＣ Ｃｎ　ｔｌ　２１）＋１ 　Ｈ３ Ｃ： Ｏ〜２ Ｄ　＝ ｌ〜１５ 整数 光学活性でもよい （ｆｆｌａ） 〜　（Ｉｌｌｄ） のさらに好ましい化合物とし て （ｎｌａａ） （ｍｄｃ） が上げられる。

（ＩＶａ） （ＩＶ　ｃ　） のさらに好ましい化合物とし て （ＩＶ　ａ　ａ　） （Ｎ　ｃ　ｂ　） が上げられる。

（Ｖａ） （Ｖ　ｄ） のさらに好ましい化合物とし て （Ｖａａ） （Ｖｂｆ） が上げられる。

Ｉン ′０−＋軒Ｒ２ （Ｖａａ） Ｒ＋　’＋ＣＨ２ＣＨ２＋Ｒ２ （Ｖａｄ） Ｒ＋　’　＋ＣＨ２０＋Ｒ２ （Ｖａｇ） （Ｖｌ　ａ　） ＜ｖｒｒ＞ のさらに好ましい化合物とし て （Ｖｌａａ） （ＶＩ　ｆ　ａ　） が上げられる。

ＥｚＯまたは１ す Ｉ輸′８Ｃ［１゜０（）（涙Ｒ２ （Ｖｌａｂ） ３ ：単結合、−Ｃｏ−、−ＱＣ ｊ ０　　　　０ Ｈ２０ ＣＨ２ （） Ｒ、ｌ÷＄ｏｃｎ　２＋Ｒ２ （ＶＩｂｂ） Ｆ。

Ｇ：０または１ （■）のより好ましい化合物として られる。

れる。

（■ａ　）　＋ （■ｂ） が上げ ここで、Ｒ３、Ｒ４′は炭素数１〜炭素数１８の直鎖状
又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の１つ
もしくは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２基は−ＣＨハロ
ゲン−によって置き換えられていても良い。さらにＸｌ
、Ｘ２と直接結合する一ＣＨ２−基を除く１つもしくは
隣接しない２つ以上の−ＣＨ２−Ｎ 基は−０−−Ｃ−−０Ｃ−−ＣＯ−−ＣＨ１ ０００ Ｎ （■ｂｂ） が−１ニげられる。

ＣＣＨ３−に置き換えられていても良い。

ただし、Ｒ３′またはＲ４′が１個のＣＨ２基をＣＨハ
ロゲン−で置き換えたハロゲン化アルキルである場合、
Ｒ３′またはＲ４′は環に対して単結合で結合しない。

さらにＲ３、Ｒ４’は好ましくは、 ｉ）炭素数１〜１５の直鎖アルキル基 ｖｉ） ＣＨ３ 子ＣＨ２ヂｐ　ＣＨＣｑ　Ｈ２ｑ＋１ ｐ：０〜５　　ｑ：１〜１１　整数 光学活性でもよい Ｎ 子ＣＨ２升八Ｃへ−ＣＢＨ２Ｂ＋１ Ａ　：　Ｏ〜２　　　Ｂ　＝ ｌ〜１５ 光学活性でもよい 整数 山） ｖｉｉ　） Ｎ ｒ　・　０〜６　　　　ｓ：０゜ １〜１４ 整数 （−ＣＨ２ ヂｃ　Ｃ−Ｃｏ　Ｈ２Ｄ＋１ ＣＨ３ ｉｖ） 光学活性でもよい Ｃ：　０〜２　　　　Ｄ：１〜１５ 光学活性でもよい 整数 （：ＣＨ２ Ｏ〜５ ＞　ｕ　ＣＨＣｖ　Ｈ２Ｖ＋１ ＊ ｖ：ｌ〜１６　　整数 ＣＨ３ ＣＨＣＯＣｗ　Ｈ２Ｗ＋１ ｗ：１〜１５　整数 光学活性でもよい （ＩＸ） Ｈｌ Ｊ：０またはま ただしＨ＋Ｊ＝Ｏまたはｌ １ 、Ｘ２ ゜単結合、　−ＣＯ １ Ｃ （ＩＸ）式の好ましい化合物として（ＩＸａ）〜（ＩＸ
　ｃ　）が上げられる。

（Ｘ） Ｉ 、ｘ２ ：単結合、−ｃｏ−、−ｏｃ １１１ ０　　　　０ 〇− Ｒ５′Ｘ、（沢Ａ　Ｉ　＋　Ｘ　２　Ｒｓ（ＩＸ　ｃ　
） （Ｘ）式の好ましい化合物として（Ｘａ）（ｘｂ）が上
げら れる。

Ｒ１１ＸＩ’　Ａ２’＋Ｘ４舎、／−Ｒ，＋（Ｘａ） Ｒ≦−Ｘ　、’−Ａ２′−Ｘ　、’　８　Ｘ　１Ｒ、’
（Ｘｂ） （ＩＸ　ａ　）〜（ＩＸ　ｃ　）のさらに好ましい化合
物として（ＩＸａａ）〜（ＩＸｃｃ）が上げられる。

Ｒ５Ａｌ’＋Ｒａ （ＩＸ　ａ　ａ　） Ｒ、−Ａ　、’　＋　ＯＲ； （ＩＸａｂ） Ｒ；　−０−Ａ　Ｉ’　＋　Ｒ、； （ＩＸａｄ） （Ｘａ）、（Ｘｂ）のさらに好ましい化合物として（Ｘ
ａａ）〜（Ｘｂｂ）が上げられる。

（ＸＩ）のより好ましい化合物として（ＸＩａ）〜（Ｘ
Ｉｇ）が上げられる。

ここで、 Ｒ６／ は炭素数１〜炭素数１８の 光学活性でもよい 直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキ ｉｖ） ル基中のｘｌ と直接結合するーＣＨ −基を ＣＨ３ −ＣＨＣＯＣｗ　Ｈ２Ｗ＋１ 除く１つもしくは隣接しない２つ以上の−ＣＨＮ ｗ　：　ｌ〜１５ 整数 光学活性でもよい Ｎ Ｎ ＣＣＨ −に置き換えられていても良い。

÷ＣＨ２ ヂＡＣＨ ＣＢ　Ｈ２Ｂ＋１ さらにＲ５ Ｒ６′ は好ましくは、 ：　０〜２ Ｂ　： １〜１５ 整数 炭素数が１〜１５の直鎖アルキル基 光学活性でもよい ｖｉ） ＣＨ３ ÷ＣＨ２矢ｐ　ＣＨＣｑ　Ｈ２ｑ＋１ Ｎ ０〜５ ５−１１ 整数 Ｃ： ０〜２ Ｄ　ニ −１５ 整数 光学活性でもよい 光学活性でもよい ｉｉｉ　） ＣＨ３ （ＣＨ２”ｒ　ｒＣＨ’ｃ　ＣＨ２＊　５ＯｃｔＨ２ｔ
＋＋０〜６ Ｓ　二　〇。

ｌ〜１４ 整数 本発明の液晶性化合物と１種以上の他の液晶性化合物、
あるいはそれを含む液晶組成物（これらは強誘電性液晶
化合物、および強誘電性液晶組成物であっても良い。以
下、これらを液晶材料と略す。）との配合割合は液晶材
料１００重量部に対し、本発明による液晶性化合物を１
〜５００重量部とすることが好ましい。

また、本発明の液晶性化合物を２種以上用いる場合も液
晶材料との配合割合は前述した液晶材料１００重量部当
り、本発明による液晶性化合物の２種以上の混合物を１
〜５００重量部とすることが好ましい。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の一例の断面概略
図である。

第１図において符号ｌは強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のカラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をカー七やアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ンル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その土にポリヒニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォト
レジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、
２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよ（、また
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が無
機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶
縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤
に０．１〜２０重景％、好ましくは０．２〜１０重量％
）を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリー
ン印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、
所定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させ
ることができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挟持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

ｉ誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

又、この強誘電性液晶は、室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）を
有し、高速応答性を有することが望ましい。さらに応答
速度の温度依存性が小さいこと、及び駆動電圧マージン
が広いことが望まれる。

又、特に素子とした場合に、良好な均一配向性を示しモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は、等吉
相からｃｈ相（コレステリック相）−３ｍＡ相（スメク
チック相）−３ｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）
という相転移系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透過型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−ＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で被
覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子層
２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊相又
はＳｍＨ’相の液晶が封入されている。太線で示した線
２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２３はそ
の分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ±）２４
を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一定の
閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん構
造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ±）２４がすべて電
界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変えるこ
とができる。液晶分子２３は細長い形状を有しており、
その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って
例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を
置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光
学変調素子となることは、容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄（なるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）又は下向き（３４ｂ）のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示す
如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅａ又はＥｂを電
圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極子モ
ー゛メントは電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対応し
て上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変え、それに
応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあるいは第
２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状＠３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向き
の電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態３
３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界
を切ってもこの状態に留っている。又与える電界Ｅａあ
るいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ前の
配向状態にやはり維持されている。

以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１（例示化合物１−５７） Ｂｕｌｌ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、Ｊｐｎ、、　６０．１１
５９　（１９８７）と同様の方法で４−メトキシアセト
フェノンをテトラブチルアンモニウムトリブロマイドで
臭素化し、４−メトキシフェナシルブロマイドを得た。

Ｂｅｒ、。

４４．１５４２　（１９１１）の方法にしたがって以下
に示す経路で４−メトキシフェナシルブロマイドより４
−メトキシフェナシルアミン・塩酸塩を合成した。

ヘキサメチレンテトラミン の後９０°Ｃで１４時間加熱撹拌を行なった。反応終了
後反応物をエタノール１３ｍ１．水２５０ｍ！！の混合
溶媒に注入し、クロロホルム抽出を行なった。有機層を
水酸化ナトリウム溶液で洗浄し、水洗芒硝乾燥後溶媒を
減圧乾固した。残渣をクロロホルムを溶離液としたシリ
カゲルカラムクロマトで精製し、２−（４−オクチルフ
ェニル）−５−（４−メトキシフェニル）ｔチアゾール
８．６０ｇ　（収率２１．２％）を得た。

４−オクチルベンゾイルクロライド２７．０ｇ　（１０
７ｍｍｏｌｅ）をピリジン２０６ｍｊ’に溶かし、冷却
撹拌上内温を一１Ｏ〜−５℃に保って４−メトキシフェ
ナシルアミン・塩酸塩を２１　、７　ｇ　（１０７ｍ　
ｍ　ｏ　ｌ　ｅ　）を３０分間で少しずつ添加した。そ
の後同じ温度で３０分間撹拌し、その後加熱して１時間
還流撹拌を行なった。反応終了後反応物を放冷し、室温
で撹拌ＴＲ硫化リン１９．５ｇ　（８７，８ｍｍｏｌｅ
）を１０分間で添加した。そ２００ｍ１ナスフラスコに
２−（４−オクチルフェニル）−５−（４−メトキシフ
ェニル）キチアゾール８．２０ｇ　（２１，６ｍｍｏｌ
ｅ）、２５％ＨＢｒ酢酸溶液８０ｍＡ、５７％Ｈ１水溶
液３　ｍ　ｌを入れ、１００℃で２０時間加熱撹拌した
。反応終了後反応物を水２００ｍ１に注入し、クロロホ
ルムで抽出を行なった。有機層を水洗、芒硝乾燥後減圧
乾固する。残渣をクロロホルム／酢酸エチル：　２０／
ｌを溶離液としたシリカゲルカラムクロマトで精製し、
２−（４−オクチルフェニル）−５−（４−ヒドロキン
フェニル）−へチアゾール１．８０ｇ　（収率２２．８
％）を得た。

を水洗、芒硝乾燥後減圧乾固し、残渣をトルエンを溶離
液としたシリカゲルカラムクロマトで精製し、エタノー
ルで再結晶して２−（４−オクチルフェニル）−５−（
４−へキシルオキシフェニル）−チアゾール０．１６ｇ
　（収率３２．３％）を得た。

この化合物は次の相転移温度を示す。

実施例２（例示化合物１−４６） ２−（４−オクチルフェニル）−５−（４−ヒドロキシ
フェニル）チアゾール０．４０ｇ　（１，１０ｍｍｏｌ
ｅ）をＤ　ｋｉ　Ｆ　２０　ｍ　ｌ！に溶かし、水酸化
カリウム０．０９ｇ（１、３６ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　ｅ　）
を加え、１００℃で４５分間加熱撹拌した。同じ温度で
撹拌しながらヨウ化へキシル０．３６ｇ　（１，７０ｍ
ｍｏｌｅ）を加え、その後１２０℃で６時間１５分加熱
撹拌した。反応終了後反応物を水］　００ｍ　ｌに注入
し、酢酸エチルで抽出した。有機層実施例１と同様にし
て合成した ２−（４−へキシルフェニル）−５−（４−ヒドロキシ
フェニル）チアゾール１．ＯＯｇ　（２，９６ｍｍｏｌ
ｅ）。

水酸化カリウム０．２５ｇ　（３，７９ｍｍｏｌｅ）、
ｎ−ブタノール１５ｍｆを５０ｍｊ！ナスフラスコに入
れ、８０℃付近に加熱して溶かし、同じ温度で加熱撹拌
上臭化ブチル０．６１ｍＩ！（４，３５ｍｍｏｌｅ）を
加えた。

その後４時間４５分還流撹拌を行なった。反応終了後反
応物を室温まで放冷し、その後−２０℃で一晩放置した
。析出した結晶を濾取し、メタノールで洗浄した後トル
エンと水を加えて室温で撹拌した。

有機層を芒硝乾燥後減圧乾固し、残渣をトルエンを溶離
液としたシリカゲルカラムクロマトで精製し、トルエン
−メタノール混合溶媒で再結晶し、２−来（４−へキシ
ルフェニル）−５−（４−へキシルオキシフェニル）チ
アゾール１．０６ｇ　（収率８４．８％）を得た。この
化合物の相転移温度を次に示す。

実施例３（例示化合物１−４８） 実施例２と同様にして２−（４−へキシルフェニル）−
５−（４−オクチルオキシフェニル）チアゾールを得た
。

この化合物は次の相転移温度を示す。

実施例４（例示化合物１−２６） 次に示す経路で２−デシル−５−（４ ジフエニル）チアゾールを合成した。

ヒドロキ ２−デシル−５−（４−ヒドロキシフェニル）チアゾー
ル０．６０ｇ　（１，８９ｍｍｏｌｅ）、水酸化カリウ
ム０　、１６　ｇ　（２、４２ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　ｅ　）
　、　　ｎ−ブタノールｌ　Ｏｍ　ｊ！を３０ｍ１ナス
フラスコに入れて８０℃付近に加熱して溶かし、同じ温
度で加熱撹拌上臭化ヘキシル０．３８ｍＩ！（２，７１
ｍｍｏｌｅ）を加えた。その後５時間還流撹拌を行なっ
た。反応終了後溶媒を減圧留去し、残渣にトルエンと水
を加えて室温で撹拌した。有機層を芒硝乾燥後減圧乾固
し、残渣をトルエンを溶離液としたシリカゲルカラムク
ロマトで精製し、アセトン−メタノール混合溶媒で再結
晶し、２−デシル−５−（４−へキシルオキシフェニル
）チアゾール０．４８ｇ　（収率６５．５％）を得た。

この化合物は以下の相転移温度を示す。

７１．０ 実施例５ 下記化合物を下記の重量部で混合し液晶組成物へを作成
しｔ−０ 構　　造　　式　　　　　　　　　　　　　　重量部更
に、この液晶組成物Ａに対して、例示化合物１−４６を
以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　造　式　　　　　　重
量部■−４６ ０ これは下記の相転移温度を示す。

実施例６ ２枚の０．７ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上に１ＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上に５ｉ０２を蒸着させ絶縁層とした。ガラ
ス板上にシランカップリング剤［信越化学■製ＫＢＭ−
６０２］　０．２％イソプロピルアルコール溶液を回転
数２００　Ｏｒ　、　ｐ　、　ｍのスピンナーで１５秒
間塗布し、表面処理を施した。この後、１２０℃にて２
０分間加熱乾燥処理を施した。

さらに表面処理を行なったＩＴＯ膜付きのガラス板上に
ポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−５１０１１，５％
ジメチルアセトアミド溶液を回転数２００゜ｒ、ｐ、ｍ
のスピンナーて１５秒間塗布した。成膜後、６０分間、
３００℃加熱縮合焼成処理を施した。この時の塗膜の膜
厚は約２５０人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径２μｍのアルミナビーズを一方のガラス
板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互いに
平行となる様にし、接着ノール剤［リクランボンド（チ
ッソ■）］を用いてガラス板をはり合わせ、６０分間、
１００°Ｃにて加熱乾燥しセルを作成した。

このセルに実施例５て混合した液晶組成物Ｂを等方性液
体状態で注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５°Ｃまて
徐冷することにより、強誘電性液晶素子を作成した。こ
のセルのセル厚をベレツク位相板によって測定したとこ
ろ約２μｍであった。

この強誘電性液晶素子を使って自発分極の大きさＰｓと
ピーク・トウ・　ピーク電圧Ｖｌ）Ｉ）＝２０Ｖの電圧
印加により直交ニコル下での光学的な応答（透過光量変
化Ｏ〜９０％）を検知して応答速度（以後光学応答速度
という）を測定した。その結果を次に示す。

Ｔｃ−Ｔ　　　　ｌｏ’ｃ　　　　　　　　２５°Ｃ４
０°Ｃ応答速度　　　９２μｓｅｃ　　　　　２０７　
μｓｅｃ　　　　　３７７　μｓｅｃｓ １．４８ｎＣ／ｃｉ　　　２．４２ｎＣ／ｃｒｒｆ　　
　３．１１ｎＣ／ｃｒｒ？（ここで、ＴｃはＳ　ｍ　Ｃ
相からＳｍＡ相への転移温度を示し、Ｔは測定温度を示
す。） 比較例１ 実施例２と同様にして２−（４−ヘキシルフェニル）−
５−（４−プロポキシフェニル）−チアゾールを合成し
た。

液晶組成物Ａに対してこの化合物を以下に示す重量部で
混合し、液晶組成物Ｃを作成した。

構　　造　　式　　　　　　　　　重量部０ Ｈ，Ｚａｓｃｈｋｅ　　ｅｔ　　ａｌ、、　　Ｊ、ｐｒ
ａｋｔ、Ｃｈｅｍ、。

３２１．６５１　（１９７９）ではこの化合物がモノト
ロピックＳｍＣ相およびエナンチオトロピックＳ　ｍ　
Ａ相を有すると記載されているが、本発明者らが測定し
た結果ＳｍＣ相およびＳ　ｍ　Ａ相は存在せず、以下の
相転移を示した。

８４．３　　　　　　　　　　１４４．０Ｃｒｙｓｔ　
　　　　　　　　　Ｎ、　　　　　　　　　　　Ｉｓｏ
、　（’Ｃ）６６．７　　　　　　　　　　１４４．３
これは下記の相転移温度を示す。

液晶組成物Ｃを用いた以外は全（実施例６と同様の方法
で強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方法で
自発分極の大きさＰｓと光学応答速度を測定した。

Ｔｃ−Ｔ　　　１０’Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ応答速度　　
　１２３　μｓｅｃ　　　　　２８６　μｓｅｃ　　　
　　５１７　μ５ｅｃＰｓ　　　　１．２１ｎｃ／ｃ　
ｒｄ　　　２．１７ｎＣ／ｃ　ｒｒｉ’　　２．７７ｎ
Ｃ／ｃ　ｒｄ実施例２．実施例５および実施例６と比較
例１から本発明のアルキル鎖長で特徴づけられたチアゾ
ール−２，５−ジイル誘導体がエナンチオトロピックＳ
ｍＣ相を有し、Ｊ、ｐｒａｋｔ、Ｃｈｅｍ、、３２１，
６５１（１９７９）に開示されているチアゾール−２，
５−ジイル誘導体に比べて低粘性でより広いカイラルス
メクチックＣ相を有する強誘電性カイラルスメクチック
液晶組成物を与えることが判明した。

実施例７ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物りを作
成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部構　　造　　式 重量部 構　　造　　式 更に、この液晶組成物りに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｅを作
成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部２ 液晶組成物Ｅをセル内に注入する以外は全〈実施例６と
同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度
を測定した。

その結果を次に示す。

１０’Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 応答速度　　　６９９　μｓｅｃ　　　　　３４４　μ
ｓｅｃ　　　　　１９０　μｓｅｃ比較例２ 実施例７で混合した液晶組成物りをセル内に注入する以
外は全（実施例６と同様の方法で強誘電性液晶素子を作
成し、光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

実施例８ 実施例７で使用した例示化合物１−１．１−３５゜１−
４６のかわりに以下に示す例示化合物を各々以下に示す
重量部で混合し、液晶組成物Ｆを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　弐　　　　　　重量
部１０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 応答速度　　　７８４　μｓｅｃ　　　　　３７３　μ
ｓｅｃ　　　　　１９７　μｓｅｃ０ この液晶組成物を用いた以外は全（実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を測定し
た。

測定結果を次に示す。

実施例９ 下記化合物を下記の重量部で混合し液晶組成物Ｇを作成
した。

構　　造　　式　　　　　　　　　　　　　重量部応答
速度 １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ ５５２ｐ　５ｅｃ ２７６　μ５ｅｃ １５３　ｐ　５ｅｃ （以υ） 構 造 式 式 重量部 更に、この液晶組成物Ｇに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｈを作
成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　重量部
２ 液晶組成物Ｈをセル内に注入する以外は全（実施例６と
同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度
を測定した。

その結果を次に示す。

１０°Ｃ２５８Ｃ４０℃ 応答速度　　　５９３　μｓｅｃ　　　　　２８９　μ
ｓｅｃ　　　　　１４９　μｓｅｃ比較例３ 実施例９で混合した液晶組成物Ｇをセル内に注入する以
外は全〈実施例６と同様の方法で強誘電性液晶素子を作
成し、光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

実施例１０ 実施例９で使用した例示化合物１−１８．１−４８１−
５２のかわりに以下に示す例示化合物を各々以下に示す
重量部で混合し、液晶組成物Ｉを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部ｌＯ°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 応答速度　　　６５３　μｓｅｃ　　　　　３１７　μ
ｓｅｃ　　　　　１５９　μｓｅｃ２ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を測定し
た。

測定結果を次に示す。

実施例１１ 下記化合物を下記の重量部で混合し液晶組成物Ｊを作成
した。

構　　造　　式　　　　　　　　　　　　　　重量部１
０℃　　　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ応答速度 ５８２　μ５ｅｃ ２８７μ５ｅｃ １４７μｓｅｃ て≧、 ゛　　　］ （以九尤老） 構 造 式 式 重量部 り Ｈ３ 更に、この液晶組成物Ｊに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｋを作
成した。

例示化合物Ｎｏ。

構 造 式 ％式％ 実施例１１で混合した液晶組成物Ｊをセル内に注入する
以外は全〈実施例６と同様の方法で強誘電性液晶素子を
作成し、光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

１０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 応答速度　　　６６８μｓｅｃ　　　　　３４０μｓｅ
ｃ　　　　　１８２μｓｅｃ液晶組成物Ｋを用いた以外
は全〈実施例６と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成
して光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。

測定結果を次に示す。

実施例１２ 実施例１１て使用した例示化合物１−１５．　１−５８
゜１−６１のかわりに以下に示す例示化合物を各々以下
に示す重量部で混合し、液晶組成物りを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部口の液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成して光学応答速度を測定
し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。

測定結果を次に示す。

１０℃　　　　　　　２５℃　　　　　　　４０℃応答
速度　　　６２２　μｓｅｃ　　　　　３１９　ｐ　ｓ
ｅｃ　　　　　１７６　ｐ　ｓｅｃまた、駆動時には明
瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止めた際
の双安定性も良好であった。

３ 実施例７〜１２より明らかな様に、本発明による液晶組
成物Ｅ、　Ｆ、　Ｈ，Ｉ、　　ＫおよびＬを含有する強
誘電性液晶素子は、低温における作動特性、高速応答性
が改善され、また応答速度の温度依存性も軽減されたも
のとなっている。

実施例１３ 実施例１０で使用したポリイミド樹脂前駆体１．５％ジ
メチルアセトアミド溶液に代えて、ポリビニルアルコー
ル樹脂［クラレ■製ＰＵＡ−１１７］　２％水溶液を用
いた他は全（同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例６と同様の方法で光学応答速度を測定した。その
結果を次に示す。

１０’ｃ　　　　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ５５６μｓ
ｅｃ　　　　　２７７　μｓｅｃ　　　　　１４３　μ
ｓｅｃ実施例１４ 実施例１０で使用したＳｉＯ□を用いずに、ポリイミド
樹脂だけで配向制御層を作成した以外は全〈実施例６と
同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同
様の方法で光学応答速度を測定した。その結果を次に示
す。

１０℃　　　　　　　２５℃　　　　　　　４０°Ｃ５
５１μｓｅｃ　　　　　２７３μｓｅｃ　　　　　１４
１μｓｅｃ実施例１３．１４より明らかな様に、素子構
成を変えた場合でも本発明に従う強誘電性液晶組成物を
含有する素子は、実施例ＩＯと同様に低温作動特性の非
常に改善され、かつ、応答速度の温度依存性が軽減され
たものとなっている。

〔発明の効果〕

本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、低温作動特性の改善された液晶素
子、及び応答速度の温度依存性の軽減された液晶素子と
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の一例の断
面概略図。 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに素子セルの一例を模式的に表わす斜視図である。 第１図において、 第２図において ２＋ａ ２　］、　ｂ ２ ３ ２４　・・・・・・・・・・・・・−・・・・・・・・
・・・・・・・強誘電性液晶層 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ガラス基板透明電極 絶縁性配向制御層 スペーサー リード線 電源 偏光板 光源 。・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・■■■ 透過光 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ土） 第３図において １ａ １ｂ ３ａ ３ｂ ３４ａ　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・３４ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ａ ｂ 電圧印加手段 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中Ｒ＿１，Ｒ＿２はそれぞれ置換基を有していても
   よい炭素原子数６〜１６のアルキル基であり、ｎは０ま
   たは１である。） で示される液晶性化合物。
2. （２）請求項（１）記載の液晶性化合物を少なくとも１
   種含有することを特徴とする液晶組成物。
3. （３）請求項（２）記載の液晶組成物を１対の電極基板
   間に配置してなることを特徴とする液晶素子。