JPH03209770A - ショットキーバリアダイオード - Google Patents
ショットキーバリアダイオードInfo
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- JPH03209770A JPH03209770A JP393190A JP393190A JPH03209770A JP H03209770 A JPH03209770 A JP H03209770A JP 393190 A JP393190 A JP 393190A JP 393190 A JP393190 A JP 393190A JP H03209770 A JPH03209770 A JP H03209770A
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Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011120 plywood Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ｎ型シリコン基板上にＣｒ層を被着し、Ｃｒ
金属と半導体との接触によるショットキーバリアによる
整流作用を利用したショットキーバリアダイオードに関
する。
金属と半導体との接触によるショットキーバリアによる
整流作用を利用したショットキーバリアダイオードに関
する。
ショットキーバリアを形成するために用いられる金属と
しては、半導体がｎ型シリコンの場合、ＭｏあるいはＣ
ｒが知られている。第２図はバリア金属にＣｒを用いた
従来のショットキーバリアダイオードを示し、ｎ型シリ
コン１に板１の一面に０．５−程度の厚さのＣｒ層２が
接触している。Ｃｒとシリコンとの間のバリアの周辺に
電界が集中するため、逆方向電流が多く、逆方同サージ
に弱いという欠点を改良するため、Ｃｒ層２との接触面
の外周部にｐ型のガードリング層３を設けて表面の逆耐
圧を安定化することが行われる。Ｃｒ層２の上には、は
んだ付け性のよいＮｉ層４およびＡｕ層５が積層されて
おり、Ｃｕからなるリード７がはんだ６により接続され
ている。Ｎｉ層およびＡｕ層の厚さは、併せて０．５μ
程度である。
しては、半導体がｎ型シリコンの場合、ＭｏあるいはＣ
ｒが知られている。第２図はバリア金属にＣｒを用いた
従来のショットキーバリアダイオードを示し、ｎ型シリ
コン１に板１の一面に０．５−程度の厚さのＣｒ層２が
接触している。Ｃｒとシリコンとの間のバリアの周辺に
電界が集中するため、逆方向電流が多く、逆方同サージ
に弱いという欠点を改良するため、Ｃｒ層２との接触面
の外周部にｐ型のガードリング層３を設けて表面の逆耐
圧を安定化することが行われる。Ｃｒ層２の上には、は
んだ付け性のよいＮｉ層４およびＡｕ層５が積層されて
おり、Ｃｕからなるリード７がはんだ６により接続され
ている。Ｎｉ層およびＡｕ層の厚さは、併せて０．５μ
程度である。
しかし、このような構造のショットキーバリアダイオー
ドは、はんだ付けにより逆方向電流の増加するものが発
生したり、さらにはヒートサイクル試験、バイアス印加
試験にも特性の劣化するものが発生し、極端な場合はバ
リア金属層のはがれが生ずるという問題があった。特に
、バリア金属にｌ’ｌｏを用いる場合よりもＣｒを用い
た場合にこのような問題が深刻であった。
ドは、はんだ付けにより逆方向電流の増加するものが発
生したり、さらにはヒートサイクル試験、バイアス印加
試験にも特性の劣化するものが発生し、極端な場合はバ
リア金属層のはがれが生ずるという問題があった。特に
、バリア金属にｌ’ｌｏを用いる場合よりもＣｒを用い
た場合にこのような問題が深刻であった。
これは、ＣｒはＭｏより熱膨張係数が大きく、シリコン
との間に熱膨張係数の差が大きい、従って、リードのは
んだ付けの際の温度によりシリコンとの界面に応力が生
じ、その応力が特性劣化あるいはＣｒ層のはがれの原因
となると考えられる。
との間に熱膨張係数の差が大きい、従って、リードのは
んだ付けの際の温度によりシリコンとの界面に応力が生
じ、その応力が特性劣化あるいはＣｒ層のはがれの原因
となると考えられる。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、バリア金属のク
ロム層とシリコン基板との界面に生ずる応力による特性
劣化などのないショットキーバリアダイオードを提供す
ることにある。
ロム層とシリコン基板との界面に生ずる応力による特性
劣化などのないショットキーバリアダイオードを提供す
ることにある。
上記の目的を達成するために、本発明のショットキーバ
リアダイオードは、ｎ型シリコン基板の一面にバリア金
属としてＩＲ以下の厚さのクロム層が接触し、そのクロ
ム層の上に１〜４μｍの厚さのアルミニウム層を介して
１−以下の厚さのろう付け性良好な金属層が積層され、
その金属層と接続導体とがろう付けされたものとする。
リアダイオードは、ｎ型シリコン基板の一面にバリア金
属としてＩＲ以下の厚さのクロム層が接触し、そのクロ
ム層の上に１〜４μｍの厚さのアルミニウム層を介して
１−以下の厚さのろう付け性良好な金属層が積層され、
その金属層と接続導体とがろう付けされたものとする。
１層の１〜３ｐの厚さは、Ｃｒ層およびＮｉ層 Ａｕな
どのろう付け性良好な金属層の厚さより厚い。そのため
、はんだのようなろう材とシリコンとの間の熱膨張係数
の差によりろう付け時に生ずる応力は、主としてこの１
層に加わるが、軟らかいりはその応力を吸収することが
できる。その結果、Ｃｒ層とシリコン基板の界面に加わ
る応力が緩和される。
どのろう付け性良好な金属層の厚さより厚い。そのため
、はんだのようなろう材とシリコンとの間の熱膨張係数
の差によりろう付け時に生ずる応力は、主としてこの１
層に加わるが、軟らかいりはその応力を吸収することが
できる。その結果、Ｃｒ層とシリコン基板の界面に加わ
る応力が緩和される。
Ｃ実施例〕
第１図は本発明の一実施例の１５Ａ：／ｉ７）キーバリ
アダイオードを示し、第２図と共通の部分には同一の符
号が付されている。このダイオードは次のように製作さ
れる。先ず、ｎ型シリコン基板１の一面側に、外周が２
．４ｆｉ角で幅が６０μの角環状のｐ型ガードリング層
３を形成し、そのガードリング層３の上に外周が存在す
る約０．５μｍの厚さのＣｒ層２を蒸着する。このＣｒ
層２の上に、３μｍの厚さのＭ層８を蒸着し、さらにＮ
ｉ層４．Ａｕ層５を蒸着により積層する。Ｎｉ層４．Ａ
ｕ層５の厚さは、併せて０．５−程度である０次いで、
Ｃｕ製のり一ド７を、融点３１０〜３２０℃の高温はん
だ６を用いてＡｕ層５の上にはんだ付けする。高温はん
だ６はＡｇ−Ｓｎ −Ｐｂ合金からなり、厚さ数百−で
ある、このような構造のショットキーバリアダイオード
では、はんだ付けによる特性の劣化は認められなかった
。
アダイオードを示し、第２図と共通の部分には同一の符
号が付されている。このダイオードは次のように製作さ
れる。先ず、ｎ型シリコン基板１の一面側に、外周が２
．４ｆｉ角で幅が６０μの角環状のｐ型ガードリング層
３を形成し、そのガードリング層３の上に外周が存在す
る約０．５μｍの厚さのＣｒ層２を蒸着する。このＣｒ
層２の上に、３μｍの厚さのＭ層８を蒸着し、さらにＮ
ｉ層４．Ａｕ層５を蒸着により積層する。Ｎｉ層４．Ａ
ｕ層５の厚さは、併せて０．５−程度である０次いで、
Ｃｕ製のり一ド７を、融点３１０〜３２０℃の高温はん
だ６を用いてＡｕ層５の上にはんだ付けする。高温はん
だ６はＡｇ−Ｓｎ −Ｐｂ合金からなり、厚さ数百−で
ある、このような構造のショットキーバリアダイオード
では、はんだ付けによる特性の劣化は認められなかった
。
しかし、Ａ７１１８の厚さが１−以下のときには、特性
の劣化が認められた。また、１層の厚さを厚くすること
は、蒸着時間が長くなり、コスト上昇につながるので、
４ｎ以下に抑えるのが適当である。
の劣化が認められた。また、１層の厚さを厚くすること
は、蒸着時間が長くなり、コスト上昇につながるので、
４ｎ以下に抑えるのが適当である。
［発明の効果］
本発明によれば、シリコンとの熱膨張係数の差があるク
ロムをバリア金属として用いた場合のバリア界面に生ず
る熱応力を、バリア金属層と接続導体とのろう付け可能
な金属層との間に他の層より厚く軟らかいアルミニウム
層を介在させることによりｍ和させることができた。こ
れにより、熱応力による特性劣化のない、信鯨性の高い
ショットキーバリアダイオードが得られた。
ロムをバリア金属として用いた場合のバリア界面に生ず
る熱応力を、バリア金属層と接続導体とのろう付け可能
な金属層との間に他の層より厚く軟らかいアルミニウム
層を介在させることによりｍ和させることができた。こ
れにより、熱応力による特性劣化のない、信鯨性の高い
ショットキーバリアダイオードが得られた。
第１図は本発明の一実施例のショットキーバリアダイオ
ードの断面図、第２図は従来のショットキーバリアダイ
オードの断面図である。
ードの断面図、第２図は従来のショットキーバリアダイ
オードの断面図である。
Claims (1)
- （１）ｎ型シリコン基板の一面にバリア金属として１μ
ｍ以下の厚さのクロム層が接触し、そのクロム層の上に
１〜４μｍの厚さのアルミニウム層を介して１μｍ以下
の厚さのろう付け性良好な金属層が積層され、その金属
層と接続導体がろう付けされたことを特徴とするショッ
トキーバリアダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP393190A JPH03209770A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | ショットキーバリアダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP393190A JPH03209770A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | ショットキーバリアダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209770A true JPH03209770A (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=11570885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP393190A Pending JPH03209770A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | ショットキーバリアダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03209770A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541394U (ja) * | 1991-10-30 | 1993-06-01 | 日本電気株式会社 | Ｄｃ／ｄｃコンバータ |
| KR100362866B1 (ko) * | 1999-02-16 | 2002-12-11 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체장치의 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289956A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Fuji Electric Co Ltd | ショットキ・バリア・ダイオ−ドの製造方法 |
| JPH0373573A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-28 | Sanken Electric Co Ltd | シヨットキバリア半導体装置 |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP393190A patent/JPH03209770A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289956A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Fuji Electric Co Ltd | ショットキ・バリア・ダイオ−ドの製造方法 |
| JPH0373573A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-28 | Sanken Electric Co Ltd | シヨットキバリア半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541394U (ja) * | 1991-10-30 | 1993-06-01 | 日本電気株式会社 | Ｄｃ／ｄｃコンバータ |
| KR100362866B1 (ko) * | 1999-02-16 | 2002-12-11 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체장치의 제조방법 |
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