JPH03206609A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
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- JPH03206609A JPH03206609A JP194490A JP194490A JPH03206609A JP H03206609 A JPH03206609 A JP H03206609A JP 194490 A JP194490 A JP 194490A JP 194490 A JP194490 A JP 194490A JP H03206609 A JPH03206609 A JP H03206609A
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Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置製造用のフォトレジスト回転塗布装置に関し
、 半導体基板ハンドリング中における発塵の原因となる半
導体基板周縁部のフォトレジストを、塗布直後に全周に
わたり除去することが可能なフォトレジスト回転塗布装
置を提供することを目的とし、 回転する半導体基板ｌの周縁部１Ｂの円弧部分に向けて
リンス液を噴出する固定ノズル１４と、該半導体基板ｌ
のオリエンテーシａンフラット１Ａを所望の方向に向け
る位置決め手段１７と、位置決めされた該オリエンテー
ションフラット１Ａに平行に移動しながら該周縁部ｌＢ
の該オリエンテーションフラット１Ａ部分に向けてリン
ス液を噴射する可動ノズル１５とを有するように構成す
る。
、 半導体基板ハンドリング中における発塵の原因となる半
導体基板周縁部のフォトレジストを、塗布直後に全周に
わたり除去することが可能なフォトレジスト回転塗布装
置を提供することを目的とし、 回転する半導体基板ｌの周縁部１Ｂの円弧部分に向けて
リンス液を噴出する固定ノズル１４と、該半導体基板ｌ
のオリエンテーシａンフラット１Ａを所望の方向に向け
る位置決め手段１７と、位置決めされた該オリエンテー
ションフラット１Ａに平行に移動しながら該周縁部ｌＢ
の該オリエンテーションフラット１Ａ部分に向けてリン
ス液を噴射する可動ノズル１５とを有するように構成す
る。
本発明は、半導体装置製造用のフォトレジスト回転塗布
装置に関する。
装置に関する。
半導体装置の電極や配線はウエーハ処理工程においてウ
エーハに塗布したフォトレジスト（以後「レジスト」と
記す）を紫外線や電子線等で露光した後現像して得られ
るレジストパターンを基にして形成される。従ってウエ
ーハ処理工程においてレジスト塗布が頻繁に行われる。
エーハに塗布したフォトレジスト（以後「レジスト」と
記す）を紫外線や電子線等で露光した後現像して得られ
るレジストパターンを基にして形成される。従ってウエ
ーハ処理工程においてレジスト塗布が頻繁に行われる。
ウエーハに塗布されたレジストは、ベーキング、露光、
現像、エッチング等の工程を経た後除去されるが、これ
らの各工程間ではその都度ウェーハをウェーハキャリア
等に収納して搬送するため、その際のハンドリング（出
し入れ等）でウェーハ周縁部のレジストが摺動して発塵
の原因となっている。ウェーハへの塵埃付着は歩留り低
下につながるため、塗布直後にウエーハ周縁部のレジス
トを除去することが望まれている。
現像、エッチング等の工程を経た後除去されるが、これ
らの各工程間ではその都度ウェーハをウェーハキャリア
等に収納して搬送するため、その際のハンドリング（出
し入れ等）でウェーハ周縁部のレジストが摺動して発塵
の原因となっている。ウェーハへの塵埃付着は歩留り低
下につながるため、塗布直後にウエーハ周縁部のレジス
トを除去することが望まれている。
従来のレジスト塗布装置を第３図により説明する。第３
図（ａ）、（ｂ）は従来装置の一例を示す模式図である
。図中、ｌは被塗布物であるウ工ーハ、１Ａはウエーハ
ｌの結晶方位を示すためにウェーハｌに設けられたオリ
エンテーションフラット（以後「オリフラ」と記す）で
ある。１１はチャックであり、ウエーハｌを真空吸着す
る。１０はモータであり、ウエーハｌを真空吸着したチ
ャック１１を回転する。１２はレジスト吐出部であり先
端にノズル１２ａを備え、ここからレジストをウェーハ
ｌ上に滴下する。ｌ３はカップであり、ウエーハ１の回
転時に飛散する余分のレジストを収容する。
図（ａ）、（ｂ）は従来装置の一例を示す模式図である
。図中、ｌは被塗布物であるウ工ーハ、１Ａはウエーハ
ｌの結晶方位を示すためにウェーハｌに設けられたオリ
エンテーションフラット（以後「オリフラ」と記す）で
ある。１１はチャックであり、ウエーハｌを真空吸着す
る。１０はモータであり、ウエーハｌを真空吸着したチ
ャック１１を回転する。１２はレジスト吐出部であり先
端にノズル１２ａを備え、ここからレジストをウェーハ
ｌ上に滴下する。ｌ３はカップであり、ウエーハ１の回
転時に飛散する余分のレジストを収容する。
このカップｌ３の下部には排気口１３ａが設けられてお
り、レジストの溶剤の蒸気を排出させる。１４はリンス
液をウエーハ周縁部に向けて噴射するための固定ノズル
であり、先端は注射針からなり、ウェーハｌの表面に対
して４５°の角度、外周に対しては接線方向にリンス液
を噴射するように曲げられている。
り、レジストの溶剤の蒸気を排出させる。１４はリンス
液をウエーハ周縁部に向けて噴射するための固定ノズル
であり、先端は注射針からなり、ウェーハｌの表面に対
して４５°の角度、外周に対しては接線方向にリンス液
を噴射するように曲げられている。
この装置でレジストを塗布するには、先ずウ工一ハ１の
静止状態でノズル１２ａからレジストを滴下させ、次い
でウエーハ１を低速で回転してレジストをウエーハｌの
表面に拡げ、更に高速回転するとレジストは所望の膜厚
に向けて徐々に拡がりを続ける。この間ウエーハ１表面
に拡がったレジストは次第に溶剤が蒸発して粘度を増し
、やがて拡がりは停止する。この際、ウエーハｌの周縁
部１Ｂでは周速が最も大きいため最も速く粘度が高くな
り、そのためにレジスト膜の盛り上がりを生ずる。この
部分のレジストは後のハンドリングで発塵の原因となる
ため、ウェーハを回転しながら固定ノズル１４からＮ２
等の圧気で加圧したレジスト用のリンス液をこの周縁部
１Ｂに噴出せしめてこれを除去する。
静止状態でノズル１２ａからレジストを滴下させ、次い
でウエーハ１を低速で回転してレジストをウエーハｌの
表面に拡げ、更に高速回転するとレジストは所望の膜厚
に向けて徐々に拡がりを続ける。この間ウエーハ１表面
に拡がったレジストは次第に溶剤が蒸発して粘度を増し
、やがて拡がりは停止する。この際、ウエーハｌの周縁
部１Ｂでは周速が最も大きいため最も速く粘度が高くな
り、そのためにレジスト膜の盛り上がりを生ずる。この
部分のレジストは後のハンドリングで発塵の原因となる
ため、ウェーハを回転しながら固定ノズル１４からＮ２
等の圧気で加圧したレジスト用のリンス液をこの周縁部
１Ｂに噴出せしめてこれを除去する。
ところがこのような装置でウエーハ周縁部のレジストを
除去する場合は、ウエーハ周縁部のうち円弧部分のレジ
ストしか除去されず、オリフラ部分にはリンス液がかか
らないためオリフラ部分のレジストは除去されないとい
う問題があった。本発明は、このような問題を解決して
、ウエーハ周縁部の全周にわたりレジストを除去するこ
とが可能なレジスト塗布装置を提供することを目的とす
る。
除去する場合は、ウエーハ周縁部のうち円弧部分のレジ
ストしか除去されず、オリフラ部分にはリンス液がかか
らないためオリフラ部分のレジストは除去されないとい
う問題があった。本発明は、このような問題を解決して
、ウエーハ周縁部の全周にわたりレジストを除去するこ
とが可能なレジスト塗布装置を提供することを目的とす
る。
この目的は、本発明によれば、回転する半導体基板ｌの
周縁部１Ｂの円弧部分に向けてリンス液を噴出する固定
ノズルと、該半導体基板ｌのオリエンテーションフラッ
ト１Ａを所望の方向に向ける位置決め手段１７と、位置
決めされた該オリエンテーションフラット１Ａに平行に
移動しながら該周縁部１Ｂの該オリエンテーションフラ
ットＬＡ部分に向けてリンス液を噴射する可動ノズルＩ
５とを有することを特徴とするレジスト塗布装置とする
ことで、達成される。
周縁部１Ｂの円弧部分に向けてリンス液を噴出する固定
ノズルと、該半導体基板ｌのオリエンテーションフラッ
ト１Ａを所望の方向に向ける位置決め手段１７と、位置
決めされた該オリエンテーションフラット１Ａに平行に
移動しながら該周縁部１Ｂの該オリエンテーションフラ
ットＬＡ部分に向けてリンス液を噴射する可動ノズルＩ
５とを有することを特徴とするレジスト塗布装置とする
ことで、達成される。
ウエーハ周縁部の円弧部分に向けてリンス液を噴射する
ように配設された固定ノズルでオリフラ部分全長にリン
ス液をかけることは不可能である。
ように配設された固定ノズルでオリフラ部分全長にリン
ス液をかけることは不可能である。
従って固定ノズルにより除去し残したオリフラ部分のレ
ジストは、ウエーハを静止して、別に設けた可動ノズル
をオリフラに沿って移動しながらリンス液をかけること
により除去する。
ジストは、ウエーハを静止して、別に設けた可動ノズル
をオリフラに沿って移動しながらリンス液をかけること
により除去する。
本発明に基づくレジスト塗布装置の実施例を第１図及び
第２図により説明する。第１図（ａ）、（ｂ）は本発明
の一実施例を示す模式図である。
第２図により説明する。第１図（ａ）、（ｂ）は本発明
の一実施例を示す模式図である。
同図中、ｌは被塗布物であるウエーハ、１Ａはウェーハ
１の結晶方位を示すためにウエーハに設けられたオリフ
ラである。１１はチャックであり、ウ工一ハｌを真空吸
着する。ｌＯはモータであり、ウ工−ハ１を真空吸着し
たチャック１１を回転する。１２はレジスト吐出部であ
り先端にノズル１２ａを備え、ここからレジストをウエ
ーハｌ上に滴下する。ｌ３はカップであり、ウエーハｌ
の回転時に飛散する余分のレジストを収容するためのも
のであり、上下動する機構を有している（図示は省略）
。このカップｌ３の下部には排気口１３ａが設けられて
おり、レジストの溶剤の蒸気を排出させる。１４はリン
ス液をウエーハ周縁部１Ｂのうち円弧部分に注ぐための
固定ノズルであり、先端は注射針からなり、ウ工一ハ１
の表面に対して４５°の角度、外周に対しては接線方向
にリンス液を噴射するように曲げられている。１５はリ
ンス液をウエーハ周縁部１Ｂのうちオリフラ部分に注ぐ
ための可動ノズルであり、先端は注射針からなり、ウエ
ーハｌの表面に対して４５°、オリフラに対して９０°
の角度でリンス液を噴射するように曲げられている。ｌ
６は可動ノズル１５を位置決めされたオリフラ１Ａに平
行に移動するための移動手段であり、エアシリンダ等の
リニアアクチュエー夕である。そのストロークはオリフ
ラ１Ａの全長をカバーする。１７はオリフラ（１Ａ）を
所望の方向に向けるための位置決め手段である。
１の結晶方位を示すためにウエーハに設けられたオリフ
ラである。１１はチャックであり、ウ工一ハｌを真空吸
着する。ｌＯはモータであり、ウ工−ハ１を真空吸着し
たチャック１１を回転する。１２はレジスト吐出部であ
り先端にノズル１２ａを備え、ここからレジストをウエ
ーハｌ上に滴下する。ｌ３はカップであり、ウエーハｌ
の回転時に飛散する余分のレジストを収容するためのも
のであり、上下動する機構を有している（図示は省略）
。このカップｌ３の下部には排気口１３ａが設けられて
おり、レジストの溶剤の蒸気を排出させる。１４はリン
ス液をウエーハ周縁部１Ｂのうち円弧部分に注ぐための
固定ノズルであり、先端は注射針からなり、ウ工一ハ１
の表面に対して４５°の角度、外周に対しては接線方向
にリンス液を噴射するように曲げられている。１５はリ
ンス液をウエーハ周縁部１Ｂのうちオリフラ部分に注ぐ
ための可動ノズルであり、先端は注射針からなり、ウエ
ーハｌの表面に対して４５°、オリフラに対して９０°
の角度でリンス液を噴射するように曲げられている。ｌ
６は可動ノズル１５を位置決めされたオリフラ１Ａに平
行に移動するための移動手段であり、エアシリンダ等の
リニアアクチュエー夕である。そのストロークはオリフ
ラ１Ａの全長をカバーする。１７はオリフラ（１Ａ）を
所望の方向に向けるための位置決め手段である。
この位置決め手段については種々の方式が考えられるが
、発明者は第２図に示す方式を採用した。
、発明者は第２図に示す方式を採用した。
第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はオリフラ位置決め手段
の一例を示す模式図である。図中、１７ａは光電スイッ
チであり、照射した光の反射光を受光している間はＯＮ
、反射光を受光しないとＯＦＦとなる。この光電スイッ
チ１７ａは仮位置決め用であり、モータｌＯをＯＮ／Ｏ
ＦＦさせる。即ちウエーハｌの周縁部１Ｂを照射してウ
エーハＩを超低速回転（例えば１０ｒ．ｐ．ｍ．） シ
、オリフラ１Ａにさしかかって反射光が途切れると光電
スイッチ１７ａはＯＦＦとなり、間もなくモータｌＯが
停止する。光の照射位置（ウェーハ１端面からの距離）
を調整することにより、モータｌＯ停止時にオリフラ１
Ａが略所望の位置（向き）となるようにすることが出来
る。１７ｂ及び１７ｃは位置決めプレートであり、両者
は連動して逆方向に動く。これらは本位置決め用であり
、次のようにして位置決めする。上記の仮位置決めを行
った後、先ずカップｌ３を下方に下げ、チャック１１の
真空吸着を解除し、次にウエーハ１の左右から位置決め
プレート１７ｂ ， １７ｃを前進させてウエーハ１を
挟み込んで位置決めする。その後位置決めプレーＨ７ｂ
， １７ｃを後退させ、チャック１１は再び真空吸着
を行い、カップｌ３を上方に上げて工程を完了する。
の一例を示す模式図である。図中、１７ａは光電スイッ
チであり、照射した光の反射光を受光している間はＯＮ
、反射光を受光しないとＯＦＦとなる。この光電スイッ
チ１７ａは仮位置決め用であり、モータｌＯをＯＮ／Ｏ
ＦＦさせる。即ちウエーハｌの周縁部１Ｂを照射してウ
エーハＩを超低速回転（例えば１０ｒ．ｐ．ｍ．） シ
、オリフラ１Ａにさしかかって反射光が途切れると光電
スイッチ１７ａはＯＦＦとなり、間もなくモータｌＯが
停止する。光の照射位置（ウェーハ１端面からの距離）
を調整することにより、モータｌＯ停止時にオリフラ１
Ａが略所望の位置（向き）となるようにすることが出来
る。１７ｂ及び１７ｃは位置決めプレートであり、両者
は連動して逆方向に動く。これらは本位置決め用であり
、次のようにして位置決めする。上記の仮位置決めを行
った後、先ずカップｌ３を下方に下げ、チャック１１の
真空吸着を解除し、次にウエーハ１の左右から位置決め
プレート１７ｂ ， １７ｃを前進させてウエーハ１を
挟み込んで位置決めする。その後位置決めプレーＨ７ｂ
， １７ｃを後退させ、チャック１１は再び真空吸着
を行い、カップｌ３を上方に上げて工程を完了する。
この装置でレジストを塗布するには、先ずカップｌ＋を
下げた状態でウェーハ１をチャック１１上に載置して真
空吸着し、次にウエーハｌの静止状態でノズル１２ａか
らレジストを滴下させ、次いでウ工一ハｌを低速で回転
してレジストをウエーハ１上に拡げ、更に高速回転する
とレジストは所望の膜厚に向けて徐々に拡がりを続ける
。この間ウ工−ハｌ表面に拡がったレジストは次第に溶
剤が蒸発して粘度を増し、やがて拡がりは停止する。こ
の際、ウエーハｌの周縁部１Ｂでは周速が最も大きいた
め最も速く粘度が高くなり、そのためにレジスト膜の盛
り上がりを生ずる。この部分のレジストは後のハンドリ
ングで発塵の原因となるため、ウェーハを回転しながら
固定ノズル１４からＮ２等の圧気で加圧したレジスト用
のリンス液をこの周縁部１Ｂに噴射せしめて周縁部１Ｂ
のレジストを除去する。
下げた状態でウェーハ１をチャック１１上に載置して真
空吸着し、次にウエーハｌの静止状態でノズル１２ａか
らレジストを滴下させ、次いでウ工一ハｌを低速で回転
してレジストをウエーハ１上に拡げ、更に高速回転する
とレジストは所望の膜厚に向けて徐々に拡がりを続ける
。この間ウ工−ハｌ表面に拡がったレジストは次第に溶
剤が蒸発して粘度を増し、やがて拡がりは停止する。こ
の際、ウエーハｌの周縁部１Ｂでは周速が最も大きいた
め最も速く粘度が高くなり、そのためにレジスト膜の盛
り上がりを生ずる。この部分のレジストは後のハンドリ
ングで発塵の原因となるため、ウェーハを回転しながら
固定ノズル１４からＮ２等の圧気で加圧したレジスト用
のリンス液をこの周縁部１Ｂに噴射せしめて周縁部１Ｂ
のレジストを除去する。
次に前述の方法で位置決め手段１７によりオリフラ１Ａ
が所定の向きとなるようにウエーハ１を回転し、可動ノ
ズル１５を移動手段ｌ６によりオリフラ１Ａに平行に移
動しながらリンス液をオリフラ部分のウエーハ周縁部Ｉ
Ｈに噴射する。その結果、ウエーハ周縁部１Ｂのオリフ
ラ部分のレジストが除去され、固定ノズル１４によるレ
ジスト除去と合わせて、ウ工一ハ１の周縁部１Ｂ全周に
わたりレジストが除去されることになる。
が所定の向きとなるようにウエーハ１を回転し、可動ノ
ズル１５を移動手段ｌ６によりオリフラ１Ａに平行に移
動しながらリンス液をオリフラ部分のウエーハ周縁部Ｉ
Ｈに噴射する。その結果、ウエーハ周縁部１Ｂのオリフ
ラ部分のレジストが除去され、固定ノズル１４によるレ
ジスト除去と合わせて、ウ工一ハ１の周縁部１Ｂ全周に
わたりレジストが除去されることになる。
本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。
変形して実施出来る。
以上説明したように、発明案によれば、発塵源となるウ
エーハ周縁部のレジストを全周にわたり除去することが
可能なレジスト塗布装置を提供することが出来、半導体
装置製造工程の歩留り向上に寄与するところが大である
。
エーハ周縁部のレジストを全周にわたり除去することが
可能なレジスト塗布装置を提供することが出来、半導体
装置製造工程の歩留り向上に寄与するところが大である
。
第ｌ図は本発明の一実施例を示す模式図、第２図はオリ
フラ位置決め手段の一例を示す模式図、 第３図は従来装置の一例を示す模式図、である。 図中、ｌはウエーハ（半導体基板）、 １Ａはオリエンテーションフラッ ｌＢは周縁部、 １０はモータ、 ｌ１ よチャック、 ｌ２はレジスト吐出部、 ｌ３はカップ、 Ｉ４ ま固定ノズル、 Ｉ５ ま可動ノズル、 １６ ま移動手段、 １７は位置決め手段、である。 ト、 （α）側断面図 （レ）部分手面図 杢楚明の一実施例を示す模式図 第 １ 図 （α）イ反位ａ法め（斜視図） （Ｃ）杢位！ｌ沃め（平面（２）） オリフフ位ＩＩ汰め手段の一例を示Ｔ模式図第２ 図
フラ位置決め手段の一例を示す模式図、 第３図は従来装置の一例を示す模式図、である。 図中、ｌはウエーハ（半導体基板）、 １Ａはオリエンテーションフラッ ｌＢは周縁部、 １０はモータ、 ｌ１ よチャック、 ｌ２はレジスト吐出部、 ｌ３はカップ、 Ｉ４ ま固定ノズル、 Ｉ５ ま可動ノズル、 １６ ま移動手段、 １７は位置決め手段、である。 ト、 （α）側断面図 （レ）部分手面図 杢楚明の一実施例を示す模式図 第 １ 図 （α）イ反位ａ法め（斜視図） （Ｃ）杢位！ｌ沃め（平面（２）） オリフフ位ＩＩ汰め手段の一例を示Ｔ模式図第２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板（１）にフォトレジストを回転塗布する装置
において、 回転する該半導体基板（１）の周縁部（１Ｂ）の円弧部
分に向けてリンス液を噴射する固定ノズル（１４）と、 該半導体基板（１）のオリエンテーションフラット（１
Ａ）を所望の方向に向ける位置決め手段（１７）と、位
置決めされた該オリエンテーションフラット（１Ａ）に
平行に移動しながら該周縁部（１Ｂ）の該オリエンテー
ションフラット（１Ａ）部分に向けてリンス液を噴射す
る可動ノズル（１５）と、を有することを特徴とするレ
ジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP194490A JPH03206609A (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP194490A JPH03206609A (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206609A true JPH03206609A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11515728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP194490A Pending JPH03206609A (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03206609A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466295B1 (ko) * | 2002-05-20 | 2005-01-13 | 한국디엔에스 주식회사 | 기판 가장자리 식각 방법 |
| JP2018206877A (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1990
- 1990-01-09 JP JP194490A patent/JPH03206609A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466295B1 (ko) * | 2002-05-20 | 2005-01-13 | 한국디엔에스 주식회사 | 기판 가장자리 식각 방법 |
| JP2018206877A (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
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