JPH03198392A

JPH03198392A - 光半導体集積装置の製造方法

Info

Publication number: JPH03198392A
Application number: JP34096289A
Authority: JP
Inventors: Haruhisa Soda; 晴久雙田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1989-12-26
Filing date: 1989-12-26
Publication date: 1991-08-29
Anticipated expiration: 2013-07-30
Also published as: JP2780829B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［概要コ２つ以上の光半導体素子の導波路を互いに突き合わせて
整合した直接結合（バットジヨイント）型の光半導体集
積装置の製造方法に関し、直接結合型の光半導体集積装
置を製造する方法において、複数の光半導体素子の光導
波路層の所望の厚さを確保しつつ、結合部における厚さ
の変化を低減することのできる光半導体装置の製造方法
を提供することを目的とし、同一半導体基板上に第１および第２の光半導体素子をそ
の導波路部分を直接結合型に配置して、集積する光半導
体集積装置の製造方法であって、第１の導波路を形成す
べき第１の半導体層を選択的に形成し、その上に第１の
導波路を覆う第１のマスクの領域と、第１の導波路を形
成すべき領域から所定距離以上群され、第２の導波路を
形成すべき領域に沿って形成された第２のマスクの領域
とを形成し、これら第１、第２のマスクの領域を用いて
第２の導波路を形成すべき第２の半導体層を選択的に成
長する工程とを含むように構成する。

［産業上の利用分野］本発明は、光半導体集積装置装置の製造方法に関し、特
に２つ以上の光半導体素子の導波路を互いに突き合わせ
て整合した直接結合（バットジヨイント）型の光半導体
集積装置の製造方法に関する。

し従来の技術］従来、２つ以上の光半導体素子をそれぞれの導波路を突
き合わせて直接結合型で作成する際には、一方の光半導
体素子をある程度まで作成し、マスクで覆い、他方の光
半導体素子を形成すべき領域上の不要物をエツチングで
除去し、他方の光半導体素子を一方の光半導体素子に隣
接して形成することによって作成していた。この模様を
第２図を参照して説明する。

第２図（Ａ）において、下地結晶５０上に、方の光半導
体素子を形成すべき第１導波路層５４およびその上に保
護Ｎ　５５　ａを形成した後、たとえばＳｉＯ□等から
なるマスク５１を形成し、このマスク５１を用いて露出
部分の保護層５５ａ、第１導波路層５４をエツチングし
て除去し、露出した下地結晶５１上に今度は第２光半導
体素子を形成すべき第２導波路層５６と保護層５５ｂを
形成していた。

ところが、第２光半導体素子を第１光半導体素子に隣接
して形成する際、マスク５１の近傍で第２導波路層５６
の成長膜厚か厚くなり、成長層の膜厚が不均一になる現
象が生じる。すなわち、図に示すように、結合部からご
く近傍で成長膜厚が急に厚くなり、やがて徐々に減少し
て盛り上かり部を形成し、ある程度以上群れたところに
おいてはほぼ均一な厚さになる。第２導波路層５６の上
の保護層５５ｂにおいては、不均一な厚さ分布は緩和す
る方向に向かうが、厚さの変化は直ちには解消しない、
このなめ、マスク５１を除去した後、再びクラッド層を
成長し、平坦な平面を得るようにしている。

第２図（Ａ）においては、第１光半導体素子の導波路層
５４と第２光半導体素子の第２導波路層５６の均一部と
がほぼ同一な厚さを有するように成長を行った場合を示
したが、この場合は、図示のように結合部において大き
な段差が発生してしまう、このような段差は製造工程に
おいて差し障りとなるばかりでなく、光散乱等の原因と
もなり、光半導体素子の特性上好ましくない。

結合部において、２つの光半導体素子の導波路層がほぼ
同じ厚さになるように制御することはできる。これを第
２図（Ｂ）に示す、第２光半導体素子の第２導波路層５
６の厚さを小さめに制御して、第１導波路層５４との結
合部においてほぼ同じ厚さを持つようにした場合、第２
導波路層５６は全体の厚さが薄くなる。このため、結合
部から離れるに従って第２導波路層５６の厚さは薄くな
り、均一部においては薄くなり過ぎて所望の特性を示す
ことができなくなる。このため、薄い均−部において光
が逃散する現象等が生じ、光半導体素子の所期の特性を
実現することができなくなる。

このように、結合部において厚さの差を無くすようにす
ることは可能であるが、この場合には光半導体素子の特
性そのものが保障されされなくなってしまう。

マスクに近接しな層厚の厚い部分とマスクからｉｌｉす
れな均一な厚さを有する均一部の厚さとは、たとえば３
〜４倍も異なる。そこで、均一部で所望の厚さを得よう
とした場合、結合部からその近傍約２０〜３０μｍ程度
に亘って、所望の厚さよりも３〜４＠も厚い部分が発生
し、結合部には大きな段差が発生してしまう。

［発明が解決しようとする課題］以上説明したように、従来の技術によって直接結合型の
光半導体集積装置を製造しようとすると、２つの光半導
体素子の結合部において、光導波路層の厚さに大きな段
差が生じてしまう。

本発明の目的は、直接結合型の光半導体集積装置を製造
する方法において、複数の光半導体素子の光導波路層の
所望の厚さを確保しつつ、結合部における厚さの変化を
低減することのできる光半導体装置の製造方法を提供す
ることである。

［課題を解決するための手段］第１図は本発明の原理説明図である。

第１図（Ａ）は、製造すべき光半導体集積装置の構造を
概略的に示す、半導体基板１の上に第１の導波路２ａと
第２の導波路３ａとが直線上に当接し、直接結合を構成
している。第１の導波１ｉ４２ａ内の光は、第１の導波
路に沿って進み、第２の導波路３ａに進入する。これら
の導波路２ａ、３ａは、半平面に形成した第１の半導体
層２と残り半平面に形成した第２の半導体層がらストラ
イプ状領域以外の不要部分を除去することによって形成
できる。

第１図（Ａ）に示すような、光半導体集積装置の製造方
法を第１図（Ｂ）〜（Ｅ）を参照して説明する。

第１図（Ｂ）において、半導体基板１上に第１の導波Ｆ
＃Ｉ２　ａを形成すべき第１の半導体層２が選択的に形
成され、その上に結晶成長を抑制する機能を有する第１
のマスク４が準備されている。さらに、第２の導波＃１
３ａを形成すべき領域に沿って第２のマスク５を準備す
る。第１の導波路２ａとなる領域の近傍では、第２のマ
スク５は切り欠かれている。

これら第１および第２のマスク４．５を用いて、半導体
基板１上に結晶成長を行って第２の半導体層３を成長さ
せる。

第１図（Ｃ）は、第１および第２のマスク４．５の配置
を説明するための平面図である。第１のマスク４の下に
は既に第１の導波路２ａを形成すべき第１の半導体層２
が形成されており、その上に第１のマスク４が作成され
ている。第１の導波路の延長上に第２の導波路３ａを作
成することか予定されている。第２のマスク５は第２の
導波路３ａを形成すべき領域に沿って作成され、第１の
マスク４の近傍では第２の導波路３ａ（第１の導波路２
ａ）を形成すべき領域から所定距離以上順されている。

このようなマスク４．５を用いて、第１図（Ｄ）に示す
ように半導体基板１上に第２の導波路層３の結晶成長を
行う、第２の半導体層３の厚さは第１の半導体層２の厚
さとほぼ同等とする。

［作用］従来の技術においては、第１のマスク４に相当するマス
クのみを用いて結晶成長を行っていた。

その時には結合部近傍で成長した半導体層の厚さが増大
し、全体として厚さに不均一が生じてしまった。

上述の方法によって、結晶成長を行うと、第１図（Ｄ＞
に示すようにほぼ均一な厚さを有する第２の半導体層３
が成長できる。この原因は以下のように考えられる。

第１図（Ｅ）は、第１および第２のマスクの作用を概念
的に示す、第１のマスク４と第２のマスク５は結晶成長
を抑制する機能を有するので、ソース材料がマスク面に
到達してもその上で結晶成長は生じない、一方、半導体
基板１が露出している部分６では、表面に到達したソー
ス材料が結晶となって固化する。従って、半導体基板１
の露出部分６に対しては、上方からソース材料の輸送が
連続的に行われる。これに対して第１のマスク４および
第２のマスク５に向かったソース材料は、表面上で堆積
できず、横方向に拡散することになる。これを第１図（
Ｅ）の矢印で示している。すなわち、マスク４．５上か
ら拡散するソース材料が、半導体基板１の露出部分６上
に到達するとそこで結晶成長を起こす、従って、マスク
４．５の端部に近い半導体基板１の露出表面では結晶成
長が盛んになる。

従来は第１のマスク４のみが存在したので、マスク４近
傍のみで成長層が厚くなった。第１のマスク４から離れ
た所では成長層は相対的に薄くなってしまう、そこで、
この薄くなる領域において、第２の導波路３ａを形成す
べき領域に沿って、第２のマスク５を作成することによ
って、第２の導波路３ａを形成すべき領域全長に両マス
ク４．５から均等にソース材料が供給されるようにして
やれば、第２の導波１ｉ！８３　ａを形成すべき領域上
の結晶成長は均等となる。

図中、第２のマスク５からより下方に離れた部分では、
第２のマスク５の影響はなくなり、膜厚分布が出現する
が、そのような部分は光半導体集積装置として使用しな
いので影響はない。

このようにして、第１のマスク４および第２のマスク５
を用いて第２の半導体層３を形成した後、第１の導波路
２ａおよび第２の導波路３ａの部分上にマスクを形成し
、ストライプ状にエツチングを行うことにより、直接結
合型で結合部の段差を低減した第１図（Ａ）に示すよう
な光半導体集積装置構造を得ることができる。

［実施例］第３図（Ａ）、（Ｂ）は、本発明に従って製造すべき光
半導体集積装置の一例を示す、第３図（Ａ）は縦断面図
を示し、第３図（Ｂ）は斜視図を示す。

図において、ｎ型１ｎＰ基板１１上にＤＦＢレーザ２０
と光変調器２１を集積化して製造する。ｎ型］ｎＰ基板
１１の左側部分の表面には、回折格子１２が作成されて
いる。基板１１の上に、たとえばＩｎＧａＡｓＰから成
る導波層（ガイド層）１３が作成され、その上に選択エ
ツチングをストップさせるためのたとえばＩｎＰからな
るエツチングストップ層１７が作成される。このエツチ
ングストップ層１７の上に、たとえば組成の異なるＪｎ
ＧａＡＳＰからなる活性層１４、吸収層１６が形成され
ている。

これらの活性層、吸収層は、まず活性層を全面に成長し
た後、不要部分をエツチング除去し、残り部分に吸収層
を選択的に成長させることによって作成される０図の場
合は、ホトルミネッセンス（ＰＬ）発光波長の相対的に
長いＤＦＢレーザ２０の活性層１４が先に形成され、エ
ツチングによって右側部分が除去された後、ＰＬ波長が
相対的に短い光変調器２１の吸収層１６が形成されてい
る。活性層上、吸収層上には、たとえばｐ型１ｎＰから
なるクラッド層１５が形成され、その一部はたとえばＦ
ｅをドーグした高抵抗分離層１８に変換されている。ク
ラッド層１５の上には、ｐ＋型ＩｎＧａＡｓＰからなる
コンタクト層２２が形成され、その上にｐ側電極２３ａ
、２３ｂが形成されている。

なお、ＩｎＰ基板１１上にはｎ側基板２４が形成されて
いる。また、光変調器２１の端面上には、たとえば窒化
シリコン（ＳｉＮ）からなる反射防止（ＡＲ）膜２５が
形成されている。

第３図（Ａ）において、第１の活性層１４と第２の吸収
層１６の厚さが異なると、その結合部において、段差が
発生してしまう０段差はその後の製造工程において差し
障りとなるばかりでなく、光学的にも光散乱の原因を作
る等好ましくない効果を及ぼす、従って段差なるべく小
さい方がよい。

第４図（Ａ）〜（Ｈ）は、第３図（Ａ＞、（Ｂ）に示す
ような、光半導体集積装置を製造する製造方法を説明す
るための図である。

第４図（Ａ）において、ｎ型１ｎＰ基板１１の表面には
光干渉法により選択的に回折格子１２が形成され、その
上にＰＬ波長１．１μｍのＩｎＧａＡＳＰからなる厚さ
約０．１５μｍのガイド層１３が液相成長法で成長され
ている。この上に厚さ約２００〜３００人のＩｎＰ層か
らなるエツチングストップ層１７が成長され、その上に
ＰＬ波長１．５５μｍのノンドーグ］ｎＧａＡｓＰから
なる厚さ約０．１５μｍの発光層となる第１の活性層１
４、Ｐ型ＩｎＰの保護層１５ａが形成されている。保護
層１５ａは、第１の活性層１４の保護の役割を果たすと
共に、後にクラッド層１５の一部を構成する。保護層１
５ａの上に、５１０２からなるマスク３１が”ＣＶＤで
厚さ約２５００λ作成される。マスク３１はＤＦＢレー
ザ部分を覆ってエツチングさせない役目を有する。さら
にこのマスク３１は、後に説明するように光変調器部分
の光導波路部分を挾むように延在している。

第４図（Ｂ）は、選択エツチング工程を示す。

マスク３１を用いて、その下の保護層１５ａおよび第１
の活性層１４を選択的にエツチングする。

エツチングはその下のエツチングストップ層１７に当た
って停止する。

その後、第４図（Ｃ）に示すように、このマスク３１を
そのｉｔ結晶成長用マスクとして用い、露出しなＩｎＰ
エッチングストッグ層１７の上に選択的に結晶成長を行
う、結晶成長はたとえば液晶成長で行う、エツチングス
トップ層１７の上に、ＰＬ波長１．４０μｍのノンドー
プＩｎＧａＡｓＰからなる光吸収層となる吸収層１６か
第１の活性層１４と同等の厚さまで成長され、その上に
ｐ型１ｎＰの保護層１５ｂが厚さ０．３μｍ以上成長さ
れる。

吸収層１６およびその上の保護層１５ｂが均一な厚さで
成長できるのは、マスク３１の形状に原因がある。

第４図（Ｄ）は、ＳｉＯ□のマスク３１の平面形状の例
を示す０図中マスク３１は、第１の導波路３ａ側の第１
のマスク４のみでなく、第２の導波路３ｂの部分の両側
にも延びて第２のマスク５を形成している。すなわち、
先端を平らにしたしゃもじ型開口部を形成するように第
２導波路３ｂを挾む形状となっている。また、第２の導
波路３ｂから所定距離以上能れた部分３２ではマスクが
除去されている。

たとえば、液晶成長の場合で説明すると、メルト中を下
方に移動したソース材料は、結晶表面に到達するとそこ
で結晶成長を行うが、マスク上に到達した場合は、結晶
成長をすることができないので、過飽和度を維持したま
ま周辺に移動することになる。そこで過飽和度が第１、
第２のマスク４．５上からその周辺に移動することにな
る。この過飽和度の流れが第２の導波路３ｂ上で均一に
なるようにしてやれば、最終的に得る第２の導波路３ｂ
の厚さは均一にすることができる。そこで、第１の導波
路３ａとある程度以上能れた部分には、第２の導波路３
ｂに沿って第２のマスク５を配置してやればよいことに
なる。第１の導波路３ａに近い部分では、第１のマスク
４から供給される過飽和度があるので、さらに過飽和度
を相乗すると、過飽和度が高くなり過ぎてやはり膜厚の
不均一を招いてしまう、そこで、第１の導波路３ａ上の
第１のマスク４の近傍では、第２の導波路３ｂ側の第２
のマスク５はある程度以上導波路部分から離すように配
置される。たとえば、マスク上から供給される過飽和度
の流れは、幅２０μｍ程度まで及び、特に幅１０μｎｌ
程度までその影響が高い。

３０　Ｊｔｍ以上離れるとほとんど影響はない、そこで
、たとえば第２の導波路３ｂを形成すべき領域の幅をた
とえば約１０μｍとし、その両側に幅２０μｍ以上の第
２のマスク５を配置する。また、第１の導波路３ａ上の
第１のマスク４から幅２０μｍ以上までは導波路に第２
のマスク５を近付かせず、たとえば、図中膜も幅の広い
ところの幅は約１００μｍにする。なお、第２の導波路
３ｂの部分でマスク間の幅を約１０μｍとしたのは、最
終的にたとえば幅約１．５μｍの均一な厚さを有する導
波路を得るためである。この幅を余り狭くすると端部に
おいて盛り上がった形状となることがある。

このように、マスク部分から供給される過飽和度を調節
した結晶成長を行った時の膜厚分布の例を第４図（Ｅ）
に示す、第１の導波路を形成する第１の半導体層１４と
第２の導波路を形成する第２の半導体層１６とはほぼ均
一な厚さ分布を有する。

その後、マスク３１を除去し、第４図（Ｆ）に示すよう
に、その上にｐ型１ｎＰを成長してクラッド層１５を形
成する。この上に、コンタクトを形成するためＰ十型１
ｎＧａＡｓＰからなるキャップ層２２を成長する。この
ように積層成長を行った後、第４図（Ｇ）に示すように
、縦方向にストライプ状の幅約３μｍ、厚さ約２５００
人のＳｉＯ□層からなるマスク３５を形成し、メサエッ
チングを行う、メサエッチングは基板１１に到達するま
で行われている。

次に、第４図（Ｈ）に示すように、メサ部分を収り囲ん
で高抵抗１ｎＰ（ｒｅドープ）層１９をＭＯＣＶＤで成
長する。さらにＴｉ／Ｐｔ積層からなるｐ＠電極、Ａｕ
−Ｇｅ合金からなるｎ　ＩＩｌ！Ｉ電極を作成し、Ｓｉ
ＮからなるＡＲ膜を出射面上に作成することによって、
第３図（Ａ）、（Ｂ）に示すような光半導体集積装置を
作成する。

以上実施例に治って、光半導体集積装置の製造方法を説
明したが、ここで結晶成長の際に用いるマスクについて
さらに説明する。

第５図（Ａ）〜（Ｅ）は、種々のマスクの形状を示す、
第５図（Ａ）は、はぼ′Ｆ字型の開口部分を有するマス
ク３１ａを示す、Ｔ字型の上の部分が第１のマスク４を
構成し、それよりも図中右側の部分が第２のマスク５を
構成する。Ｔの字の縦棒に沿う部分は、作成すべき導波
路に治って配置される。また、第１のマスク４の近傍で
は第２のマスク５側からの過飽和度の供給がほぼＯにな
るまで第２のマスク５間は十分な距離離されている。

Ｔの字の１棒と縦棒の接続部においては、第２のマスク
５が供給する過飽和度と第１のマスク４か供給する過飽
和度の和がほぼ一定なるようにその開口周縁形状が設計
されている。

第５図（Ｂ）は、マスクの別の形状３１ｂを示す、第１
の導波路上に配置される第１のマスク４はほぼ半平面状
の形状を有し、第２の導波路を挾んで形成される第２の
マスク５は、第１のマスク４から所定圧Ｍ離され、第２
の導波路に平行にその両側に配置されている。第２のマ
スク５が在る幅に作成されているのは、結晶成長する面
積を余り小さくし過ぎると、結晶成長の制御が難しくな
ることがあるのを考慮したものである。たとえは、下地
結晶の面積が１００ある場合にマスクで９９の部分を覆
ってしまうと残り１の部分に行われる結晶成長を精密に
制御することは難しくなることがある。

第５図（Ｃ）は、さらに他の形態を示す、第５図（Ｃ）
においては、第１のマスク４らその幅を制限されている
。最終的に利用するのは、短い幅の第１の導波路部のみ
であるので、それよりも外側の結晶はあってもなくても
余り意味がない。その一方、結晶成長すべき面積が狭く
なり過ぎると結晶成長の制御が困難になることがあるの
で、第１のマスク４もその幅を制限し、その両側には結
晶成長が行われるようにしたものである。

第５図（Ｄ）はさらに第１のマスク４と第２のマスク５
か与える影響が相加される部分での第２のマスク形状を
修正したものである。第１のマスク４から供給される過
飽和度は第１のマスク４からの距離が大きくなるに従っ
て減少する。これに合せて徐々に第２のマスク５から供
給される過飽和度が大さくなるように、一対の第１のマ
スク５間の距離を次第に狭め、やがて平行に延びるよう
に配置した。

結晶成長を抑制する過飽和度の流れは、マスク上からマ
スクのない露出表面へと向かうが、マスクの微細な形状
にはさほど敏感ではない、第５図（Ｅ）に示すように、
第２のマスク５に切り欠き状の部分４１が存在しても、
一対の第２のマスク５に挾まれた領域においてほぼ均一
な過飽和度を供給することは可能である。また、第２の
マスク５の先端部４２のように、マスク自体の幅を制御
することによって供給される過飽和度を制御することも
可能である。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれ
らに制限されるものではない、たとえば、種々の変更、
改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろ
う。

［発明の効果コ以上説明したように、本発明によれば、ゲ１の半導体層
を選択的に形成した後、その上にマスクを準備し、残り
の部分に第２の半導体層を選択的に成長させる際、結合
部における段差を減少させることができる。

結合部における段差を減少させ、かつ第２の半導体層か
ら作成される第２の導波路の厚さ分布をほぼ均一にする
ことができる。

このため、光結合効率の優れた光半導体集積装置を製造
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の原理説明図であり、第
１図（Ａ）は光半導体集積装置の概略斜視図、第１図（
Ｂ）はマスクを形成した構造の斜視図、第１図（Ｃ）は
マスクの平面図、第１図（Ｄ）は結晶成長を行った構造
の概略断面図、第１図（Ｅ）はマスクの作用を説明する
ための概念図、第２図（Ａ＞、（Ｂ）は従来の技術を示し、第２図（Ａ
）は第２の半導体層の成長量が大きい場合、第２図（Ｂ
）は第２の半導体層の成長蓋が小さい場合を示す断面図
、第３図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実施例に従って製造す
る光半導体集積装置の例を示す断面図とＳ１視図、第４図（Ａ）〜（）［）は本発明の実施例による光半導
体集積装置の製造方法を説明する図てあり、第４図（Ａ
）〜（Ｃ）は種々の製造工程を説明するための断面図、
第４図（Ｄ）はマスクの平面図、第４図（Ｅ）は選択成
長を行った成長層の膜厚分布を概略的に示す断面図、第
４図（Ｆ）はエピタキシャル成長を終わった基板の断面
図、第４図（Ｇ）はメサエッチ工程を示す断面図、第４
図（Ｈ）は埋め込み成長工程を示す断面図、第５図（Ａ
）〜（Ｅ）は種々のマスクの形状を示す概略平面図であ
る。図において、ａａ４．５１２３４５半導体基板第１の半導体層第１の導波路第２の半導体層第２の導波路マスク半導体基板の露出部分ｎ型］ｎＰ基板回折格子導波層活性層クラッド層６７８９０１３４５１２５１２吸収層（光吸収層）エツチングストップ層高抵抗分離層高抵抗ＴｎＰ埋め込み層ＤＦＢレーザ光変調器プラス電極マイナス電極ＡＲ膜５１０２マスク切り欠きスｌ−ライブ状エッチマスク切り欠き先端部（Ａ）光半導体集積装置（Ｂ）マスク準備（Ｃ）マスクの平面図第１図（その１）１（Ｄ）結晶成長（Ｅ）マスクの作用本発明の原理説明図第１図（その２）（Ａ）断面図ＣＢ）断面図第３図５４：第１導波路層（Ａ）成長量大１（Ｂ）成長１小従来の技術第２図３１：５ｉＯ２７スク（Ａ）ＤＦＢレーザ部積層積層構造作成）選択エツチング（Ｃａｌｆ択成長実施例による製造方法第４図（その１）３２：切欠（Ｄ）ＳｉＯ２マスク平面１（Ｅ）選択成長の膜厚分布実施例による製造方法第４図（その２）（Ａ）その１（Ｂ）その２マスクの形状第５図（その１）（Ｆ）エピタキシャル成長３５ニスドライブ状エツチマスク（Ｇ）メサエッチ（Ｈ）埋込成長実施例による製造方法第４図（その３）（Ｅ）その５マスクの形状第５図（その２）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）、同一半導体基板（１）上に第１および第２の光
半導体素子をその導波路部分（２ａ、３ａ）を直接結合
型に配置して、集積する光半導体集積装置の製造方法で
あって、第１の導波路（２ａ）を形成すべき第１の半導体層（２
）を選択的に形成し、その上に第１の導波路（２ａ）を
覆う第１のマスク（４）の領域と、第１の導波路（２ａ
）を形成すべき領域から所定距離以上離され、第２の導
波路（３ａ）を形成すべき領域に沿つて形成された第２
のマスク（５）の領域とを形成し、これら第１、第２の
マスクの領域を用いて第２の導波路（３ａ）を形成すべ
き第２の半導体層（３）を選択的に成長する工程を含む光半導体集積装置の製造方法。
（２）、前記第２のマスク（５）は、第２の導波路（３
ａ）を形成すべき領域の両側に形成される請求項１記載
の光半導体集積装置の製造方法。
（３）、前記第１のマスク（４）の領域と第２のマスク
（５）の領域間には、第２のマスク（５）の領域の開口
幅より広い開口幅を有するマスク領域が設けられてなる
ことを特徴とする請求項２記載の光半導体集積装置の製
造方法。