JPH03195018A - 半導体ウェーハ搬送用治具 - Google Patents
半導体ウェーハ搬送用治具Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
を載置するボート載置部とそれを保持するグリップ部を
有する半導体ウェーハ搬送用治具の改良に関するもので
ある。
体が要求されるようになり、その製造工程の酸化、拡散
工程で、半導体ウェーハの高温処理炉において半導体ウ
ェーハのロードに用いられるウェーハ積載ボート搬送に
伴う汚染問題をも最小限に押える必要から、汚染源とな
るダストを発生するこれまでのボートローダ一方式に替
って半導体ウェーハ搬送用治具が使用されるようになっ
て来た。
たカセットボートを載置するボート載置部とそれを保持
するグリップ部により構成されている。半導体ウェー八
を積載したカセットボートは、半導体ウェーハ搬送用治
具のボート載置部に載置され、半導体ウェーハ搬送用治
具を炉内へ挿入することにより、炉内へ移送される。炉
内の適当な位置まで半導体ウェー八を積載したカセット
ボートは、半導体ウェーハ搬送用治具を下方へ移動させ
ることにより炉内へ設置される。その後、半導体ウェー
ハ搬送用治具は熱処理前に炉外へ移動される。また、半
導体ウェーハを炉内より炉外へ搬送する場合は、逆に半
導体ウェーハ搬送用治具がカセットボートの下方へ挿入
され、半導体ウェーハ搬送用治具を上方へ移動させるこ
とにより、ボート載置部にカセットボートを載置し、炉
外へ搬送する。半導体ウェーハ搬送用治具は半導体つ工
−ハへ与える影響の小さい高純度の石英ガラスで構成さ
れる。ボート載置部分は石英ガラス製の円筒管もしくは
板を用い、グリップ部分に石英ガラス製円筒管が使われ
る。その石英ガラスの肉厚は、従来3.5〜4.5mm
程度が限度であった。
部からグリップ部への形状移行部付近までその断面係数
が比較的小さい構造を有し、更に積載物による曲げモー
メントは、フォークのような片持ハリでは保持部分はと
大きくなる傾向があるため、この部分の安全性に問題を
生じている。
ーハ積載ボートの出し入れの際に発生応力が許容応力を
越える可能性があり、越えた場合搬送用治具の重力方向
への変形、更には破損に至り、貴重な処理ウェーハのロ
スにつながる。該治具の安全率は、安全率=許容応力7
允生応力で計算される。ここでいう許容応力とは、使用
に耐え得る材料の安全な強度である。許容応力は材料固
有の値であるため、安全率を高める、つまり、安全率を
大きくする為には、発生応力を小さくする必要がある。
曲げモーメント、Zは断面係数)により計算される。曲
げモーメントは、形状に関係なく、スパン、荷重によっ
て決るものであるため、一定の荷重に対しては、断面係
数を大きくすれば、発生応力を小さくすることができ、
即ち安全性を高めることができる。
い方がつまり肉厚の厚い方が大きくなる。
のとすると熱応力による縦割れ力5発生しやすくなり、
また製造も困難であるから、従来の4.5閣より大きい
肉厚のものは使用すること力1できなかった。
部を空間を配した内周壁部材と外周壁部材とにより構成
したものである。
置するボート載置部とそれを保持するグツツブ部を有す
る半導体ウェーハ搬送用治具において、少なくともボー
ト載置部が、空間を配して内周壁部材と外周壁部材とに
より構成され、かつ、グリップ部に紡速閉板を設けたこ
とを特徴とする半導体ウェーハ搬送用治具である。
外周壁部材とにより構成されているため、形状の断面係
数を大きくする作用があり、すなわち、発生応力を小さ
くし、安全率を大きくする作用がある。それにより、ボ
ート載置部は従来の限度数量以上のウェーハを積載する
ことができ、処理炉の生産性を引き上げる作用を有する
。
処理炉からの輻射熱及び炉内ガスの流出を低減、防止す
る作用を有するとともに、更ζこ内周壁部材を紡速閉板
と溶接することにより安全性を高める作用を有する。
て、その好しい実施例を挙げ、添付図面を参照しつつ、
具体的に説明する。
第1図(A)はその炉内挿入部分の側断面である。治具
の炉内に入る部分は、高純度石英ガラスにより構成され
た2つの部分、ボート載置部(1)とグリップ部(2)
とにより構成される。
る。治具のボート載置部(1)は、カセ・ントボートを
載置する内周壁部材(8)、板状部材(lO)及びグリ
ップ部(2)より延長された外周壁部材(9)とを溶接
した中空の構造になっており、線B−Bでのその縦断面
を第1図(B)で示す。本実施例は、板状部材(lO)
を用いているが板状部材(10)を用いず、内周壁部材
と外周壁部材を直接溶接してもよく、また、板状部材(
lO)のかわりに棒状部材(図示せず)を用いてもよい
。また、グリップ部(2)は、円筒部材(7)からなり
、その前方端で溶接によって紡速閉板(3)に接続して
いる。紡速閉板には、内周壁部材の一端が溶接される。
C)に示される。カセットボートを載置する内周壁部材
(8)は、ボート形状に合せて、曲面で構成されている
。
したが、屈曲面にて構成してもよい(図示せず)。
載置部の中央(5)に10kgの荷重を加え、最大応力
を受ける形状移行部(4)の測定値で安全率を算出し、
その時の断面係数、発生応力をあわせて表1に示す。
板状部材(11)を配置しない以外は、形状、大きざ、
材質とも実施例1と同様に設計した半導体ウェーハ搬送
用治具を用意した。該半導体ウェーハ積載用治具のボー
ト載置部の中央(5)に実施例1と同様10kgの荷重
を加え、最大応力を受ける形状移行部(4)の測定値で
安全率を算出し、その時の断面係数、発生応力をあわせ
て表1に示す。
比較すると、板状構造の断面係数(C113)1.11
5に対して本発明では、2.643に高まり、板状構造
の発生応力(kg/cm2) 166に対して80に抑
制され、更に安全率をみると板状構造の2.9に対して
本発明では6.0となり安全性が二倍以上になっている
。現在の石英ガラス溶接技術でも二重壁化による断面係
数の実質的増大が達成可能である。
することなく、石英ガラス製半導体ウェーハ搬送用治具
の安全率が高まる。さらに、半導体ウェーへの処理数量
を2倍にする等、その数量を大きくしても曲げモーメン
トに耐える充分な断面係数が設定可能となり、治具の二
重壁構造は、製品品質の高水準化のためにも生産性増大
のためにも、不可欠な技術となる。
、半導体ウェーハ処理数量を増加しようとする時に特に
認識される問題点、即ち、高熱下荷重歪を抑制する手段
が無いことを要因とする処理能力の増大限界を解決する
ことができ、安全性を高めるとともに、高温処理炉にお
ける半導体ウェーへの炉内へのまたは炉内からの搬送操
作の確実性を増し、処理ウェーへの歩留りを上げること
ができる。又、治具に紡速閉板を取り付ける二重壁構造
の利用は、高温炉からの輻射熱の発散防止及び炉内ガス
のリーク防止に役立ち、半導体つ工−ハ搬送操作に伴う
炉内温度の変動を小さくすると同時に炉内クリーン度の
保持を果し、高品質なウェーハ生産に必要な処理上での
理想に近づけた第1図は、本発明の実施例1の半導体ウ
ェーハ搬送用治具を示し、第1図(A)は、側断面を、
第1図(B)は、ボート積載部の縦断面をで、第1図(
C)は、グリップ部の縦断面を示す。第2図は、比較例
1の半導体ウェーハ搬送用治具を示す。
Claims (1)
- 半導体ウェーハを積載したカセットボートを載置するボ
ート載置部とそれを保持するグリップ部を有する半導体
ウェーハ搬送用治具において、少なくともボート載置部
が、空間を配して内周壁部材と外周壁部材とにより構成
され、かつ、グリップ部に熱遮閉板を設けたことを特徴
とする半導体ウェーハ搬送用治具。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP1332865A JP2640691B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 半導体ウェーハ搬送用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03195018A true JPH03195018A (ja) | 1991-08-26 |
JP2640691B2 JP2640691B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=18259666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1332865A Expired - Fee Related JP2640691B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 半導体ウェーハ搬送用治具 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2640691B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5636129A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Hitachi Ltd | Method and device for heat treatment of semiconductor thin plate |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP1332865A patent/JP2640691B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5636129A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Hitachi Ltd | Method and device for heat treatment of semiconductor thin plate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2640691B2 (ja) | 1997-08-13 |
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