JPH03190236A - Ｍｏｓ集積回路 - Google Patents
Ｍｏｓ集積回路Info
- Publication number
- JPH03190236A JPH03190236A JP1331912A JP33191289A JPH03190236A JP H03190236 A JPH03190236 A JP H03190236A JP 1331912 A JP1331912 A JP 1331912A JP 33191289 A JP33191289 A JP 33191289A JP H03190236 A JPH03190236 A JP H03190236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- aluminum
- aluminum wiring
- mos integrated
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 31
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 31
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はＭＯＳ集積回路に関し、特にアルミスライド
に強いプロセス構造に関するものである。
に強いプロセス構造に関するものである。
第３図は従来のＭＯＳ集積回路のアルミ配線部分の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
図において、１は８１基板、２はフィールド酸化膜、３
は層間膜、４はパッシベーション膜、５はアルミ配線を
示す。
は層間膜、４はパッシベーション膜、５はアルミ配線を
示す。
この従来の構造では平坦になった層間膜３上にアルミ配
線５が置かれており、このためモールド樹脂の伸縮など
の外からの応力に弱く、アルミスライドを起こしやすい
という構造であった。
線５が置かれており、このためモールド樹脂の伸縮など
の外からの応力に弱く、アルミスライドを起こしやすい
という構造であった。
従来のＭＯＳ集積回路は以上のように構成されていたの
で、外からの応力に弱く、アルミスライドを起こしやす
いという問題点があった。
で、外からの応力に弱く、アルミスライドを起こしやす
いという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、アルミスライドに強いＭＯＳ集積回路を得る
ことを目的とする。
たもので、アルミスライドに強いＭＯＳ集積回路を得る
ことを目的とする。
この発明に係るＭＯＳ集積回路は、フィールド酸化膜を
設ける箇所に凹部分を設け、この凹部分にアルミ配線を
°置く構造にしたものである。
設ける箇所に凹部分を設け、この凹部分にアルミ配線を
°置く構造にしたものである。
この発明におけるアルミ配線は、アルミ配線の両側が突
出しているため、直接、アルミ配線が外からの応力を受
けに＜＜、マたアルミスライドしようとするときのスト
ッパの役目を果す。
出しているため、直接、アルミ配線が外からの応力を受
けに＜＜、マたアルミスライドしようとするときのスト
ッパの役目を果す。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例であるＭＯＳ集積回路のア
ルミ配線部分の断面図、第２図Ｆｉｌ［１図のＭＯＳ集
積回路の製造工程を示す各断面図である。なお、図中符
号１〜５は前記従来のものと同一につき説明は省略する
。図において、６は窒化膜、７はレジストを示す。
ルミ配線部分の断面図、第２図Ｆｉｌ［１図のＭＯＳ集
積回路の製造工程を示す各断面図である。なお、図中符
号１〜５は前記従来のものと同一につき説明は省略する
。図において、６は窒化膜、７はレジストを示す。
次にアルミ配線の形成方法を第２図について説明する。
まず、 Ｓｉ基板ｌの表面にフィールド酸化！１２を形
成しくａ図）、その上に窒化膜６を積み（ｂ図）、レジ
スト７を塗布、露光、現象しく０図）、さらにフィール
ド酸化膜２を形成しようとする部分の窒化膜６をエツチ
ングする（ｄ図）。レジスト７を除去後、酸化し、フィ
ールド酸化膜２を形成しく０図）、窒化膜６を除去する
（ｆ図）。さらに、その上に層間膜３を積む（ｇ図）。
成しくａ図）、その上に窒化膜６を積み（ｂ図）、レジ
スト７を塗布、露光、現象しく０図）、さらにフィール
ド酸化膜２を形成しようとする部分の窒化膜６をエツチ
ングする（ｄ図）。レジスト７を除去後、酸化し、フィ
ールド酸化膜２を形成しく０図）、窒化膜６を除去する
（ｆ図）。さらに、その上に層間膜３を積む（ｇ図）。
次に。
このようにしてできた層間［３の凹部にアルミ配線を形
成する。まず、アルミ５をスパッタしくｈ図）、レジス
ト７を塗布、露光、現象しく１図）アルミ５をエツチン
グする（ｊ図）。最後に、レジスト７を除去し、パッシ
ベーション膜４を積む（ｇ図）。
成する。まず、アルミ５をスパッタしくｈ図）、レジス
ト７を塗布、露光、現象しく１図）アルミ５をエツチン
グする（ｊ図）。最後に、レジスト７を除去し、パッシ
ベーション膜４を積む（ｇ図）。
以上のようにこの発明によれば、アルミ配線をフィール
ド酸化膜を設けて形成した開部分に置いたので、外から
の応力を直接受けに＜＜、また突出部分が、アルミがず
れようとするときのストッパにもなるため、アルミスラ
イドに対して強くなるという効果がある。
ド酸化膜を設けて形成した開部分に置いたので、外から
の応力を直接受けに＜＜、また突出部分が、アルミがず
れようとするときのストッパにもなるため、アルミスラ
イドに対して強くなるという効果がある。
第１図は、この発明の一実施槍であるＭＯＳ集積回路の
アルミ配線部分の断面図、第２図（ａｌ〜（ｋｌは第１
図のＭＯＳ集積回路のアルミ配線の製造工程を示す断面
図、第３図は従来のＭＯＳ集積回路のアルミ配線部分の
断面図である。 図において、１はＳｉ基板、２はフィールド酸化膜、３
は層間［，４はパッシベーション膜、ｓはアルミ配線、
６は窒化膜、７はレジストを示す。
アルミ配線部分の断面図、第２図（ａｌ〜（ｋｌは第１
図のＭＯＳ集積回路のアルミ配線の製造工程を示す断面
図、第３図は従来のＭＯＳ集積回路のアルミ配線部分の
断面図である。 図において、１はＳｉ基板、２はフィールド酸化膜、３
は層間［，４はパッシベーション膜、ｓはアルミ配線、
６は窒化膜、７はレジストを示す。
Claims (1)
- フィールド酸化膜を設けて作つた凹部に、Ａｌ配線を置
いたことを特徴とするＭＯＳ集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1331912A JPH03190236A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | Ｍｏｓ集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1331912A JPH03190236A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | Ｍｏｓ集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190236A true JPH03190236A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18249026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1331912A Pending JPH03190236A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | Ｍｏｓ集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03190236A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659202A (en) * | 1996-01-26 | 1997-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with a pair of dummy electrodes below an inner lead |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP1331912A patent/JPH03190236A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659202A (en) * | 1996-01-26 | 1997-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with a pair of dummy electrodes below an inner lead |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2960538B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03190236A (ja) | Ｍｏｓ集積回路 | |
| JPH02285658A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01241117A (ja) | アライメント・マーク | |
| JPH079933B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2809274B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04109654A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07135211A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH10189739A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6149438A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02105554A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0541454A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11238664A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0645332A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0531302B2 (ja) | ||
| JPH02285637A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06244237A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH065711A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR930014798A (ko) | 반도체장치의 다층배선 제조방법 | |
| JPH0513599A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPH05121569A (ja) | 配線形成方法 | |
| JPS62200746A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0290618A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000164698A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58168241A (ja) | 薄膜構造の集積回路装置の製造方法 |