JPH03180024A - 多層レジスト膜形成方法 - Google Patents
多層レジスト膜形成方法Info
- Publication number
- JPH03180024A JPH03180024A JP31955489A JP31955489A JPH03180024A JP H03180024 A JPH03180024 A JP H03180024A JP 31955489 A JP31955489 A JP 31955489A JP 31955489 A JP31955489 A JP 31955489A JP H03180024 A JPH03180024 A JP H03180024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- layer
- novolac
- forming
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 44
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 40
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジスト膜形成方法に関し、特に半導体装置製
造にかいてノボラック系ポジ型フォトレジストを用いる
多層レジスト膜形成方法に関するものである。
造にかいてノボラック系ポジ型フォトレジストを用いる
多層レジスト膜形成方法に関するものである。
近年、半導体装置の高集積化に伴ｉい、これらの装置の
製造工程の中のレジストパターン形成工程にかいて、レ
ジストパターンの断面形状を制御するためのノボラック
系ポジ型フォトレジストの多層レジスト膜を形成する技
術が要求されておシ、この要望に応える技術として、現
在用いられているノボラック系ポジ型フォトレジストの
多層レジスト膜の形成方法を以下に示す。
製造工程の中のレジストパターン形成工程にかいて、レ
ジストパターンの断面形状を制御するためのノボラック
系ポジ型フォトレジストの多層レジスト膜を形成する技
術が要求されておシ、この要望に応える技術として、現
在用いられているノボラック系ポジ型フォトレジストの
多層レジスト膜の形成方法を以下に示す。
第２図（ａ）〜（ｄ）はこのノボラック系ポジ型フォト
レジストの多層レジスト膜の形成工程の概要を示したも
のであシ、これらの図を参照して、従来の多層レジスト
膜形成方法を用いた２１ルジスト膜形成工程について説
明する。
レジストの多層レジスト膜の形成工程の概要を示したも
のであシ、これらの図を参照して、従来の多層レジスト
膜形成方法を用いた２１ルジスト膜形成工程について説
明する。
筐ず、第２図（ａ）にかいて、基板１上にノボラック系
ポジ型フォトレジストを塗布し、下層レジストとしての
ノボラック系ポジ型フォトレジスト層２を形成する。
ポジ型フォトレジストを塗布し、下層レジストとしての
ノボラック系ポジ型フォトレジスト層２を形成する。
次に第２図中〉にかいて、ノ・−ドベークを１５０℃以
上の温度で行い、そのノ・−ドペーク後のノボラック系
ポジ型フォトレジスト層３を形成する。
上の温度で行い、そのノ・−ドペーク後のノボラック系
ポジ型フォトレジスト層３を形成する。
次いで第２図（Ｃ）にかいて、ハードベーク後のノボラ
ック系ポジ型フォトレジスト層３の上に、上層レジスト
としてノボラック系ポジ型フォトレジストを塗布し、ノ
ボラック系ポジ型フォトレジスト層２を形成する。
ック系ポジ型フォトレジスト層３の上に、上層レジスト
としてノボラック系ポジ型フォトレジストを塗布し、ノ
ボラック系ポジ型フォトレジスト層２を形成する。
次に第２図（ｄ）において、プリベークを７０℃〜１２
０℃の温度で行い、上層レジストとしてのプリベーク後
のノボラック系ポジ型フォトレジスト層４を形成する。
０℃の温度で行い、上層レジストとしてのプリベーク後
のノボラック系ポジ型フォトレジスト層４を形成する。
こうして、基板１上にノボラック系ポジ型フォトレジス
トの２層レジスト膜が形成される。
トの２層レジスト膜が形成される。
従来の多層レジスト膜形成方法は、下層レジストとして
ハードベーク後のノボラック系ポジ型フォトレジスト層
３を用いておシ、上層レジスト撒布時に下層レジストが
溶解しないことを特長としている。
ハードベーク後のノボラック系ポジ型フォトレジスト層
３を用いておシ、上層レジスト撒布時に下層レジストが
溶解しないことを特長としている。
しかし、ハードベークによって感光剤が分解しておシ、
ハードベーク後のポジ型フォトレジストはＵＶ光を露光
してもパターンを形成することができず、ハードベーク
前に必要ｆ（パターンを形成する必要がある。したがっ
て、ハードベーク前に露光工程と現像工程の２工程が必
要とたり、リソグラフィー工程のスループットが非常に
悪いという問題点があった。
ハードベーク後のポジ型フォトレジストはＵＶ光を露光
してもパターンを形成することができず、ハードベーク
前に必要ｆ（パターンを形成する必要がある。したがっ
て、ハードベーク前に露光工程と現像工程の２工程が必
要とたり、リソグラフィー工程のスループットが非常に
悪いという問題点があった。
本発明は以上の点に鑑みてなされたものであり１その目
的は、下層フォトレジストの感光剤を分解することなく
、ノボラック系ポジ型フォトレジストの多層レジスト膜
を形成することによって、多層レジスト形成後にパター
ン形成することを可能にし、上層レジスト塗布前の露光
工程と現像工程を省略可能とし、スルーブツトを向上す
ることのできる多層レジストＭ形成方法を提供すること
にある。
的は、下層フォトレジストの感光剤を分解することなく
、ノボラック系ポジ型フォトレジストの多層レジスト膜
を形成することによって、多層レジスト形成後にパター
ン形成することを可能にし、上層レジスト塗布前の露光
工程と現像工程を省略可能とし、スルーブツトを向上す
ることのできる多層レジストＭ形成方法を提供すること
にある。
本発明に係る多層レジスト膜形成方法は、基板上に多層
レジスト膜を形成する際に、基板上に下層レジストとし
て、ノボラック系ポジ型フォトレジストを塗布した後、
プリベークを行う工程と、この下層レジスト上に上層レ
ジストとして、ノボラック系ポジ型フォトレジストの成
分である感光剤と樹脂の双方に対する貧溶媒を加えたノ
ボラック系ポジ型フォトレジストを塗布し、プリベーク
を行う工程とを備えている。
レジスト膜を形成する際に、基板上に下層レジストとし
て、ノボラック系ポジ型フォトレジストを塗布した後、
プリベークを行う工程と、この下層レジスト上に上層レ
ジストとして、ノボラック系ポジ型フォトレジストの成
分である感光剤と樹脂の双方に対する貧溶媒を加えたノ
ボラック系ポジ型フォトレジストを塗布し、プリベーク
を行う工程とを備えている。
本発明によれば、上層レジストにノボラック系ポジ型フ
ォトレジストの成分である感光剤と樹脂の双方に対する
貧溶媒を加えたノボラック系ポジ型フォトレジストを用
いている。このため、上層レジストには、感光剤と樹脂
の双方に対する貧溶媒を加えることによシ、下層レジス
トの感光剤と樹脂の溶解速度を十分に小さくしてちるの
で、下層レジストとしてプリベーク後のノボラック系ポ
ジ型フォトレジストの上に塗布を行っても、下層レジス
トを溶解することなく、２層レジスト膜を形成すること
ができる。
ォトレジストの成分である感光剤と樹脂の双方に対する
貧溶媒を加えたノボラック系ポジ型フォトレジストを用
いている。このため、上層レジストには、感光剤と樹脂
の双方に対する貧溶媒を加えることによシ、下層レジス
トの感光剤と樹脂の溶解速度を十分に小さくしてちるの
で、下層レジストとしてプリベーク後のノボラック系ポ
ジ型フォトレジストの上に塗布を行っても、下層レジス
トを溶解することなく、２層レジスト膜を形成すること
ができる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図（ａ）〜（，１）は、本発明に係る多層レジスト
層形成方法によって２層レジスト膜を形成する方法の概
要について示したものであシ、図中同一または相当部分
は同一符号を記しである。
層形成方法によって２層レジスト膜を形成する方法の概
要について示したものであシ、図中同一または相当部分
は同一符号を記しである。
１ず第１図（ａ）に釦いて、従来と同様の基板１上にノ
ボラック系ポジ型フォトレジストとして例えばＡＺ５２
１４を塗布し、下層レジストとしてのノボラック系ポジ
型フォトレジスト層２を形成する。
ボラック系ポジ型フォトレジストとして例えばＡＺ５２
１４を塗布し、下層レジストとしてのノボラック系ポジ
型フォトレジスト層２を形成する。
次に第１図中）にかいて、プリベークを７０℃〜１・２
０℃の温度で行い、下層レジストとしてのプリベーク後
のノボラック系ポジ型フォトレジスト層４を形成する。
０℃の温度で行い、下層レジストとしてのプリベーク後
のノボラック系ポジ型フォトレジスト層４を形成する。
次いで第１図（Ｃ）において、プリベーク後のノボラッ
ク系ポジ型フォトレジスト層４の上に、上層レジストと
してノボラック系ポジ型フォトレジスト、例えばＡＺ５
２１４ を用いて、これに感光剤と樹脂の貧溶媒として
、例えばキシレンをレジストに対して体積比１：２で加
えたものを塗布し、ノボラック系ポジ型フォトレジスト
層５を形成する。
ク系ポジ型フォトレジスト層４の上に、上層レジストと
してノボラック系ポジ型フォトレジスト、例えばＡＺ５
２１４ を用いて、これに感光剤と樹脂の貧溶媒として
、例えばキシレンをレジストに対して体積比１：２で加
えたものを塗布し、ノボラック系ポジ型フォトレジスト
層５を形成する。
次に第１図（ｄ）にかいて、プリベークを７０℃〜１２
０℃の温度で行い、上層レジストとしてのプリペーク後
のノボラック系ポジ型フォトレジスト層４を形成する。
０℃の温度で行い、上層レジストとしてのプリペーク後
のノボラック系ポジ型フォトレジスト層４を形成する。
このように上記実施例の方法によると、上層レジストに
キシレンの溶媒を加えたノボラック系ポジ型フォトレジ
スト５を塗布することによシ、ノ〜−ドペークなしで、
基板１上にノボラック系ポジ型フォトレジストの２Ｊｍ
レジスト膜を形成することができる。
キシレンの溶媒を加えたノボラック系ポジ型フォトレジ
スト５を塗布することによシ、ノ〜−ドペークなしで、
基板１上にノボラック系ポジ型フォトレジストの２Ｊｍ
レジスト膜を形成することができる。
なか、上記実施例では、上層レジストはノボラック系ポ
ジ型フォトレジストに貧溶媒としてキシレンを混合した
場合について示したが、ベンゼン、トルエンのいずれか
の溶媒を混合してもよい。
ジ型フォトレジストに貧溶媒としてキシレンを混合した
場合について示したが、ベンゼン、トルエンのいずれか
の溶媒を混合してもよい。
筐た、上層レジストはノボラック系ポジ型フォトレジス
トに対して体積比で５０％以上のキシレン、ベンゼン、
トルエンのいずれかの溶媒を混合してもよく、上記実施
例と同様の効果を奏する。
トに対して体積比で５０％以上のキシレン、ベンゼン、
トルエンのいずれかの溶媒を混合してもよく、上記実施
例と同様の効果を奏する。
以上説明したように、本発明によれば、多層レジスト膜
をすべてプリベーク後のノボラック系ポジ型フォトレジ
ストで形成することによシ、該多層レジスト膜中の感光
剤が分解されることはないので、多層レジスト膜形成後
に露光することによって、パターンを形成することがで
きる。このため、上層レジストを塗布する前の下層レジ
ストにパターンを形成するための露光工程と現像工程が
不要となシ、スループットが向上する。その結果、生産
コストが下がるという効果を有する。
をすべてプリベーク後のノボラック系ポジ型フォトレジ
ストで形成することによシ、該多層レジスト膜中の感光
剤が分解されることはないので、多層レジスト膜形成後
に露光することによって、パターンを形成することがで
きる。このため、上層レジストを塗布する前の下層レジ
ストにパターンを形成するための露光工程と現像工程が
不要となシ、スループットが向上する。その結果、生産
コストが下がるという効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明による多層レジスト膜形
成方法の一実施例を示す工程断面図、第２図（ａ）〜（
ｄ）は従来例による多層レジスト膜形成方法を示す工程
断面図゛である。 １・・・・基板、２・・・・ノボラック系ポジ型フォト
レジスト層、４・・・・プリベーク後のノボラック系ポ
ジ型フォトレジスト層、５・・・・貧溶媒混合ノボラッ
ク系ポジ型フォトレジスト層。
成方法の一実施例を示す工程断面図、第２図（ａ）〜（
ｄ）は従来例による多層レジスト膜形成方法を示す工程
断面図゛である。 １・・・・基板、２・・・・ノボラック系ポジ型フォト
レジスト層、４・・・・プリベーク後のノボラック系ポ
ジ型フォトレジスト層、５・・・・貧溶媒混合ノボラッ
ク系ポジ型フォトレジスト層。
Claims (1)
- 基板上に多層レジスト膜を形成する方法において、前記
基板上に下層レジストとして、ノボラック系ポジ型フォ
トレジストを塗布した後、プリベークを行う工程と、前
記下層レジスト上に上層レジストとして、ノボラック系
ポジ型フォトレジストの成分である感光剤と樹脂の双方
に対する貧溶媒を加えたノボラック系ポジ型フォトレジ
ストを塗布し、プリベークを行う工程とを備えたことを
特徴とする多層レジスト膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31955489A JPH03180024A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 多層レジスト膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31955489A JPH03180024A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 多層レジスト膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03180024A true JPH03180024A (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=18111559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31955489A Pending JPH03180024A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 多層レジスト膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03180024A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005032735A (ja) * | 2000-09-25 | 2005-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5487525A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-12 | Ibm | Resist construction |
| JPS57191636A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
| JPS6169130A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-09 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS62211919A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 有機化合物の塗布方法 |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP31955489A patent/JPH03180024A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5487525A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-12 | Ibm | Resist construction |
| JPS57191636A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
| JPS6169130A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-09 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS62211919A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 有機化合物の塗布方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005032735A (ja) * | 2000-09-25 | 2005-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0471222A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6313035A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH05326358A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS6239817B2 (ja) | ||
| JPH03180024A (ja) | 多層レジスト膜形成方法 | |
| JPS616830A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH01142721A (ja) | ポジ型感光性パターン形成材料およびパターン形成方法 | |
| JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2712407B2 (ja) | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 | |
| JPH03236216A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6276724A (ja) | 有機薄膜熱処理方法 | |
| JPS6086828A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP3243904B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6045021A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR19990004871A (ko) | 반도체 장치 사진 식각공정 방법 | |
| JPH0272361A (ja) | 二層構造電子線レジスト | |
| JPS61241745A (ja) | ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH06338452A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH0470755A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0227361A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS63231338A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH03268427A (ja) | 有機樹脂膜のパターン形成方法及び多層配線基板の製造方法 | |
| JPS6255650A (ja) | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 | |
| JPH02262150A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6229134A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 |