JPS6086828A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6086828A JPS6086828A JP58195685A JP19568583A JPS6086828A JP S6086828 A JPS6086828 A JP S6086828A JP 58195685 A JP58195685 A JP 58195685A JP 19568583 A JP19568583 A JP 19568583A JP S6086828 A JPS6086828 A JP S6086828A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- pattern
- range
- resist
- patterns
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子ビーム露光を用いたパターン形形成方法
に関するものである。
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
デバイスの微細化が進むにつれ、露光方法も、光露光か
ら、より微細なパターンを形成しうる電子ビーム露光へ
と進歩した。それにともない電子ビーム露光専用レジス
トも開発された。しかじ、電子ビーム露光専用レジスト
は耐熱性、耐ドライエツチング性、密着性において光露
光用レジスト（以下、ホトレジストと呼ぶ）に劣ってい
る。このため、ジアゾ形ホトレジストを電子ビーム露光
に用いることが試みられている。しかし、第１図に示す
ようにポジ形ホトレジストは、９６℃。
ら、より微細なパターンを形成しうる電子ビーム露光へ
と進歩した。それにともない電子ビーム露光専用レジス
トも開発された。しかじ、電子ビーム露光専用レジスト
は耐熱性、耐ドライエツチング性、密着性において光露
光用レジスト（以下、ホトレジストと呼ぶ）に劣ってい
る。このため、ジアゾ形ホトレジストを電子ビーム露光
に用いることが試みられている。しかし、第１図に示す
ようにポジ形ホトレジストは、９６℃。
２０分の標準的プリベーク処理後、一定量以上の電子ビ
ームを照射するとネガ形に反転するため、適性露光量範
囲がせまい。すなわち、第１図のように、横軸に露光量
を、縦軸に現像後のレジスト膜厚を塗布直後の膜厚で割
った規格化されたレジスト膜厚をとれば、４〜口の範囲
が適正露光量であり、口点（６０μＯ／ｃＩＬ）よりも
大きい露光量はネガ形反転をおこし、パターンはぬけな
い。また、イ点（３０μＣ／ｃＦｌ）よシ小さい露光量
においても露光不足のためパターンはぬけない。従って
イから口までの露光量が実用できる適正露光量範囲とな
る。このように、従来のポジ形ホトレジストは、適性露
光範囲がせまいため、近接効果を考慮した場合大小種々
のパターンを形成することは困難であった。
ームを照射するとネガ形に反転するため、適性露光量範
囲がせまい。すなわち、第１図のように、横軸に露光量
を、縦軸に現像後のレジスト膜厚を塗布直後の膜厚で割
った規格化されたレジスト膜厚をとれば、４〜口の範囲
が適正露光量であり、口点（６０μＯ／ｃＩＬ）よりも
大きい露光量はネガ形反転をおこし、パターンはぬけな
い。また、イ点（３０μＣ／ｃＦｌ）よシ小さい露光量
においても露光不足のためパターンはぬけない。従って
イから口までの露光量が実用できる適正露光量範囲とな
る。このように、従来のポジ形ホトレジストは、適性露
光範囲がせまいため、近接効果を考慮した場合大小種々
のパターンを形成することは困難であった。
発明の目的
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので
あり、ポジ形ホトレジストを電子ビーム露光に用い微細
パターンを形成することができるように、その適正露光
量範囲を広げることが目的である。
あり、ポジ形ホトレジストを電子ビーム露光に用い微細
パターンを形成することができるように、その適正露光
量範囲を広げることが目的である。
発明の構成
本発明は、基板上にジアゾ形ホトレジストを塗布し、７
０℃以下の温度でプリベークを行なった後所定のパター
ンを電子ビーム露光によって描画形成し、現像すること
を特徴とするパターン形成方法であり、これにより、上
述の目的が達せられる０ 実施例の説明 以下に本発明の詳細な説明する。ウェハ捷だはマスク上
に回転数５ｏｏｏ回転／分でポジ形ホトレジスト、例え
ば、東京応化製の製品名０ＦＰＲ１ｏｏｏを１．２μｍ
の厚さに塗布し、６６°Ｃでプリベークを２０分行なう
。その後、露光量３８μＣ／ｃ／Ｌで所定のパターンを
露光し、室温で現像を行なう。現像液には無機アルカリ
現像液、例えば、シプレー社製の製品名ムＺ２４０１現
像液を水で６倍にうすめた混合液を用いた。以下では、
この現像液のことを人Ｚ ２４０１ Ｄｅｖ／Ｈ２０＝
′ｉ／６と略記古る。
０℃以下の温度でプリベークを行なった後所定のパター
ンを電子ビーム露光によって描画形成し、現像すること
を特徴とするパターン形成方法であり、これにより、上
述の目的が達せられる０ 実施例の説明 以下に本発明の詳細な説明する。ウェハ捷だはマスク上
に回転数５ｏｏｏ回転／分でポジ形ホトレジスト、例え
ば、東京応化製の製品名０ＦＰＲ１ｏｏｏを１．２μｍ
の厚さに塗布し、６６°Ｃでプリベークを２０分行なう
。その後、露光量３８μＣ／ｃ／Ｌで所定のパターンを
露光し、室温で現像を行なう。現像液には無機アルカリ
現像液、例えば、シプレー社製の製品名ムＺ２４０１現
像液を水で６倍にうすめた混合液を用いた。以下では、
この現像液のことを人Ｚ ２４０１ Ｄｅｖ／Ｈ２０＝
′ｉ／６と略記古る。
第２図に６６°Ｃ，２０分間のブリベータを行なった０
ＦＰＲ１０００をＡＺ２４０１ Ｄｅｖ；／Ｈ２０＝１
７６で現像した場合の感度曲線を示す。プリベーク温度
６６°Ｃでは、第１図に示した従来のプリベーク条件の
ものに比べて適正露光量範囲が６倍以上に広がることが
わかり、とのため、実用露光条件下では反転領域を考え
る必要がない。尚、第２図中での適正露光量範囲は、・
・点（２０μｃ／ｉ ）から二点（２ｏＯμｃ／ｉ ）
までである。
ＦＰＲ１０００をＡＺ２４０１ Ｄｅｖ；／Ｈ２０＝１
７６で現像した場合の感度曲線を示す。プリベーク温度
６６°Ｃでは、第１図に示した従来のプリベーク条件の
ものに比べて適正露光量範囲が６倍以上に広がることが
わかり、とのため、実用露光条件下では反転領域を考え
る必要がない。尚、第２図中での適正露光量範囲は、・
・点（２０μｃ／ｉ ）から二点（２ｏＯμｃ／ｉ ）
までである。
実験によると、プリベーク温度７０°Ｃ以下で、前述の
適正露光量範囲であれば断面形状のよいラインパターン
とスペースパターンの繰す返シバターンが得られる０又
、シングルラインでは逆テーパーのついたサブミクロン
ラインの形成が可能である。
適正露光量範囲であれば断面形状のよいラインパターン
とスペースパターンの繰す返シバターンが得られる０又
、シングルラインでは逆テーパーのついたサブミクロン
ラインの形成が可能である。
又、有機アルカリ現像液を用いて現像温度３Ｑ°Ｃで現
像を行なった場合も、プリベーク処理温度７０°Ｃ以下
であれば、適正露光量範囲が拡がり、コノ場合にも、断
面形状のよいラインパターンとスペースパターンの繰り
返しパターンが得られ、シングルラインでは逆テーパー
のついた１μｍパターンの形成が可能である。
像を行なった場合も、プリベーク処理温度７０°Ｃ以下
であれば、適正露光量範囲が拡がり、コノ場合にも、断
面形状のよいラインパターンとスペースパターンの繰り
返しパターンが得られ、シングルラインでは逆テーパー
のついた１μｍパターンの形成が可能である。
例えば、第３図に５０ ’０２０分間のプリベークを行
な−た０ＦＰＲ１０００を有機アルカリ現像液例えば、
東京応化（社）Ｈの製品名ＮＭＤ−３で現像した場合の
感度曲線を示す。横軸は露光量、縦軸は、現像後のレジ
スト膜厚を塗布直後の膜厚で割った規格されたレジスト
膜厚である。第３図から、適正露光量が十分広くなりこ
の場合も、実用」二は、反転領域を考える必要がない。
な−た０ＦＰＲ１０００を有機アルカリ現像液例えば、
東京応化（社）Ｈの製品名ＮＭＤ−３で現像した場合の
感度曲線を示す。横軸は露光量、縦軸は、現像後のレジ
スト膜厚を塗布直後の膜厚で割った規格されたレジスト
膜厚である。第３図から、適正露光量が十分広くなりこ
の場合も、実用」二は、反転領域を考える必要がない。
発明の効果
本発明により、ジアゾ形ホトレジストを用いて電子ビー
ム露光によるパターン形成を行なう際、適正露光量範囲
が従来の６倍以上に広がり、したがって、実用上の適正
露光条件下では反転領域を考慮する必要がない。
ム露光によるパターン形成を行なう際、適正露光量範囲
が従来の６倍以上に広がり、したがって、実用上の適正
露光条件下では反転領域を考慮する必要がない。
第１図は、９６°Ｃ２０分間のプリベークを行なった０
ＦＰＲ１０００を無機アルカリ現像液ＡＺ２４０１ Ｄ
ｅｖ／Ｉ（２０＝％で現像した場合の感度曲線図、第２
図は、本発明にもとづき、６６°Ｃ２０分間のプリベー
クを行なった０ＦＰＲ１０００を無機アルカリ現像液Ａ
Ｚ ２４０１ Ｄｅｖ／Ｈ２０＝ ′Ｖ６で現像した
場合の感度曲線図、第３図は、本発明にもとづき、５０
’０２０分間のプリベークを行なった０ＦＰＲ１０００
を有機アルカリ現像液ＮＭＤ−ｓ・で現像した場合の感
度曲線図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名特許
庁長官殿 １事件の表示 昭和５８年特許願第１９５６８５号 ２発明の名称 パターン形成方法 ３補正をする者 事ｆ’ｌとの関係 特 許 出 願人 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称 （
５８４）松下電子工業株式会社代表者 三 山 清 二 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器産
業株式会社内 と補正します。 ナぜ ６べ
ＦＰＲ１０００を無機アルカリ現像液ＡＺ２４０１ Ｄ
ｅｖ／Ｉ（２０＝％で現像した場合の感度曲線図、第２
図は、本発明にもとづき、６６°Ｃ２０分間のプリベー
クを行なった０ＦＰＲ１０００を無機アルカリ現像液Ａ
Ｚ ２４０１ Ｄｅｖ／Ｈ２０＝ ′Ｖ６で現像した
場合の感度曲線図、第３図は、本発明にもとづき、５０
’０２０分間のプリベークを行なった０ＦＰＲ１０００
を有機アルカリ現像液ＮＭＤ−ｓ・で現像した場合の感
度曲線図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名特許
庁長官殿 １事件の表示 昭和５８年特許願第１９５６８５号 ２発明の名称 パターン形成方法 ３補正をする者 事ｆ’ｌとの関係 特 許 出 願人 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称 （
５８４）松下電子工業株式会社代表者 三 山 清 二 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器産
業株式会社内 と補正します。 ナぜ ６べ
Claims (1)
- 基板上にジアゾ形ホトレジストを塗布し、７゜°Ｃ以下
の温度でプリベークを行なった後、所定のパターンを電
子ビーム露光によって描画形成し、現像することを特徴
とするパター形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195685A JPS6086828A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195685A JPS6086828A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086828A true JPS6086828A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16345292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195685A Pending JPS6086828A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086828A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100687858B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 패터닝 방법 |
| JP2013221984A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Kuraray Co Ltd | 微細構造体とその製造方法 |
| US10649336B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for fabricating semiconductor device |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58195685A patent/JPS6086828A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100687858B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 패터닝 방법 |
| JP2013221984A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Kuraray Co Ltd | 微細構造体とその製造方法 |
| US10649336B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for fabricating semiconductor device |
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