JPH03179307A - 受光素子キャリア及び該キャリアを有する受光モジュール - Google Patents
受光素子キャリア及び該キャリアを有する受光モジュールInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
概要
受光素子キャリア及び該キャリアを有する受光モジュー
ルに関し、 光ファイバとキャリア上に実装された受光素子間の光学
的結合特性の劣化を引き起こすことのない受光素子キャ
リアを提供することを目的とし、セラミック基板上に導
電性の受光素子実装部及び配線パターンを設けた受光素
子キャリアにおいて、前記受光素子実装部及び配線パタ
ーンに対応する箇所を切欠いた金属片をセラミック基板
の受光素子実装部の裏面にロー付けして構成する。
ルに関し、 光ファイバとキャリア上に実装された受光素子間の光学
的結合特性の劣化を引き起こすことのない受光素子キャ
リアを提供することを目的とし、セラミック基板上に導
電性の受光素子実装部及び配線パターンを設けた受光素
子キャリアにおいて、前記受光素子実装部及び配線パタ
ーンに対応する箇所を切欠いた金属片をセラミック基板
の受光素子実装部の裏面にロー付けして構成する。
産業上の利用分野
本発明は受光素子キャリア及び該キャリアを有する受光
モジュールに関する。
モジュールに関する。
一般的な光通信システムの受信側では、光伝送路（光フ
ァイバ）を介して伝送されてきた光信号をフォトダイオ
ード等の受光素子により光−電気変換し電気信号を得、
この電気信号に基づいて情報再生を行うようにしている
。このようなシステムにおいて使用される受光モジュー
ルは、受光素子と光ファイバとを所定の位置関係で備え
て構成されている。受光素子はセラミック等のキャリア
上に実装してから、このキャリアを受光モジュールのケ
ースに固定するようにしているため、長期間に渡る光フ
ァイバと受光素子間の光学的結合特性を維持するために
、高温環境下でのエージング特性のよい受光素子キャリ
アのケースへの取付は構造が要望されている。
ァイバ）を介して伝送されてきた光信号をフォトダイオ
ード等の受光素子により光−電気変換し電気信号を得、
この電気信号に基づいて情報再生を行うようにしている
。このようなシステムにおいて使用される受光モジュー
ルは、受光素子と光ファイバとを所定の位置関係で備え
て構成されている。受光素子はセラミック等のキャリア
上に実装してから、このキャリアを受光モジュールのケ
ースに固定するようにしているため、長期間に渡る光フ
ァイバと受光素子間の光学的結合特性を維持するために
、高温環境下でのエージング特性のよい受光素子キャリ
アのケースへの取付は構造が要望されている。
従来の技術
従来の代表的な受光素子キャリアを第７図に示す。受光
素子キャリア２はセラミックから懲戒されており、受光
素子実装部４及び配線パターン６がメタライズ処理によ
り設けられている。さらにキャリア２の裏面２ａは、キ
ャリアを受光モジュールのケースに固定するためにその
全面にメタライズ処理が施されている。
素子キャリア２はセラミックから懲戒されており、受光
素子実装部４及び配線パターン６がメタライズ処理によ
り設けられている。さらにキャリア２の裏面２ａは、キ
ャリアを受光モジュールのケースに固定するためにその
全面にメタライズ処理が施されている。
第８図は従来方法により受光素子キャリアを受光モジュ
ールのケースに取りつけた状態を示す概略図であり、フ
ォトダイオード（Ｆ Ｄ）チップ８を３００℃程度の融
点を有するＡｕＳｎ等の半田材でキャリア２の受光素子
実装部４にグイ・ボンディングし、キャリア２を上述し
た半田材よりも融点の低い半田、例えば５ｎ−Ｐｂ共晶
半田によりケース１２に半田付は固定している。１０は
光ファイバであり、光ファイバ１０からの信号光はＰＤ
チップ８で光−電気変換され、この電気信号は配線パタ
ーン６及び図示しないポンディングワイヤを介して電気
部品の実装された図示しない基板上の配線パターンに伝
達される。キャリア２の固定に融点の低い半田を使用も
ているのは、ＰＤチップ８を実装してからキャリア２を
ケース１２に固定するため、融点の低い半田をキャリア
２の固定に使用しないと一旦キャリア２上に固定したＰ
Ｄチップ８が動いてしまう恐れがあるからである。
ールのケースに取りつけた状態を示す概略図であり、フ
ォトダイオード（Ｆ Ｄ）チップ８を３００℃程度の融
点を有するＡｕＳｎ等の半田材でキャリア２の受光素子
実装部４にグイ・ボンディングし、キャリア２を上述し
た半田材よりも融点の低い半田、例えば５ｎ−Ｐｂ共晶
半田によりケース１２に半田付は固定している。１０は
光ファイバであり、光ファイバ１０からの信号光はＰＤ
チップ８で光−電気変換され、この電気信号は配線パタ
ーン６及び図示しないポンディングワイヤを介して電気
部品の実装された図示しない基板上の配線パターンに伝
達される。キャリア２の固定に融点の低い半田を使用も
ているのは、ＰＤチップ８を実装してからキャリア２を
ケース１２に固定するため、融点の低い半田をキャリア
２の固定に使用しないと一旦キャリア２上に固定したＰ
Ｄチップ８が動いてしまう恐れがあるからである。
発明が解決しようとする課題
キャリア２の固定のために使用した融点の低い半田は一
般にクリープが大きいため、高温環境下でのエージング
特性が悪いという欠点を有する。
般にクリープが大きいため、高温環境下でのエージング
特性が悪いという欠点を有する。
エージング特性が悪いと、光ファイバとＰＤチップ間の
光学的結合特性の劣化を引き起こす。又、従来のキャリ
アの構造では配線パターンとケースとの間に誘電率εの
セラミックを挟み込む形となり、電気的に容量を持つよ
うになるため、ＰＤチップの高速応答性を阻害するとい
う問題がある。
光学的結合特性の劣化を引き起こす。又、従来のキャリ
アの構造では配線パターンとケースとの間に誘電率εの
セラミックを挟み込む形となり、電気的に容量を持つよ
うになるため、ＰＤチップの高速応答性を阻害するとい
う問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、光ファイバとキャリア上に実装
された受光素子間の光学的結合特性の劣化を引き起こす
ことがないとともに、受光素子の高速応答性を改善した
受光素子キャリアを提供することである。
の目的とするところは、光ファイバとキャリア上に実装
された受光素子間の光学的結合特性の劣化を引き起こす
ことがないとともに、受光素子の高速応答性を改善した
受光素子キャリアを提供することである。
課題を解決するための手段
上述した目的を達成するために、本発明の受光素子キャ
リアは、セラミック基板上に導電性の受光素子実装部及
び配線パターンを設けた受光素子キャリアにおいて、前
記受光素子実装部及び配線パターンに対応する箇所を切
欠いた金属片をセラミック基板の受光素子実装部の裏面
にロー付けしたことを特徴とする。上記構成に代えて、
セラミック基板の受光素子実装部の裏面からその先端が
突出するように、セラミック基板の両側面に金属片をロ
ー付けしてもよい。
リアは、セラミック基板上に導電性の受光素子実装部及
び配線パターンを設けた受光素子キャリアにおいて、前
記受光素子実装部及び配線パターンに対応する箇所を切
欠いた金属片をセラミック基板の受光素子実装部の裏面
にロー付けしたことを特徴とする。上記構成に代えて、
セラミック基板の受光素子実装部の裏面からその先端が
突出するように、セラミック基板の両側面に金属片をロ
ー付けしてもよい。
又本発明の他の側面によると、上述した構成の受光素子
キャリアを、受光素子キャリアのセラミック基板表面と
電気部品を実装したセラミック基板表面が概略同一平面
となるように、金属ケースにレーザ溶接により固足し、
受光素子キャリアの配線パターンと電気部品を実装した
セラミック基板上の配線パターンとをボンデインクワイ
ヤにより接続した、受光モノニールが提供される。
キャリアを、受光素子キャリアのセラミック基板表面と
電気部品を実装したセラミック基板表面が概略同一平面
となるように、金属ケースにレーザ溶接により固足し、
受光素子キャリアの配線パターンと電気部品を実装した
セラミック基板上の配線パターンとをボンデインクワイ
ヤにより接続した、受光モノニールが提供される。
作 用
本発明の受光素子キャリアには金属片がロー付けされて
いるため、キャリアのケースへの固定をレーザ溶接によ
り行うことができる。これにより従来問題であった高温
環境下でのエージング特性が悪いという欠点を解消する
ことができ、長期間に渡る光ファイバと受光素子間の良
好な光学的結合特性を維持することができる。また、受
光素子搭載部及び配線パターンに対応する金属片部分に
切欠きを設けるか、又はその先端がセラミック基板から
突出するようにセラミック基板の両側面に金属片をロー
付けしているので、受光素子キャリアをケースに固定し
た場合、セラミック基板とケースとの間に空気層が介在
することとなり、電気容量を小さく抑えることができる
。
いるため、キャリアのケースへの固定をレーザ溶接によ
り行うことができる。これにより従来問題であった高温
環境下でのエージング特性が悪いという欠点を解消する
ことができ、長期間に渡る光ファイバと受光素子間の良
好な光学的結合特性を維持することができる。また、受
光素子搭載部及び配線パターンに対応する金属片部分に
切欠きを設けるか、又はその先端がセラミック基板から
突出するようにセラミック基板の両側面に金属片をロー
付けしているので、受光素子キャリアをケースに固定し
た場合、セラミック基板とケースとの間に空気層が介在
することとなり、電気容量を小さく抑えることができる
。
実 施 例
以下、本発明を図面に示した実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の実施例に係る受光素子キャリア１４の
斜視図であり、セラミック基板１６を選択的にメタライ
ズ処理することにより、導電性の受光素子実装部１８と
配線パターン２０が設けられている。セラミック基板１
６の裏面はメタライズ処理されており、例えばコバール
から形成された金、嘱片２２がＡｇ Ｃｕ等のロー材
によりセラミック基板１６の裏面にロー付けされている
。配線パターン２０と金属片２２との間に電気的容量を
持たないように、受光素子実装部１８及び配線パターン
２０に対向する金属片２２の部分には切下き２２ａが設
けられている。
斜視図であり、セラミック基板１６を選択的にメタライ
ズ処理することにより、導電性の受光素子実装部１８と
配線パターン２０が設けられている。セラミック基板１
６の裏面はメタライズ処理されており、例えばコバール
から形成された金、嘱片２２がＡｇ Ｃｕ等のロー材
によりセラミック基板１６の裏面にロー付けされている
。配線パターン２０と金属片２２との間に電気的容量を
持たないように、受光素子実装部１８及び配線パターン
２０に対向する金属片２２の部分には切下き２２ａが設
けられている。
第２図は本発明の他の実施例に係る受光素子キｖ’）ア
２４の斜視図であり、この実施例においてはセラミック
基板１６の両側面をメタライズ処理し、これらの側面に
コバール等の金属片２６を例え：ｆＡ ｇ Ｃｕ等の
ロー材によりロー付けしている。金属片２６のロー付は
固定に際し、金属片２６の先端部２６ａがセラミック基
板１６の裏面より若干突出するように金属片２６をセラ
ミック基１ｆｆｌ１６に対してロー付けする。
２４の斜視図であり、この実施例においてはセラミック
基板１６の両側面をメタライズ処理し、これらの側面に
コバール等の金属片２６を例え：ｆＡ ｇ Ｃｕ等の
ロー材によりロー付けしている。金属片２６のロー付は
固定に際し、金属片２６の先端部２６ａがセラミック基
板１６の裏面より若干突出するように金属片２６をセラ
ミック基１ｆｆｌ１６に対してロー付けする。
次；こ第３図を参照すると、第３図（−Ａ）は第１図の
キャリア１４に例えば、Ａ ｕ Ｓ ｎ等の半田材てＰ
Ｄチンプ２８を実装し、更に受光素子キャリア１４を受
光モジュールのケース３０に矢印で示す如くレーザ溶接
したものでり、第３図（Ｂ）は第２図に示した受光素子
キャリア２４上にＰＤチップ２８を実装し、更に受光素
子キャリア２４を受光モジュールのケース３０にレーザ
溶接により固定したものである。第３図（Ａ）及び（Ｂ
）のいずれにおいても、ケース３０と配線パターン２０
の間には空気層が介在するため、電気的容量を小さく抑
えることができる。
キャリア１４に例えば、Ａ ｕ Ｓ ｎ等の半田材てＰ
Ｄチンプ２８を実装し、更に受光素子キャリア１４を受
光モジュールのケース３０に矢印で示す如くレーザ溶接
したものでり、第３図（Ｂ）は第２図に示した受光素子
キャリア２４上にＰＤチップ２８を実装し、更に受光素
子キャリア２４を受光モジュールのケース３０にレーザ
溶接により固定したものである。第３図（Ａ）及び（Ｂ
）のいずれにおいても、ケース３０と配線パターン２０
の間には空気層が介在するため、電気的容量を小さく抑
えることができる。
第４図は上述した受光素子キャリアを採用した受光モジ
ュールの全体構成を示す斜視図であり、コバールから形
成されたケース３２内にプリアンプ３６及びイコライザ
ー３８等の電気部品を実装したセラミック基板３４が設
けられている。ケース３２の底壁には本発明の受光素子
キャリア１４がレーザ溶接により固定されており、光フ
ァイバ４０からの信号光が受光素子キャリア１４上に実
装されたＦＤチップに結合されるようになっている。ケ
ース３２の側壁３２ａを貫通してセラミック基板４４上
に形成された高速信号パターン４２が設けられており、
高速信号パターン４２は側壁３２ａ部分でセラミック基
板４４とセラミック部材４６とによりサンドイッチされ
ている。ケース３２の側壁３２ｂ及び３２ｃを貫通して
それぞれ一本の高速信号パターン４８と複数本の直流電
圧印加パターン５６が設けられている。高速信号パター
ン４８及び複数本の直流電圧印加パターン５６はセラミ
ック基板５２上に形成されており、側壁３２ｂ、３．２
ｃ部分においてセラミック基板５２とセラミック部材５
４とでサンドイッチされている。各々の直流電圧印加パ
ターン５６には直流電圧印加端子５０が半田付けされて
いる。
ュールの全体構成を示す斜視図であり、コバールから形
成されたケース３２内にプリアンプ３６及びイコライザ
ー３８等の電気部品を実装したセラミック基板３４が設
けられている。ケース３２の底壁には本発明の受光素子
キャリア１４がレーザ溶接により固定されており、光フ
ァイバ４０からの信号光が受光素子キャリア１４上に実
装されたＦＤチップに結合されるようになっている。ケ
ース３２の側壁３２ａを貫通してセラミック基板４４上
に形成された高速信号パターン４２が設けられており、
高速信号パターン４２は側壁３２ａ部分でセラミック基
板４４とセラミック部材４６とによりサンドイッチされ
ている。ケース３２の側壁３２ｂ及び３２ｃを貫通して
それぞれ一本の高速信号パターン４８と複数本の直流電
圧印加パターン５６が設けられている。高速信号パター
ン４８及び複数本の直流電圧印加パターン５６はセラミ
ック基板５２上に形成されており、側壁３２ｂ、３．２
ｃ部分においてセラミック基板５２とセラミック部材５
４とでサンドイッチされている。各々の直流電圧印加パ
ターン５６には直流電圧印加端子５０が半田付けされて
いる。
次に第５図を参照して、第４図の受光モンユールにおけ
る受光素子キャリア１４の取付は方法について説明する
。ケース３２の底壁３２ ａには段差５８が形成されて
おり、−段高くなった底壁３２ｅ部分に電気部品実装基
板３４が取りつけられている。段差５８を設けているの
は、電気部品実装基板３４の表面と受光素子キャリア１
４の上面とを概略同一平面にするためである。このよう
に構成することにより、受光素子キャリア１４の配線パ
ターン２０と電気部品実装基板３４の配線パターンとを
接続するボンディングワイヤ６０の長さを非常に短くす
ることができ、高速信号の伝達に有利である。６２は光
フアイバ素線であり、その先端は概略４５°に研磨され
て光ビームを全反射させＰＤチップ２８に光結合するよ
うにしている。受光素子キャリア１４はＡ部分でレーザ
溶接によりケース３２の底Ｗ ３２ ｄに固定される。
る受光素子キャリア１４の取付は方法について説明する
。ケース３２の底壁３２ ａには段差５８が形成されて
おり、−段高くなった底壁３２ｅ部分に電気部品実装基
板３４が取りつけられている。段差５８を設けているの
は、電気部品実装基板３４の表面と受光素子キャリア１
４の上面とを概略同一平面にするためである。このよう
に構成することにより、受光素子キャリア１４の配線パ
ターン２０と電気部品実装基板３４の配線パターンとを
接続するボンディングワイヤ６０の長さを非常に短くす
ることができ、高速信号の伝達に有利である。６２は光
フアイバ素線であり、その先端は概略４５°に研磨され
て光ビームを全反射させＰＤチップ２８に光結合するよ
うにしている。受光素子キャリア１４はＡ部分でレーザ
溶接によりケース３２の底Ｗ ３２ ｄに固定される。
第６図は電気部品実装基板３４に対して垂直に受光素子
キャリア６４を固定する取付は方法を示している。即ち
、受光素子キャリア６４の裏面にロー付けされた金属片
６６の両端部６６ａを直角に折り曲げ、金属片の両端部
６６ａをＢ部分でレーザ溶接することにより、受光素子
キャリア６４をケースの底壁３２ｄに固定している。６
８はテーパ先球ファイバであり、ファイバの先端部がテ
ーパ先球形状をしていることにより光ビームをＰＤチッ
プ２８に効率よ（結合することができる。
キャリア６４を固定する取付は方法を示している。即ち
、受光素子キャリア６４の裏面にロー付けされた金属片
６６の両端部６６ａを直角に折り曲げ、金属片の両端部
６６ａをＢ部分でレーザ溶接することにより、受光素子
キャリア６４をケースの底壁３２ｄに固定している。６
８はテーパ先球ファイバであり、ファイバの先端部がテ
ーパ先球形状をしていることにより光ビームをＰＤチッ
プ２８に効率よ（結合することができる。
第６図の取付は方法においては、受光素子キャリア６４
を電気部品実装基板３４に対して垂直に取付けているた
め、段差５８′を第５図の段差５８よりも高く形成して
、ボンディングワイヤ６０の長さが最短になるようにし
ている。
を電気部品実装基板３４に対して垂直に取付けているた
め、段差５８′を第５図の段差５８よりも高く形成して
、ボンディングワイヤ６０の長さが最短になるようにし
ている。
第５図の取付は方法が高周波的（電気的）には有利であ
るが、光学系の構成等が複雑になるという問題がある。
るが、光学系の構成等が複雑になるという問題がある。
それに対して、第６図の取付は方法では光学系の構成を
比較的簡単にすることができる。受光モジュールとして
必要な帯域、コスト等の兼ね合いから第５図又は第６図
の取付は方法を選択することが望ましい。
比較的簡単にすることができる。受光モジュールとして
必要な帯域、コスト等の兼ね合いから第５図又は第６図
の取付は方法を選択することが望ましい。
発明の効果
本発明によれば、受光素子キャリアをレーザ溶接でケー
スに強固に固定することができるため、光ファイバとキ
ャリア上に実装された受光素子間の光学的結合特性の劣
化を防止することができる。
スに強固に固定することができるため、光ファイバとキ
ャリア上に実装された受光素子間の光学的結合特性の劣
化を防止することができる。
又受光モジュールのケースとの間の電気的容量を極めて
小さく抑えることができるため、受光素子の高速応答性
を改善することができる。
小さく抑えることができるため、受光素子の高速応答性
を改善することができる。
第１図は本発明の実施例斜視図、
第２図は本発明の他の実施例斜視図、
第３図はレーザ溶接方法を示す説明図であり、（Ａ）が
第１図の受光素子キャリアに対応し、（Ｂ）が第２図の
受光素子キャリアに対応している。 第４図は本発明に係る受光モジュールの斜視図、第５図
は第４図の受光モジュールにおける受光素子キャリアの
取付は方法を示す概略斜視図、第６図は第４図の受光モ
ジュールにおける受光素子キャリアの他の取付は方法を
示す概略斜視図、第７図は従来例斜視図、 第８図は従来方法により受光素子キャリアをケースに取
り付けた状態を示す概略図である。 １４．２４．６４・・・受光素子キャリア、１６・・・
セラミック基板、 １８・・・受光素子実装部、 ２０・・・配線パターン、 ２２．２６．６６・・金属片、 ２８・・・ＰＤチップ、 ３２・・・ケース、 ３４・・・電気部品実装基板、 ４０・・・光ファイバ、 ６０・・・ボンディングワイヤ、 ６２・・・ファイバ素線、 ６８・・・テーバ先球ファイバ。
第１図の受光素子キャリアに対応し、（Ｂ）が第２図の
受光素子キャリアに対応している。 第４図は本発明に係る受光モジュールの斜視図、第５図
は第４図の受光モジュールにおける受光素子キャリアの
取付は方法を示す概略斜視図、第６図は第４図の受光モ
ジュールにおける受光素子キャリアの他の取付は方法を
示す概略斜視図、第７図は従来例斜視図、 第８図は従来方法により受光素子キャリアをケースに取
り付けた状態を示す概略図である。 １４．２４．６４・・・受光素子キャリア、１６・・・
セラミック基板、 １８・・・受光素子実装部、 ２０・・・配線パターン、 ２２．２６．６６・・金属片、 ２８・・・ＰＤチップ、 ３２・・・ケース、 ３４・・・電気部品実装基板、 ４０・・・光ファイバ、 ６０・・・ボンディングワイヤ、 ６２・・・ファイバ素線、 ６８・・・テーバ先球ファイバ。
Claims (3)
- （１）セラミック基板（１６）上に導電性の受光素子実
装部（１８）及び配線パターン（２０）を設けた受光素
子キャリアにおいて、 前記受光素子実装部（１８）及び配線パターン（２０）
に対応する箇所を切欠いた金属片（２２）をセラミック
基板（１６）の受光素子実装部（１８）の裏面にロー付
けしたことを特徴とする受光素子キャリア。 - （２）セラミック基板（１６）上に導電性の受光素子実
装部（１８）及び配線パターン（２０）を設けた受光素
子キュアリアにおいて、 前記セラミック基板（１６）の受光素子実装部（１８）
の裏面からその先端（２６ａ）が突出するように、セラ
ミック基板（１６）の両側面に金属片（２６）をロー付
けしたことを特徴とする受光素子キャリア。 - （３）金属ケース（３２）内に電気部品を実装したセラ
ミック基板（３４）及び受光素子（２８）を実装した受
光素子キャリア（１４）を収納固定し、該受光素子（２
８）に信号光を結合する光学系を設けるとともに、高速
信号用端子（４２、４８）及び直流電圧印加用等の端子
（５０）を金属ケース（３２）を貫通したパターンを介
して前記セラミック基板（３４）上の配線パターン又は
電気部品に電気的に接続した受光モジュールにおいて、 請求項１又は２に記載の受光素子キャリア（１４、２４
）を受光素子キャリアのセラミック基板（１６）表面と
電気部品を実装したセラミック基板（３４）表面が概略
同一平面となるように、金属ケース（３２）にレーザ溶
接により固定し、 受光素子キャリア（１４、２４）の配線パターン（２０
）と電気部品を実装したセラミック基板（３２）上の配
線パターンをボンディングワイヤ（６０）により接続し
たことを特徴とする受光モジュール。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317583A JP2503282B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 受光素子キャリア及び該キャリアを有する受光モジュ―ル |
| US07/620,830 US5200612A (en) | 1989-12-08 | 1990-12-03 | Photodetector carrier for improving the high speed of a photodetector and method for producing same |
| IT02228990A IT1243969B (it) | 1989-12-08 | 1990-12-04 | Supporto di fotorivelatore e modulo di fotorivelatore avente tale supporto. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317583A JP2503282B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 受光素子キャリア及び該キャリアを有する受光モジュ―ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03179307A true JPH03179307A (ja) | 1991-08-05 |
| JP2503282B2 JP2503282B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=18089857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1317583A Expired - Lifetime JP2503282B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 受光素子キャリア及び該キャリアを有する受光モジュ―ル |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5200612A (ja) |
| JP (1) | JP2503282B2 (ja) |
| IT (1) | IT1243969B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003134051A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Opnext Japan Inc | 光受信モジュール、光受信器及び光ファイバ通信機器 |
| JP4166471B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2008-10-15 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
| KR100506216B1 (ko) * | 2003-06-11 | 2005-08-05 | 삼성전자주식회사 | 방향성 결합기를 구비하는 광도파로 소자 |
| DE102012201935A1 (de) * | 2012-02-09 | 2013-08-14 | Robert Bosch Gmbh | Verbindungsanordnung eines elektrischen und/oder elektronischen Bauelements |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3908185A (en) * | 1974-03-06 | 1975-09-23 | Rca Corp | High frequency semiconductor device having improved metallized patterns |
| US3996603A (en) * | 1974-10-18 | 1976-12-07 | Motorola, Inc. | RF power semiconductor package and method of manufacture |
| US4259684A (en) * | 1978-10-13 | 1981-03-31 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Packages for microwave integrated circuits |
| GB8508280D0 (en) * | 1985-03-29 | 1985-05-09 | British Telecomm | Optical component mounting |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP1317583A patent/JP2503282B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-12-03 US US07/620,830 patent/US5200612A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-04 IT IT02228990A patent/IT1243969B/it active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1243969B (it) | 1994-06-28 |
| JP2503282B2 (ja) | 1996-06-05 |
| IT9022289A0 (it) | 1990-12-04 |
| IT9022289A1 (it) | 1991-06-09 |
| US5200612A (en) | 1993-04-06 |
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