JPH03176910A - 絶縁電線 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用外ＪＩｌｆ 本発明は、セラミック絶縁層の外側にポリイミド系樹脂
層を密着１１よ（有して巻回処理等の加工性に優れる絶
縁電線に関する。

従来の技術 従来、導体をセラミック絶縁層で被覆してなる高耐熱性
の絶縁電線が提案されている。しかし、巻線等として使
用ず・＼く巻回処理した場合にセラミック絶縁層が破壊
されて脱落するなと、加工性に乏しい問題点かあった。

発明か解決しようとする課題 本発明らは前記絶縁電線の加工性を改善すへくセラミッ
ク絶縁層の外周にポリイミド系樹脂からなる層を設けて
耐熱性を活かしつつ補強することを試みた。

しかしながらセラミック絶縁層に対しポリイミド系樹脂
層を密着性よく形成することがてきず、加工性が改善さ
れないことか判明した。

本発明は、セラミック絶縁層の外側にポリイミド系樹脂
層を密着性よく形成して加工性に優れる絶縁電線の開発
を課題とする。

課題を解決するための手段 本発明は、セラミック絶縁層とポリイミド系樹脂層の間
に低温焼付樹脂層を介在させて前記の課題を克服したも
のである。

すなわち本発明は、導体を被覆するセラミック絶縁層の
外側に低温焼付樹脂層を有し、その低温焼付樹脂層の外
側にポリイミド系樹脂からなる耐熱樹脂層を有すること
を特徴とする絶縁電線を提供するものである。

作用 セラミック絶縁層とポリイミド系樹脂層の間に低温焼付
樹脂層を介在させる前記構成により、セラミック絶縁層
の外側にポリイミド系樹脂層を密着性よく形成すること
ができて、巻回処理時等にセラミック絶縁層の脱落問題
を生しない良加工性の絶縁Ｌ）〕線とすることができる
。前記の低温焼付樹脂層を介在させろことにより各層間
の密着性が向上する理由は不明であるが、本発明者らは
低温焼付樹脂層かその低温形成に基づいて歪みが小さい
ことによるものと考えている。

発明の構成要素の例示 図に例示した如（、本発明の絶縁電線は、導体１を被覆
するセラミック絶縁層２の外側に低温焼付樹脂層３を有
し、その外側にポリイミド系樹脂からなる耐熱樹脂層４
を有してなる。

かかる絶縁電線の製造は例えば、セラミック絶縁層２て
被覆した導体１の外周に、沸点が１７０℃以下の有機溶
媒を媒体とする樹脂ワニスを塗布し、その塗布層を焼付
処理して低温焼付樹脂層３を形成したのち、その低温焼
付樹脂層３の外周にポリイミド系樹脂からなるワニスを
塗布し、その塗布層を焼付処理して耐熱樹脂層４を形成
することにより行うことができる。

本発明において用いる、セラミック絶縁層で被覆した導
体は例えば、アルミ−）−やシリンＪの如き無機粉末含
有のシリコーンワニスや、セラミック形成性シリコーン
ワニスの塗布層（１方式、あるいはセラミック粉末ペー
ストの塗布焼成方式で形成したものなど、適宜な方式で
形成したものであってよく特に限定はない。

低温焼付樹脂層を形成する樹脂としては、４００℃以下
、就中２００〜３７０°Ｃて焼付けられるもの、例えば
シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキシ系樹脂
、アルキド系樹脂、ウレタン系樹脂なとが好ましく用い
られる。また低温焼付樹脂層を形成するための樹脂ワニ
スとしては、沸点か１７０℃以下の有機溶媒を分散媒や
溶媒とするものが用いられる。一般に用いられる有機溶
媒は、ヘンゼン、トルエン、キシレンなとであるが、こ
れに限定されず適宜なものを用いてよい。

低ｌ晶焼イ・１樹脂層のＪｌ、Ｌさについては特に限定
はない。セラミック絶縁層に対するポリイミド系樹脂か
らなる耐熱樹脂層の密着性の向上の点よりは通常、５〜
３０μ［口て充分である。

耐熱樹脂層を形成するポリイミド系樹脂としては、ポリ
イミ１＜、ポリアミドイミド、ポリエステルイミドなと
の主鎖にイミド基を有する広範囲のものを用いつる。特
に、シアミンないしジイソシｒネートの１種又は２種以
上と、テトラカルボン酸ないしぞの誘導体の１種又は２
種以上を反応させて得たポリアミド酸を加熱処理して形
成させたポリイミドにおける繰り返し単位に相当する次
式で表される繰り返し単位を含有するものが好ましく用
いられる。その含有量は３０モル％以上、就中６０モル
％以」−が好ましい。

○　　　Ｏ ＩＩ　　　　Ｉｌ １１１ 　　０ （ｌこ　だ　し７　、　　Ｒ１ Ｒ２は炭素数が４〜５０、就中６ 〜２０の４価の脂肪族、脂環族、芳香族、又はヘテロ環
構造の有機基である。） 前記のシアミンの例としては、メタフェニレンシアミン
、パラフェニレンジアミン、２，２−ヒス（４−’／’
ミノフ１ニル）プロパン、４，４°−ジアミノジフェニ
ルメタン、４．４’−ジアミノジフェニルザルファイド
、４，４゛−ジアミノジフェニルスルホン、３．３’−
ジアミノジフェニルスルホン、４．４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、２，６シアミノピリシン、ビスく４−
アミノフ、ニル）ジエチルシラン、ヒス（４−アミノフ
ェニル）シフイニルシラン、ベンジジン、３．３’−ジ
クロロベンジジン、３．３’−ジメトキシベンジシン、
ビス（４−アミノフェニル）エチルホスフィンオキ復イ
ド、４．４’−ジアミノベンゾフェノン、ヒス（４−ア
ミノフェニル）フェニルホスフィンオキサイト、ヒス（
４−アミノフェニル）−Ｎ−ブヂラミン、ヒス（４−ア
ミノフェニル）−Ｎ−メチラミン、１，５−ジアミノナ
フタレン、３，３ジメチル−４，４゛−ジアミノビフェ
ニル、Ｎ−、（３アミノフェニール）−４−アミノベン
ザミド、４アミノフェニル−３−アミノベンゾエート、
２゜４−ヒス（β−ｒミノーｔ−ブヂル）トルエン、ヒ
ス（１）−β−アミノ−ｔ−ブヂルフェニル）エーテル
、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノペンデル）ヘンセ
ン、ｐ−ヒス（１，１−シメヂルー５アミノペンデル）
ヘンセン１、ｎ〕−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレ
ンシアミン、ヒス（４，−’／’ミノフェニル）−Ｎ−
フエニーラミンなとがあけられる。

ジイソシアネートの例としては、エチレンジイソシアネ
ート、１，４−テトラメチレンシイソシアネ−１−１ｌ
、６−ヘギザメヂレンシイソシアネート、１，１２ｉ−
デノノンシイソシアネ−１・、シクロブテン−１，３−
シイソシアネ−１・、シクロへギザンー］、３−ジイソ
シアネート、シクロヘキサン−１，４−ジイソシアネー
ト、１，３−フェニレンジイソシアネート、１．４−フ
ェニレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシ
アネート、２　、６−　ｈリレンジイソシアネ−１・な
とがあげられる。

テトラカルボン酸ないしその誘導体の例としては、ピロ
メリット酸無水物、２，３，６．７−ナフタレン−テト
ラカルボン酸無水物、１，２，５．６ナフタレンーテト
ラカルボン酸無水物、３，４゜９．１０−ペリレン−テ
トラカルボン酸二無水物、リフタレン−］、　、　２　
、４　、５−デトラノノルボン酸−無水物、ナフタレン
−１，、４、５、８−テトラカルボン酸二無水物、２．
６−シク【コロナフタレン１　、４　、５　、８−テト
ラカルボン酸二無水物、２，７シクロロナフタレンー１
．４，５．８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６
．７−チトラクロＩコナフタレン−１，４，５，８−テ
トラノノルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，８，
９，１０−テトラノノルボン酸二無水物、ピリジン−２
，３，５，６テトラカルボン酸二無水物、ヘンセン−１
，、２、３。

４−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２゜３．
４．５−テトラカルボン酸二無水物なとがあけられる。

前記の繰り返し単位を有するポリイミド系樹脂の例とし
ては、米国特許第２．７１０．８５３号明細書、米国特
許第２，７１２，５４３号明細書、米国特許第２，７３
１゜４４７号明細書、米国特許第２，８８０，２３０号
明細書、米国特許第２，９００，３６９号明細書に記載
のポリイミド（前記繰り返し単位の含有量１００％）、
米国特許第２，４２１．０２４号明細書、米国特許第３
，１８２，０７３号明細書に記載のポリアミドイミド、
米国特許第４．：１２９．３９７号明細書に記載のポリ
エステルイミドなどがあげられる。

ポリイミド系樹脂からなるワニスの調製は、例えばポリ
イミド系樹脂の１種又は２種以上を、Ｎメチルビｌコリ
トンの如き可溶性溶媒に溶解させることにより、あるい
は適宜な溶媒に分散させることにより得ることができる
。固形分濃度は適宜に決定してよいが、一般には１０〜
５０重量％とされる。なお１ノニスの調製に用いるポリ
イミド系樹脂成分は、加熱処理によりイミド環を形成す
るアミド酸の状態にあるものであってもよい。塗布した
ワニスの焼イ」温度は、塗布厚や加熱時間等により適宜
に決定してよいが、一般には２５０〜４５０℃とされる
。

形成するポリイミド系樹脂からなる耐熱樹脂層の厚さは
適宜に決定してよく、通例１０〜３０μｍである。

発明の効果 本発明によれば、セラミック絶縁層とポリイミド系樹脂
からなる耐熱樹脂層との間に低温焼付樹脂層を介在させ
たので、各層間の密着性に優れて巻回時等におけるセラ
ミック絶縁層の脱落を防止でき、加工性に優れる絶縁電
線を得ることができる。

実施例 実施例１ 平均粒径が約５μｍのアルミナ粉末を３５重量％分散さ
せたシリコーンワニス（東芝シリコン社製。

ＴＳＲ−１１６）を塗布焼付処理してなる厚さ３０μ＋
ｎのセラミック絶縁層を外周に有する直径１　、０　ｍ
ｍの銅線を、エポキシ樹脂のクレゾール、／キシレン混
合溶液（固形分濃度２５重量％）からなるワニス（東亜
ペイント社製、エビライト＃２００）中に導入し、その
塗布層を３００℃で焼付処理して厚さ１０即の低温焼付
樹脂層を形成したのち、それをポリイミドのＮ−メチル
ピロリドン溶液（固形分濃度２３重量％）からなるワニ
ス（東し社製、トレニス＃３０００）中に導入し、その
塗布層を４２０°Ｃて焼付処理し、厚さ２０μｍの耐熱
樹脂層を形成して絶縁電線を１４７だ。

実施例２ 固形分濃度２５重量％のシリコーン系ワニス（東しシリ
コーン社製、５Ｒ２１１４）を用い、３７０°Ｃて焼イ
・１処理して低温炉イ；１樹脂層を形成したほがは実施
例１に準じて絶縁電線を得た。

実施例３ ポリアミドイミドのＮ−メチルピロリドン溶液（固形分
濃度３０重量％）からなるワニス（日立化成社製、ＨＴ
−４０５）を用いて耐熱樹脂層を形成したほかは実施例
１に準じて絶縁電線を得た。

実施例４ ポリエステルイミドのｍ、１１）−クレゾール溶液（固
形分濃度３５重量％）からなるワニス（口触スゲネクタ
ディ社製、　Ｉｓｏｍｉｃｌ　４０１１）を用いて耐熱
樹脂層を形成したほかは実施例］に準じて絶縁電線を得
た。

比較例１ 実施例１に記載のセラミック絶縁層を有する銅線をその
まま用いた。

」に較例２ エポキシ樹脂からなる低温焼付樹脂層を形成しないほか
は実施例１に準じて絶縁電線を得た。

評価試験 実施例、比較例て（１ｔた絶縁電線を直径３　ｍｍの巻
芯に巻回し、セラミック絶縁層の破壊（クラック、ヒヒ
割れ等〉の有無を調べた。なおセラミック絶縁層の外側
に被覆層を有する実施例、比較例２の１ 絶縁電線については、被覆層の外側より観察してセラミ
ック絶縁層の破壊状態を判断した。結果を表に示した。

　２

【図面の簡単な説明】

図は実施例の断面図である。 ■−導体　　２、セラミック絶縁層 ３：低温焼付樹脂層 ４、ポリイミド系樹脂からなる耐熱樹脂層特許出順人　
　三菱電線工業株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、導体を被覆するセラミック絶縁層の外側に低温焼付
   樹脂層を有し、その低温焼付樹脂層の外側にポリイミド
   系樹脂からなる耐熱樹脂層を有することを特徴とする絶
   縁電線。