JPH03170861A - 気相クロマトグラフイーによる気体中の不純物の検量方法及びこれに使用する装置 - Google Patents

気相クロマトグラフイーによる気体中の不純物の検量方法及びこれに使用する装置

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JPH03170861A
JPH03170861A JP2250462A JP25046290A JPH03170861A JP H03170861 A JPH03170861 A JP H03170861A JP 2250462 A JP2250462 A JP 2250462A JP 25046290 A JP25046290 A JP 25046290A JP H03170861 A JPH03170861 A JP H03170861A
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フランソワ・ブリセルボー
Patrick Mauvais
パトリツク・モーバイ
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LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
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    • B01J20/281Sorbents specially adapted for preparative, analytical or investigative chromatography
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    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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    • GPHYSICS
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    • G01N30/64Electrical detectors
    • G01N2030/642Electrical detectors photoionisation detectors

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は気相クロマトグラフイーによって気体中の不純
物を検量する方法及びこれに使用する装置ならびにシラ
ン中の微量のドーピング不純物(doping imp
urity)を測定するための上記方法の適用に関する
クロマトグラフィー法は、通常の条件下では約2.10
−2容量ppm以下の検出限界(detection 
threshold)に到達することはできない。とこ
ろで気体中にこれよりも低い濃度で存在している不純物
を検量しなければならない場合がある。半導体の製造用
にシランを使用する場合などがとくにそうである。この
気体は、ホスフィン(PH3)、アルシン(ASH3 
)、硫化水素(H.S)などの気体状不純物、いわゆる
ドーピング剤を含んでいなければならない。
これらの不純物は、一旦半導体中に導入されたときには
、その作用を極めて厳密な水準に制御しかつ維持しなけ
ればならない;その理由はこの濃度水準(それ自体が非
常に低い)を越えると非常に厄介なことになるからであ
る。そのために、半導体の製造用に使用するシランの品
質を保証するために、シラン中の10−’容量ppm以
下の微量のホスフィン及びアルシンを検出しなければな
らない場合がある。
従って、本発明は、気相クロマトグラフイーの検出限界
をIO−5容量ppm程度まで下げることを目的とする
本発明の、気相クロマトグラフイーによって気体中の不
純物を検量する方注は次の工程からなる;不純物を含ん
でいる気体を、不純物を吸着することのできる粒状物質
を充填したカラムに通送する;その際該カラムは、可能
な限り低い温度、ただし該気体の液化温度に達しない温
度に維持する; 続いてカラムの温度を上昇させついで、キャリヤーガス
流をカラムに通送して不純物を脱着させる・ ーかく脱着された不純物を、カラム中を通過するヘリウ
ムのごときキャリヤーガス流中に移行させる; 一統いて予備気相クロマトグラフ検量を行う;この検量
は、気体中に存在している分析すべき各不純物に対して
選択的に行うことができる;−続いて脱着後のキャリヤ
ーガスを予備クロマトグラフ検量装置の出口から、可能
な限り低い温度に維持した毛管カラムの中へ通送する;
続いて毛管カラムの温度を上昇させて不純物を脱着させ
、中性キャリヤーガス中に移行させる; 一最後に不純物の量を検出器(好適には光電離式検出器
)中で測定する。
本発明の不純物の検量方法を実施することのできる、本
発明の不純物検量装置は、低温で不純物を捕獲する(t
rapp)装置であり、この装置は不純物を吸着する粒
状物質が充填されているカラム、不純物を含んでいる気
体を通過させる時にカラムを低温に維持する冷却装置な
らびに脱着用加熱装置を備えている。この装置はさらに
、予備分析を行うための第1気相クロマトグラフ装置(
吸着装置)、毛管カラムを備えている低温不純物リセン
タリング装置(moyens de recentra
ge)、第1クロマトグラフ装置を通過したキャリヤー
ガスの通過時に毛管カラムを低温に維持する冷却装置な
らびに脱着用加熱装置を備えている。上記の装置はさら
に、検出装置を備えている第2気相クロマトグラフ装置
(吸着装置)を有する。
本発明の検量方法によれば、シラン中に存在している1
0−5容ffippmの微量のドーピング不純物の検量
を行うことができる。この目的のためには、多段式希釈
床で所望の不純物を希釈し(最終希釈段階でシランを加
える)、本発明の検量方法に従って不純物を検量し、希
釈床に対して逆反応(retroaction)を行な
い、不純物の所望の量を確保する。
以下においては、添付図を参照しつつ本発明の1つの代
表的実施態様について詳述する。
以下の説明においては、シラン中のホスフィン、アルシ
ンならびに硫化水素などのドーピング不純物の検量を対
象にして説明を進めることとする。
本発明の不純物の検量方法は、これ以外の不純物も検量
できることは言うまでもない。
第1図に例示するごとく、本発明の気相クロマトグラフ
不純物検量装置系lは、リザーバ−3から例えば液体窒
素を供給し得る低温不純物捕獲装置(cryogeni
c trapping device) 2を有する。
主管路5から通送されついで広量調節器6を通過したキ
ャリヤーガス(例えばヘリウム)が、第1図において注
入位置になっている第1注入弁4を通過した後、低温不
純物捕獲装置2を通過し、導管7を通って流出する。こ
の注入部位において、導管8から送られてきた不純物を
含んでいる気体が排出導管9を通って大気中に流出する
。一例として、シランなどの純粋気体が入っているボン
ベ10と、希釈検量システム11によってホスフィン、
アルシン、硫化水素などのドーピング不純物を純粋シラ
ン中に注入する。
低温不純物捕獲装置は、低温、但し純粋気体(例えばこ
こではシラン)の液化温度よりも高い温度に維持する。
第1注入弁が第1図に示す注入位置になっている間、こ
の低温を維持する:キャリヤーガスが導管l2から流入
し、低温不純物トラップ2があるサンプリングループ(
boucle d echantiollonageH
3,14を通過する。低温不純物捕獲装置において不純
物を吸着する際は、第I注入弁を第1図に示す位置と逆
の位置に入れる。かくして導管8から送られてくる混合
気体がサンプリングループを通過し、導管l4を通って
低温不純物トラップ2に入り、導管13を通過し、導管
9を通って大気中に排出される。この状態でキャリヤー
ガスが入口側導管12から出口側導管7へ直接送られる
続いて、第1注入弁4を第1図に示す注入位置に入れ直
した後、低温不純物捕獲装置2の温度を上げて不純物を
脱着させる。
出口側導管7は第1気相クロマトグラフ装置系15の入
口に接続されており、該出口側導管7に設けられている
八方注入弁(eight way injection
valve) 16が第1注入弁4と同じ位置に入って
いる。図示の実施態様においては、クロマトグラフ装置
系15の2本の螺旋充填カラム17. 18によって2
つの相異なる不純物を順番に分析する。カラムl8の代
役を果たす第3螺旋カラムl9によって第3不純物の分
析ならびに検出を行う。流量調節器2lを介して主管路
5に接続されている導管20を通してキャリヤーガス(
例えばヘリウム)がクロマトグラフ装置系15へ送られ
る。
第1図に示す注入状態において、低温不純物トラップ2
から導管7を通って送られてくる脱着不純物搬送用中性
キャリヤーガスか、まず、導管22を通ってカラムl8
に流入し、導管23を通って弁16へ戻り、導管24を
通ってクロマトグラフ装置系15から流出する。導管2
0から送られてくるキャリヤーガスは導管25を通って
カラムl7に入り、導管26を通って弁l6へ戻り、導
管27を通って大気中に流出する。
クロマトグラフ装置系15のカラム17.18(または
場合によってはカラム19)における不純物の分析によ
り、低温不純物トラップにおいて達成されるサンプルの
低温濃度(concentration frigor
ifique)の効果により、2. 10−’ 〜10
−’容量ppm程度の検出限界を確保することができる
。しかし各種不純物の検出ピークはなおも非常にフラッ
トであり、プレカラム(precolonneH7, 
18. 19の出口においてこの不純物検出ピークをリ
センタリング(recen−ter)することが望まし
い。
これを行うために、流量調節器30を介して主管路5に
接続されている導管29から送られてくるキャリヤーガ
スでバージングされる四方弁28に出口側導管24が接
続されている。弁28から来ている出口側導管31は低
温不純物リセンタリング装置32の入口に接続されてい
る。リザーバ−3aから送られてくる可能な限り低い温
度の液体窒素によって該低温不純物リセンタリング装置
32が冷却される。シランなどの純粋気体の液化温度に
達しないことが望ましい低温不純物捕獲装置2の場合と
異なり、低温不純物リセンタリング装置32の場合は、
不純物を搬送する気体がヘリウムなどのキャリヤーガス
であるため、温度に関してはなんら問題はない。したが
って脱着段階において温度をさらに下げることができる
。図示のごとく、低温不純物リセンタリング装置32に
設けられている毛管カラムの出口33が第2気相クロマ
トグラフ装置系34の入口に接続されている。第2気相
クロマトグラフ装置系34の構成要素として八方注入弁
35が設けられている。第2気相クロマトグラフ装置系
34の構成要素としてさらに、螺旋毛管カラム36と出
口33に接続されている光電離式検出器38がある。第
1図に示す状態において、流量調節器40が設けられて
いる導管39から送られてくる中性キャリヤーガスが注
入弁35を通過し、検出器38へ送られる。不純物リセ
ンタリング装置32の温度を上げて不純物を脱着させる
。低温不純物リセンタリング装置32から送られてくる
不純物を含んでいるキャリヤーガスは導管4lを通って
弁35ならびに毛管カラム36を通過し、導管42を通
って戻り、導管43を通って大気中へ流出する。流量調
節器45が設けられている導管44から送られてくる掃
気キャリヤーガスも、注入弁35を通過した後、導管4
6を通って大気中へ流出する。
第2クロマトグラフ装置によってto−5容量ppmの
分析精度が確保される。
本発明の1つの実施態様としての低温不純物捕獲装置2
の略図を第2図に示す。低温不純物捕獲装置2の中央本
体47は断熱材48で包囲されている。
中央本体47のほぼ中心軸線に沿って設けられているサ
ンプリング直管49に分析すべき不純物を吸着する粒状
物質50が充填されている。冷却流体(例えば液体窒素
)が入口側管路5lに入り、本体47の高さの全体を通
過し、本体47ならびにサンプリング管49を冷却した
後、出口側管路52を通って流出する。同様に本体47
の全高に亘って設けられている発熱体(bougie 
chauffante)53はサンプリング管49を再
加熱し、不純物を脱着させる。温度センサー54によっ
て温度を調節し、不純物脱着段階の間、サンプリング管
を低温に維持する。
低温不純物リセンタリング装置32の略図を第3図に示
す。低温不純物リセンタリング装置32は、基本構造は
低暦不純物捕獲装置2のそれと同じであり、断熱材48
により包囲されている中央本体47、冷却管路51, 
52、温度センサー54ならびに不純物脱着用発熱体5
3を有する。低温不純物捕獲装置2との相違点としては
、サンプリング管49に代わる中央管55内に本体47
の全体の高さに亘って毛管直カラム56が挿着されてい
る。
不純物検量システムの略図を第4図に示す。
例として本例においてリザーバ−57に収容されている
純粋シランにホスフィン、アルシンならびに硫化水素か
ら成るドーピング用不純物を注入する。
リザーバ−58に窒素、ホスフィン、アルシンの混合気
体が収容されており、リザーバ−59に窒素、硫化水素
の混合体が収容されている。第1の窒素希釈系において
は2つの質量流調節器60. 61の人口が各々リザー
バ−58. 59ならびに主窒素管路62に接続されて
おり、共通出口63が第2の窒素希釈系に連結している
。第2の窒素希釈系においても質量流調節器64. 6
5が設けられている。第2窒素希釈系の出口66は2つ
の質量流調節器67. 68から成る第3窒素希釈系の
共通出口69は2つの質量流調節器70. 71から或
る第4最終シラン希釈系に接続されている。質量流調節
器64, 67. 70はさらに放出器(devers
eur) 72, 73. 74に接続されている。
リザーバ−57から送られてくるシランは導管75を通
過し、調節器7lを通って第4希釈系に入る。そして不
純物を含んでいるシランが導管76を通ってクロマトグ
ラフ検証システムlに入る。クロマトグラフ検量システ
ムlにはさらに、リザーバ−77からキャリヤーガスが
送られ、またリザーバ−78から冷却用液体窒素を送る
ことができる。
79. 80は窒素掃気管路である。検量システム1に
よる不純物の測定ならびに分析により、不図示の手段を
介して希釈系に対し再反応を行わせ10−5容Jipp
mの水準でホスフィン/アルシン/硫化水素不純物を完
全に検量したシラン混合体が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の不純物検量装置系のフロートシ一ト
である。 第2図は、本発明の不純物検量装置の低温不純物捕獲装
置の断面図である。 第3図は、本発明の不純物検量装置の低温不純物リセン
タリング装置の断面図である。 第4図は、シラン中に超低濃度で存在している不純物の
検量を行う装置系を示すフローシ一トである。 第1図について: 2・・・低温不純物捕獲装置、4・・・第1注入弁、1
6・・・八方注入弁、17, 18. 19・・・螺旋
充填カラム、28・・・四方注入弁、32・・・低温リ
センタリング装置、35・・・八方注入弁、36・・・
毛管カラム、38・・・光電離式検出器、 第2図及び第3図について: 47・・・中央本体、48・・・断熱材、49・・・サ
ンプリング直管、50・・・粒状物質、51. 52・
・・管路、53・・・発熱体、54・・・温度センサー 第4図について: ■・・・クロマトグラフ検量システム、57, 58,
 59.77・・・リザーバー、64, 65, 67
, 68, 70. 71・・・質量流調節器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、下記の諸工程、すなわち、 −不純物を含んでいる気体を、不純物を吸着することの
    できる粒状物質を充填したカラム(49)に通送する工
    程;その際、該カラムは、可能な限り低い温度、ただし
    該気体の液化温度に達しない温度に維持する; −カラムの温度を上昇させついでキャリヤーガスをカラ
    ムに通送して、不純物を脱着させ、ついで脱着された不
    純物を第1クロマトグラフ吸着器へ通送する工程; −第1クロマトグラフ吸着器において、分析すべき各不
    純物の予備気相クロマトグラフ検量を順番に行う工程; −キャリヤーガスを第1クロマトグラフ吸着器に通送し
    て不純物を脱着させ、脱着された不純物を、可能な限り
    低い温度であるが、キャリヤーガスと両立し得る温度に
    維持された毛管カラム(56)の中へ通送する工程; −毛管カラムの温度を上昇させて不純物を脱着させ、脱
    着された不純物を、検出器を備えている第2クロマトグ
    ラフ吸着器へ通送しそしてキャリヤーガスを第2クロマ
    トグラフ吸着器に通送する工程及び −検出器中で不純物を検量する工程; からなることを特徴とする、気相クロマトグラフィーに
    よる気体中の不純物の検量方法。2、光電離式検出器を
    使用する請求項1に記載の方法。 3、1つの回路において直列的に接続し得る下記の装置
    すなわち、冷却装置(3;51〜52)と加熱装置(5
    3)とを備えている第1不純物捕獲装置(2)と、冷却
    装置(3a;51〜52)と加熱装置(53)とを備え
    ている第2不純物捕獲装置(32)と、第2不純物捕獲
    装置(32)の下流側に設けられている検出器(38)
    とかならる請求項1又は2に記載の方法を実施するため
    の不純物検量装置において、 −第1不純物捕獲装置(2)の出口と、毛管カラム(5
    6)を備えている第2不純物捕獲装置(32)の入口と
    の間に設けることができる第1気相クロマトグラフ装置
    (15)を備えていること;及び−第1不純物捕獲装置
    (2)の冷却装置(3;51〜52)ならびに第2不純
    物捕獲装置(32)の冷却装置(3a;51〜52)が
    低温型冷却装置であることを特徴とする不純物検量装置
    。 4、不純物含有ガスとキャリヤーガスを装置の各種構成
    装置に選択的に流通させる装置をさらに備えている請求
    項3に記載の装置。 5、検出器(38)が光電離式検出器である請求項3又
    は4に記載の装置。 6、第1クロマトグラフ装置が少なくとも1本の螺旋毛
    管カラムを有する請求項3〜5のいずれかに記載の装置
    。 7、第2クロマトグラフ装置が少なくとも1本の螺旋毛
    管カラムを有する請求項3〜5のいずれかに記載の装置
JP2250462A 1989-09-22 1990-09-21 気相クロマトグラフイーによる気体中の不純物の検量方法及びこれに使用する装置 Pending JPH03170861A (ja)

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FR8912447 1989-09-22
FR8912447A FR2652417B1 (fr) 1989-09-22 1989-09-22 Procede et dispositif de dosage d'impuretes dans un gaz par chromatographie en phase gazeuse et utilisation pour la calibration d'impuretes dopantes dans le silane.

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JP (1) JPH03170861A (ja)
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DE (1) DE69023446T2 (ja)
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