JPH03166787A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH03166787A JPH03166787A JP1307232A JP30723289A JPH03166787A JP H03166787 A JPH03166787 A JP H03166787A JP 1307232 A JP1307232 A JP 1307232A JP 30723289 A JP30723289 A JP 30723289A JP H03166787 A JPH03166787 A JP H03166787A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0183—Dielectric layers
- H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電子計算機、通信機器等に用いられる高密度
の配線基板の構造に関する． ［従来の技術］ 従来、絶縁層を用いて配線基板を形或する場合には、第
２Ａ図に示すように、有機物絶縁層２上に直接、回路を
形威していた． しかし、第２Ｂ図に示すように，多層の回路を形成する
場合には、上記の構造ではクラックが発生し、問題があ
った．つまり、上層の導体４ａの層または上層の有機物
絶縁層２ａを形或する工程においては、下層回路および
絶縁層などに、形状に起因する、大きな熱応力６が、第
２Ｂ図に示す矢印の方向に負荷されることが多い，この
ため、切欠部において，クラックが発生し、有機物絶縁
／［７２，２ａや導体４の層に、同図に示すような破壊
７が生じる． このような破壊７が、導体４の層や有機物絶縁層２，２
ａに生ずると，その部分の接触状態が振動等によって変
化して、ノイズを生じたり，また，断線となることがあ
る．このため，歩留りの低下や、製品としての信頼性が
低下するという問題が起きる． 上記の問題を解決する手段として、特開昭６ｌ−１２３
５７号公報に記載の技術がある．第３図に、上記の技術
を示す． この技術は有機物ＩＩＡｍ層２と導体４の層との間に、
Ｔａ，ＯＢやＳｉｎ．から成る応力支持層５を設ける構
造となっている。また、上層も同様に、有機物絶縁層２
ａと導体４ａの層との間に応力支持層５ａを設ける． この応力支持ＰｆＪ５，５ａにより、さらに上層の絶縁
層を形成する工程で発生する熱応力に耐えることが可能
である． ［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術は、熱応力に耐える層としては有効であっ
た． しかし、この従来の技術には、次のような問題点がある
．すなわち、基板に電源投入中に、基板内で熱が発生す
ることがあり、この発生した熱については、上記従来技
術は，全く考慮していない６この発熱が生じた場合につ
いて、第３図により、説明する． 同図において，応力支持層５は，基板１上に形威された
有機物絶縁層２と導体４の層との間に，設けられている
。上層も同様に，有機物絶縁層２ａと導体４ａの層との
間に、応力支持層５ａが設けられている． この応力支持層５，５ａは、上層の絶縁層を形或する工
程で発生する熱応力には耐えることが可能である。
の配線基板の構造に関する． ［従来の技術］ 従来、絶縁層を用いて配線基板を形或する場合には、第
２Ａ図に示すように、有機物絶縁層２上に直接、回路を
形威していた． しかし、第２Ｂ図に示すように，多層の回路を形成する
場合には、上記の構造ではクラックが発生し、問題があ
った．つまり、上層の導体４ａの層または上層の有機物
絶縁層２ａを形或する工程においては、下層回路および
絶縁層などに、形状に起因する、大きな熱応力６が、第
２Ｂ図に示す矢印の方向に負荷されることが多い，この
ため、切欠部において，クラックが発生し、有機物絶縁
／［７２，２ａや導体４の層に、同図に示すような破壊
７が生じる． このような破壊７が、導体４の層や有機物絶縁層２，２
ａに生ずると，その部分の接触状態が振動等によって変
化して、ノイズを生じたり，また，断線となることがあ
る．このため，歩留りの低下や、製品としての信頼性が
低下するという問題が起きる． 上記の問題を解決する手段として、特開昭６ｌ−１２３
５７号公報に記載の技術がある．第３図に、上記の技術
を示す． この技術は有機物ＩＩＡｍ層２と導体４の層との間に、
Ｔａ，ＯＢやＳｉｎ．から成る応力支持層５を設ける構
造となっている。また、上層も同様に、有機物絶縁層２
ａと導体４ａの層との間に応力支持層５ａを設ける． この応力支持ＰｆＪ５，５ａにより、さらに上層の絶縁
層を形成する工程で発生する熱応力に耐えることが可能
である． ［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術は、熱応力に耐える層としては有効であっ
た． しかし、この従来の技術には、次のような問題点がある
．すなわち、基板に電源投入中に、基板内で熱が発生す
ることがあり、この発生した熱については、上記従来技
術は，全く考慮していない６この発熱が生じた場合につ
いて、第３図により、説明する． 同図において，応力支持層５は，基板１上に形威された
有機物絶縁層２と導体４の層との間に，設けられている
。上層も同様に，有機物絶縁層２ａと導体４ａの層との
間に、応力支持層５ａが設けられている． この応力支持層５，５ａは、上層の絶縁層を形或する工
程で発生する熱応力には耐えることが可能である。
しかし、基板に電源を投入中に発生する熱の放散に対し
ては、全く考慮がされていない。従って、電源投入中の
基板の発熱により，応力支持層５，５ａおよび有機物絶
縁層２，２ａは熱を蓄え、これらの温度は上昇する．こ
の結果、これらの層が熱膨張１１を生じ、両者の熱膨張
率の違いによって、応力支持層５に割れ、剥離が生じ，
さらに導体４の層にも、割れなどが生じる。
ては、全く考慮がされていない。従って、電源投入中の
基板の発熱により，応力支持層５，５ａおよび有機物絶
縁層２，２ａは熱を蓄え、これらの温度は上昇する．こ
の結果、これらの層が熱膨張１１を生じ、両者の熱膨張
率の違いによって、応力支持層５に割れ、剥離が生じ，
さらに導体４の層にも、割れなどが生じる。
このため，上記の配線基板は、信頼性が低く、また，こ
の配線基板を用いた計算機などの製品は．故障，誤動作
が生じやすいものとなる。
の配線基板を用いた計算機などの製品は．故障，誤動作
が生じやすいものとなる。
本発明の目的は，導体や抵抗体等の破壊、断線のない信
頼性の高い配線基板を提供することにある． ［課題を解決するための手段］ 上記目的は，配線基板に，熱を放散させる層を設けるこ
とにより達或できる． 上記目的は、絶縁層と導体層との間に，電源投入中に発
生する熱を拡散し、逃すための熱拡散体を設けることに
より達或できる。
頼性の高い配線基板を提供することにある． ［課題を解決するための手段］ 上記目的は，配線基板に，熱を放散させる層を設けるこ
とにより達或できる． 上記目的は、絶縁層と導体層との間に，電源投入中に発
生する熱を拡散し、逃すための熱拡散体を設けることに
より達或できる。
また，抵抗体層を設けた配線基板においては、抵抗体層
と絶縁層との間に，熱拡散体を設けることにより達或で
きる。
と絶縁層との間に，熱拡散体を設けることにより達或で
きる。
また，製造工程において機械的強度が問題となる場合は
、積層された眉間で生じた応力を支持する層を設けるこ
とにより、上記目的を達成できる。
、積層された眉間で生じた応力を支持する層を設けるこ
とにより、上記目的を達成できる。
上記熱拡散体の厚さは、機械的強度および熱放散の点で
は、厚い程有効となるが、コストや熱拡散体形或後の加
工等を考慮すると、０．２〜１０μｍ程度の厚さとする
のが適当である。
は、厚い程有効となるが、コストや熱拡散体形或後の加
工等を考慮すると、０．２〜１０μｍ程度の厚さとする
のが適当である。
さらに，上記熱拡散体を設けた高密度多層配線基板を、
電子計算機，通信機器等の回路部として用いることによ
り、故障や誤動作を防止し，信頼性の向上を図ることが
できる． ［作用］ 本発明に係る配線基板においては、電源投入中に、配線
基板に発生した熱を、熱拡散体を通して、周囲に均等に
拡散し、逃がす。
電子計算機，通信機器等の回路部として用いることによ
り、故障や誤動作を防止し，信頼性の向上を図ることが
できる． ［作用］ 本発明に係る配線基板においては、電源投入中に、配線
基板に発生した熱を、熱拡散体を通して、周囲に均等に
拡散し、逃がす。
従って，絶縁層や抵抗体等の一部に、局所的に熱が蓄え
られることはない。よって、絶縁層や導体等の熱膨張率
が違っても，これらの部分的膨張による，回路等の破壊
や機能低下は生じない．特に、熱拡散体の上に、主な熱
発生源となる抵抗体を設けた場合は，抵抗体で発生した
熱を，熱拡散体を通じて、周囲に均等に拡散し，逃す．
そのため，抵抗体や絶縁層の局所的蓄熱による部分的膨
張は生ぜず、回路の破壊等は起らない．従って、本発明
によれば，内部に抵抗体を設けた高密度多層配線基板の
信頼性を低下させることがない． なお、配線基板上に，積層された層間で生じた応力を支
持する層を設けた場合は、製造工程において発生する応
力を、比較的強度の高い，これらの層が支えるため、絶
縁層や導体に強い応力がかからない． 従って、製造工程において発生する熱応力による、製造
工程中の導体、抵抗体の破断等を防止できる． ［実施例］ 次に，本発明の実施例について図面を参照して説明する
． 本発明の第１の実施例について説明する６第１図は、本
発明に係る多層配線基板の第１の実施例を説明するため
の、各製造段階における多層配線基板の断面図である。
られることはない。よって、絶縁層や導体等の熱膨張率
が違っても，これらの部分的膨張による，回路等の破壊
や機能低下は生じない．特に、熱拡散体の上に、主な熱
発生源となる抵抗体を設けた場合は，抵抗体で発生した
熱を，熱拡散体を通じて、周囲に均等に拡散し，逃す．
そのため，抵抗体や絶縁層の局所的蓄熱による部分的膨
張は生ぜず、回路の破壊等は起らない．従って、本発明
によれば，内部に抵抗体を設けた高密度多層配線基板の
信頼性を低下させることがない． なお、配線基板上に，積層された層間で生じた応力を支
持する層を設けた場合は、製造工程において発生する応
力を、比較的強度の高い，これらの層が支えるため、絶
縁層や導体に強い応力がかからない． 従って、製造工程において発生する熱応力による、製造
工程中の導体、抵抗体の破断等を防止できる． ［実施例］ 次に，本発明の実施例について図面を参照して説明する
． 本発明の第１の実施例について説明する６第１図は、本
発明に係る多層配線基板の第１の実施例を説明するため
の、各製造段階における多層配線基板の断面図である。
第１図（ｄ）は、本実施例の最終製造段階における配線
基板の一部の断面図である。
基板の一部の断面図である。
同図において、本実施例の配線基板は、基板１上に、ポ
リイミドワニスのような有機物からなる有機物絶縁層２
を形威し、この有機物絶縁層２の上に、０．２μｍ −
１ ０μｍの厚さのＳｉからなる熱拡散層３を形威し
ている。この熱拡散層３の上には、所望の形状にエッチ
ングされた導体４の層が形威されている． さらに、導体４の層の上に有機物絶縁層２ａ．その有機
物絶縁層２ａの上に熱拡散層３ａ、その熱拡散層３ａの
上に導体４ａの層が順次形威され、上層の有機物絶縁Ｍ
２ａと，熱拡散層３ａとの同一場所に、スルーホール１
０ａを形威し、上層の導体４ａと、下層の導体４とを接
続している。
リイミドワニスのような有機物からなる有機物絶縁層２
を形威し、この有機物絶縁層２の上に、０．２μｍ −
１ ０μｍの厚さのＳｉからなる熱拡散層３を形威し
ている。この熱拡散層３の上には、所望の形状にエッチ
ングされた導体４の層が形威されている． さらに、導体４の層の上に有機物絶縁層２ａ．その有機
物絶縁層２ａの上に熱拡散層３ａ、その熱拡散層３ａの
上に導体４ａの層が順次形威され、上層の有機物絶縁Ｍ
２ａと，熱拡散層３ａとの同一場所に、スルーホール１
０ａを形威し、上層の導体４ａと、下層の導体４とを接
続している。
また、Ｓｉを熱拡散層の材料として選んだのは、次の理
由による。
由による。
熱拡散層として必要な性質には，良好な熱伝導率，低い
熱膨張率、および、比較的高い機械強度等がある．Ｓｉ
の熱伝導率は． ０ ． ２ｃａｌ／ｃｖｄｅｇと良好
であり，熱膨張率は、９．６Ｘ１０−’／”Ｃと比較的
低く、機械強度は、Ｓｉｎ，と同程度の強度を持つ． 従って，Ｓｉは、上記必要な性質を満たすので、熱拡散
層の材料として好適である． ただし、Ｓｉは、通常．ＬＳＩ等で導電性材料としても
用いられることがあるため、回路の下に熱拡散層として
、ＳｉＷ！Ｊを形成することは、通電の点で問題となる
可能性がある。しかし、不純物濃度を低く設定すること
により、その抵抗率を、２Ｘ１０１０μΩ・ω程度とす
ることができ、ＣｕやＡｌの数μΩ・国という抵抗率に
比べ，はるかに高く、通電の点で問題とはならない．な
お，熱拡散層の材料としては，Ｓｉの他に，Ｓ ｌ ａ
Ｎ４ｖ Ａ １ｚＯｓｓ Ｗｇ Ｔ ａ等のように、
熱良導体であると同時に機械的強度も高い物質でもよい
． また、上記熱拡散層の厚さは、強度および熱放散の点で
は、厚いほど有効であるが、層を形或する時間および、
スルーホール形戒などの後加工までを考慮すると、０．
２μｍ〜１０μｍの厚さが適当である。
熱膨張率、および、比較的高い機械強度等がある．Ｓｉ
の熱伝導率は． ０ ． ２ｃａｌ／ｃｖｄｅｇと良好
であり，熱膨張率は、９．６Ｘ１０−’／”Ｃと比較的
低く、機械強度は、Ｓｉｎ，と同程度の強度を持つ． 従って，Ｓｉは、上記必要な性質を満たすので、熱拡散
層の材料として好適である． ただし、Ｓｉは、通常．ＬＳＩ等で導電性材料としても
用いられることがあるため、回路の下に熱拡散層として
、ＳｉＷ！Ｊを形成することは、通電の点で問題となる
可能性がある。しかし、不純物濃度を低く設定すること
により、その抵抗率を、２Ｘ１０１０μΩ・ω程度とす
ることができ、ＣｕやＡｌの数μΩ・国という抵抗率に
比べ，はるかに高く、通電の点で問題とはならない．な
お，熱拡散層の材料としては，Ｓｉの他に，Ｓ ｌ ａ
Ｎ４ｖ Ａ １ｚＯｓｓ Ｗｇ Ｔ ａ等のように、
熱良導体であると同時に機械的強度も高い物質でもよい
． また、上記熱拡散層の厚さは、強度および熱放散の点で
は、厚いほど有効であるが、層を形或する時間および、
スルーホール形戒などの後加工までを考慮すると、０．
２μｍ〜１０μｍの厚さが適当である。
次に、本実施例の多層配線基板の製造方法の一例につい
て説明する。
て説明する。
第１図（ａ）は製造工程の第１段階を示す。これは次の
工程から或る． セラミック、金属または有機物等からなる基板ｌ上に、
ポリイミドワニスのような有機物を塗布，焼威し、平滑
な面をもつ有機物絶縁層２を形或する。
工程から或る． セラミック、金属または有機物等からなる基板ｌ上に、
ポリイミドワニスのような有機物を塗布，焼威し、平滑
な面をもつ有機物絶縁層２を形或する。
次に，この有機物絶縁層２の上に，Ｓｉ層を熱拡散層３
として、公知技術であるスパッタリングによって０．２
〜１０Ｐｍの厚さに或膜する．この熱拡散層３の上に、
ＡＱまたはＣｕの導体４の層を、スパッタリングにより
１〜５μｍの厚さに形成する． 次に、第２段階を第１図（ｂ）に示す。
として、公知技術であるスパッタリングによって０．２
〜１０Ｐｍの厚さに或膜する．この熱拡散層３の上に、
ＡＱまたはＣｕの導体４の層を、スパッタリングにより
１〜５μｍの厚さに形成する． 次に、第２段階を第１図（ｂ）に示す。
この工程は、上記のＡ． ｆｌまたはＣｕの導体４の層
を公知技術であるフォトエッチング技術により、エッチ
ングし、回路パターンを形成し、導体４の配線とする工
程である。
を公知技術であるフォトエッチング技術により、エッチ
ングし、回路パターンを形成し、導体４の配線とする工
程である。
次に、第３段階を第１図（ｃ）に示す．この工程は、上
記の導体４ｂおよび熱拡散層３の上に、ポリイミドワニ
スを塗布，焼成し，有機物絶縁層２ａを形成し、その後
，公知技術であるフォトエッチング技術によりスルーホ
ール１０を形或する工程である． 次に、第４段階を第１図（ｄ）に示す。
記の導体４ｂおよび熱拡散層３の上に、ポリイミドワニ
スを塗布，焼成し，有機物絶縁層２ａを形成し、その後
，公知技術であるフォトエッチング技術によりスルーホ
ール１０を形或する工程である． 次に、第４段階を第１図（ｄ）に示す。
この工程は、まず、上記スルーホール１０を有する有機
物絶縁層２ａの上に，熱拡散層３ａを形成する．次に、
フォトエッチング技術により、熱拡散層３ａにスルーホ
ール１０ａを形成する。次に，この熱拡散層３ａの上に
、ＡＱまたはＣｕの導体４ａの層をスパッタリングによ
って威膜し、上記と同様に，フォトエッチング技術によ
り，回路パターンを形成する． 上記一連の工程により、熱拡散層３，３ａを設けた２層
配線基板が得られる． 同様の工程を繰り返すことにより、所望の多層配線基板
を得ることができる． 上記の方法により製造された多層配線基板は，電源投入
中において、基板に発生した熱を、局所的に蓄えさせる
ことなく、熱拡散層により，周囲に均一に拡散し，逃す
． 従って、有機物絶縁層２，２ａと導体４，４ａの熱膨張
差による、割れの発生などを防止でき，このような割れ
による種々の不具合が生じないので、信頼性の高い多層
配線基板を得ることができる． 第４図は、本発明に係る多層配線基板の第２の実施例を
示す断面図である。
物絶縁層２ａの上に，熱拡散層３ａを形成する．次に、
フォトエッチング技術により、熱拡散層３ａにスルーホ
ール１０ａを形成する。次に，この熱拡散層３ａの上に
、ＡＱまたはＣｕの導体４ａの層をスパッタリングによ
って威膜し、上記と同様に，フォトエッチング技術によ
り，回路パターンを形成する． 上記一連の工程により、熱拡散層３，３ａを設けた２層
配線基板が得られる． 同様の工程を繰り返すことにより、所望の多層配線基板
を得ることができる． 上記の方法により製造された多層配線基板は，電源投入
中において、基板に発生した熱を、局所的に蓄えさせる
ことなく、熱拡散層により，周囲に均一に拡散し，逃す
． 従って、有機物絶縁層２，２ａと導体４，４ａの熱膨張
差による、割れの発生などを防止でき，このような割れ
による種々の不具合が生じないので、信頼性の高い多層
配線基板を得ることができる． 第４図は、本発明に係る多層配線基板の第２の実施例を
示す断面図である。
同図において、本実施例の配線基板は、基板１上に，ポ
リイミドワニスのような有機物等からなる有機物絶縁層
２を形成し、この有機物絶ａ暦２の上に，０．２μｍ〜
工０μｍの厚さのＳｉからなる熱拡散層３を形成してい
る。この熱拡散層３の上には，応力支持層であるＳＬ，
Ｎ，層８が、？０ｎｍ程度形成されており、このＳＬ３
Ｎ４層８の上に、抵抗素子となる，Ｃｒ，Ｗ等の材料を
主成分とする抵抗体９の層が形成される。さらに、この
抵抗体９の層の上に、ＡＩ２，Ｃｕ等からなる導体４の
層が形威されている。
リイミドワニスのような有機物等からなる有機物絶縁層
２を形成し、この有機物絶ａ暦２の上に，０．２μｍ〜
工０μｍの厚さのＳｉからなる熱拡散層３を形成してい
る。この熱拡散層３の上には，応力支持層であるＳＬ，
Ｎ，層８が、？０ｎｍ程度形成されており、このＳＬ３
Ｎ４層８の上に、抵抗素子となる，Ｃｒ，Ｗ等の材料を
主成分とする抵抗体９の層が形成される。さらに、この
抵抗体９の層の上に、ＡＩ２，Ｃｕ等からなる導体４の
層が形威されている。
これらの層の上に、有機物絶縁層２ａ、熱拡敗層３ａ，
Ｓｉ３Ｎ４層８ａおよび導体４ａの層が、順次，積層し
て形成されている。
Ｓｉ３Ｎ４層８ａおよび導体４ａの層が、順次，積層し
て形成されている。
上層の有機物絶縁層２ａと、熱拡散層３ａとの同一場所
に、スルーホール１０ｂを形或し、上層の導体４ａと、
下層の導体４とを接続している。
に、スルーホール１０ｂを形或し、上層の導体４ａと、
下層の導体４とを接続している。
なお，応力支持層の材料としては、Ｓｉ■Ｎ４の他、Ｓ
ｉ Ｏ，， Ｔ ａ，Ｏ，， Ａ １，０，等でもよ
い。
ｉ Ｏ，， Ｔ ａ，Ｏ，， Ａ １，０，等でもよ
い。
次に、本実施例の多層配線基板の製造方法の一例につい
て説明する． 同図において，セラミック、金属等からなる基板１上に
、ポリイミドワニスのような有機物等を塗布焼成し、平
滑な面をもつ有機物絶縁Ｎ２が形成されている。
て説明する． 同図において，セラミック、金属等からなる基板１上に
、ポリイミドワニスのような有機物等を塗布焼成し、平
滑な面をもつ有機物絶縁Ｎ２が形成されている。
この有機物絶縁層２の表面上には、公知技術であるスパ
ッタリングによって、熱拡散層３であるＳ ｉ ｆｆＪ
が形成されている。さらに、このＳｉ層の表面上には、
公知技術であるＲＦスパッタリングによって、ＳＬ，Ｎ
４層８が、５０ｎｍ程度形成されている。このＳＬ，Ｎ
４層８の表面上に、公知技術であるスパッタリングによ
り、Ｃｒ，Ｗ等の材料を主或分とする抵抗体９の層が形
或されており、さらにこの抵抗体９の層の表面上にＡｆ
ｌ，Ｃｕの導体４の層が形成される。この抵抗体９の層
と導体４の層は、公知技術であるフォトエッチング法に
より，抵抗素子および配線とされている。
ッタリングによって、熱拡散層３であるＳ ｉ ｆｆＪ
が形成されている。さらに、このＳｉ層の表面上には、
公知技術であるＲＦスパッタリングによって、ＳＬ，Ｎ
４層８が、５０ｎｍ程度形成されている。このＳＬ，Ｎ
４層８の表面上に、公知技術であるスパッタリングによ
り、Ｃｒ，Ｗ等の材料を主或分とする抵抗体９の層が形
或されており、さらにこの抵抗体９の層の表面上にＡｆ
ｌ，Ｃｕの導体４の層が形成される。この抵抗体９の層
と導体４の層は、公知技術であるフォトエッチング法に
より，抵抗素子および配線とされている。
これらの層の上に、上記と同様の方法により，さらに、
有機物絶縁層２ａ、熱拡散層３ａ、ｓｉ，Ｎ４層８ａお
よび導体４ａの層を形或することを繰り返すことにより
、所望の多層配線基板を得ることができる。
有機物絶縁層２ａ、熱拡散層３ａ、ｓｉ，Ｎ４層８ａお
よび導体４ａの層を形或することを繰り返すことにより
、所望の多層配線基板を得ることができる。
本実施例における，熱拡散層３，３ａは．上記第１の実
施例における熱拡散層と同様に作用する。
施例における熱拡散層と同様に作用する。
Ｓｉ３ＮＪｔ８ｔ ８ａは、製造工程中において発生す
る熱応力による，導体、抵抗体等の変形や割れを防止す
る。また、Ｓｉ，Ｎ４層８，８ａは，１１！気的絶縁物
であるので、熱拡散層３と抵抗体９の層との電気的絶縁
、および，熱拡散層３ａと導体４ａの層との電気的絶縁
を確実にする．さらに，製造工程中において，抵抗体９
の層と熱拡散層３との、相互拡散を防止し、抵抗素子の
劣化を防ぐ効果もある． 従って、本実施例は，第１の実施例と同様に、熱による
抵抗の変化を防止でき、有機物絶縁層２，２ａと導体４
，４ａの熱膨張差による、割れの発生を防止するだけで
はなく、Ｓｉ．Ｎ，層８，８ａの存在により，層間の機
械的強度，電気的絶綽性の向上，抵抗素子の劣化防止を
図り、一層信頼性の高い多層配線基板を得ることができ
る。
る熱応力による，導体、抵抗体等の変形や割れを防止す
る。また、Ｓｉ，Ｎ４層８，８ａは，１１！気的絶縁物
であるので、熱拡散層３と抵抗体９の層との電気的絶縁
、および，熱拡散層３ａと導体４ａの層との電気的絶縁
を確実にする．さらに，製造工程中において，抵抗体９
の層と熱拡散層３との、相互拡散を防止し、抵抗素子の
劣化を防ぐ効果もある． 従って、本実施例は，第１の実施例と同様に、熱による
抵抗の変化を防止でき、有機物絶縁層２，２ａと導体４
，４ａの熱膨張差による、割れの発生を防止するだけで
はなく、Ｓｉ．Ｎ，層８，８ａの存在により，層間の機
械的強度，電気的絶綽性の向上，抵抗素子の劣化防止を
図り、一層信頼性の高い多層配線基板を得ることができ
る。
上記多層配線基板の適用の実施例としては、高性能計算
機、通信機器等の高密度多層配線基板として用いられる
例がある． ［発明の効果］ 本発明によれば、電源投入中において，配線基板内に発
生する熱を、熱伝導率の高い層が、発熱部位より広い面
積に均等に伝え、拡散する。従って、局所的な蓄熱を防
止し，蓄熱による昇温を原因とする熱応力によって生じ
る配線、抵抗体の断線等を防止することができる． また、電子計算機や通信機器等に、本発明に係る多層配
線基板を用いることにより，それらの信頼性の向上が図
れる。
機、通信機器等の高密度多層配線基板として用いられる
例がある． ［発明の効果］ 本発明によれば、電源投入中において，配線基板内に発
生する熱を、熱伝導率の高い層が、発熱部位より広い面
積に均等に伝え、拡散する。従って、局所的な蓄熱を防
止し，蓄熱による昇温を原因とする熱応力によって生じ
る配線、抵抗体の断線等を防止することができる． また、電子計算機や通信機器等に、本発明に係る多層配
線基板を用いることにより，それらの信頼性の向上が図
れる。
第工図（ａ）から（ｄ）までは、本発明に係る多層配線
基板の第１の実施例の各製造段階における断面図，第２
Ａ図は従来の多層配線基板の断面図、第２Ｂ図は従来の
多層配線基板の製造工程における応力状況および割れを
示す断面図、第３図は応力支持層を有する多層配線基板
の導体および応力支持層の割れを示す断面図、第４図は
本発明に係る多層配線基板の第ａ実施例を示す断面図で
ある。 ｌ・・・基板、２，２ａ，２ｂ・・・有機物絶縁層，３
，３ａ・・・熱拡散層、４，４ａ，・・・導体，５，５
ａ・・・応力支持層、６・・・熱応力、７・・・破壊、
８，８ａ・・・Ｓｉ３Ｎ．層．９−・・抵抗体．１０，
−１０ａ，１０ｂ・・・スルーホーノレ， １１・・・熱膨張．
基板の第１の実施例の各製造段階における断面図，第２
Ａ図は従来の多層配線基板の断面図、第２Ｂ図は従来の
多層配線基板の製造工程における応力状況および割れを
示す断面図、第３図は応力支持層を有する多層配線基板
の導体および応力支持層の割れを示す断面図、第４図は
本発明に係る多層配線基板の第ａ実施例を示す断面図で
ある。 ｌ・・・基板、２，２ａ，２ｂ・・・有機物絶縁層，３
，３ａ・・・熱拡散層、４，４ａ，・・・導体，５，５
ａ・・・応力支持層、６・・・熱応力、７・・・破壊、
８，８ａ・・・Ｓｉ３Ｎ．層．９−・・抵抗体．１０，
−１０ａ，１０ｂ・・・スルーホーノレ， １１・・・熱膨張．
Claims (10)
- １．配線基板内における発生熱を拡散させる層を有する
ことを特徴とする配線基板。 - ２．基板上に、絶縁層と、導体層および／または抵抗体
層とを有する配線基板において、発熱部位に近接して、
熱を拡散させる層を設けたことを特徴とする配線基板。 - ３．基板上に、絶縁層と、導体層および／または抵抗体
層とを有する配線基板において、熱拡散体を設けたこと
を特徴とする配線基板。 - ４．基板上に、絶縁層と、導体層と、抵抗体層とを積層
して構成される配線基板において、絶縁層と抵抗体層と
の間に熱拡散体を設け、抵抗体で発生する熱を放散する
構造としたことを特徴とする配線基板。 - ５．基板上に、ポリイミドワニスからなる絶縁層と、導
体層と、抵抗体層とを積層して構成される配線基板にお
いて、上記絶縁層が、局所的にガラス転移温度を超える
こと、を防止する層を設けたことを特徴とする配線基板
。 - ６．基板上に、絶縁層と、導体層と、抵抗体層とを積層
して構成される配線基盤において、発熱する抵抗体層か
ら受熱する面の面積よりも、広い範囲に、熱を拡散する
層を設けたことを特徴とする配線基板。 - ７．積層された層間で生じた応力を支持する層を設けた
構造であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５
または６記載の配線基板。 - ８．請求項１もしくは２記載の熱を拡散させる層、請求
項３もしくは４記載の熱拡散体、請求項５記載の局所的
にガラス転移温度を超えることを防止する層、または、
請求項６記載の抵抗体層で発生する熱を拡散する層、の
各層の材料として、Ｓｉを用いることを特徴とする配線
基板。 - ９．請求項１もしくは２記載の熱を拡散させる層、請求
項３もしくは４記載の熱拡散体、請求項５記載の局所的
にガラス転移温度を超えることを防止する層、または、
請求項６記載の抵抗体層で発生する熱を拡散する層、の
各層の厚みが、０．２〜１０μｍであることを特徴とす
る配線基板。 - １０．回路の少なくとも一部を、請求項１，２，３，４
，５，６，７，８，９または１０記載の配線基板を用い
て構成した電子機器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1307232A JP2634469B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 配線基板 |
| US07/618,407 US5285016A (en) | 1989-11-27 | 1990-11-27 | Wiring board provided with a heat bypass layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1307232A JP2634469B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03166787A true JPH03166787A (ja) | 1991-07-18 |
| JP2634469B2 JP2634469B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=17966628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1307232A Expired - Lifetime JP2634469B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 配線基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5285016A (ja) |
| JP (1) | JP2634469B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1154696A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波多層誘電体基板およびマルチチップモジュール |
| KR20020090847A (ko) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| JP2012195452A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Fujitsu Ltd | 電子部品及び電子部品組立装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9521999B2 (en) | 2005-09-13 | 2016-12-20 | Arthrex, Inc. | Fully-threaded bioabsorbable suture anchor |
| US8343186B2 (en) | 2004-04-06 | 2013-01-01 | Arthrex, Inc. | Fully threaded suture anchor with transverse anchor pin |
| TW536794B (en) * | 1999-02-26 | 2003-06-11 | Hitachi Ltd | Wiring board and its manufacturing method, semiconductor apparatus and its manufacturing method, and circuit board |
| US7003641B2 (en) * | 2000-01-31 | 2006-02-21 | Commvault Systems, Inc. | Logical view with granular access to exchange data managed by a modular data and storage management system |
| US7993369B2 (en) | 2000-06-22 | 2011-08-09 | Arthrex, Inc. | Graft fixation using a plug against suture |
| KR100688514B1 (ko) * | 2005-01-05 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 다른 종류의 ｍｃｐ를 탑재한 메모리 모듈 |
| EP1762186B1 (en) | 2005-09-12 | 2011-02-16 | Arthrex, Inc. | Suture anchor with eyelet |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS549867U (ja) * | 1977-06-24 | 1979-01-23 | ||
| JPH0163136U (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-24 | ||
| JPH0268980A (ja) * | 1988-09-03 | 1990-03-08 | Sharp Corp | 印刷配線板 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3617816A (en) * | 1970-02-02 | 1971-11-02 | Ibm | Composite metallurgy stripe for semiconductor devices |
| JPS5365969A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-12 | Tokyo Shibaura Electric Co | Multilayer circuit board and method of producing same |
| US4993148A (en) * | 1987-05-19 | 1991-02-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a circuit board |
| US4782381A (en) * | 1987-06-12 | 1988-11-01 | Hewlett-Packard Company | Chip carrier |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1307232A patent/JP2634469B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-11-27 US US07/618,407 patent/US5285016A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS549867U (ja) * | 1977-06-24 | 1979-01-23 | ||
| JPH0163136U (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-24 | ||
| JPH0268980A (ja) * | 1988-09-03 | 1990-03-08 | Sharp Corp | 印刷配線板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1154696A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波多層誘電体基板およびマルチチップモジュール |
| KR20020090847A (ko) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| JP2012195452A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Fujitsu Ltd | 電子部品及び電子部品組立装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2634469B2 (ja) | 1997-07-23 |
| US5285016A (en) | 1994-02-08 |
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