JPH0316205A - 可変インダクタ - Google Patents

可変インダクタ

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JPH0316205A
JPH0316205A JP15119289A JP15119289A JPH0316205A JP H0316205 A JPH0316205 A JP H0316205A JP 15119289 A JP15119289 A JP 15119289A JP 15119289 A JP15119289 A JP 15119289A JP H0316205 A JPH0316205 A JP H0316205A
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closed magnetic
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magnetic circuits
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Masuo Hanawaka
花若 増生
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Yokogawa Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 本発明は、コア構或の改善による可変インダクタの制御
電力の低減に関するものである。
く従来の技術〉 第5図は可変インダクタの原理図である。
第5図において、コア10にはa 1  a 2巻線と
b1−b2巻線がそれぞれ施されている,ここでーat
  a2a線に流れる電流を11、均数をn,b   
J巻線に流れる電流を12、巻数11 をn2、コア10の断面積をS,磁路長を2、透磁率を
μとすると、a   a2巻線からみたイン1 ダクタンスしは、 2 し=μ( ni )  S/ 1       ・・・
■と表わす事が出来る,従って、透磁率μを変化させる
事が出来れば、インダクタンスLを変える事が出来る, 第6図はコアの磁化( B − 1−1 + 1lIl
線図である。
第6図において、その勾酎で表わされる微分透磁率は、
コアの飽和特性により磁界の大きさと共に変化する.実
際には、第5図に示すt流11は有限の大きさを持つ為
、透磁率μは、 μ=ΔB/ΔH          ・・・■と表わせ
る.従って、バイアス磁界を変化させれば、透磁率μを
変える事が出来る事になる.このバイアス磁界を変化さ
せる為に、第5図にホすb−b  巻線を施し、電流1
2を流しているゆ12 第7図は可変インダクタの特性図である.なお、第7図
では、空隙部有りと無しの場合をそれぞれ示し、又、p
1〜P3(P11〜p31)点は、第6図の動作点P1
〜P3に対応している.第7図において、例えば第5図
のコア10に長さ2 の空隙部を付けた場合、コアの磁
気抵抗R9 は、 R=1/(μS) ↓ Ft=1/(μs〉+ハ/(μoS〉 =N/(μoS))(iF/μ,+lg>と変化する.
一般に、空隙部の長さlgは0.1〜IR、磁路長lは
数十〜数百〜、μ,は数千あるので、空隙部を入れる事
により、磁気抵抗Rは非常に大きくなり、飽和し難くな
る.又、インダクタンスしは、 L=n  2/R 1 と表わされるから、絶対値は小さくなる.第7図の空隙
部有りの場合は、これを示しており、p1〜P 点はP
11〜P31点となるが、インダクタン3 スLは殆ど変化しない.大きな変化を得る為には、更に
大きな制御電流を流す必要がある.第5図の可変インダ
クタでは、a 1  a 2巻線に電圧を印加すると、
n 2 / n 1なる電圧がb1bz巻線に発生ずる
。一般に、制御巻線は制御電流を小さくする為に巻数は
多いので、n2/n1は数!一〜数百と大きく、b 1
b 2巻線には大きな電圧を発生する.従って、可変イ
ンダクタの製作が難しくなったり、高電圧による絶縁破
壊を起こしたりする事になる.この問題を解決する為、
第8図に示す様に、可変インダクタを差動格或としてい
る. 第8図は従来の可変インダクタの一例を示す構成図であ
る.(イ)図では、a 1  a 2巻線を制御巻線、
b −b2巻線をインダクタ用巻線とす1 る場合と、その逆の場合とする事が可能であり、両者と
も同様の動作をする。又、(ロ)図では、a 1  a
 2巻線を制御巻線、b1−b2巻線をインダクタ用巻
線とすれば、インダクタ用巻線からは飽和させ難く、制
御巻線からは空隙部が無く、飽和させ易くなり、小さな
制eat力で済む事になる. く発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上記従来技術に示す可変インダクタにお
いて、第8図《イ)で、a1−a2″4線を制御巻線と
する場合、a 1  a 2巻線間ではb−b 巻線に
よる誘起電圧を打ち消すが、それ12 ぞれの脚でみると、b −b2巻線との巻数比に1 対応した電圧V  ,V2がそれぞれ発生する事に1 なる。一般には、制御巻線の巻数は多い為、電圧v1、
v2は高圧となり、製作が難しいという課題がある.一
方、b   b2巻線を制御巻線とす1 る場合、磁束レベルで打ち消し合い、b 1b 2巻線
に電圧は発生しないが、図に示す空隙部(g1〜g3)
がない場合には、信号電流が大きいとa   a2巻線
の電流でコアが飽和し、可変イン1 ダクタとしては実用的でない.その為、(イ)図に示す
空隙部(g 〜g3)は必須となるが、空1 隙部を付けると、制御巻線からも飽和させ難くなり、大
きな制御電力が必要となるという課題がある.又、(ロ
)図においては、小さな制御電力で済むが、a1−a2
巻線とb1 b2巻線の巻数比に応じた高圧がa   
32巻線のそれぞれの脚1 に発生する為、実用に供し得ないという課題があった. 本発明は上記従来技術の課題を踏まえて成されたもので
あり、インダクタ用巻線からは飽和させ難く、制御巻線
からは飽和させ易く、制御電力の小さい可変インダクタ
を提供する事を目的としたものである. く課題を解決するための手段〉 上記課題を解決する為の本発明の横或は、中央脚を共有
する様に設けられた1対の対称な第1の閉磁路と、前記
中央脚の周りに巻かれた制御巻線と、前記第1の閉磁路
の内側に空隙部を有して設けられた1対の対称な第2の
閉磁路と、前記中央脚に生じる磁束が互いに打ち消す様
に前記第2の閉Ial#Iのそれぞれの周りに巻かれた
インダクタ用巻線とを備えた事を特徴とするものである
.く作用〉 本発明によると、インダクタ用巻線からみた磁気抵抗と
制御巻線からみた磁気抵抗とを大きく異なる値とする事
が出来る為、インダクタ用巻線からは飽和させ難く、制
御巻線からは飽和させ易くする事が出来る. く実施例〉 以下、本発明を図面に遁づいて説明する.第1図は本発
明に係わる可変インダクタの一実施例を示すS戊図であ
る. 第1図において、中央脚!。及び中央脚10に関して対
称に設けられたl,〜l3脚、’11〜l31脚は、中
央脚l。を共有し、その両側に1対の対称な閉磁路を形
成し、第1の磁気回路を構成している,b−b  巻線
はl。脚に施された制御12 巻線である。又、l 脚、’41脚は任意の長さの4 空隙部g 〜g4を介して、第1の磁器回路(l1 。脚・2 〜I3脚・’11〜’31脚)の両開に接1 続して、1対の対称な閉磁路を形成し、第2の磁気回路
を梢成している.! 脚、’41脚には図に4 示す様に、a   82巻線が施されており、この1 a1−a2巻線によって生じる磁束は10WJでは互い
に逆向きで打ち消し合い,このa1  a2壜線をイン
ダクタ用巻線として使用している。
この様な横成において、制御巻線b 1b 2からみる
と、2 脚・11〜l3脚・’11〜’31脚0 の磁気回路には空隙部がなく、少ない電流で飽和させる
事が出来る。一方、a   32巻線からみ1 ると、必ず空隙間を通る事になり、l4脚又は241脚
を飽和させるには大きな電流が必要となる.言い換えれ
ば、インダクタ用巻線a 1a 2にかなり大きなt流
を流しても、空隙部長さの調整によって、14脚(l4
1脚)を飽和し難くする事が出来る. ここで、第2図は制御巻線a   a2に電流を1 流した場合の等価回路図である. 単2図において、R 〜R4はそれぞれ!。、1 11〜Il3 (111〜l31}、l4(141》の
各脚の磁気抵抗であり、それぞれの部分での等価断面積
をSi、等価磁路長をf,(i=1、2、3、4)、空
隙部長さをdgとすると、各脚の磁気抵抗<R1〜R4
 )は、それぞれ R1=d1/μS1+dg/μoS1 R2=d2/μS2 R3”’ d 3 /μS3 R =d4/μS4 4 と表わされる. この磁気抵抗R 〜R4を用いると、ziをバ1 ラメータとして、 Z 1= R 1// R 2 Z  =R  //(2R4+Z1) 23 Z   =R   // (2R   十Z    )
        ・・・■3  2     4   
2 z4=R1+23 とすると、インダクタンスLは、 2 L = 2  (  n 1 )    / Z ,s
で求められる. 但し、μ。:空気中の透磁率 μ:コアの透磁率 である,なお、コアの透磁率μはb  −b2*線1 に流すt流値によって変化させるものであり、このコア
の透磁率μの変化は、主に2 脚・11〜0 l3脚・111〜f31脚の部分の飽和によって生じる
.又,第3図は制御巻線b  −b2に電流を流1 した場合の等価回路図である。
この場合には、回路は左右対称となり、第6図と同一の
記号を用いると、磁気低抗几は、R=R3+1/2 +
2R4十 Ftt R2 / ( fi1+ R2 ) )  ・
・・■となる。R,には空隙部が含まれているが、R 
1》R 2 であるから、■式は近似的に R=Ft3+1/2 (2R4+R2)  ・・・■と
なる。
この■式には、空隙部は含まれず、磁気抵抗Rとしては
比較的小さいものである。従って、比較的小さな制御電
流でコアを飽和させる事が出来る事になる.一方、前記
■式の24には空隙部が直列に含まれる為、磁気抵抗が
大きく、飽和させるには大きな制御電流が必要となる. なお、第1図の楕或図において、4箇所に設けた空隙部
は、これに限るものではなく、第4図〈イ)に示す様に
、14,141脚の中間に空隙部g5−g6を設ける様
な構成であっても良い.又,(ロ)図に示す様に可変イ
ンダクタの形状を立体的としても良く、使用方法によっ
ては、より小形の形状とする事が出来る. く発明の効果〉 以上、実總例と共に具体的に説明した様に、本発明によ
れば、インダクタ用巻線からみた磁気抵抗と制御巻線か
らみた磁気抵抗を大きく異なる値とする事が出来る為、
インダクタ用巻線からは飽和させ難く、制御巻線からは
飽和させ易く出来る.従って、インダクタンス値を変化
させる制御電力を小さくする事が出来る.更に制御6m
のアンペアターンが小さくてすむ為、導線抵抗、インダ
クタンス、並列容量を小さく出来、インダクタンス変化
の応答速度を速める事が出来る等の利点を持つ可変イン
ダクタを実現する事が出来る.
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる可変インダクタの一実施例を示
す構成図、第2図はインダクタ用巻線からみた第1図の
等価回路図、第3図は制御巻線からみた第1図の等価回
路図,第4図は本発明の他の実施例を示す槽成図、第5
図は可変インダクタの原理図、第6[5!Iはコアの磁
化曲線図、第7図は可変インダクタの特性図、第8図は
従来例である.a 1  a 2・・・インダクタ用巻
線、b1−b2・・・制御巻線、g 〜g ・・・空隙
部、l ,11〜21  4      0 3・’ii〜131・l4・14「゜”脚・第 1 図 訴 2 ・ユ ゜キJ1゛4 卒57″

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  中央脚を共有する様に設けられた1対の対称な第1の
    閉磁路と、前記中央脚の周りに巻かれた制御巻線と、前
    記第1の閉磁路の両側に空隙部を有して設けられた1対
    の対称な第2の閉磁路と、前記中央脚に生じる磁束が互
    いに打ち消す様に前記第2の閉磁路のそれぞれの周りに
    巻かれたインダクタ用巻線とを備えた事を特徴とする可
    変インダクタ。
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