JPH03158008A - マイクロ波周波数逓倍器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、マイクロ波信号の周波数を２逓倍し、上記周
波数の２倍の周波数を有するマイクロ波信号を出力する
マイクロ波周波数逓倍器に関する。

［従来の技術］ 第５図は、従来のバランス形マイクロ波周波数逓倍器の
回路図であり、このマイクロ波周波数逓倍器は、２個の
周波数逓倍器３１．３２と、各周波数逓倍器３１．３２
に互いに逆位相の信号を入力するためのハイブリッド回
路３０と、出力マイクロ波線路１３とインピーダンス整
合を行うための出力整合回路２４とを備える。

周波数逓倍器３１は、周波数２逓倍用の非線形素子とし
て動作するソース接地の電界効果トランジスタ（以下、
ＦＥＴという。）ｌｌａと、ハイブリッド回路３０とＦ
ＥＴ１ｌａとの間のインピーダンス整合を行う入力整合
回路２１ａと、ＦＥＴ１ｌａと出力整合回路２４との間
のインピーダンス整合を行うための出力整合回路２２ａ
と、入力整合回路２１ａとＦＥＴ１ｌａとを結合し直流
バイアス成分を遮断するキャパシタ４１ａと、ＦＥＴ１
ｌａのゲートに接続されるバイアス抵抗４２ａとを有す
る。また、周波数逓倍器３２は同様に、ソース接地のＦ
ＥＴ１ｌｂと、入力整合回路２１ｂと、出力整合回路２
２ｂと、キャパシタ４１ｂと、バイアス抵抗４２ｂとを
備える。ここで、直流定電圧源９０ａはバイアス抵抗４
２ａを介してＦＥＴｔｌａのゲートに接続され、直流定
電圧源９０ｂはバイアス抵抗４２ｂを介してＦＥＴｌ１
ｂのゲートに接続される。上記直流定電圧源９０ａは、
ＦＥＴ１ｌａのゲート・ソース間のバイアス電圧がＦＥ
Ｔ１ｌａのピンチオフ電圧となるように、バイアス電圧
Ｖｇａをバイアス抵抗４２ａに印加し、また、上記直流
定電圧源９０ｂは、ＦＥＴ１ｌｂのゲート・ソース間の
バイアス電圧がＦＥＴ１ｌｂのピンチオフ電圧となるよ
うに、バイアス電圧Ｖｇｂをバイアス抵抗４２ｂに印加
する。

ハイブリッド回路３０は、５本の１／４波長のマイクロ
波線路３３乃至３７と、特性インピーダンスＺ０の終端
抵抗３８とを備え、特性インピーダンスＺ０を有する入
力線路１０から入力されるマイクロ波信号を、各出力端
子Ｔ、、Ｔ、において同振幅でかつ互いに逆位相となる
ように分配する。

ここで、マイクロ波線路３３．３７は、各線路３３．３
７の一端が接地された方向性結合回路を構成し、位相反
転回路として動作する。

各周波数逓倍器３１．３２のＦＥＴ１１ａ、１１ｂはそ
れぞれ、人力される基本周波数の信号を、基本波周波数
成分と、上記基本周波数の２倍の周波数成分（以下、逓
倍波成分という。）とを含む信号を、出力整合回路２４
を介して出力線路工３に出力する。ここで、上述のよう
に、各周波数逓倍器３１．３２に入力されるマイクロ波
信号は同振幅であって逆位相の関係にあるので、各周波
数逓倍器３１．３２から出力される２つの基本波成分は
同振幅であってかつ互いに逆位相となって互いに打ち消
しあい、一方、２つの逓倍波成分は同振幅であって同位
相となって互いに強めあい、これによって、上記逓倍波
成分のマイクロ波信号が出力マイクロ波線路１３に出力
される。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述の従来のマイクロ波周波数逓倍器に
おいて、各周波数逓倍器３１．３２内のマイクロ波線路
２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂと、ハイブリッド回路
３０内のマイクロ波線路３３乃至３７は、入力されるマ
イクロ波信号の波長に依存する線路長を有する必要があ
るので、当該マイクロ波周波数逓倍器は、入力されるマ
イクロ波信号の波長に比例して大きくなり、当該マイク
ロ波周波数逓倍器を小型化することが難しいという問題
点があった。

本発明の目的は以上の問題点を解決し、従来の回路に比
較し小型化することができるマイクロ波周波数逓倍器を
提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明に係るマイクロ波周波数逓倍器は、入力マイクロ
波線路に入力される入力マイクロ波信号の基本周波数を
２逓倍し、上記基本周波数の２倍の逓倍周波数を有する
出力マイクロ波信号を出力マイクロ波線路に出力するマ
イクロ波周波数逓倍器において、 上記入力マイクロ波信号に応答して、基本周波数を有す
る信号を所定の利得で増幅しかつ上記入力マイクロ波信
号に対して逆位相で出力するとともに、上記逓倍周波数
を有する信号を増幅し上記入力マイクロ波信号に対して
同位相で出力する第１の能動素子と、 上記入力マイクロ波信号に応答して、基本周波数を有す
る信号を上記利得と実質的に同一の利得で増幅しかつ上
記人力マイクロ波信号に対して同位相で出力するととも
に、上記逓倍周波数を有する信号を増幅し上記入力マイ
クロ波信号に対して同位相で出力する第２の能動素子と
、 上記第１の能動素子から出力される各信号と上記第２の
能動素子から出力される各信号を合成して上記逓倍周波
数を有する出力マイクロ波信号を上記出力マイクロ波線
路に出力する合゛成手段とを備えたことを特徴とする。

また、請求項２に記載のマイクロ波周波数逓倍器におい
て、上記第１の能動素子はソース接地の電界効果トラン
ジスタであり、上記第２の能動素子はゲート接ｔｔｈの
電界効果トランジスタであることを特徴とする。

［作用］ 以上のように構成することにより、上記第１の能動素子
は、上記入力マイクロ波信号に応答して、基本周波数を
有する信号を所定の利得で増幅しかつ上記入力マイクロ
波信号に対して逆位相で出力するとともに、上記逓倍周
波数を有する信号を増幅し上記入力マイクロ波信号に対
して同位相で出力し、一方、上記第２の能動素子は、上
記入力マイクロ波信号に応答して、基本周波数を有する
信号を上記利１８と実質的に同一の利得で増幅しかつ上
記入力マイクロ波信号に対して同位相で出力するととも
に、上記逓倍周波数を有する信号を増幅し上記入力マイ
クロ波信号に対して同位相で出力する。

さらに、上記合成手段は、上記第１の能動素子から出力
される各信号と上記第２の能動素子から出力される各信
号を合成する。このとき、上記第１と第２の能動素子か
ら出力される基本周波数を有する２つの信号は互いに同
振幅であってかつ逆位相であるので、互いに打ち消しあ
い、また、上記第１と第２の能動素子から出力される上
記逓倍周波数を有する２つの信号は互いに同位相である
ので、互いに強めあう。従って、上記合成手段は、上記
逓倍周波数を有する出力マイクロ波信号のみを上記出力
マイクロ波線路に出力する。

上記第１の能動素子は好ましくはソース接地の電界効果
トランジスタであり、上記第２の能動素子は好ましくは
ゲート接地の電界効果トランジスタである。

［実施例コ 以下、図面を参照して本発明に係る実施例について説明
する。

第１の実施例 第１図は本発明に係る第１の実施例のマイクロ波周波数
逓倍器の回路図であり、第１図において第５図と同一の
ものに同一の符号を付している。

この第１の実施例のマイクロ波周波数逓倍器は、第１の
能動素子であるソース接地のＦＥＴ１２ａと第２の能動
素子であるゲート接地のＦＥＴ１２ｂとを備え、ＦＥＴ
１２ａの入力端子であるゲートとＦＥＴ１２ｂの入力端
子であるソースとを共に外部入力マイクロ波線路１０に
接続し、ＦＥＴ１２ａの出力端子であるドレインとＦＥ
Ｔ１２ｂの出力端子であるドレインを共に外部出力マイ
クロ波線路１３に接続したことを特徴としている。

第１図において、特性インピーダンスＺ０を有する入力
マイクロ波線路１０が直流バイアス成分遮断用キャパシ
タ１７を介してＦＥＴＩ；’ａのゲートに接続されると
ともに、ゲート接地のＦＥＴ１２ｂのソースに接続され
る。ＦＥＴ１２ａ、１２ｂの各ドレインは共に出力端子
Ｔ３を介して、特性インピーダンスＺ０を有する出力マ
イクロ波線路１３に接続される。ここで、ＦＥＴ１２ａ
のソースは接地され、ＦＥＴｌ２ｂのゲートは、高周波
バイパス用キャパシタ１９を介して接地される。

ＦＥＴ１２ａのゲートは、直流バイアス用抵抗１８ａを
介して直流定電圧源９０ａに接続され、ＦＥＴ１２ｂの
ゲートは、直流バイアス用抵抗１８ｂを介して直流定電
圧源９０ｂに接続される。

上記直流定電圧源９０ａは、ＦＥＴ１２ａのゲート・ソ
ース間のバイアス電圧がＦＥＴ１２ａのピンチオフ電圧
となるように、バイアス電圧Ｖｇａをバイアス抵抗１８
ａに印加し、また、上記直流定電圧源９０ｂは、Ｆ、　
Ｅ　Ｔ　１２　ｂのゲート・ソース間のバイアス電圧が
ＦＥＴ１２ｂのピンチオフ電圧となるように、バイアス
電圧Ｖｇｂをバイアス抵抗１８ｂに印加する。

上記各ＦＥＴ１２ａ、１２ｂのゲート・ソース間のバイ
アス電圧を上述のように設定するとともに、各ＦＥＴ１
２ａ、１２ｂの基本波周波数成分及び逓倍波成分に対す
る各利得が実質的に同一となるように設定される。これ
によって、ＦＥＴｌ２ａは、入力されるマイクロ波信号
（以下、人力信号という。）に応答して基本波成分及び
逓倍波成分を同振幅であってかつ逆位相で出力し、ＦＥ
Ｔ１２ｂは、入力信号に応答して基本波成分及び逓倍波
成分を同振幅であってかつ同位相で出力する。

以上のように構成されたマイクロ波周波数逓倍器に、入
力マイクロ波線路１０を介して基本周波数を有する正弦
波である人力信号が入力された場合の動作について以下
に説明する。

ＦＥＴ１２ａにおいて、ゲート・ソース間の電圧がピン
チオフ電圧よりも高いとき、ドレイン電流はゲート・ソ
ース間の電圧に比例して流れ、−方、ゲート・ソース間
の電圧がピンチオフ電圧よりも低いとき、ドレイン電流
は流れない。すなわち、入力信号が正弦波の正の半周期
であるとき、ＦＥＴ１２ａのドレイン電流がゲート・ソ
ース電圧に比例して流れ、て方、負の半周期であるとき
、ドレイン電流が流れない。従って、入力信号がＦＥＴ
１２ａによって半波整流され、入力信号に比例しかつ半
波整流されたドレイン電流が流れ、これによって、ＦＥ
Ｔ１２ａのドレインにおいて、入力信号の基本波成分の
ほかに、逓倍波成分が生じる。

また、ＦＥＴ１２ｂにおけるドレイン電流は、ＦＥＴ１
２ａのそれと同様に流れる。すなわち、入力信号が正弦
波の正の半周期であるとき、ＦＥ”！’　１２　ｂのド
レイン電流がゲート・ソース電圧に比例して流れ、一方
、負の半周期であるとき、ドレイン電流が流れない。従
って、入力信号がＦＥＴ１２ｂによって半波整流され、
入力信号に比例しかつ半波整流されたドレイン電流が流
れ、これによって、ＦＥＴ１２ｂのドレインにおいて、
入力信号の基本波成分のほかに、逓倍波成分が生じる。

上記ＦＥＴ１２ａ、１２ｂの各ドレイン電流は、半波整
流形状で変化しかつ互いに逆位相である。

従って、出力端子Ｔ３における上記各ドレイン電流の和
は、全波整流形状となる。このとき、従来の周波数逓倍
器と同様に、ＦＥＴ１２ａ、１２ｂから出力される２つ
の基本波成分は同振幅であってかつ互いに逆位相となり
、互いに打ち消しあい、一方、２つの逓倍波成分は同振
幅であってかつ同位相となり、互いに強めあい、該逓倍
波成分が出力マイクロ波線路１３に出力される。

なお、ゲート接地のＦＥＴ１２ｂの入力インピーダンス
は一般に、ソース接地のＦＥＴ１２ａの入力インピーダ
ンスに比べて低いので、ＦＥＴｌ２ｂを、例えば５０Ω
などの比較的低い特性インピーダンスＺ０を有する入力
マイクロ波線路ｌＯに対して良好にインピーダンス整合
させることができる。

以上説明したように、第１の実施例のマイクロ波周波数
逓倍器は、第５図の従来の周波数逓倍器のように、信号
の波長に依存する長さをそれぞれ有するマイクｏ波線路
２１ａ、２１ｂ、２２ａ。

２２ｂ、３３乃至３７を備えていないので、信号の波長
に依存した大きさを必要とせず、従来に比較して小型化
することができる。特に例えば、上記周波数逓倍器をマ
イクロ波モノリシック回路（以下、ＭＭＩＣという。）
で構成することにより、上記マイクロ波周波数逓倍器を
従来に比較し大幅に小型化することができる。また、こ
の周波数逓倍器は、比較的低い特性インピーダンスＺゆ
を有する入力マイクロ波線路１０に対して良好にインピ
ーダンス整合することができるという利点がある。

以上の第１の実施例において、各ＦＥＴ１２ａ。

１２ｂの基本波成分及び逓倍波成分に対する各利得が実
質的に同一となるように設定されているが、これに限ら
ず、各ＦＥＴ１２ａ、！２ｂから出力される２つの基本
波成分を出力端子Ｔ、において実質的に完全に打ち消す
ために、少なくとも各ＦＥＴ１２ａ、１２ｂの基本波成
分に対する各利得が実質的に同一となるように設定して
もよい。

第２の実施例 第２図は本発明に係る第２の実施例のマイクロ波周波数
逓倍器の回路図であり、第２図において第１図と同一の
ものに同一の符号を付している。

この第２の実施例のマイクロ波周波数逓倍器が、第１の
実施例のマイクロ波周波数逓倍器と異なるのは、出力マ
イクロ波線路１３と出力端子Ｔ、との間に、インピーダ
ンス変換用マイクロ波線路１４を挿入したことである。

上記マイクロ波線路１４は、逓倍波成分に対するＦＥＴ
１２ａ、１２ｂの合成出力インピーダンスＺｏｕｔを、
出力マイクロ波線路１３の特性インピーダンスＺ０にイ
ンピーダンス変換を行う。

従って、インピーダンス変換用マイクロ波線路１４が挿
入された第２の実施例のマイクロ波周波数逓倍器は、逓
倍波成分において良好に出力マイクロ波線路１３とイン
ピーダンス整合することができる。

以上説明したように、第２の実施例のマイクロ波周波数
逓倍器は、第１の実施例と同様に、従来に比較して小型
化することができるとともに、出力マイクロ波線路と良
好にインピーダンスＵ＝することかできる。

箪ｌ旦去１！ 第３図は本発明に係る第３の実施例のマイクロ波周波数
逓倍器の回路図であり、第３図において第１図と同一の
ものに同一の符号を付している。

この第３の実施例のマイクロ波周波数逓倍器が、第１の
実施例のマイクロ波周波数逓倍器と異なるのは、入力マ
イクロ波線路１０とＦＥＴ１２ｂのソースとの間に特性
インピーダンスＺ０を有するリアクタンス素子１５を挿
入したことである。

第１の実施例のマイクロ波周波数逓倍器においては、キ
ャパシタ１７が挿入されているために、人力信号の周波
数が高くなるにつれて、ＦＥＴ１２ａのドレイン電流の
位相は、ＦＥＴ１２ｂのそれに比べて遅れるが、第３の
実施例のマイクロ波周波数逓倍器において挿入されたり
アクタンス素子１５は、ＦＥＴ１２ａ、１２ｂから出力
される２つの基本波成分が逆位相となり、かつ２つの逓
倍波成分が同位相となるように、上記位相遅れを補償す
ることができる。これによって、上記位相遅れによる出
力端子Ｔ、における基本波成分の抑圧量の低下、及び逓
倍波成分の利得の低下を防止することができる。すなわ
ち、入力信号の周波数がこの周波数逓倍器が有する所定
の周波数よりも高（なった場合であっても、良好な逓倍
波成分の利得を得ることができる。

以上説明したように、第３の実施例のマイクロ波周波数
逓倍器は、第１と第２の実施例と同様に、従来に比較し
て小型化することができるとともに、広帯域にわたって
良好な出力周波数特性を得ることができるという利点が
ある。

！土旦実四胴 第４図（Ａ）は本発明に係る第４の実施例であるＭＭＩ
　Ｃで構成されたマイクロ波周波数逓倍器の平面図、第
４図（Ｂ）は第４図（Ａ）のＡ−Ａ′線についての縦断
面図、第４図（Ｃ）は第４図（Ａ）のＢ−Ｂ’線につい
ての縦断面図である。

第４図（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）において、第１図と同
一のものに同一の符号を付している。

この第４の実施例のマイクロ波周波数逓倍器は、第１の
実施例の周波数逓倍器におけるＦＥＴ１２ａ、１２ｂを
それぞれ金属−半導体ＦＥＴ（以下、ＭＥＳＦＥＴとい
う。）６１．６２で構成し、人出力マイクロ波線路１０
．１３をそれぞれコプレナー線路３０１，３０２で構成
するとともに、ＭＥＳＦＥＴ１２ａ、１２ｂの各ゲート
にバイアス電圧を印加するための１個のバイアス電圧印
加用端子６０を備えたことを特徴としている。

第４図（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、半導体
基板５０の図上の略中央位置であって、ＭＥＳＦＥＴ６
１，６２が形成される位置の上表面からそれぞれ不純物
イオンを注入して、ＭＥＳＦＥＴ６１，６２のための動
作層８１．８２を形成する。ＭＥＳＦＥＴ６１のゲート
６１ｇが上記動作層８１の略中央位置に形成され、その
ソース６ｌｓ及びドレイン６１ｄが上記ゲート６１ｇを
間に挟んでかつそれぞれゲート６１ｇと所定の間隔だけ
離れて形成され、ここで、ゲート６１ｇ、ソース６１ｇ
、ドレイン６１ｄはそれぞれ接続導体５３ｄ１接地導体
５１、コプレナー線路３０２の帯状の中心導体６４と一
体的に形成される。これによって、ゲート６１ｇ、　　
ソース６１ｓ及びドレイン６１ｄを有するソース接地の
ＭＥＳＦＥＴ６１が形成される。

半導体基板５０上であって、ＭＥＳＦＥＴ６１の第４図
（Ａ）の図上上側の動作層８２上に、ＭＥＳＦＥＴ６１
と同様に、ゲート６２ｇ、ソース６２ｓ及びドレイン６
２ｄを有するゲート接地のＭＥＳＦＥＴ６２が形成され
る。ここで、ＭＥＳＦＥＴ６２のゲー）６２ｇ、ソース
６２Ｓ１　ドレイン６２ｄはそれぞれ、接続導体５４ａ
５コプレナー線路３０１の帯状の中心導体６３、コプレ
ナー線路３０２の中心導体６４と一体的に形成される。

また、半導体基板５０の第４図（Ａ）の図上右上側の縁
端部に、矩形形状の導体からなるバイアス電圧印加用端
子６０が形成され、該端子６０は、第１の実施例の定電
圧電源９０ａ、９０ｂに対応する定電圧ｉｌ源９０に接
続される。

さらに、半導体基板５０上であって第４図（Ａ）の図上
下側に、接地導体５１が、コプレナー線路３０１の中心
導体６３、及びコプレナー線路３０２の中心導体６４と
それぞれ所定の間隔だけ離れて形成される。半導体基板
５０上であって第４図（Ａ）の図上上側に、接地導体５
２が、コプレナー線路３０１の中心導体６３、及びコプ
レナー線路３０２の中心導体６４とそれぞれ所定の間隔
だけ離れ、かつバイアス電圧印加用端子６０と所定の間
隔だけ離れて形成される。中心導体６３と接地導体５１
．５２によって、半導体基板５０の第４図（Ａ）の図上
左側にコプレナー線路３０１が形成され、一方、中心導
体６４と接地導体５１＋５２によって、上記半導体基板
５０の第４図（Ａ）の図上右側に、コプレナー線路３０
２が形成される。

接地導体５２の略中央部上に、絶縁体層１０２を介して
導体５３が形成され、接地導体５２、絶縁体層１０２及
び導体５３によって、第１の実施例のキャパシタ１９に
対応する高周波バイパス用金属−絶縁体−金属キャパシ
タ（以下、ＭＩＭキャパシタという。’）１０３が形成
される。ここで、上記導体５３は、接続導体５４ｂを介
してバイパス電圧印加用端子６０に接続されるとともに
、接続導体５４ａを介してＭＥＳＦＥＴ６２のゲート６
２ｇに接続される。

また、同様に、コプレナー線路３０１の帯状の中心導体
６３の長手方向の略中央部上に、絶縁体層１０１を介し
て導体５３ｃが形成され、中心導体６３、絶縁体層１０
１及び導体５３Ｃによって、第１の実施例のキャパシタ
１７に対応する直流バイアス成分遮断用ＭＩＭキャパシ
タ１０４が形成される。ここで、上記導体５３Ｃは、接
続導体５３ｄを介してＭＥＳＦＥＴ６１のゲート６１ｇ
に接続される。

さらに、中心導体６３と接地導体５２との間であって、
上記ＭＩＭキャパシタ１０４の第４図（Ａ）の図上上側
の半導体基板５０内に予め不純物イオンが注入され、こ
れによって、第１の実施例におけるバイアス抵抗１８ａ
、１８ｂの並列抵抗に対応するバイアス抵抗１８が形成
される。このバイアス抵抗１８の一端は、接続導体５３
ｂを介して導体５３Ｃに接続され、一方、バイアス抵抗
１８の他端は接続導体５３ａを介して導体５３に接続さ
れる。

以上のように構成された第４の実施例であるマイクロ波
周波数逓倍器のマイクロ波帯における高周波等価回路は
、第１の実施例における定電圧電源９０ａ、９０ｂを１
個の定電圧電源９０で置き換え、かつバイアス抵抗１８
ａ、１８ｂを１個のバイアス抵抗１８で置き換えたこと
を除いて、第１図に図示された回路のようになり、上述
の第１の実施例の周波数逓倍器と同様の作用と効果を有
する。

以上の第４の実施例において、ＭＥＳＦＥＴ６１．６２
を用いているが、これに限らず、他の種類のＦＥＴを用
いてもよい。また、入出力マイクロ波線路として、コプ
レナー線路３０１，３０２を用いているが、これに限ら
ず、マイクロストリップ線路、スロット線路等の他の種
類のマイクロ波線路を用いてもよい。

他９去籏世 以上の各実施例において、インピーダンス変換機能及び
周波数逓倍機能を有する能動素子としてＦＥＴを用いて
いるが、これに限らず、バイポーラトランジスタ、真空
管等の能動素子を用いてもよい。

［発明の効果］ 以上詳述したように本発明によれば、入力マイクロ波信
号に応答して、基本周波数を有する信号を所定の利得で
増幅しかつ入力マイクロ波信号に対して逆位相で出力す
るとともに、基本周波数の２倍の逓倍周波数を有する信
号を増幅し入力マイクロ波信号に対して同位相で出力す
る第１の能動素子と、入力マイクロ波信号に応答して、
基本周波数を有する信号を上記利得と実質的に同一の利
得で増幅しかつ入力マイクロ波信号に対して同位相で出
力するとともに、上記逓倍周波数を有する信号を増幅し
上記入力マイクロ波信号に対して同位相で出力する第２
の能動素子とを備え、上記第１と第２の能動素子から出
力される各信号を合成することにより、入力マイクロ波
信号に応答して、逓倍周波数を有する出力マイクロ波信
号のみを出力マイクロ波線路に出力するマイクロ波周波
数逓倍器を構成することができる。ここで、本発明に係
るマイクロ波周波数逓倍器は、従来例のように周波数に
依存する長さを有するマイクロ波線路などのマイクロ波
素子を備える必要がないので、従来に比較し小型化する
ことができるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る第１の実施例のマイクロ波周波数
逓倍器の回路図、 第２図は本発明に係る第２の実施例のマイクロ波周波数
逓倍器の回路図、 第３図は本発明に係る第３の実施例のマイクロ波周波数
逓倍器の回路図、 第４図（Ａ）は本発明に係る第４の実施例であるＭＭ［
Ｃで構成されるマイクロ波周波数逓倍器の平面図、 第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）のＡ−Ａ’線についての縦
断面図、 第４図（Ｃ）は第４図（Ａ）のＢ−Ｂ’線についての縦
断面図、 第５図は従来のマイクロ波周波数逓倍器の回路図である
。 １２ａ、１２ｂ＝・ＦＥＴ Ｔ、・・・出力端子。 第１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）入力マイクロ波線路に入力される入力マイクロ波
   信号の基本周波数を２逓倍し、上記基本周波数の２倍の
   逓倍周波数を有する出力マイクロ波信号を出力マイクロ
   波線路に出力するマイクロ波周波数逓倍器において、 上記入力マイクロ波信号に応答して、基本周波数を有す
   る信号を所定の利得で増幅しかつ上記入力マイクロ波信
   号に対して逆位相で出力するとともに、上記逓倍周波数
   を有する信号を増幅し上記入力マイクロ波信号に対して
   同位相で出力する第１の能動素子と、 上記入力マイクロ波信号に応答して、基本周波数を有す
   る信号を上記利得と実質的に同一の利得で増幅しかつ上
   記入力マイクロ波信号に対して同位相で出力するととも
   に、上記逓倍周波数を有する信号を増幅し上記入力マイ
   クロ波信号に対して同位相で出力する第２の能動素子と
   、 上記第１の能動素子から出力される各信号と上記第２の
   能動素子から出力される各信号を合成して上記逓倍周波
   数を有する出力マイクロ波信号を上記出力マイクロ波線
   路に出力する合成手段とを備えたことを特徴とするマイ
   クロ波周波数逓倍器。
2. （２）上記第１の能動素子はソース接地の電界効果トラ
   ンジスタであり、上記第２の能動素子はゲート接地の電
   界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１記
   載のマイクロ波周波数逓倍器。