JPH03157927A - 半導体ウエハ乾燥方法 - Google Patents
半導体ウエハ乾燥方法Info
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- JPH03157927A JPH03157927A JP29793189A JP29793189A JPH03157927A JP H03157927 A JPH03157927 A JP H03157927A JP 29793189 A JP29793189 A JP 29793189A JP 29793189 A JP29793189 A JP 29793189A JP H03157927 A JPH03157927 A JP H03157927A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、洗浄処理が完了した半導体ウェハを乾燥する
半導体ウェハの乾燥方法に関するものである。
半導体ウェハの乾燥方法に関するものである。
一般に、半導体製造工程では、半導体ウェハの表面に付
着する微粒子あるいは残留する薬液等を除去する洗浄工
程と、洗浄後に半導体ウェハに付着する水滴を取り除く
乾燥工程等とが必要とされ従来、この種の工程において
使用される洗浄装置および乾燥装置は、各々第３図と第
４図に示すようなものが採用されている。これを同図に
基ついて説明すると、洗浄装置（第３図）は、洗浄液１
がその内部に貯溜する洗浄槽２と、この洗浄槽２内の底
部に設けられウェハカセット３内の半導体ウェハ４に振
動力を付与する超音波発振装置５とを備えたものである
。
着する微粒子あるいは残留する薬液等を除去する洗浄工
程と、洗浄後に半導体ウェハに付着する水滴を取り除く
乾燥工程等とが必要とされ従来、この種の工程において
使用される洗浄装置および乾燥装置は、各々第３図と第
４図に示すようなものが採用されている。これを同図に
基ついて説明すると、洗浄装置（第３図）は、洗浄液１
がその内部に貯溜する洗浄槽２と、この洗浄槽２内の底
部に設けられウェハカセット３内の半導体ウェハ４に振
動力を付与する超音波発振装置５とを備えたものである
。
このように構成された洗浄装置においては、洗浄液１中
に浸漬する半導体ウェハ４に超音波発振装置５によって
振動を付与し、半導体ウェハ４に付着する微粒子あるい
は残留する薬液等を除去することができる。この場合、
洗浄液は、薬液、純水を交互に使用し、例えば薬液→純
水−薬液−純水の構成ユニットを経て行われるが、通常
６ユニソト程度が広く採用される。
に浸漬する半導体ウェハ４に超音波発振装置５によって
振動を付与し、半導体ウェハ４に付着する微粒子あるい
は残留する薬液等を除去することができる。この場合、
洗浄液は、薬液、純水を交互に使用し、例えば薬液→純
水−薬液−純水の構成ユニットを経て行われるが、通常
６ユニソト程度が広く採用される。
一方、乾燥装置（第４図）は、半導体ウェハ６を保持し
モーフ（図示せず）によって高速回転する真空チャック
７を備えたものである。なお、図中矢印Ａは真空チャッ
ク７の回転方向を示す。
モーフ（図示せず）によって高速回転する真空チャック
７を備えたものである。なお、図中矢印Ａは真空チャッ
ク７の回転方向を示す。
このように構成された乾燥装置においては、洗浄後の半
導体ウェハ６を保持する真空チャック７を高速回転させ
ることにより半導体ウェハ６を乾燥することができる。
導体ウェハ６を保持する真空チャック７を高速回転させ
ることにより半導体ウェハ６を乾燥することができる。
ところで、従来の半導体ウェハの乾燥方法においては、
真空チャック７が高速回転することにより発生する遠心
力によって半導体ウェハ６上の水滴を飛散させるもので
あるため、第５図に示すように半導体ウェハ６の表面上
に貯溜する水滴８ａを除去することができるが、第６図
（あるいは第５図）に示すように半導体ウェハ６に形成
されたトレンチ溝６ａ内の水滴８ｂを除去することがで
きず、トレンチ溝６ａ壁面のシリコン原子（Ｓｉ）が水
滴８ｂと反応してこの中に不純物としてのコロイダルシ
リカ（ＳｉＯｘ）が溶は込んでいた。
真空チャック７が高速回転することにより発生する遠心
力によって半導体ウェハ６上の水滴を飛散させるもので
あるため、第５図に示すように半導体ウェハ６の表面上
に貯溜する水滴８ａを除去することができるが、第６図
（あるいは第５図）に示すように半導体ウェハ６に形成
されたトレンチ溝６ａ内の水滴８ｂを除去することがで
きず、トレンチ溝６ａ壁面のシリコン原子（Ｓｉ）が水
滴８ｂと反応してこの中に不純物としてのコロイダルシ
リカ（ＳｉＯｘ）が溶は込んでいた。
この結果、コロイダルシリカが水滴８ｂの自然蒸発後に
トレンチ溝６ａの壁面に汚染物として残ってしまい、例
えば高アスペクト比構造をもつメモリ等の半導体製品の
歩留まりが低下するという問題があった。
トレンチ溝６ａの壁面に汚染物として残ってしまい、例
えば高アスペクト比構造をもつメモリ等の半導体製品の
歩留まりが低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ウェ
ハ乾燥時における半導体ウェハの汚染発生を防止するこ
とができ、もって半導体製品の歩留まりを高めることが
できる半導体ウェハの乾燥方法を提供するものである。
ハ乾燥時における半導体ウェハの汚染発生を防止するこ
とができ、もって半導体製品の歩留まりを高めることが
できる半導体ウェハの乾燥方法を提供するものである。
本発明に係る半導体ウェハの乾燥方法は、洗浄処理が完
了した半導体ウェハのパターン形成面に溶存酸素濃度が
０．６ＰＰＭ以下の純水を不活性ガス雰囲気中で噴霧す
る工程と、この純水が噴霧された半導体ウェハを不活性
ガス雰囲気中で加熱してパターン形成面の水分を蒸発さ
せる工程とを備えたものである。
了した半導体ウェハのパターン形成面に溶存酸素濃度が
０．６ＰＰＭ以下の純水を不活性ガス雰囲気中で噴霧す
る工程と、この純水が噴霧された半導体ウェハを不活性
ガス雰囲気中で加熱してパターン形成面の水分を蒸発さ
せる工程とを備えたものである。
本発明においては、洗浄工程で半導体ウェハに付着した
水分を純水と置換し、この純水を加熱蒸発させることに
より、洗浄液が除去された半導体ウェハを得ることがで
きる。
水分を純水と置換し、この純水を加熱蒸発させることに
より、洗浄液が除去された半導体ウェハを得ることがで
きる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に使用される半導体ウェハ乾燥装置を示
す断面図、第２図はその半導体ウェハ乾燥装置の保持体
を示す斜視図である。同図において、符号２１で示すも
のはウェハ乾燥用の密閉容器で、−１一方に開口する筺
体２２と、この筐体２２の開口部にシール材２３を介し
て設けられ透明性を有する例えば石英５強化ガラス等の
蓋体２４とからなり、このうち筐体２２には下方に開口
する排水口２５および側方に開口する吸・排気口２６が
設けられている。また、筐体２２の周壁には、ゲートバ
ルブ２７によって開閉されるウェハ挿抜用の貫通窓２８
が設けられている。なお、前記蓋体２４は、締付ねじ２
９によって前記筺体企２に対し固定されており、全体が
Ｉ Ｔｏｏｒ前後の圧力に十分に耐え得る曲面構造に形
成されている。３０は側方に開口する平面視熱■字状の
保持体で、前記筺体２２内の底面に取付台３１を介して
設けられており、内側部には半導体ウェハ３２を保持す
る凹溝３３が形成されている。３４は表面をＡｕ等の金
属を蒸着してなる弓形状の反射板で、前記蓋体２４の上
方に設けられており、後述する赤外線ランプからの赤外
線を前記密閉容器２１内の半導体ウェハ３２に対して効
率よく照射するように構成されている。３５は加熱装置
としての赤外線ランプで、前記蓋体２４と前記反射板３
４との間に複数個介装されている。３６は前記筺体２２
内に臨む噴霧ノズルで、純水供給用のパイプ３７の先端
部に設けられており、前記・半導体ウェハ３２の下方全
面（パターンが形成された主面）に対して溶存酸素濃度
０．６ＰＰＭ以下の超純水を噴霧するように構成されて
いる。なお、この噴霧ノズル３６による噴霧領域は矢印
Ｂで示す領域とする。また、３８は排水用のパイプ、３
９は真空用のパイプ、４０は不活性ガス供給用のパイプ
、４１〜４４は各パイプ開閉用のバルブ、４５は前記パ
イプ３７を前記筐体２２に取り付けるねじである。
す断面図、第２図はその半導体ウェハ乾燥装置の保持体
を示す斜視図である。同図において、符号２１で示すも
のはウェハ乾燥用の密閉容器で、−１一方に開口する筺
体２２と、この筐体２２の開口部にシール材２３を介し
て設けられ透明性を有する例えば石英５強化ガラス等の
蓋体２４とからなり、このうち筐体２２には下方に開口
する排水口２５および側方に開口する吸・排気口２６が
設けられている。また、筐体２２の周壁には、ゲートバ
ルブ２７によって開閉されるウェハ挿抜用の貫通窓２８
が設けられている。なお、前記蓋体２４は、締付ねじ２
９によって前記筺体企２に対し固定されており、全体が
Ｉ Ｔｏｏｒ前後の圧力に十分に耐え得る曲面構造に形
成されている。３０は側方に開口する平面視熱■字状の
保持体で、前記筺体２２内の底面に取付台３１を介して
設けられており、内側部には半導体ウェハ３２を保持す
る凹溝３３が形成されている。３４は表面をＡｕ等の金
属を蒸着してなる弓形状の反射板で、前記蓋体２４の上
方に設けられており、後述する赤外線ランプからの赤外
線を前記密閉容器２１内の半導体ウェハ３２に対して効
率よく照射するように構成されている。３５は加熱装置
としての赤外線ランプで、前記蓋体２４と前記反射板３
４との間に複数個介装されている。３６は前記筺体２２
内に臨む噴霧ノズルで、純水供給用のパイプ３７の先端
部に設けられており、前記・半導体ウェハ３２の下方全
面（パターンが形成された主面）に対して溶存酸素濃度
０．６ＰＰＭ以下の超純水を噴霧するように構成されて
いる。なお、この噴霧ノズル３６による噴霧領域は矢印
Ｂで示す領域とする。また、３８は排水用のパイプ、３
９は真空用のパイプ、４０は不活性ガス供給用のパイプ
、４１〜４４は各パイプ開閉用のバルブ、４５は前記パ
イプ３７を前記筐体２２に取り付けるねじである。
このように構成された半導体ウェハ乾燥装置においては
、第３図に示す洗浄装置を用いる洗浄工程で半導体ウェ
ハ３２に付着した水分を噴霧ノズル３６から噴霧される
超純水と置換し、この純水を赤外線ランプ３５によって
加熱蒸発させることができるから、ウェハ乾燥時の半導
体ウェハ３２の汚染発生を防止することができる。
、第３図に示す洗浄装置を用いる洗浄工程で半導体ウェ
ハ３２に付着した水分を噴霧ノズル３６から噴霧される
超純水と置換し、この純水を赤外線ランプ３５によって
加熱蒸発させることができるから、ウェハ乾燥時の半導
体ウェハ３２の汚染発生を防止することができる。
次に、本発明の一実施例（前述した半導体ウェハ乾燥装
置を用いる）である半導体ウェハの乾燥方法について説
明する。
置を用いる）である半導体ウェハの乾燥方法について説
明する。
先ず、密閉容器２１内の保持体３０によって洗浄後の半
導体ウェハ３２を保持する。このとき、各バルブ４１〜
４４は閉塞されている。次いで、不活性ガス供給用のバ
ルブ４４を開放して例えばＮ２ガスあるいはＡｒガス等
を密閉容器２１内に供給することにより、不純物として
のコロイダルシリカ（ＳｉｎＸ）が発生しない状態の雰
囲気であって、大気圧より僅かに高い圧力の不活性ガス
雰囲気に密閉容器２１内を形成する。このとき、半導体
ウェハ３２の主面（以下、パターン形成面と称する）は
下方の噴霧ノズル３６側に露呈されている。しかる後、
純水供給用のバルブ４１を開放することにより、噴霧ノ
ズル３６から溶存酸素濃度０．６ＰＰＭ以下の超純水を
半導体ウェハ３２のパターン形成面に噴霧して洗浄工程
で半導体ウェハ３２に付着した水分と置換する。そして
、純水供給用のバルブ４１を閉塞すると共に、排水用の
バルブ４２を開放することにより、密閉容器２１内の超
純水を外部に排出してから、排水用のバルブ４２および
不活性ガス供給用のバルブ４４を閉塞すると共に、真空
用のバルブ４３を開放することにより、密閉容器２１内
を２００ Ｔｏｏｒ以下（通常は１〜２００ Ｔｏｏｒ
）に減圧し、赤外線ランプ３５から半導体ウェハ３２の
裏面に赤外線を照射して半導体ウェハ３２を加熱してパ
ターン形成面の水分を蒸発させる。
導体ウェハ３２を保持する。このとき、各バルブ４１〜
４４は閉塞されている。次いで、不活性ガス供給用のバ
ルブ４４を開放して例えばＮ２ガスあるいはＡｒガス等
を密閉容器２１内に供給することにより、不純物として
のコロイダルシリカ（ＳｉｎＸ）が発生しない状態の雰
囲気であって、大気圧より僅かに高い圧力の不活性ガス
雰囲気に密閉容器２１内を形成する。このとき、半導体
ウェハ３２の主面（以下、パターン形成面と称する）は
下方の噴霧ノズル３６側に露呈されている。しかる後、
純水供給用のバルブ４１を開放することにより、噴霧ノ
ズル３６から溶存酸素濃度０．６ＰＰＭ以下の超純水を
半導体ウェハ３２のパターン形成面に噴霧して洗浄工程
で半導体ウェハ３２に付着した水分と置換する。そして
、純水供給用のバルブ４１を閉塞すると共に、排水用の
バルブ４２を開放することにより、密閉容器２１内の超
純水を外部に排出してから、排水用のバルブ４２および
不活性ガス供給用のバルブ４４を閉塞すると共に、真空
用のバルブ４３を開放することにより、密閉容器２１内
を２００ Ｔｏｏｒ以下（通常は１〜２００ Ｔｏｏｒ
）に減圧し、赤外線ランプ３５から半導体ウェハ３２の
裏面に赤外線を照射して半導体ウェハ３２を加熱してパ
ターン形成面の水分を蒸発させる。
このようにして、洗浄後における半導体ウェハ３２ （
トレンチ溝を含む）を短時間で乾燥させることができる
。
トレンチ溝を含む）を短時間で乾燥させることができる
。
以上説明したように本発明によれば、洗浄処理が完了し
た半導体ウェハのパターン形成面に溶存酸素濃度が０．
６ＰＰＭ以下の純水を不活性ガス雰囲気中で噴霧し、こ
の純水が噴霧された半導体ウェハを不活性ガス雰囲気中
で加熱してパターン形成面の水分を蒸発させるので、洗
浄液が除去された半導体ウェハを確実に得ることができ
る。したがって、ウェハ乾燥時に半導体ウェハのパター
ン形成面における洗浄液による汚染を防止することがで
きるから、例えば高アスペクト比構造をもつメモリ等の
半導体製品の歩留まりを高めることができるといった効
果を有する。
た半導体ウェハのパターン形成面に溶存酸素濃度が０．
６ＰＰＭ以下の純水を不活性ガス雰囲気中で噴霧し、こ
の純水が噴霧された半導体ウェハを不活性ガス雰囲気中
で加熱してパターン形成面の水分を蒸発させるので、洗
浄液が除去された半導体ウェハを確実に得ることができ
る。したがって、ウェハ乾燥時に半導体ウェハのパター
ン形成面における洗浄液による汚染を防止することがで
きるから、例えば高アスペクト比構造をもつメモリ等の
半導体製品の歩留まりを高めることができるといった効
果を有する。
第１図は本発明に使用される半導体ウェハ乾燥装置を示
す断面図、第２図はその半導体ウェハ乾燥装置の保持体
を示す斜視図、第３図および第４図は従来における半導
体ウェハ洗浄装置と半導体ウェハ乾燥装置を示す新面図
、第５図および第６図は従来の半導体ウェハ乾燥装置に
よる乾燥不良例を示す断面図である。 ２１・・・・密閉容器、２２・・・・筐体、２４・・・
・蓋体、２５・・・・排水口、２６・・・・吸・排気口
、３０・・・保持体、３５・・・・赤外線ランプ、３６
・・・・噴霧ノズル。 代 理 人 大岩増雄 ０ 第１２ ↓ ２４： ２５： ２６： １−已イ拳 排水口 咲・排気口 第３図 （自発） ２０発明の名称 ４・ 半導体ウェハ乾燥方法 ３、補正をする者 （６０１）三菱電機株式会社 代表者 志 岐 守 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書４頁１７行〜１９行の「半導体ウェハに付
着した水分・・・加熱蒸発させることにより」を「半導
体ウェハに付着した水分を溶存酸素濃度０、６ＰＰＭ以
下の純水に置換し、この純水をコロイダルシリカが発生
しない状態にして加熱蒸発させることにより」と補正す
る。 （２） 同書５頁１７行、８頁１１行および８頁１２
行のｒＴｏｏｒＪをＪＴｏｒｒＪと補正する。 以 上 −
す断面図、第２図はその半導体ウェハ乾燥装置の保持体
を示す斜視図、第３図および第４図は従来における半導
体ウェハ洗浄装置と半導体ウェハ乾燥装置を示す新面図
、第５図および第６図は従来の半導体ウェハ乾燥装置に
よる乾燥不良例を示す断面図である。 ２１・・・・密閉容器、２２・・・・筐体、２４・・・
・蓋体、２５・・・・排水口、２６・・・・吸・排気口
、３０・・・保持体、３５・・・・赤外線ランプ、３６
・・・・噴霧ノズル。 代 理 人 大岩増雄 ０ 第１２ ↓ ２４： ２５： ２６： １−已イ拳 排水口 咲・排気口 第３図 （自発） ２０発明の名称 ４・ 半導体ウェハ乾燥方法 ３、補正をする者 （６０１）三菱電機株式会社 代表者 志 岐 守 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書４頁１７行〜１９行の「半導体ウェハに付
着した水分・・・加熱蒸発させることにより」を「半導
体ウェハに付着した水分を溶存酸素濃度０、６ＰＰＭ以
下の純水に置換し、この純水をコロイダルシリカが発生
しない状態にして加熱蒸発させることにより」と補正す
る。 （２） 同書５頁１７行、８頁１１行および８頁１２
行のｒＴｏｏｒＪをＪＴｏｒｒＪと補正する。 以 上 −
Claims (1)
- 洗浄処理が完了した半導体ウェハのパターン形成面に溶
存酸素濃度が０．６ＰＰＭ以下の純水を不活性ガス雰囲
気中で噴霧する工程と、この純水が噴霧された半導体ウ
ェハを不活性ガス雰囲気中で加熱してパターン形成面の
水分を蒸発させる工程とを備えたことを特徴とする半導
体ウェハの乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29793189A JPH03157927A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 半導体ウエハ乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29793189A JPH03157927A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 半導体ウエハ乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03157927A true JPH03157927A (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=17852945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29793189A Pending JPH03157927A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 半導体ウエハ乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03157927A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795494A (en) * | 1994-12-19 | 1998-08-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor substrate cleaning method and semiconductor device fabrication method |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP29793189A patent/JPH03157927A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795494A (en) * | 1994-12-19 | 1998-08-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor substrate cleaning method and semiconductor device fabrication method |
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