JPH03149523A - チップオングラス基板 - Google Patents
チップオングラス基板Info
- Publication number
- JPH03149523A JPH03149523A JP28922789A JP28922789A JPH03149523A JP H03149523 A JPH03149523 A JP H03149523A JP 28922789 A JP28922789 A JP 28922789A JP 28922789 A JP28922789 A JP 28922789A JP H03149523 A JPH03149523 A JP H03149523A
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- Japan
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- pad
- pads
- chip
- glass substrate
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はボンディングパッドおよび取り出し電極の信頼
性を向上させたチップオングラス基板に関する。− （１１）従来の技術 ＬＳＩチップ、フリップチップトランジスタあるいはチ
ップ抵抗等のチップ部品を直接実装するチップオングラ
ス基板（以下、ＣＯＧ基板と称する）は、第３図に示す
ように、ガラス基板あるいはエポキシ基板（１１）に矩
形のボンディングパ・ラド（１２）、このパッド（１２
）から延在される取り出し電極（１３）および配線パタ
ーン（１４）等を形成したものであって、このＣＯＧ基
板とチップ部品との電気的および機械的接合はチップ部
品に形成される半田バンプをパッド（１２）に相対する
よう位置合わせした後に半田バンプを加熱溶融させて行
われる。
性を向上させたチップオングラス基板に関する。− （１１）従来の技術 ＬＳＩチップ、フリップチップトランジスタあるいはチ
ップ抵抗等のチップ部品を直接実装するチップオングラ
ス基板（以下、ＣＯＧ基板と称する）は、第３図に示す
ように、ガラス基板あるいはエポキシ基板（１１）に矩
形のボンディングパ・ラド（１２）、このパッド（１２
）から延在される取り出し電極（１３）および配線パタ
ーン（１４）等を形成したものであって、このＣＯＧ基
板とチップ部品との電気的および機械的接合はチップ部
品に形成される半田バンプをパッド（１２）に相対する
よう位置合わせした後に半田バンプを加熱溶融させて行
われる。
なお、図においてａはパッド（１２）の配列中心を示す
。
。
さて、上記のようにしてしＳＩチップが実装されたＣＯ
Ｇ基板にしＳＩチップの発熱等による熱サイクルが加え
られると、基板（１１）、パッド（１２）および取り出
し電極（１３）等を形成する配線材ならびにしＳＩチッ
プはその熱膨張係数に応じて伸縮し、さらに伸縮量の差
に基づいてこれらの間に応力が発生する。この種の応力
は従来の実装方式の基板にもいくらか発生するが、チッ
プ部品に形成される半田バンプを基板のパッドに直接接
合するＣＯＧ基板では、応力吸収機構がないため顕著で
ある。特に、ＬＳＩチップが長形である場合には、その
パッド配列中心ａから隔たった位置に形成されるパッド
（１２″）にはＬＳＩチップと基板（ｌｌ）との伸縮量
の差に基づいて、Ｘ方向に比較的大きな応力が作用し、
ｙ方向に比較的小さい応力が作用する。この他、パッド
（１２）にはパッド（１２）と基板（１１）との伸縮量
の差に基づく応力も作用する。
Ｇ基板にしＳＩチップの発熱等による熱サイクルが加え
られると、基板（１１）、パッド（１２）および取り出
し電極（１３）等を形成する配線材ならびにしＳＩチッ
プはその熱膨張係数に応じて伸縮し、さらに伸縮量の差
に基づいてこれらの間に応力が発生する。この種の応力
は従来の実装方式の基板にもいくらか発生するが、チッ
プ部品に形成される半田バンプを基板のパッドに直接接
合するＣＯＧ基板では、応力吸収機構がないため顕著で
ある。特に、ＬＳＩチップが長形である場合には、その
パッド配列中心ａから隔たった位置に形成されるパッド
（１２″）にはＬＳＩチップと基板（ｌｌ）との伸縮量
の差に基づいて、Ｘ方向に比較的大きな応力が作用し、
ｙ方向に比較的小さい応力が作用する。この他、パッド
（１２）にはパッド（１２）と基板（１１）との伸縮量
の差に基づく応力も作用する。
（・・）発明が解決しようとする課題
従って、熱サイクルが繰り返されて、パッド（１２）の
表裏およびｘ、ｙ方向に複雑な応力が作用されると、当
初、第４図にハツチングで示すパッド（１２）の鋭角部
（１５）においてクラック、クリープあるいは剥離等の
ミクロ破壊を生じ、その破壊がパッド内方に進行するこ
ととなる。そして、このようなパッドの破壊は配線抵抗
の増加あるいは断線さらには線間短絡を招来する。
表裏およびｘ、ｙ方向に複雑な応力が作用されると、当
初、第４図にハツチングで示すパッド（１２）の鋭角部
（１５）においてクラック、クリープあるいは剥離等の
ミクロ破壊を生じ、その破壊がパッド内方に進行するこ
ととなる。そして、このようなパッドの破壊は配線抵抗
の増加あるいは断線さらには線間短絡を招来する。
なお、上記した問題の解決のため、パッド形状を円形と
することも試みられているが、パッドは当然にチップ部
品のバンプ間隔に等しく配列されるため、この円形パッ
ドを備えるＣＯＧ基板はバ・ｌド面積が低下することと
なり、チップ部品と基板のパッドとの位置合わせが困難
になると共に基板とパッド間の接合強度が低下する欠点
を有している。
することも試みられているが、パッドは当然にチップ部
品のバンプ間隔に等しく配列されるため、この円形パッ
ドを備えるＣＯＧ基板はバ・ｌド面積が低下することと
なり、チップ部品と基板のパッドとの位置合わせが困難
になると共に基板とパッド間の接合強度が低下する欠点
を有している。
（ニ）課題を解決するための手段
上記した課題は、ガラス基板あるいはエポキシ基板に
、チップ部品の半田バンプが直接接合されるボンディン
グパッドと、このパッドに連続する取り出し電極および
配線パターン等を形成してなるチップオングラス基板に
おいて、前記ボンディングパッドが長円形に、かつパッ
ドの配列中心に求心配列されるよう形成される本発明の
チップオングラス基板により解決される。
、チップ部品の半田バンプが直接接合されるボンディン
グパッドと、このパッドに連続する取り出し電極および
配線パターン等を形成してなるチップオングラス基板に
おいて、前記ボンディングパッドが長円形に、かつパッ
ドの配列中心に求心配列されるよう形成される本発明の
チップオングラス基板により解決される。
（ふ）作用
上記構成により、パッドから初期破壊が生じ易い鋭角部
が除去されると共に比較的大きい応力が作用する方向の
パッドの接合距離を長くすることができ、マクロな応力
に対する強度が向上する。
が除去されると共に比較的大きい応力が作用する方向の
パッドの接合距離を長くすることができ、マクロな応力
に対する強度が向上する。
（へ）実施例
−以下、第１図および第２図を参照して本発明の実施例
を説明する。
を説明する。
Ｉｔ図に示すように、本発明のＣＯＧ基板は鏡面仕上げ
されたガラス基板あるいはエポキシ基板ＣＩ）表面に予
め形成した導電層（図示しない）をホトエッチングする
等して、長円形あるいは卵形のボンデインクパッド（２
）、このパッド（２）から放射状に延在される取り出し
電極（３）および配線パターン（４）等を同時形成した
ものであって、従来のＣＯＧ基板と同様に、チップ部品
に形成される半田バンプをパッド（２）に相対するよう
位置合わせした後に半田バンプを加熱溶融させて電気的
ならびに機械的接合が行われる。なお、−図においてａ
はパッド配列の中心であって、前記取り出し電極（３）
はこのａ点に求心的に配列、形成される。
されたガラス基板あるいはエポキシ基板ＣＩ）表面に予
め形成した導電層（図示しない）をホトエッチングする
等して、長円形あるいは卵形のボンデインクパッド（２
）、このパッド（２）から放射状に延在される取り出し
電極（３）および配線パターン（４）等を同時形成した
ものであって、従来のＣＯＧ基板と同様に、チップ部品
に形成される半田バンプをパッド（２）に相対するよう
位置合わせした後に半田バンプを加熱溶融させて電気的
ならびに機械的接合が行われる。なお、−図においてａ
はパッド配列の中心であって、前記取り出し電極（３）
はこのａ点に求心的に配列、形成される。
長円形あるいは卵形に形成されるパッド（２）はその周
面から鋭角部が除去されて、その表裏およびｘ、ｙ方向
に作用する複雑な応力をパッド周縁部に分散させ、応力
集中によるミクロ破壊を防止している。また、比較的微
細パターンに形成されるパッド（２）および取り出し電
極（３）はパッド配列の中心ａに求心的に配列、形成さ
れて大きな応力が作用する方向の接合距離が確保されて
おり、マクロの応力に対する強度が向上されている。
面から鋭角部が除去されて、その表裏およびｘ、ｙ方向
に作用する複雑な応力をパッド周縁部に分散させ、応力
集中によるミクロ破壊を防止している。また、比較的微
細パターンに形成されるパッド（２）および取り出し電
極（３）はパッド配列の中心ａに求心的に配列、形成さ
れて大きな応力が作用する方向の接合距離が確保されて
おり、マクロの応力に対する強度が向上されている。
第２図は第１図におけるパッド（２′）の位置のパッド
拡大図を示す。前記したように長円形のパッド（２）を
パッド配列の中心ａに求心的に配列、形成する場合には
、パッド配列の内側では充分なパッド間隔、即ち絶縁ス
ペースを確保することが困難となる場合が生ずる。本実
施例はパッド配列の内側に形成される部分を短径とし、
パッド形状を概ね卵形としたものであり、これによりパ
ッド面積を低下させることなくパッド周縁に充分な絶縁
スペースを形成することが可能になる。
拡大図を示す。前記したように長円形のパッド（２）を
パッド配列の中心ａに求心的に配列、形成する場合には
、パッド配列の内側では充分なパッド間隔、即ち絶縁ス
ペースを確保することが困難となる場合が生ずる。本実
施例はパッド配列の内側に形成される部分を短径とし、
パッド形状を概ね卵形としたものであり、これによりパ
ッド面積を低下させることなくパッド周縁に充分な絶縁
スペースを形成することが可能になる。
（ト）発明の効果
以上述べたように本発明のチップオングラス基板は、そ
のボンディングパッド形状を長円形あるいは卵形とし、
パッド配列中心に求心的に形成したため、周縁から鋭角
部が除去されて応力集中による鋭角部のミクロ破壊が回
避されると共に大きな応力が作用する方向の接合距離が
確保されて、マクロの応力に対する強度が向上する。
のボンディングパッド形状を長円形あるいは卵形とし、
パッド配列中心に求心的に形成したため、周縁から鋭角
部が除去されて応力集中による鋭角部のミクロ破壊が回
避されると共に大きな応力が作用する方向の接合距離が
確保されて、マクロの応力に対する強度が向上する。
さらには、限られた間隔内に配列されるパッドの基板接
合面積が増大することにより、ＬＳＩチップの位置合わ
せを比較的に低精度にて行うことが可能になる付随効果
も期待される。
合面積が増大することにより、ＬＳＩチップの位置合わ
せを比較的に低精度にて行うことが可能になる付随効果
も期待される。
第１図は本発明のチップオングラス基板のパッド配列近
傍の平面図、第２図は同他の実施例のパッド拡大図、第
３図は従来のチップオングラス基板のパッド配列近傍の
平面図、第４図は同パッドの拡大図である。
傍の平面図、第２図は同他の実施例のパッド拡大図、第
３図は従来のチップオングラス基板のパッド配列近傍の
平面図、第４図は同パッドの拡大図である。
Claims (3)
- （１）ガラス基板あるいはエポキシ基板に、チップ部品
の半田バンプが直接接合されるボンディングパッドと、
このパッドに連続する取り出し電極および配線パターン
等を形成してなるチップオングラス基板において、前記
ボンディングパットが長円形に、かつパッドの配列中心
に求心配列されるよう形成されるチップオングラス基板
。 - （２）前記ボンディングパットが卵形であって、その短
径部がパッドの配列中心に求心配列される請求項１記載
のチップオングラス基板。 - （３）前記取り出し電極がパッドの配列中心に求心配列
される請求項１記載のチップオングラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28922789A JPH07120689B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | チップオングラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28922789A JPH07120689B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | チップオングラス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03149523A true JPH03149523A (ja) | 1991-06-26 |
| JPH07120689B2 JPH07120689B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=17740434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28922789A Expired - Lifetime JPH07120689B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | チップオングラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120689B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03159144A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US7675131B2 (en) | 2007-04-05 | 2010-03-09 | Micron Technology, Inc. | Flip-chip image sensor packages and methods of fabricating the same |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP28922789A patent/JPH07120689B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03159144A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US7675131B2 (en) | 2007-04-05 | 2010-03-09 | Micron Technology, Inc. | Flip-chip image sensor packages and methods of fabricating the same |
| US8012776B2 (en) | 2007-04-05 | 2011-09-06 | Micron Technology, Inc. | Methods of manufacturing imaging device packages |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07120689B2 (ja) | 1995-12-20 |
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